DE102007051447B4 - Gas diffusion method and diffusion furnace for carrying out the method - Google Patents

Gas diffusion method and diffusion furnace for carrying out the method Download PDF

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Abstract

Diffusionsofen bestehend aus einer Reaktionskammer, welche von einem Reaktionsrohr umschlossen wird, einer Außenhülle, welche das Reaktionsrohr umschließt, Heizelementen, welche zwischen dem Reaktionsrohr und der Außenhülle angeordnet sind, Einrichtungen zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres, Einrichtungen zum Erzeugen eines Vakuums sowie Einrichtungen zum Zuführen eines Reaktionsgases oder Reaktionsgasgemisches in die Reaktionskammer wobei die Einrichtungen zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres je einen Anschluss für eine Gasleitung aufweisen, welche mit einer eine gesteuerte Gasbewegung erzeugenden Gasführungsanordnung mittels Gasleitungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die eingangsseitige Einrichtung zum Verschließen (5) eines Endes des Reaktionsrohres (2) ein mit dem Anschluss (10) koppelbares Gasverteilungssystem (6) mit Gasauslassöffnungen aufweist, wobei eine Geometrie des Gasverteilungssystem (6) einer vorgegebenen Querschnittsgeometrie eines in der Reaktionskammer anordenbaren Substratstapels entspricht und die Gasauslassöffnungen des Gasverteilungssystem (6) derart angeordnete sind, dass ein über eine Stirnseite des Substratstapels gleichmäßig verteilter Gasstrom erzeugt wird.Diffusion furnace consisting of a reaction chamber which is enclosed by a reaction tube, an outer shell which surrounds the reaction tube, heating elements which are arranged between the reaction tube and the outer shell, means for closing both ends of the reaction tube, means for generating a vacuum and means for supplying of a reaction gas or reaction gas mixture into the reaction chamber, the devices for closing both ends of the reaction tube each having a connection for a gas line, which are connected to a gas flow arrangement generating a controlled gas movement by means of gas lines, characterized in that the inlet-side device for closing (5) one At the end of the reaction tube (2) has a gas distribution system (6) with gas outlet openings which can be coupled to the connection (10), the geometry of the gas distribution system (6) having a predetermined cross-sectional area geometry of a substrate stack that can be arranged in the reaction chamber and the gas outlet openings of the gas distribution system (6) are arranged in such a way that a gas stream that is uniformly distributed over an end face of the substrate stack is generated.

Description

Die Erfindung betrifft einen Diffusionsofen bestehend aus einer Reaktionskammer, welche von einem Reaktionsrohr umschlossen wird, einer Außenhülle, welche das Reaktionsrohr umschließt, Heizelementen, welche zwischen dem Reaktionsrohr und der Außenhülle angeordnet sind, Mitteln zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres, Mitteln zum Erzeugen eines Vakuums sowie Mitteln zum Zuführen eines Reaktionsgases oder Reaktionsgasgemisches in die Reaktionskammer.The invention relates to a diffusion furnace comprising a reaction chamber, which is enclosed by a reaction tube, an outer shell, which encloses the reaction tube, heating elements, which are arranged between the reaction tube and the outer shell, means for closing both ends of the reaction tube, means for generating a vacuum and means for supplying a reaction gas or reaction gas mixture into the reaction chamber.

Die Erfindung betrifft auch ein Gasdiffusionsverfahren bei welchem Substrate in die Reaktionskammer eines Diffusionsofens eingebracht werden, die Reaktionskammer nachfolgend verschlossen, evakuiert, mit einem Gas oder Gasgemisch befüllt, ein gewählter Druck unterhalb Atmosphärdruck eingestellt, aufgeheizt wird und bei dem während einer Reaktionszeit ein Reaktionsgas oder Reaktionsgasgemisch zugeführt wird.The invention also relates to a gas diffusion method in which substrates are introduced into the reaction chamber of a diffusion furnace, the reaction chamber subsequently closed, evacuated, filled with a gas or gas mixture, set a selected pressure below atmospheric pressure, heated and in which during a reaction time a reaction gas or reaction gas mixture is supplied.

Derartige Diffusionsöfen, wie sie z. B. aus der WO 2007 053 016 A2 bekannt sind werden für viele Prozesse bei der Halbleiterherstellung wie beispielsweise Diffusion, Oxidation, LPCVD-Prozesse (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) und zur Dotierung von Solarzellen eingesetzt.Such diffusion ovens, as they are for. B. from the WO 2007 053 016 A2 are known for many processes in semiconductor manufacturing such as diffusion, oxidation, LPCVD processes (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) and used for the doping of solar cells.

Bei einem thermisch induzierten Gasphasendiffusionsprozess besteht die Aufgabe beispielsweise darin, chemische Reaktionen auf der Oberfläche von Substraten durchzuführen.For example, in a thermally-induced gas-phase diffusion process, the object is to perform chemical reactions on the surface of substrates.

Diffusionsöfen bestehen meist aus großvolumigen Behältersystemen zur Aufnahme von mehreren Substraten welche in einem Stapel angeordnet werden können und sind oft mit einer Einrichtung zur Erzeugung eines Vakuums verbunden. Des Weiteren sind derartige Diffusionsöfen mit Heizelementen versehen, die zur gezielten Aufheizung bzw. Temperaturführung der Substrate in der Reaktionskammer geeignet sind. Diese Heizelemente sind häufig im Bereich zwischen der Außenhülle und dem Reaktionsrohr des Diffusionsofens derart angeordnet, dass sie die Substrate durch die von ihnen erzeugte Strahlung erwärmen.Diffusion ovens usually consist of large-volume container systems for receiving a plurality of substrates which can be arranged in a stack and are often connected to a device for generating a vacuum. Furthermore, such diffusion furnaces are provided with heating elements which are suitable for targeted heating or temperature control of the substrates in the reaction chamber. These heating elements are often arranged in the region between the outer shell and the reaction tube of the diffusion furnace in such a way that they heat the substrates by the radiation generated by them.

In speziellen Diffusionsöfen, in denen Reaktionsgase zur Anwendung kommen, die mit Metalloberflächen aggressiv reagieren wird als Baustoff für die Reaktionskammer ein Quarz eingesetzt. Eine derartige, beispielsweise aus Quarzglas bestehende Reaktionskammer, ermöglicht es, dass die Wärmestrahlung der außerhalb der Reaktionskammer angeordneten Heizelemente ungehindert die Substrate erreicht und diese erwärmt.In special diffusion furnaces, in which reaction gases are used, which react aggressively with metal surfaces, quartz is used as the building material for the reaction chamber. Such a reaction chamber, which consists, for example, of quartz glass, makes it possible for the heat radiation of the heating elements arranged outside the reaction chamber to reach the substrates unhindered and to heat them.

Ein während der Ausführung eines thermischen Verfahrens möglicher Ablauf in einem Diffusionsofen umfasst beispielsweise, dass die im Diffusionsofen angeordneten Substrate einem bestimmten Temperaturregime, d. h. einem bestimmten Temperatur-Zeit-Verlauf ausgesetzt werden. Hierfür werden die Substrate zunächst durch Einschalten der Heizelemente in einer ersten Aufheizphase erwärmt und auf ein bestimmtes erstes Temperaturniveau gebracht. Auf diesem werden die Substrate für die Dauer einer ersten vorgegebenen Reaktionszeit gehalten. Nachfolgend kann die Temperatur der Substrate auf ein weiteres zweites Temperaturniveau angehoben und für die Dauer einer zweiten Reaktionszeit gehalten werden. Nach Ablauf der Reaktionszeit oder der Reaktionszeiten des thermischen Verfahrens werden die Substrate abgekühlt.A possible process in a diffusion furnace during the execution of a thermal process comprises, for example, that the substrates arranged in the diffusion furnace meet a specific temperature regime, ie. H. be exposed to a specific temperature-time course. For this purpose, the substrates are first heated by switching on the heating elements in a first heating phase and brought to a certain first temperature level. On this, the substrates are held for the duration of a first predetermined reaction time. Subsequently, the temperature of the substrates can be raised to a further second temperature level and held for the duration of a second reaction time. After the reaction time or the reaction times of the thermal process, the substrates are cooled.

Der Nachteile des bekannten Standes der Technik liegen darin, dass Temperaturunterschiede auf einem Substrat selbst oder auch zwischen mehreren in einem Substratstapel oder Substratpaket angeordneten Substraten auftreten. Somit kommt es zu ungleichen Ergebnissen bei der Ausführung eines thermischen Verfahrens im Diffusionsofen.The disadvantages of the known prior art are that temperature differences occur on a substrate itself or between a plurality of substrates arranged in a substrate stack or substrate package. Thus, there are uneven results in the execution of a thermal process in the diffusion furnace.

In der Reaktionskammer kommt es außerdem zu einer ungleichen Gasverteilung sowohl während einer Aufheizphase als auch innerhalb einer Reaktionszeit, in welcher ein Reaktionsgas in die Reaktionskammer eingelassen wird, da eine Gasverteilung in der Reaktionskammer nur durch Konvektion erfolgen kann.In addition, in the reaction chamber there is an unequal gas distribution both during a heating phase and within a reaction time in which a reaction gas is introduced into the reaction chamber, since a gas distribution in the reaction chamber can only be effected by convection.

Die Aufgabe der Erfindung besteht somit darin, ein Gasdiffusionsverfahren und einen Diffusionsofen anzugeben, mit welchem die Parameter eines Gasdiffusionsprozesses, durch die Verbesserung der Temperaturhomogenität und der Gasverteilung auf der Oberfläche der Substrate, homogenisiert werden.The object of the invention is thus to provide a gas diffusion method and a diffusion furnace, with which the parameters of a gas diffusion process, by the improvement of the temperature homogeneity and the gas distribution on the surface of the substrates are homogenized.

Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe mit einem Diffusionsofen der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die Mittel zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres je einen Anschluss für eine Gasleitung aufweisen, welche mit einer eine gesteuerte Gasbewegung erzeugenden Gasführungsanordnung mittels Gasleitungen verbunden sind.According to the invention, the object is achieved with a diffusion furnace of the type mentioned above in that the means for closing both ends of the reaction tube each have a connection for a gas line, which are connected to a gas movement generating a controlled gas flow arrangement by means of gas lines.

Erfindungsgemäß ist es möglich, die Gasbewegung in der Reaktionskammer, welche sonst nur durch Konvektion hervorgerufen wird, zu beeinflussen. Hierfür wird mittels der außerhalb des Diffusionsofens angeordneten Gasführungsanordnung, welche mit der Eingangs- und der Ausgangsseite der Reaktionskammer mittels Gasleitungen verbunden ist, eine gezielte Gasbewegung derart erzeugt, dass das Gas aus der Reaktionskammer über die Ausgangsseite mittels der Gasleitung zur Gasführungsanordnung und von dieser wiederum mittels einer anderen Gasleitung über die Eingangsseite der Reaktionskammer bewegt wird. Diese gezielte Gasbewegung verbessert die Temperaturhomogenität innerhalb der Prozesskammer und somit auch zwischen und auf den einzelnen Substraten, welche üblicherweise in einem Stapel mit Zwischenräumen zwischen den einzelnen Substraten angeordnet sind. Dabei ist die Anordnung so ausgeführt, dass der durch das Mittel zum Erzeugen eines Vakuums erzeugte Unterdruck. nicht beeinflusst wird.According to the invention, it is possible to influence the gas movement in the reaction chamber, which is otherwise caused only by convection. For this purpose, by means of the arranged outside the diffusion furnace gas guide assembly, which is connected to the input and the output side of the reaction chamber by means of gas lines, a targeted gas movement generated such that the gas from the reaction chamber via the output side by means of the gas line to the gas guide arrangement and from this in turn one other gas line is moved over the input side of the reaction chamber. This targeted gas movement improves the temperature homogeneity within the process chamber and thus also between and on the individual substrates, which are usually arranged in a stack with spaces between the individual substrates. In this case, the arrangement is designed such that the negative pressure generated by the means for generating a vacuum. is not affected.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das eingangsseitige Mittel zum Verschließen eines Endes des Reaktionsrohres ein mit dem Anschluss koppelbares Gasverteilungssystem mit Gasauslassöffnungen aufweist.According to the invention, it is provided that the input-side means for closing one end of the reaction tube has a gas distribution system with gas outlet openings which can be coupled to the connection.

Erfindungsgemäß wird das durch die Eingangsseite der Reaktionskammer eingeleitete Gas nicht durch eine einzige Öffnung der Reaktionskammer zugeführt, sondern durch ein Gasverteilungssystem. Dieses ist mit dem eingangsseitigen Mittel zum Verschließen eines Endes des Reaktionsrohres verbunden und innerhalb der Reaktionskammer angeordnet. Somit kann das Gas von der Gasführungsanordnung über eine Gasleitung und den Anschluss der Eingangsseite zum Gasverteilungssystem gelangen und wird über die Gasauslassöffnungen des Gasverteilungssystems der Reaktionskammer zugeführt.According to the invention, the gas introduced through the inlet side of the reaction chamber is not supplied through a single opening of the reaction chamber, but through a gas distribution system. This is connected to the input side means for closing one end of the reaction tube and disposed within the reaction chamber. Thus, the gas from the gas guide assembly via a gas line and the connection of the input side can reach the gas distribution system and is supplied via the gas outlet of the gas distribution system of the reaction chamber.

Dieses ist derart gestaltet, dass es eine Anzahl von Gasauslassöffnungen aufweist, welche derart angeordnet sind, dass das in die Reaktionskammer einströmende Gas beispielsweise gleichmäßig über die Querschnittsfläche der Reaktionskammer verteilt wird. Werden Substrate in einem Stapel innerhalb der Reaktionskammer angeordnet, wobei die Querschnittsfläche des Substratstapels, betrachtet von der Eingangsseite der Reaktionskammer kleiner als die Querschnittsfläche der Reaktionskammer und beispielsweise viereckig ist, genügt es, die Gasauslassöffnungen des Gasverteilersystems so anzuordnen, dass nur die Querschnittsfläche des Substratstapels gleichmäßig beströmt wird.This is designed so that it has a number of gas outlet openings, which are arranged such that the gas flowing into the reaction chamber, for example, is evenly distributed over the cross-sectional area of the reaction chamber. If substrates are arranged in a stack within the reaction chamber, the cross-sectional area of the substrate stack being smaller than the cross-sectional area of the reaction chamber and quadrangular, as viewed from the inlet side of the reaction chamber, it is sufficient to arrange the gas outlet openings of the gas distributor system so that only the cross-sectional area of the substrate stack is uniform is flowed.

In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Mittel zum Zuführen eines Reaktionsgases in die Reaktionskammer als Reaktionsgasverteilungssystem mit Gasauslassöffnungen ausgeführt ist.In one embodiment of the invention, it is provided that the means for supplying a reaction gas into the reaction chamber is designed as a reaction gas distribution system with gas outlet openings.

In einer besonderen Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Mittel zum Zuführen eines Reaktionsgases in der Reaktionskammer als Reaktionsgasverteilungsrohr mit Gasauslassöffnungen ausgeführt ist.In a particular embodiment of the invention it is provided that the means for supplying a reaction gas in the reaction chamber is designed as a reaction gas distribution tube with gas outlet openings.

Erfindungsgemäß ist das Mittel zum Zuführen eines Reaktionsgases in die Reaktionskammer als Reaktionsgasverteilungssystem oder Reaktionsgasverteilungsrohr jeweils mit entsprechenden Gasauslassöffnungen ausgeführt. Diese Mittel zum Zuführen eines Reaktionsgases werden vorzugsweise unterhalb der Substrate im Prozessbereich der Reaktionskammer angeordnet. Die Gasauslassöffnungen eines Reaktionsgasverteilungssystem sind derart positioniert und dimensioniert, dass eine gleichmäßige Verteilung des zugeführten Reaktionsgases erreicht wird. Bei der Verwendung eines Reaktionsgasverteilungsrohrs werden mehrere Rektionsgasverteilungsrohre parallel zueinander unterhalb der Substrate angeordnet. Bei beiden Systemen können als Gasauslassöffnungen Düsen eingesetzt werden, welche das Gas richtungsgleich oder in unterschiedlichen Richtungen, d. h. diffus ausströmen lassen. Ein Gasverteilungsrohr kann auch als binäres Röhrensystem ausgeführt und mehrfach angeordnet werden.According to the invention, the means for supplying a reaction gas into the reaction chamber is designed as a reaction gas distribution system or reaction gas distribution tube, in each case with corresponding gas outlet openings. These means for supplying a reaction gas are preferably arranged below the substrates in the process area of the reaction chamber. The gas outlet openings of a reaction gas distribution system are positioned and dimensioned such that a uniform distribution of the supplied reaction gas is achieved. When using a reaction gas distribution tube, a plurality of reaction gas distribution tubes are arranged in parallel with each other below the substrates. In both systems can be used as gas outlet orifices, which the gas directionally equal or in different directions, d. H. let diffuse out. A gas distribution pipe can also be designed as a binary pipe system and arranged several times.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Mittel zum zuführen eines Reaktionsgases oberhalb der Substrate im Prozessbereich der Reaktionskammer angeordnet ist.In an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the means for supplying a reaction gas above the substrates in the process area of the reaction chamber is arranged.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Gasauslassöffnungen eine gleiche Größe aufweisen.In a further embodiment of the invention, it is provided that the gas outlet openings have the same size.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Gasauslassöffnungen unterschiedliche Größen aufweisen.In one embodiment of the invention it is provided that the gas outlet openings have different sizes.

Durch die Auswahl der Position und deren Größe oder des Durchmessers der Gasauslassöffnungen kann das zugeführte Reaktionsgas bei beiden Systemen homogen verteilt werden. Da beispielsweise der Druck innerhalb eines Gasverteilungsrohrs in Gasrichtung abnimmt, werden die Öffnungen am Anfang des Rohres mit einem kleineren Durchmesser ausgeführt als die Öffnungen am Ende des Gasverteilungsrohrs.By selecting the position and its size or the diameter of the gas outlet openings, the supplied reaction gas can be homogeneously distributed in both systems. For example, as the pressure within a gas distribution tube decreases in the gas direction, the openings at the beginning of the tube are made smaller in diameter than the openings at the end of the gas distribution tube.

Eine andere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Gasauslassöffnungen so ausgeführt sind, dass das Reaktionsgas nur in eine Richtung ausströmend der Reaktionskammer zugeführt wird.Another embodiment of the invention provides that the gas outlet openings are designed such that the reaction gas is supplied to the reaction chamber flowing out in only one direction.

In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Gasauslassöffnungen so ausgeführt sind, dass das Reaktionsgas in unterschiedliche Richtungen ausströmend der Reaktionskammer zugeführt wird.In a particular embodiment of the invention it is provided that the gas outlet openings are designed so that the reaction gas is supplied in different directions outflowing the reaction chamber.

Erfindungsgemäß kann das der Reaktionskammer zugeführte Reaktionsgas beispielsweise richtungsgleich oder in unterschiedlichen Richtungen, d. h. diffus eingeleitet werden. Mit dieser Möglichkeit wird die Homogenität der Reaktionsgasverteilung weiter verbessert. Dabei kann auch eine Mischung zwischen richtungsgleichem und diffusem. Zuführen des Reaktionsgases sinnvoll sein und zu einer Verbesserung der Homogenität führen.According to the invention, the reaction gas supplied to the reaction chamber can be introduced, for example, in the same direction or in different directions, ie diffusely. With this possibility, the homogeneity of the reaction gas distribution is further improved. It can also be a mixture between directional and diffuse. Feeding the reaction gas be useful and lead to an improvement in the homogeneity.

Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe bei einem Gasdiffusionsverfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass ein Gasumlauf dadurch erzeugt wird, dass das Gas in der Reaktionskammer mittels der Gasführungsanordnung aus der Reaktionskammer über eine Ausgangsseite abgesaugt und über eine Eingangsseite der Reaktionskammer wieder zugeführt wird.According to the invention, the object is achieved in a gas diffusion method of the type mentioned above in that a gas circulation is generated in that the gas is sucked in the reaction chamber by means of the gas guide assembly from the reaction chamber via an output side and fed back via an input side of the reaction chamber.

Mittels einer Gasführungsanordnung wird der erfindungsgemäße Gasumlauf durch das Absaugen des Gases aus der Reaktionskammer über die Ausgangsseite und das Zuführen des Gases über die Eingangsseite realisiert. Diese gesteuerte Gasbewegung verbessert die Homogenität bezüglich der Gaskonzentration und der Temperatur in der Reaktionskammer. Die den Gasumlauf bewirkenden Mittel wie Anschlüsse, Gasleitungen und Gasführungsanordnung sind entsprechend hochtemperaturfest und vakuumdicht ausgeführt.By means of a gas guide arrangement of the gas circulation according to the invention is realized by the suction of the gas from the reaction chamber via the output side and the supply of the gas via the input side. This controlled gas movement improves the homogeneity with respect to the gas concentration and the temperature in the reaction chamber. The means causing the gas circulation means such as connections, gas lines and gas guide arrangement are carried out correspondingly high temperature resistant and vacuum-tight.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, dass der Gasumlauf bereits nach dem Verschließen der Reaktionskammer und vor der Zuführung eines Reaktionsgases in die Reaktionskammer erzeugt wird.In one embodiment of the method it is provided that the gas circulation is generated already after the closing of the reaction chamber and before the supply of a reaction gas into the reaction chamber.

Der Gasumlauf wird beispielsweise nach dem Einbringen der Substrate und dem Verschließen des Diffusionsofens gestartet. In etwa zeitgleich kann das Einschalten der Heizelemente für eine Aufheizphase erfolgen, um die Substrate auf ein bestimmtes Temperaturniveau zu bringen. Während im Stand der Technik eine Erwärmung der Substrate im Substratstapel, beginnend von außen nach innen, nur durch Konvektion und Wärmestrahlung der Heizelemente (aktiv und passiv) erfolgt, wird durch den erfindungsgemäßen Gasumlauf speziell die Erwärmung der im Substratstapel innen angeordneten Substrate verbessert und somit die für die Aufheizphase benötigte Zeit verringert.The gas circulation is started, for example, after the introduction of the substrates and the closing of the diffusion furnace. At about the same time, the heating elements can be switched on for a heating phase in order to bring the substrates to a specific temperature level. While in the prior art heating of the substrates in the substrate stack, starting from the outside inwards, takes place only by convection and thermal radiation of the heating elements (active and passive), the heating of the substrates arranged inside the substrate stack improves the heating of the gas circulation according to the invention, and thus the reduced time required for the heating phase.

In einer besonderen Ausführung des Verfahrens ist vorgesehen, dass Substrate mit einer zu einer anderen Seite längeren Seite mit dieser längeren Seite parallel zu der Richtung eines durch den Gasumlauf erzeugten Gasflusses in Gasflussrichtung in die Reaktionskammer eingebracht werden.In a particular embodiment of the method, it is provided that substrates with a longer side to a different side with this longer side parallel to the direction of a gas flow generated by the gas circulation in gas flow direction are introduced into the reaction chamber.

Die einzeln oder in einem Substratstapel angeordneten Substrate weisen gewöhnlicher Weise eine Erstreckung in drei Dimensionen, wie beispielsweise Länge, Breite und Tiefe, also drei Seiten auf. Dabei kann beispielsweise bei einem Wafer oder einem quadratischen Substrat eine Gleichheit zwischen zwei Seiten (Länge und Breite) vorhanden sein. Zumindest aber die Dicke oder Tiefe hat eine wesentlich kleinere Erstreckung gegenüber der oder den anderen Seiten. Gemäß der Erfindung kann die Wirkung des erzeugten Gasflusses besonders effektiv genutzt werden, wenn die Substrate in der Reaktionskammer so angeordnet werden, dass ihrer längsten Seite parallel zur Richtung des Gasumlaufs ausgerichtet ist. Somit ist es möglich, dass das Gas von der Eingangsseite zwischen den Substraten des Substratstapels hindurch zur Ausgangsseite gelangt.The substrates arranged individually or in a substrate stack usually have an extent in three dimensions, such as length, width and depth, ie three sides. In this case, for example, in the case of a wafer or a square substrate, an equality between two sides (length and width) may be present. But at least the thickness or depth has a much smaller extension relative to the or the other sides. According to the invention, the effect of the generated gas flow can be used particularly effectively if the substrates in the reaction chamber are arranged so that their longest side is aligned parallel to the direction of gas circulation. Thus, it is possible that the gas passes from the input side between the substrates of the substrate stack to the output side.

In einer weiteren Ausgestaltung ist vorgesehen, dass vor dem Zuführen eines Prozessgases in die Reaktionskammer der Gasumlauf gestoppt wird.In a further embodiment, it is provided that the gas circulation is stopped before supplying a process gas into the reaction chamber.

Um die durch das Reaktionsgasverteilungssystem oder die Reaktionsgasverteilungsrohre erzeugte Homogenität bei der Zuführung des Reaktionsgases in die Reaktionskammer nicht zu beeinflussen, wird während der Reaktionszeit der Gasumlauf gestoppt. Somit gelangt auch kein Reaktionsgas in die Gasführungsanordnung.In order not to influence the homogeneity generated by the reaction gas distribution system or the reaction gas distribution pipes in the supply of the reaction gas into the reaction chamber, the gas circulation is stopped during the reaction time. Thus, no reaction gas enters the gas guide arrangement.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigtThe invention will be explained in more detail with reference to an embodiment. In the accompanying drawing shows

1 einen erfindungsgemäßen Diffusionsofen in Perspektivdarstellung und 1 a diffusion furnace according to the invention in perspective view and

2 einen erfindungsgemäßen Diffusionsofen in einer Längsschnittdarstellung mit Mitteln zum Verschließen des Reaktionsrohres. 2 a diffusion furnace according to the invention in a longitudinal sectional view with means for closing the reaction tube.

Der Diffusionsofen in der 1 besteht aus der Reaktionskammer 1, welche vom Reaktionsrohr 2 umschlossen wird, mehreren Heizelementen 4, welche um das Reaktionsrohr 2 herum angeordnet sind und der Außenhülle 3.The diffusion furnace in the 1 consists of the reaction chamber 1 , which from the reaction tube 2 is enclosed, several heating elements 4 which surround the reaction tube 2 are arranged around and the outer shell 3 ,

In der Reaktionskammer 1 sind Substrate 8 einzeln oder in Form eines aus mehreren Substraten 8 bestehenden Substratstapels angeordnet.In the reaction chamber 1 are substrates 8th individually or in the form of one of several substrates 8th existing substrate stack arranged.

Zwischen dem Reaktionsrohr 2 und der Außenhülle 3 des Diffusionsofens sind die Heizelemente 4 derart angeordnet, dass sie durch ihre Heizstrahlung die Substrate 8 in der Reaktionskammer 1 erwärmen. Die beiden Enden des Reaktionsrohres 2 werden durch die nicht dargestellten Mittel zum Verschließen des Reaktionsrohres 5 verschlossen. Weiterhin weist der Diffusionsofen noch ein Mittel zum Zuführen eines Reaktionsgases 7 und einen Anschluss für eine Vakuumpumpe auf, welche ebenfalls nicht dargestellt sind.Between the reaction tube 2 and the outer shell 3 of the diffusion furnace are the heating elements 4 arranged such that they by their heating radiation, the substrates 8th in the reaction chamber 1 heat. The two ends of the reaction tube 2 be through the means, not shown, for closing the reaction tube 5 locked. Furthermore, the diffusion furnace still has a means for supplying a reaction gas 7 and a connection for a vacuum pump, which are also not shown.

Zur erfindungsgemäßen Verbesserung der Temperaturhomogenität und der Gasverteilung sowohl auf als auch zwischen den Substraten 8 sind die Mittel zum Verschließen des Reaktionsrohres 5 jeweils mit einem Anschluss zur Verbindung mit einer Gasleitung 9 und 10 versehen. Somit kann über die an den Anschluss der Ausgangsseite 9 des Reaktionsrohres 2 angeschlossene erste Gasleitung das Gas aus dem Reaktionsrohr 2 einer Gasführungsanordnung, welche einen eingangsseitigen ersten Anschluss für die erste Gasleitung aufweist, zugeführt werden. Von dieser wird das Gas über einen ausgangsseitigen Anschluss für eine zweite Gasleitung über die zweite Gasleitung zum eingangsseitigen Anschluss der Eingangsseite 10 des Reaktionsrohres 2 in das Reaktionsrohr 2 rückgeführt. Dieser Gaskreislauf ist vakuumdicht ausgeführt, so dass ein, durch die Vakuumpumpe erzeugter Unterdruck im Diffusionsofen nicht verändert wird. Die Gasbewegung wird durch die Gas führungsanordnung gesteuert.For the improvement according to the invention of the temperature homogeneity and the gas distribution both on and between the substrates 8th are the means for closing the reaction tube 5 each with a connection for connection to a gas line 9 and 10 Mistake. Thus, via the to the connection of the output side 9 of the reaction tube 2 connected first gas line, the gas from the reaction tube 2 a gas guide arrangement, which has an input-side first connection for the first gas line, are supplied. From this, the gas via an output-side connection for a second gas line via the second gas line to the input side connection of the input side 10 of the reaction tube 2 in the reaction tube 2 recycled. This gas circulation is designed vacuum-tight, so that a vacuum generated by the vacuum pump is not changed in the diffusion furnace. The gas movement is controlled by the gas guide arrangement.

Durch die derart erzeugte aktive Gasbewegung werden homogene Verfahrensbedingungen wie die Verbesserung der Temperaturhomogenität auf und zwischen den Substraten 8 erzeugt. In einem Diffusionsofen ohne einen derartigen Gaskreislauf könnte eine Gasbewegung lediglich durch Konvektion zustande kommen, was zur Folge hätte, dass bis zum Erreichen einer vergleichbaren Temperaturhomogenität eine weitaus längere Zeit vergehen müsste.As a result of the active gas movement generated in this way, homogeneous process conditions such as the improvement in temperature homogeneity on and between the substrates are achieved 8th generated. In a diffusion furnace without such a gas cycle, a gas movement could only come about by convection, which would mean that a much longer time would have to pass until a comparable temperature homogeneity is achieved.

Die Erfindung vermindert somit beispielsweise den Zeitaufwand zum Erreichen eines ersten Temperaturniveaus bei gleichzeitiger Verbesserung der Temperaturhomogenität zwischen den Substraten 8 eines Substratstapels.The invention thus reduces, for example, the time required to reach a first temperature level while improving the temperature homogeneity between the substrates 8th a substrate stack.

Eine weitere Maßnahme zur Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe ist in der 2 dargestellt. 2 zeigt die schon aus 1 bekannten Bestandteile des Diffusionsofens Reaktionskammer 1, Reaktionsrohr 2, Außenhülle 3 und Heizelement 4. Weiterhin ist ein an der Ausgangsseite des Reaktionsrohres 2 angeordnetes Mittel zum Verschließen 5 des Reaktionsrohres 2 mit einem Anschluss der Ausgangsseite 9 und ein an der Eingangsseite des Reaktionsrohres 2 angeordnetes Mittel zum Verschließen 5 des Reaktionsrohres 2 mit einem Anschluss der Eingangsseite 10 dargestellt. Nicht dargestellt sind die erste und zweite Gasleitung sowie die Gasführungsanordnung.Another measure for achieving the object of the invention is in the 2 shown. 2 that shows already 1 known components of the diffusion furnace reaction chamber 1 , Reaction tube 2 , Outer shell 3 and heating element 4 , Furthermore, one is on the exit side of the reaction tube 2 arranged means for closing 5 of the reaction tube 2 with a connection of the output side 9 and one on the input side of the reaction tube 2 arranged means for closing 5 of the reaction tube 2 with a connection of the input side 10 shown. Not shown are the first and second gas line and the gas guide arrangement.

Mit dem Anschluss der Eingangsseite 10 ist ein Gasverteilungssystem 6 derart verbunden, dass das von der Gasführungsanordnung über die zweite Gasleitung und den Anschluss 10 zugeführte Gas in das Gasverteilungssystem 6 gelangt. Aus diesem strömt das Gas durch die Gasauslassöffnungen des Gasverteilungssystem 6 in die Reaktionskammer ein. Durch eine geeignete Positionierung und Wahl der Durchmesser der Gasauslassöffnungen wird ein über die Stirnseite des Substratstapels gleichmäßig verteilter Gasstrom erzeugt. Dazu wird die Geometrie des Gasverteilersystem 6 an die Querschnittsgeometrie des Substratstapels angepasst. Bei entsprechender Anordnung der Substrate in Gasflussrichtung kann das Gas somit von der Eingangsseite zwischen den Substraten hindurch zur Ausgangsseite strömen und somit die Homogenität bezüglich Konzentration und Temperatur verbessern.With the connection of the input side 10 is a gas distribution system 6 connected such that of the gas guide assembly via the second gas line and the connection 10 supplied gas in the gas distribution system 6 arrives. From this gas flows through the gas outlet of the gas distribution system 6 into the reaction chamber. By a suitable positioning and selection of the diameter of the gas outlet openings, a gas stream distributed uniformly over the end face of the substrate stack is produced. For this, the geometry of the gas distribution system 6 adapted to the cross-sectional geometry of the substrate stack. With appropriate arrangement of the substrates in the gas flow direction, the gas can thus flow from the input side between the substrates through to the output side and thus improve the homogeneity in terms of concentration and temperature.

Erfindungsgemäß kommt ein Reaktionsgasverteilungssystem und/oder Reaktionsgasverteilungsrohre 7, welche unterhalb des Substratstapels im gesamten Prozessbereich der Reaktionskammer 1 angeordnet sind, zur Anwendung. Über diese 7 wird ein Reaktionsgas während einer Reaktionszeit der Reaktionskammer 1 zugeführt. Dabei sind das Verteilungssystem und/oder die Rohre 7 mit Gasauslassöffnungen versehen, welche durch ihre Positionierung und Dimensionierung (Durchmesser der Öffnung und Form der Düse) eine homogene Prozessgasverteilung ermöglichen. Mittels einer entsprechenden Form der Düse kann beispielsweise das Reaktionsgas der Reaktionskammer 1 in verschiedene Richtungen gestreut (diffus) zugeführt werden.According to the invention, there is a reaction gas distribution system and / or reaction gas distribution tubes 7 , which are below the substrate stack in the entire process area of the reaction chamber 1 are arranged for use. About these 7 becomes a reaction gas during a reaction time of the reaction chamber 1 fed. Here are the distribution system and / or the pipes 7 provided with gas outlet openings, which allow by their positioning and dimensioning (diameter of the opening and shape of the nozzle) a homogeneous process gas distribution. By means of a corresponding shape of the nozzle, for example, the reaction gas of the reaction chamber 1 scattered (diffused) in different directions.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Reaktionskammerreaction chamber
22
Reaktionsrohrreaction tube
33
Außenhülleouter shell
44
Heizelementheating element
55
Mittel zum Verschließen des ReaktionsrohresMeans for closing the reaction tube
66
GasverteilersystemGas distribution system
77
Mittel zum Zuführen eines ReaktionsgasesMeans for supplying a reaction gas
88th
Substratsubstratum
99
Anschluss der AusgangsseiteConnection of the output side
1010
Anschluss der EingangsseiteConnection of the input side

Claims (9)

Diffusionsofen bestehend aus einer Reaktionskammer, welche von einem Reaktionsrohr umschlossen wird, einer Außenhülle, welche das Reaktionsrohr umschließt, Heizelementen, welche zwischen dem Reaktionsrohr und der Außenhülle angeordnet sind, Einrichtungen zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres, Einrichtungen zum Erzeugen eines Vakuums sowie Einrichtungen zum Zuführen eines Reaktionsgases oder Reaktionsgasgemisches in die Reaktionskammer wobei die Einrichtungen zum Verschließen beider Enden des Reaktionsrohres je einen Anschluss für eine Gasleitung aufweisen, welche mit einer eine gesteuerte Gasbewegung erzeugenden Gasführungsanordnung mittels Gasleitungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die eingangsseitige Einrichtung zum Verschließen (5) eines Endes des Reaktionsrohres (2) ein mit dem Anschluss (10) koppelbares Gasverteilungssystem (6) mit Gasauslassöffnungen aufweist, wobei eine Geometrie des Gasverteilungssystem (6) einer vorgegebenen Querschnittsgeometrie eines in der Reaktionskammer anordenbaren Substratstapels entspricht und die Gasauslassöffnungen des Gasverteilungssystem (6) derart angeordnete sind, dass ein über eine Stirnseite des Substratstapels gleichmäßig verteilter Gasstrom erzeugt wird.A diffusion furnace comprising a reaction chamber enclosed by a reaction tube, an outer shell enclosing the reaction tube, heating elements disposed between the reaction tube and the outer shell, means for closing both ends of the reaction tube, means for generating a vacuum, and means for supplying a reaction gas or reaction gas mixture into the reaction chamber, the means for closing both ends of the reaction tube each having a connection for a gas line, which are connected to a controlled gas movement generating gas guide arrangement by means of gas lines, characterized in that the input-side means for closing ( 5 ) of one end of the reaction tube ( 2 ) with the connection ( 10 ) coupled gas distribution system ( 6 ) having gas outlet openings, wherein a geometry of the gas distribution system ( 6 ) of a predetermined cross-sectional geometry of an in corresponds to the reaction chamber arranged substrate stack and the gas outlet openings of the gas distribution system ( 6 ) are arranged such that over a front side of the substrate stack uniformly distributed gas flow is generated. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Zuführen eines Reaktionsgases (7) in die Reaktionskammer (1) als Reaktionsgasverteilungssystem mit Gasauslassöffnungen ausgeführt ist.Arrangement according to claim 1, characterized in that the means for supplying a reaction gas ( 7 ) in the reaction chamber ( 1 ) is designed as a reaction gas distribution system with gas outlet. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Zuführen eines Reaktionsgases (7) in der Reaktionskammer (1) als Reaktionsgasverteilungsrohr mit Gasauslassöffnungen ausgeführt ist.Arrangement according to claim 2, characterized in that the means for supplying a reaction gas ( 7 ) in the reaction chamber ( 1 ) is designed as a reaction gas distribution tube with gas outlet. Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasauslassöffnungen unterschiedliche Größen aufweisen.Arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that the gas outlet openings have different sizes. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasauslassöffnungen so ausgeführt sind, dass das Reaktionsgas in unterschiedliche Richtungen ausströmend der Reaktionskammer (1) zugeführt wird.Arrangement according to one of claims 2 to 4, characterized in that the gas outlet openings are designed so that the reaction gas in different directions flowing out of the reaction chamber ( 1 ) is supplied. Gasdiffusionsverfahren bei welchem Substrate in die Reaktionskammer des Diffusionsofens eingebracht werden, die Reaktionskammer nachfolgend verschlossen, evakuiert, mit einem Gas befüllt, ein gewählter Druck unterhalb Atmosphärdruck eingestellt, aufgeheizt wird und bei dem während einer Reaktionszeit ein Reaktionsgas oder Reaktionsgasgemisch zugeführt wird, wobei ein Gasumlauf dadurch erzeugt wird, dass das Gas in der Reaktionskammer mittels einer Gasführungsanordnung aus der Reaktionskammer über eine Ausgangsseite abgesaugt und über eine Eingangsseite der Reaktionskammer wieder zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, das s das über die Eingangsseite der Reaktionskammer (1) zugeführte Gas mittels eines das Gas gleichmäßig über die Querschnittsfläche der Reaktionskammer (1) verteilenden Gasverteilungssystems (6) verteilt wird, wobei die Geometrie des Gasverteilungssystem (6) an eine vorgegebene Querschnittsgeometrie eines in der Reaktionskammer angeodenbaren Substratstapels angepasst ist.Gas diffusion method in which substrates are introduced into the reaction chamber of the diffusion furnace, the reaction chamber subsequently sealed, evacuated, filled with a gas, set a selected pressure below atmospheric pressure, heated and in which during a reaction time a reaction gas or reaction gas mixture is supplied, wherein a gas circulation that the gas in the reaction chamber is sucked out of the reaction chamber via an outlet side by means of a gas guide arrangement and is returned to the reaction chamber via an inlet side, characterized in that the gas is introduced via the inlet side of the reaction chamber ( 1 ) supplied gas by means of a gas uniformly over the cross-sectional area of the reaction chamber ( 1 ) distributing gas distribution system ( 6 ), the geometry of the gas distribution system ( 6 ) is adapted to a predetermined cross-sectional geometry of a substrate stackable in the reaction chamber stack. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasumlauf bereits nach dem Verschließen der Reaktionskammer (1) und vor der Zuführung eines Reaktionsgases in die Reaktionskammer (1) erzeugt wird.A method according to claim 6, characterized in that the gas circulation already after closing the reaction chamber ( 1 ) and before the supply of a reaction gas into the reaction chamber ( 1 ) is produced. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass Substrate mit einer zu einer anderen Seite längeren Seite mit dieser längeren Seite parallel zu der Richtung eines durch den Gasumlauf erzeugten Gasflusses in Gasflussrichtung in die Reaktionskammer (1) eingebracht werden.A method according to claim 6 or 7, characterized in that substrates with a longer side to another side with this longer side parallel to the direction of gas flow generated by the gas flow in the gas flow direction in the reaction chamber ( 1 ) are introduced. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Zuführen eines Prozessgases in die Reaktionskammer (1) der Gasumlauf gestoppt wird.Method according to one of claims 6 to 8, characterized in that prior to supplying a process gas into the reaction chamber ( 1 ) the gas circulation is stopped.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2856312A (en) * 1953-07-03 1958-10-14 Nowak Rudolf Treating metal surfaces
US4775317A (en) * 1984-11-16 1988-10-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Oven for the heat treatment of semiconductor substrates
US4802441A (en) * 1987-01-08 1989-02-07 Btu Engineering Corporation Double wall fast cool-down furnace
US5267257A (en) * 1991-08-14 1993-11-30 Grier-Jhawar-Mercer, Inc. Vacuum furnace with convection heating and cooling
WO2007053016A2 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Holdingmij. Wilro B.V. Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0140791A1 (en) * 1983-10-28 1985-05-08 B T U Engineering Corporation Apparatus for providing uniform thickness CVD thin-film on semiconductor substrates
US4793283A (en) * 1987-12-10 1988-12-27 Sarkozy Robert F Apparatus for chemical vapor deposition with clean effluent and improved product yield
US5135391A (en) * 1990-04-24 1992-08-04 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing gas diffuser plate
US6139641A (en) * 1996-06-24 2000-10-31 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus having a gas heating tube
TW432488B (en) * 1999-04-12 2001-05-01 Mosel Vitelic Inc Reaction facility for forming film and method of air intake
US7534977B2 (en) * 2000-12-28 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2856312A (en) * 1953-07-03 1958-10-14 Nowak Rudolf Treating metal surfaces
US4775317A (en) * 1984-11-16 1988-10-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Oven for the heat treatment of semiconductor substrates
US4802441A (en) * 1987-01-08 1989-02-07 Btu Engineering Corporation Double wall fast cool-down furnace
US5267257A (en) * 1991-08-14 1993-11-30 Grier-Jhawar-Mercer, Inc. Vacuum furnace with convection heating and cooling
WO2007053016A2 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Holdingmij. Wilro B.V. Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process

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