DE102007049929B4 - Inner coated hollow waveguides, process for their preparation and their use - Google Patents

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Abstract

Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter, der
a) eine Kanalstruktur und
b) eine Innenbeschichtung auf der inneren Oberfläche der Kanalstruktur
umfasst, wobei die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine Höhe von weniger als 50 nm aufweist.
Internal coated hollow fiber waveguide, the
a) a channel structure and
b) an inner coating on the inner surface of the channel structure
wherein the surface of the inner coating facing the channel interior has a height of less than 50 nm.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft innenbeschichtete Hohllichtwellenleiter, die insbesondere zur Führung, Formung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen oder Teilchenstrahlung geeignet sind, Verfahren zu deren Herstellung sowie die Verwendung der innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter.The invention relates to internally coated hollow optical waveguides which are particularly suitable for guiding, shaping and amplifying electromagnetic waves or particle radiation, to processes for their production and to the use of the internally coated hollow optical waveguides.

Röntgenstrahlung spielt in verschiedensten Bereichen der Technik, wie der Medizin, der Strukturanalytik und der Materialwissenschaft eine wichtige Rolle. Dabei gewinnt aufgrund des Wunsches nach zunehmend besseren Auflösungsfähigkeiten analytischer Systeme bzw. nach weitergehender Miniaturisierung von Strukturen die Verwendung der besonders kurzwelligen, harten Röntgenstrahlung immer mehr an Bedeutung. Daher werden zunehmend Systeme benötigt, mit denen sich solche Strahlung führen, formen und verstärken lässt.X-ray radiation plays an important role in various fields of technology, such as medicine, structural analysis and materials science. Due to the desire for increasingly better resolution capabilities of analytical systems or for further miniaturization of structures, the use of particularly short-wavelength, hard X-ray radiation is becoming increasingly important. As a result, systems are increasingly needed to guide, shape, and amplify such radiation.

Für hochenergetische Strahlung mit Wellenlängen von unterhalb 100 nm sind konventionelle Linsen nicht geeignet. Stattdessen werden in der Technik zur Führung und Formung solcher Strahlung spezielle Syteme, insbesondere toroidische Hohlspiegel, Fresnel-Zonenplatten und Kapillaroptiken verwendet. Dabei weisen Kapillaroptiken gegenüber den anderen Systemen unter anderem die Vorteile einer technologisch weniger aufwendigen und daher günstigeren Herstellung, die Nutzbarkeit eines größeren Raumwinkelbereichs der eingesetzten Strahlung sowie die Möglichkeit zur flexiblen Führung der Strahlung, beispielsweise um Hindernisse herum, wie sie insbesondere für medizinische Anwendungen benötigt wird, auf.For high-energy radiation with wavelengths below 100 nm, conventional lenses are not suitable. Instead, special systems, in particular toroidal concave mirrors, Fresnel zone plates and capillary optics are used in the art for guiding and shaping such radiation. In this case, capillary optics over the other systems, among other things, the advantages of a technologically less expensive and therefore cheaper production, the usability of a larger solid angle range of the radiation used and the ability to flexibly guide the radiation, for example, around obstacles, as it is needed especially for medical applications , on.

Allerdings ist die inhärente Reflektivität für hochenergetische Strahlung bei den Materialien, die wie beispielsweise Glas üblicherweise zur Herstellung von Hohllichtwellenleitern verwendet werden, gering. Zur Führung, Formung und Verstärkung beispielsweise von EUV-Strahlung und schwacher Röntgenstrahlung sind daher innenbeschichtete Hohllichtwellenleiter verwendet worden.However, the inherent reflectivity for high energy radiation in the materials commonly used to make hollow fiber waveguides, such as glass, is low. For guiding, shaping and amplifying, for example, EUV radiation and weak X-radiation, internally coated hollow optical waveguides have therefore been used.

Aus der US 5,130,172 A ist ein Verfahren zur Metallbeschichtung von Oberflächen mit Hilfe der chemischen Gasphasenabscheidung oder der Gasphasen-Laser-Photoabscheidung aus einer flüchtigen Organometallverbindung bekannt.From the US 5,130,172 A For example, a method of metal plating surfaces by chemical vapor deposition or gas phase laser photoablation from a volatile organometallic compound is known.

DE 198 52 722 C1 beschreibt ein Verfahren zur Innenbeschichtung von Monokapillaren sowie die Verwendung beschichteter Monokapillaren oder Bündeln beschichteter Monokapillaren für bestimmte katalytische und optische Anwendungen. DE 198 52 722 C1 describes a process for the interior coating of monocapillaries as well as the use of coated monocapillars or bundles of coated monocapillaries for certain catalytic and optical applications.

Es hat sich jedoch gezeigt, dass gemäß den bekannten Verfahren erhältliche Innenbeschichtungen von Hohllichtwellenleitern für viele optische Anwendungen keine ausreichende Qualität aufweisen. Aufgrund unzureichender röntgenoptischer Eigenschaften können solche Hohllichtwellenleiter auch insbesondere nicht für harte Röntgenstrahlung verwendet werden. Daher werden zur Führung, Formung und Verstärkung von harter Röntgenstrahlung bisher Hohllichtwellenleiter aus Bleiglas verwendet. Es hat sich jedoch herausgestellt, dass solche Gläser sehr schwer zu bearbeiten sind und nur eine geringe Lebensdauer haben. Beispielsweise wurden bei der Verwendung von Hohllichtwellenleitern aus Bleiglas zur Verstärkung von harter Röntgenstrahlung nach 5000 Betriebsstunden im Vergleich zu den zu Beginn der Verwendung gemessenen Intensitäten Intensitätsverluste von mehr als 50% beobachtet.However, it has been shown that internal coatings of hollow optical waveguides obtainable according to the known methods do not have sufficient quality for many optical applications. Due to insufficient X-ray optical properties such hollow waveguides can not be used in particular for hard X-radiation. For this reason hollow-lead waveguides made of lead glass have been used to guide, shape and amplify hard X-ray radiation. However, it has been found that such glasses are very difficult to work and have only a short life. For example, intensity losses of more than 50% were observed when using hollow lead waveguides made of lead glass for amplification of hard X-ray radiation after 5000 hours of operation compared to the intensities measured at the beginning of use.

Es besteht daher ein Bedarf nach weiteren Systemen zur Führung, Formung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen oder Teilchenstrahlung, die in technischer und wirtschaftlicher Hinsicht eine verbesserte Brauchbarkeit aufweisen und insbesondere auch zur Verwendung mit harter Röntgenstrahlung geeignet sind.There is therefore a need for further systems for guiding, shaping and amplifying electromagnetic waves or particle radiation, which have an improved usability from a technical and economic point of view and in particular are also suitable for use with hard X-radiation.

Diese Aufgabe wird durch den innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14 und 40 gelöst. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines innenbeschichteten Hohllichtwellenleiters gemäß den Ansprüchen 15 bis 39 sowie die Verwendung eines innenbeschichteten Hohllichtwellenleiters gemäß einem der Ansprüche 41 und 42.This object is achieved by the internally coated hollow waveguide according to one of claims 1 to 14 and 40. The invention also relates to a method for producing an internally coated hollow optical waveguide according to claims 15 to 39 and to the use of an internally coated hollow optical waveguide according to one of claims 41 and 42.

Der erfindungsgemäße innenbeschichtete Hohllichtwellenleiter zeichnet sich dadurch aus, dass er (a) eine Kanalstruktur und (b) eine Innenbeschichtung auf der inneren Oberfläche der Kanalstruktur umfasst, wobei die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine Höhe von weniger als 50 nm aufweist.The inner coated hollow optical waveguide according to the invention is characterized in that it comprises (a) a channel structure and (b) an inner coating on the inner surface of the channel structure, wherein the surface of the inner coating facing the channel interior has a height of less than 50 nm.

Erfindungsgemäße innenbeschichtete Hohllichtwellenleiter weisen im Vergleich zu bekannten Hohllichtwellenleitern wesentlich bessere optische, insbesondere röntgenoptische Eigenschaften auf. Überraschenderweise eignen sich die erfindungsgemäßen Hohllichtwellenleiter im Gegensatz zu bekannten innenbeschichteten Systemen zudem zur Führung, Formung und Verstärkung von harter Röntgenstrahlung. Dabei weisen sie eine deutlich verbesserte Langzeitstabilität gegenüber den zu diesem Zweck bisher verwendeten unbeschichteten Hohllichtwellenleitern aus Bleiglas auf.Inner waveguide waveguides according to the invention exhibit significantly better optical, in particular X-ray optical properties compared to known waveguides. Surprisingly, in contrast to known internally coated systems, the hollow waveguides according to the invention are also suitable for guiding, shaping and amplifying hard X-radiation. In this case, they have a significantly improved long-term stability compared to the previously used for this purpose uncoated hollow fiber waveguides made of lead glass.

Der Begriff ”Kanalstruktur” umfasst hier sowohl Monokanalstrukturen als auch Polykanalstrukturen und bezeichnet eine Struktur, die aus einem oder mehreren zu einander räumlich in regelmäßigen Abständen angeordneten, durchgehenden und an den Enden offenen Kanälen besteht. Beispiele für Monokanalstrukturen sind Monokapillaren. Beispiele für Multikanalstrukturen sind Polykapillaren, zusammengesetzte Linsen hergestellt aus einzelnen Mono- und/oder Polykapillaren, monolithische Linsen hergestellt aus einzelnen Mono- und/oder Polykapillaren, photonische Kristalle und monolithische integrale Mikrolinsen.The term "channel structure" here comprises both monocanal structures and polychannel structures and denotes a structure that consists of one or more spatially arranged at regular intervals, through and consists of open channels at the ends. Examples of mono-channel structures are monocapillaries. Examples of multi-channel structures are polycapillaries, compound lenses made of individual mono- and / or polycapillaries, monolithic lenses made of individual mono- and / or polycapillaries, photonic crystals and monolithic integral microlenses.

Der Innendurchmesser eines einzelnen Kanals der Kanalstruktur liegt üblicherweise im Bereich von 1 nm bis 10 mm. Bevorzugt ist der Innendurchmesser kleiner als 1000 μm, insbesondere kleiner als 100 μm.The inner diameter of a single channel of the channel structure is usually in the range of 1 nm to 10 mm. The internal diameter is preferably less than 1000 μm, in particular less than 100 μm.

Beispielsweise liegen im Allgemeinen Innendurchmesser der Kanäle bei zusammengesetzten Linsen hergestellt aus Monokapillaren im Bereich von 1 bis 10 mm, bei monolithischen Linsen hergestellt aus Monokapillaren im Bereich von 0,1 bis 1 mm, bei zusammengesetzten Linsen hergestellt aus Polykapillaren im Bereich von 10 bis 100 μm, bei monolithischen Linsen hergestellt aus Polykapillaren im Bereich von 1 bis 10 μm und bei monolithischen integralen Mikrolinsen im Bereich von 0,3 bis 1 μm.For example, in general, the inner diameters of the channels in compound lenses are made of monocapillaries in the range of 1 to 10 mm, in monolithic lenses made of monocapillaries in the range of 0.1 to 1 mm, in compound lenses made of polycapillaries in the range of 10 to 100 microns , in monolithic lenses made of polycapillaries in the range of 1 to 10 microns and in monolithic integral microlenses in the range of 0.3 to 1 micron.

Polykapillaren sind üblicherweise monolithische Strukturen, die eine Vielzahl von Kanälen aufweisen, wobei die Kanäle im Wesentlichen gleiche Länge haben und üblicherweise ein Verhältnis von Länge zu Innendurchmesser von mindestens etwa 100:1, bevorzugt mindestens etwa 1000:1 aufweisen. Polykapillaren können beispielsweise mehr als 103 bis zu mehr als 106 Kanäle enthalten, die Innendurchmesser von beispielsweise weniger als 1 mm bis zu weniger als 1 μm aufweisen.Polycapillaries are usually monolithic structures having a plurality of channels, which channels are of substantially equal length and usually have a length to internal diameter ratio of at least about 100: 1, preferably at least about 1000: 1. Polycapillaries may contain, for example, more than 10 3 to more than 10 6 channels having internal diameters of, for example, less than 1 mm to less than 1 μm.

Photonische Kristalle sind künstliche periodische Strukturen aus einem Dielektrikum (z. B. Glas) mit spezifischen optischen Eigenschaften. Neben Glas sind auch andere Materialien verwendbar. Photonische Kristalle werden beispielsweise in der optischen Messtechnik, der Kommunikationstechnik und den Biowissenschaften angewendet und sind beschrieben in V. P. Bykov, ”Spontaneous emission in a periodic structure”, Soviet Physics JETP, American Institute of Physics, New York 1972, 35, 269 und in K. Busch et al. (Hrsg.), ”Photonic Crystals – Advances in Design, Fabrication, and Characterization”, Wiley-VCH, 1. Auflage, 2004.Photonic crystals are artificial periodic structures of a dielectric (eg glass) with specific optical properties. In addition to glass, other materials can be used. Photonic crystals are used, for example, in optical metrology, communications and life sciences and are described in VP Bykov, "Spontaneous emission in a periodic structure", Soviet Physics JETP, American Institute of Physics, New York 1972, 35, 269 and K Busch et al. (Ed.), "Photonic Crystals - Advances in Design, Fabrication, and Characterization", Wiley-VCH, 1st Edition, 2004.

Monolithische integrale Mikrolinsen sind sehr weitgehend miniaturisierte Multikanalstrukturen, die beispielsweise Kanäle mit Innendurchmessern von etwa 0,3 bis 1 μm aufweisen können.Monolithic integral microlenses are very largely miniaturized multi-channel structures, which may, for example, have channels with internal diameters of about 0.3 to 1 μm.

Verschiedene Mono- und Multikanalstrukturen sind kommerziell beispielsweise von der IfG – Institute for Scientific Instruments GmbH, Berlin-Adlershof, Deutschland, der Unisantis Europe GmbH, Georgsmarienhütte, Deutschland und der X-Ray Optical Systems, Inc. (XOS®), East Greenbush, N. Y., USA erhältlich.Various mono- and multi-channel structures are commercially available for example from the IFG - Institute for Scientific Instruments GmbH, Berlin-Adlershof, Germany, the universities Antis Europe GmbH, Georgsmarienhütte Germany and the X-Ray Optical Systems, Inc., (XOS ®), East Greenbush, NY, USA available.

Multikanalstrukturen weisen häufig im direkten Vergleich zu ihrer Außenwandung eine verhältnismäßig dünne Kanalwandung auf. Diese Kanalwandung ist deutlich dünner als die Außenwandung von Monokapillaren, da sie nur zur Abtrennung der Kanäle dient und keine strukturtragende Funktion wie bei Monokapillaren besitzt. Dieses ist bei Multikanalstrukturen aufgrund ihrer monolithischen Gesamtstruktur möglich.Multi-channel structures often have a relatively thin channel wall in direct comparison to their outer wall. This channel wall is significantly thinner than the outer wall of monocapillaries, as it serves only for the separation of the channels and has no structure-supporting function as in monocapillaries. This is possible with multi-channel structures due to their monolithic structure.

In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Kanalstruktur aus einem anorganischen Material oder einem Kunststoff. Zu geeigneten anorganischen Materialien gehören Kohlenstoff, beispielweise nanoporöser Kohlenstoff und Carbon Nanotubes (CNT), Silicium, Glas, Keramik und Metall, beispielweise Stahl und Aluminium. Beispiele für geeignete Kunststoffe sind insbesondere Silikone. Besonders bevorzugt besteht die Kanalstruktur aus Glas. Beispiele für geeignete Glassorten sind insbesondere Quarzglas, Duranglas und N16B-Glas (Borosilikatgläser), wobei Quarzglas und Duranglas bevorzugt sind.In a preferred embodiment, the channel structure consists of an inorganic material or a plastic. Suitable inorganic materials include carbon, for example, nanoporous carbon and carbon nanotubes (CNT), silicon, glass, ceramics and metal, for example, steel and aluminum. Examples of suitable plastics are in particular silicones. Particularly preferably, the channel structure consists of glass. Examples of suitable types of glass are in particular quartz glass, Duranglas and N16B glass (borosilicate glasses), quartz glass and Duranglas are preferred.

Weiterhin ist es bevorzugt, dass die Kanalstruktur Wärmeleitfäden oder Wärmeleitdrähte enthält, z. B. indem bei der Herstellung der Kanalstruktur (z. B. im Verstreckungsprozess) Metalle, insbesondere Wärmeleitdrähte, in die Kanalstruktur eingebracht werden. Dies gewährleistet eine isotrope Temperaturverteilung innerhalb der Kanalstruktur, was sich positiv auf thermische Beschichtungsverfahren (siehe unten) sowie auf Anwendungen der erfindungsgemäßen Hohllichtwellenleiter bei höheren Temperaturen auswirkt.Furthermore, it is preferred that the channel structure contains heat conducting or Wärmeleitdrähte, z. For example, by introducing metals, in particular heat conducting wires, into the channel structure during the production of the channel structure (for example in the drawing process). This ensures an isotropic temperature distribution within the channel structure, which has a positive effect on thermal coating processes (see below) as well as on applications of the hollow waveguides according to the invention at higher temperatures.

Die Innenbeschichtung enthält üblicherweise ein von Kohlenstoff verschiedenes Element aus der zweiten bis fünften Hauptgruppe oder einer Nebengruppe des Periodensystems der Elemente. Bevorzugt enthält die Innenbeschichtung ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi und U, wobei die Elemente Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi und U besonders bevorzugt sind.The inner coating usually contains a non-carbon element from the second to fifth main group or a subgroup of the Periodic Table of the Elements. The inner coating preferably contains an element selected from the group consisting of Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi and U, where the elements Ni, Ag, Au, W , Pb, Pt, Bi and U are particularly preferred.

In einer anderen bevorzugten Ausführungsform enthält die Innenbeschichtung ein Metall mit einer Ordnungszahl Z > 27, insbesondere Z > 40, am meisten bevorzugt Z > 71.In another preferred embodiment, the inner coating contains a metal having an atomic number Z> 27, in particular Z> 40, most preferably Z> 71.

Es ist besonders bevorzugt, dass die Innenbeschichtung eine metallische Beschichtung ist, die im Wesentlichen frei von anderen Elementen, insbesondere im Wesentlichen frei von Kohlenstoff ist.It is particularly preferred that the inner coating is a metallic coating which is substantially free of other elements, in particular substantially free of carbon.

Die Innenbeschichtung kann beispielweise aus Metallschichten und/oder Metallpartikeln, besonders bevorzugt aus amorphen Metallschichten und/oder amorphen Metallpartikeln, insbesondere aus amorphen Metallschichten bestehen. Es ist besonders bevorzugt, dass die Innenbeschichtung in Form einer geschlossenen Lagenschicht, insbesondere einer Franck-van der Merve-Wachstumsschicht vorliegt. The inner coating can consist, for example, of metal layers and / or metal particles, particularly preferably of amorphous metal layers and / or of amorphous metal particles, in particular of amorphous metal layers. It is particularly preferred that the inner coating is in the form of a closed layer layer, in particular a Franck-van der Merve growth layer.

Die erfindungsgemäßen Innenbeschichtungen sind typischerweise sehr glatt und zeichnen sich durch geringe Korrugation, insbesondere durch geringe rms-Oberflächenrauigkeit und geringe Höhe aus.The inner coatings of the invention are typically very smooth and are characterized by low corrugation, in particular by low rms surface roughness and low height.

Der Begriff ”Korrugation” bezeichnet hier ein Maß für die Oberflächengüte, die im Wesentlichen durch die rms-Oberflächenrauigkeit, die Höhe der Oberfläche und den Bedeckungsgrad der Beschichtung bestimmt wird. Dabei wird eine geringe Korrugation insbesondere durch eine geringe rms-Oberflächenrauigkeit, eine geringe Höhe und einen hohen Bedeckungsgrad begünstigt.The term "corrugation" here denotes a measure of the surface quality, which is essentially determined by the rms surface roughness, the height of the surface and the degree of coverage of the coating. In this case, low corrugation is promoted in particular by a low rms surface roughness, a low height and a high degree of coverage.

Der Begriff ”rms-Oberflächenrauigkeit” bezeichnet hier die root-mean-square-Rauigkeit der Oberfläche.The term "rms surface roughness" here refers to the root-mean-square roughness of the surface.

Der Begriff ”Höhe” in Bezug auf eine Oberfläche bezeichnet hier denjenigen Wert, bei dem 95% der Höhen der Oberfläche kleiner oder gleich diesem Wert sind.The term "height" with respect to a surface here refers to the value at which 95% of the heights of the surface are less than or equal to this value.

Der Begriff ”Bedeckungsgrad” in Bezug auf eine Beschichtung bezeichnet hier den Anteil einer unter der Beschichtung liegenden Fläche, der von der Beschichtung bedeckt ist.As used herein, the term "degree of coverage" with respect to a coating means the proportion of a sub-coating surface covered by the coating.

In einer bevorzugten Ausführungsform weist die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine rms-Oberflächenrauigkeit von weniger als 10 nm, insbesondere weniger als 5 nm, am meisten bevorzugt weniger als 2 nm auf. Die Höhe der dem Kanalinnenraum zugewandten Oberfläche der Innenbeschichtung beträgt bevorzugt weniger als 15 nm, insbesondere weniger als 8 nm, am meisten bevorzugt weniger als 4 nm. Der Bedeckungsgrad der Innenbeschichtung beträgt bevorzugt mindestens 95%, insbesondere mindestens 98%, am meisten bevorzugt mindestens 99%.In a preferred embodiment, the surface of the inner coating facing the channel interior has an rms surface roughness of less than 10 nm, in particular less than 5 nm, most preferably less than 2 nm. The height of the surface of the inner coating facing the channel interior is preferably less than 15 nm, in particular less than 8 nm, most preferably less than 4 nm. The degree of coverage of the inner coating is preferably at least 95%, in particular at least 98%, most preferably at least 99 %.

Wenn die Innenbeschichtung aus Partikeln aufgebaut ist, weisen die Partikel in der Regel eine sehr enge Partikelgrößenverteilung auf. Dabei ist es bevorzugt, dass die Partikel monodispers sind. Besonders bevorzugt enthält die Innenbeschichtung Partikel mit einer Partikelgrößenverteilung, bei der die Standardabweichung der Partikelgröße weniger als 20%, insbesondere weniger als 10%, am meisten bevorzugt weniger als 5% der mittleren Partikelgröße beträgt.When the inner coating is composed of particles, the particles usually have a very narrow particle size distribution. It is preferred that the particles are monodisperse. Particularly preferably, the inner coating contains particles having a particle size distribution in which the standard deviation of the particle size is less than 20%, in particular less than 10%, most preferably less than 5% of the mean particle size.

Allgemein kann die Dicke der Innenbeschichtung in Abhängigkeit vom Innendurchmesser der Kanalstruktur in weiten Bereichen variiert werden. Beispielsweise kann eine erfindungsgemäße Innenbeschichtung eine Dicke im Bereich von 1 bis 1000 nm aufweisen. Bevorzugt weist die erfindungsgemäße Innenbeschichtung eine Dicke im Bereich von 10 bis 250 nm, insbesondere 50 bis 150 nm, am meisten bevorzugt 80 bis 120 nm auf. Es hat sich gezeigt, dass Innenbeschichtungen dieser Dicke für optische Eigenschaften besonders geeignet sind.In general, the thickness of the inner coating can be varied within wide ranges depending on the inner diameter of the channel structure. For example, an inner coating according to the invention may have a thickness in the range from 1 to 1000 nm. The inner coating according to the invention preferably has a thickness in the range of 10 to 250 nm, in particular 50 to 150 nm, most preferably 80 to 120 nm. It has been found that internal coatings of this thickness are particularly suitable for optical properties.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter. Dieses Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Innenbeschichtung durch ein photolytisches Verfahren (beispielsweise Laserbeschichtung), ein plasmatechnologisches Verfahren oder ein Gasphasen-Verfahren in der Kanalstruktur abgeschieden wird.The invention also relates to a method for producing the internally coated hollow waveguide according to the invention. This method is characterized in that the inner coating is deposited in the channel structure by a photolytic process (for example laser coating), a plasma technology process or a gas-phase process.

Beispiele für Gasphasen-Verfahren sind die Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder die Chemische Gasphaseninfiltration (CVI). Insbesondere sind Verfahren geeignet, bei denen die Innenbeschichtung durch Chemische Gasphasenabscheidung von elementorganischen Verbindungen, beispielsweise Chemische Gasphasenabscheidung von Organometallverbindungen (OMCVD), chemische Gasphaseninfiltration von elementorganischen Verbindungen, beispielsweise chemische Gasphaseninfiltration von Organometallverbindungen (OMCVI), oder Gasphasenepitaxie von elementorganischen Verbindungen, beispielsweise Gasphasenepitaxie von Organometallverbindungen (OMVPE), in der Kanalstruktur abgeschieden werden. Der Begriff ”elementorganische Verbindung” bezeichnet hier insbesondere eine Verbindung, die ein von Kohlenstoff verschiedenes Element aus der zweiten bis fünften Hauptgruppe oder einer Nebengruppe des Periodensystems der Elemente sowie organische Gruppen und/oder Carbonyl enthält, die chemisch direkt und/oder über ein Element der fünften oder sechsten Hauptgruppe an das jeweilige Element gebunden sind. Geeignete elementorganische Verbindungen für Gasphasenverfahren sind insbesondere auch Komplex- oder Koordinationsverbindungen, die einen organischen Liganden und/oder Carbonyl enthalten. Dabei sind Komplex- oder Koordinationsverbindungen bevorzugt, die einen Liganden ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carbonyl, Hexafluoracetylacetonato und Acetylacetonato enthalten.Examples of gas-phase processes are chemical vapor deposition (CVD) or chemical vapor infiltration (CVI). In particular, methods are suitable in which the inner coating by chemical vapor deposition of organometallic compounds, such as chemical vapor deposition of organometallic compounds (OMCVD), chemical vapor infiltration of organometallic compounds, such as chemical vapor infiltration of organometallic compounds (OMCVI), or gas phase epitaxy of elemental organic compounds, such as gas phase epitaxy of organometallic compounds (OMVPE), are deposited in the channel structure. The term "elemental organic compound" refers in particular to a compound which contains a non-carbon element from the second to fifth main group or a subgroup of the Periodic Table of the Elements and organic groups and / or carbonyl which chemically directly and / or via an element of fifth or sixth main group are bound to the respective element. Suitable organometallic compounds for gas-phase processes are in particular complex or coordination compounds which contain an organic ligand and / or carbonyl. Complex or coordination compounds which contain a ligand selected from the group consisting of carbonyl, hexafluoroacetylacetonato and acetylacetonato are preferred.

Durch Beschichtungsverfahren, bei denen hohe Temperaturen oder Energien zum Einsatz kommen, wie zum Beispiel durch die Physikalische Gasphasenabscheidung oder die Chemische Gasphasenabscheidung, kann insbesondere die dünne Kanalwandung von Multikanalstrukturen aufgrund der Energieeinwirkung zerstört werden. Durch die Chemische Gasphasenabscheidung von elementorganischen Verbindungen, insbesondere die Chemische Gasphasenabscheidung von Organometallverbindungen (OMCVD), wird hier ein Beschichtungsverfahren bereitgestellt, mit dem Beschichtungen von Kanalstrukturen bei verhältnismäßig geringen Temperaturen durchgeführt werden können, ohne diese zu beschädigen oder zu zerstören.By coating processes using high temperatures or energies, such as physical vapor deposition or chemical Gas phase deposition, in particular the thin channel wall of multi-channel structures can be destroyed due to the effect of energy. The chemical vapor deposition of organometallic compounds, in particular the chemical vapor deposition of organometallic compounds (OMCVD), a coating method is provided here, with the coatings of channel structures at relatively low temperatures can be carried out without damaging or destroying them.

Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren zur Herstellung der innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter die Schritte

  • (a) Evakuieren der Kanalstruktur, wobei zwischen den Enden der Kanalstruktur ein Druckgradient aufgebaut wird,
  • (b) Einstellen der gesamten Kanalstruktur auf eine konstante Temperatur im Bereich von 273 K bis 2073 K, bevorzugt 293 K bis 873 K, am meisten bevorzugt 373 K bis 723 K, die 50 K bis 150 K, bevorzugt 80 K bis 120 K unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursormaterials liegt,
  • (c) Verdampfen eines Precursormaterials und Transport des Precursormaterials durch die Kanalstruktur durch den Druckgradienten,
  • (d) Abscheiden einer Beschichtung aus dem Precursormaterial durch lokal begrenzte Zufuhr von Energie.
According to the invention, the method for producing the internally coated hollow waveguides comprises the steps
  • (a) evacuating the channel structure, establishing a pressure gradient between the ends of the channel structure,
  • (b) adjusting the total channel structure to a constant temperature in the range of 273K to 2073K, preferably 293K to 873K, most preferably 373K to 723K, 50K to 150K, preferably 80K to 120K below the decomposition temperature of the precursor material is,
  • (c) evaporating a precursor material and transporting the precursor material through the channel structure through the pressure gradient,
  • (D) depositing a coating of the precursor material by locally limited supply of energy.

Zur Durchführung dieses Verfahrens wird zunächst die Kanalstruktur mit Hilfe eines temperaturstabilen Klebstoffs, bevorzugt eines Zweikomponentenklebstoffs, an ein Vakuumsystem gasdicht angeschlossen. Beispiele für geeignete Zweikomponentenklebstoffs sind Epoxidharzkleber, die bis etwa 450 K temperaturstabil sind, und Silikonklebstoffe, die bis etwa 570 K temperaturstabil sind. Vor den weiteren Verfahrensschritten wird der Klebstoff ausreichend lange ausgehärtet.To carry out this process, the channel structure is first connected in a gastight manner to a vacuum system by means of a temperature-stable adhesive, preferably a two-component adhesive. Examples of suitable two-component adhesives are epoxy adhesives, which are temperature-stable up to about 450 K, and silicone adhesives, which are temperature-stable up to about 570 K. Before the further process steps, the adhesive is cured for a sufficient time.

Gegebenenfalls kann vor Schritt (a) die Innenoberfläche der Kanalstruktur aktiviert werden. Dieses Aktivieren der Innenoberfläche kann beispielsweise durch Überleiten von molekularem Sauerstoff, bevorzugt bei einer Temperatur im Bereich von 480 K bis 773 K erfolgen. Durch das Aktivieren der Innenoberfläche wird deren Adsorptionsfähigkeit deutlich verbessert und so die Affinität des Beschichtungsmaterials gegenüber der Innenoberfläche signifikant gesteigert. Daher kann das Aktivieren der Innenoberfläche auch die Art des Wachstumsverhaltens der Beschichtung auf der Innenoberfläche positiv beeinflussen.Optionally, prior to step (a), the inner surface of the channel structure may be activated. This activation of the inner surface can be carried out, for example, by passing molecular oxygen, preferably at a temperature in the range from 480 K to 773 K. By activating the inner surface of their adsorption capacity is significantly improved, thus significantly increasing the affinity of the coating material against the inner surface. Therefore, activating the inner surface can also positively influence the type of growth behavior of the coating on the inner surface.

Ferner können vor Schritt (a) und gegebenenfalls vor dem Aktivieren der Innenoberflächen der Kanal/die Kanäle der Kanalstruktur gereinigt werden. Dies kann beispielsweise durch Plasmabehandlung, z. B. durch ein induktiv oder kapazitiv erzeugtes Plasma, chemische Prozesse und/oder Evakuieren mit gleichzeitigem Ausheizen erfolgen. Insbesondere kann das Reinigen des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur durch Evakuieren bei einem Druck unterhalb von 10–3 mbar mit gleichzeitigem Ausheizen, bevorzugt bei einer Temperatur im Bereich von 473 K bis 773 K, erfolgen. Durch die Reinigung des Kanals/der Kanäle können vor allem eventuell vorhandene organische Verunreinigungen der Innenoberfläche durch Verbrennung zu Kohlendioxid entfernt werden und so eine verbesserte Haftung der Innenbeschichtung an der Innenoberfläche erreicht werden.Further, prior to step (a) and optionally before activation of the interior surfaces, the channel (s) of the channel structure may be cleaned. This can be done, for example, by plasma treatment, e.g. B. by an inductively or capacitively generated plasma, chemical processes and / or evacuation with simultaneous annealing. In particular, the cleaning of the channel (s) of the channel structure can be effected by evacuation at a pressure below 10 -3 mbar with simultaneous annealing, preferably at a temperature in the range of 473 K to 773 K. By cleaning the channel (s), any organic contaminants of the inner surface, above all, can be removed by combustion to carbon dioxide, thus achieving improved adhesion of the inner coating to the inner surface.

Vor Schritt (a), gegebenenfalls vor dem Aktivieren der Innenoberfläche(n) und gegebenenfalls vor oder nach dem Reinigen des Kanals/der Kanäle kann eine thermische Glättung der Innenoberfläche(n) des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur erfolgen. Insbesondere kann die thermische Glättung der Innenoberfläche(n) des Kanals/der Kanäle durch Erwärmen auf eine Temperatur im Bereich von 473 K bis 2073 K, bevorzugt 573 K bis 1473 K erfolgen, die 50 K bis 1500 K, insbesondere 100 K bis 1000 K, bevorzugt 150 K bis 300 K unterhalb des Erweichungspunkts des Glases liegt. Durch thermische Glättung der Innenoberfläche(n) kann die Korrugation der Innenoberfläche verringert werden, was insbesondere die Bildung von Innenbeschichtungen mit geringer Höhe begünstigt.Prior to step (a), optionally before activation of the inner surface (s) and optionally before or after cleaning of the channel (s), thermal smoothing of the inner surface (s) of the channel (s) of the channel structure may occur. In particular, the thermal smoothing of the inner surface (s) of the channel (s) can be accomplished by heating to a temperature in the range of 473K to 2073K, preferably 573K to 1473K, 50K to 1500K, especially 100K to 1000K , preferably 150 K to 300 K below the softening point of the glass is. By thermal smoothing of the inner surface (s), the corrugation of the inner surface can be reduced, which in particular favors the formation of inner layers with low height.

Für den Transport des Precursormaterials durch die Kanalstruktur wird zwischen den Enden der Kanalstruktur ein Druckgradient aufgebaut. Dazu wird die Kanalstruktur von einem ihrer Enden her evakuiert. Dabei wird an diesem Ende ein Minimaldruck von weniger als 10–2 mbar, vorzugsweise weniger als 10–3 mbar und besonders bevorzugt weniger als 10–4 mbar eingestellt.For the transport of the precursor material through the channel structure, a pressure gradient is established between the ends of the channel structure. For this, the channel structure is evacuated from one of its ends. In this case, a minimum pressure of less than 10 -2 mbar, preferably less than 10 -3 mbar and particularly preferably less than 10 -4 mbar is set at this end.

Das Verdampfen des Precursormaterials kann durch Verwendung eines Vakuumsystems unterstützt werden, in dem die Kanalstruktur von beiden Enden her mit unterschiedlichen Vakuumpumpen evakuiert wird. Ein solches Vakuumsystem ist beispielweise in DE 198 52 722 C1 beschrieben.Evaporation of the precursor material can be assisted by using a vacuum system in which the channel structure is evacuated from both ends with different vacuum pumps. Such a vacuum system is for example in DE 198 52 722 C1 described.

Demgegenüber ist es erfindungsgemäß bevorzugt, dass die Kanalstruktur nur von einem ihrer Enden her evakuiert wird. Überraschenderweise wird, wenn die Kanalstruktur nur von einem ihrer Enden her evakuiert wird, ein homogeneres Strömungsverhalten des Precursormaterials erreicht. Dadurch kann eine Innenbeschichtung erhalten werden, die sich durch eine äußerst geringe Höhe auszeichnet. Darüber hinaus wird in dieser Ausführungsform eine geringere Menge an Fremdmaterial, d. h. anderem Material als dem Precursormaterial, insbesondere eine geringere Menge an Sauerstoff, durch die Kanalstruktur transportiert. Dadurch können Innenbeschichtungen höherer Qualität erhalten werden.In contrast, it is preferred according to the invention that the channel structure is evacuated only from one of its ends. Surprisingly, if the channel structure is evacuated only from one of its ends, a more homogeneous flow behavior of the precursor material is achieved. As a result, an inner coating can be obtained, which is characterized by an extremely low height. In addition, in this embodiment, a smaller amount of foreign material, ie, other material than the precursor material, in particular a smaller amount of oxygen, by the Transported channel structure. As a result, inner coatings of higher quality can be obtained.

Der Transport des Precursormaterials durch die Kanalstruktur kann ferner auch durch einen einstellbaren Trägergasstrom unterstützt werden.The transport of the precursor material through the channel structure can also be assisted by an adjustable carrier gas flow.

Anschließend wird die gesamte Kanalstruktur auf eine konstante Grundtemperatur im Bereich von 273 K bis 2073 K, bevorzugt 293 K bis 873 K, am meisten bevorzugt 373 K bis 723 K eingestellt, die 50 K bis 150 K, bevorzugt 80 K bis 120 K unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursormaterials liegt. Die konstante Grundtemperatur kann beispielsweise durch Erwärmen oder Erhitzen mit einer Heizung (z. B. elektrische Heizung oder Induktionsofen) oder durch Einkopplung elektromagnetischer Wellen (z. B. Mikrowellen- oder Infrarotstrahlung) eingestellt werden.Subsequently, the entire channel structure is set to a constant base temperature in the range of 273 K to 2073 K, preferably 293 K to 873 K, most preferably 373 K to 723 K, the 50 K to 150 K, preferably 80 K to 120 K below the Decomposition temperature of the precursor material is. The constant basic temperature can be set, for example, by heating or heating with a heater (eg electric heater or induction furnace) or by coupling in electromagnetic waves (eg microwave or infrared radiation).

Das Precursormaterial wird verdampft und durch den Druckgradienten, gegebenenfalls unter Mithilfe des Trägergasstroms, durch die Kanalstruktur transportiert. Der Precursorstrom sowie gegebenenfalls der Trägergasstrom können auf eine definierte Temperatur vorgewärmt werden, wobei diese Temperatur 50 K bis 150 K, bevorzugt 80 K bis 120 K unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursormaterials liegt.The precursor material is vaporized and transported through the channel structure by the pressure gradient, optionally with the assistance of the carrier gas flow. The precursor stream and optionally the carrier gas stream can be preheated to a defined temperature, wherein this temperature is 50 K to 150 K, preferably 80 K to 120 K below the decomposition temperature of the precursor material.

Die Abscheidung einer Beschichtung aus dem Precursormaterial erfolgt durch lokal begrenzte Zufuhr von Energie. Durch diese Energiezufuhr wird lokal eine Temperatur eingestellt, die gleich der oder größer als die Zersetzungstemperatur des Precursormaterials ist. Bevorzugt wird durch lokal begrenzte Zufuhr von Energie eine lokale Temperatur im Bereich von 273 K bis 2073 K, besonders bevorzugt 293 K bis 873 K, am meisten bevorzugt 423 K bis 723 K eingestellt. Durch die Zersetzung des Precursormaterials wird die Innenbeschichtung auf der Innenoberfläche der Kanäle abgeschieden.The deposition of a coating from the precursor material takes place by locally limited supply of energy. This energy supply locally sets a temperature which is equal to or greater than the decomposition temperature of the precursor material. A local temperature in the range of 273 K to 2073 K, more preferably 293 K to 873 K, most preferably 423 K to 723 K is preferably set by locally limited supply of energy. The decomposition of the precursor material deposits the inner coating on the inner surface of the channels.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Dauer der Zufuhr lokal begrenzter Energie in Schritt (d) so gewählt, dass eine Innenbeschichtung mit einer Dicke im Bereich von 10 bis 250 nm, insbesondere 50 bis 150 nm, am meisten bevorzugt 80 bis 120 nm abgeschieden wird. Überraschenderweise können durch eine solche einfache Wahl der Beschichtungsdauer Innenbeschichtungen erhalten werden, die sich durch eine besonders geringe Korrugation, geringe Oberflächenrauigkeit und geringe Höhe auszeichnen und für optische Anwendungen besonders geeignet sind.In a preferred embodiment, the duration of the supply of locally limited energy in step (d) is selected so that an inner coating having a thickness in the range of 10 to 250 nm, in particular 50 to 150 nm, most preferably 80 to 120 nm, is deposited. Surprisingly, can be obtained by such a simple choice of coating time interior coatings, which are characterized by a particularly low corrugation, low surface roughness and low height and are particularly suitable for optical applications.

Bevorzugt erfolgt die lokal begrenzte Zufuhr von Energie thermisch und/oder photochemisch, insbesondere durch einen Wärme- oder Heizstrahler, einen Ofen, einen Laser, Mikrowellenstrahlung und/oder ein Plasma. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform erfolgt die lokal begrenzte Zufuhr von Energie durch Kombination einer thermischen und einer photochemischen Zufuhr von Energie, insbesondere durch eine Kombination von Erwärmen oder Erhitzen mit einer Heizung (z. B. elektrische Heizung oder Induktionsofen) oder durch Einkopplung elektromagnetischer Wellen (z. B. Mikrowellen- oder Infrarotstrahlung) mit Bestrahlung (z. B. mit einem Laser).Preferably, the locally limited supply of energy takes place thermally and / or photochemically, in particular by a heat or radiant heater, an oven, a laser, microwave radiation and / or a plasma. In a particularly preferred embodiment, the locally limited supply of energy by combining a thermal and a photochemical supply of energy, in particular by a combination of heating or heating with a heater (eg electric heater or induction furnace) or by coupling electromagnetic waves ( eg microwave or infrared radiation) with irradiation (eg with a laser).

Die erfindungsgemäße Einstellung der Kanalstruktur auf eine konstante Grundtemperatur unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursormaterials ermöglicht es, die zur Beschichtung notwendige lokale zusätzliche Energiezufuhr zu reduzieren. Überraschenderweise kann dadurch ein wesentlich besser kontrollierbares Abscheidungsverhalten der Innenbeschichtung realisiert werden kann, das die Bildung geschlossener Lagenschichten mit äußerst geringer Höhe ermöglicht.The adjustment according to the invention of the channel structure to a constant basic temperature below the decomposition temperature of the precursor material makes it possible to reduce the local additional energy supply necessary for the coating. Surprisingly, this allows a much better controllable deposition behavior of the inner coating can be realized, which allows the formation of closed layer layers with extremely low height.

Gegebenenfalls kann durch nachfolgendes Durchleiten eines Gases eine chemische, physikalische und/oder morphologische Veränderung der Beschichtung bewirkt werden. Beispiele für geeignete Gase sind Sauerstoff, Wasserstoff oder Stickstoff. Beispielsweise können Verunreinigungen durch Verbrennung, beispielsweise von organischen Resten zu Kohlenstoffdioxid und Wasser, entfernt werden.Optionally, by subsequent passage of a gas, a chemical, physical and / or morphological change of the coating can be effected. Examples of suitable gases are oxygen, hydrogen or nitrogen. For example, contaminants may be removed by combustion, for example from organic residues to carbon dioxide and water.

Das Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter umfasst bevorzugt die Durchführung einer in-situ-Prozessanalytik. Auf Grundlage der Prozessanalytik kann das Herstellungsverfahren gesteuert werden, so dass besonders vorteilhafte Innenbeschichtungen erhalten werden. Eine Prozessanalytik kann beispielsweise durch optische Messmethoden, durch online-Massenspektrometrie oder durch Entnahme von Gasproben und Vermessung mittels Gaschromatographie erfolgen.The method for producing the internally coated hollow waveguides according to the invention preferably comprises performing an in-situ process analysis. Based on the process analysis, the production process can be controlled, so that particularly advantageous internal coatings are obtained. Process analysis can be carried out, for example, by optical measurement methods, by online mass spectrometry or by taking gas samples and by gas chromatography.

Eine in-situ-Bestimmung der Beschichtungsdicke kann insbesondere durch Lasertransmission vorgenommen werden. Dazu wird die Transmission von Laserstrahlung, beispielsweise eines roten Lasers mit einem Wellenlängenbereich von 660 bis 680 nm, im direkten Strahldurchgang durch den Hohllichtwellenleiter bestimmt, indem der in einer Photodiode bewirkte Photostrom gemessen wird. Die gemessenen Photoströme werden anhand von Referenzwerten korrigiert, die in derselben Anordnung jeweils ohne Hohllichtwellenleiter bzw. mit dem unbeschichteten Hohllichtwellenleiter erhalten werden. Rasterelektronenmikroskopisch ermittelte Beschichtungsdicken werden mit den für die jeweiligen Beschichtungsdicken erhaltenen Photoströmen korreliert. Die so erhaltene Korrelation ermöglicht es, im laufenden Beschichtungsprozess eine zerstörungsfreie quantitative Bestimmung der Beschichtungsdicke vorzunehmen und so das Herstellungsverfahren der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter zur Erreichung einer bestimmten Beschichtungsdicke zu steuern.An in-situ determination of the coating thickness can be carried out in particular by laser transmission. For this purpose, the transmission of laser radiation, for example a red laser with a wavelength range of 660 to 680 nm, in the direct beam passage through the hollow waveguide is determined by measuring the photocurrent caused in a photodiode. The measured photocurrents are corrected on the basis of reference values which are obtained in the same arrangement in each case without a hollow-fiber waveguide or with the uncoated hollow-waveguide. Scanning electron micrographically determined coating thicknesses are correlated with the photocurrents obtained for the respective coating thicknesses. The correlation thus obtained makes it possible to obtain a non-destructive coating in the ongoing coating process make quantitative determination of the coating thickness and so to control the production process of the inner coated hollow optical waveguide according to the invention to achieve a certain coating thickness.

Eine Steuerung des Herstellungsverfahrens kann auch bzw. zusätzlich auf Grundlage einer Produktanalytik der erfindungsgemäß hergestellten innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter erfolgen. Dazu können für die Durchführung einer Analytik geeignete Präparationen angefertigt werden, beispielsweise Querschnitte mittels eines Ultramikrotoms für energiedispersive Röntgenmessungen, insbesondere eines zweidimensionalen. Röntgenmappings, sowie für transelektronenmikroskopische oder rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen. Dadurch kann die durch die Wahl der Verfahrensparameter bewirkte Veränderung der Merkmale der Innenbeschichtungen untersucht und zur weiteren Steuerung des Herstellungsverfahrens verwendet werden.A control of the production process can also or additionally be carried out on the basis of a product analysis of the internally coated hollow optical waveguides produced according to the invention. For this purpose, suitable preparations can be made for carrying out an analysis, for example cross-sections by means of an ultramicrotome for energy-dispersive X-ray measurements, in particular a two-dimensional one. X-ray mappings, as well as for trans-electron microscopic or scanning electron microscopic investigations. As a result, the change in the characteristics of the inner coatings caused by the choice of the process parameters can be investigated and used to further control the production process.

In dem erfindungsgemäßen Verfahren können verschiedene Precursormaterialien verwendet werden. Dabei ist es vorteilhaft, wenn das Precursormaterial ein sublimierbares Material ist, wobei ein bei Raumtemperatur sublimierbares Material bevorzugt ist. Es ist auch vorteilhaft, wenn das Precursormaterial stabil gegenüber Luft ist.Various precursor materials can be used in the process according to the invention. It is advantageous if the precursor material is a sublimable material, wherein a sublimable at room temperature material is preferred. It is also advantageous if the precursor material is stable to air.

Bevorzugt ist Precursormaterial, das ein von Kohlenstoff verschiedenes Element aus der zweiten bis fünften Hauptgruppe oder einer Nebengruppe des Periodensystems der Elemente sowie organische Gruppen und/oder Carbonyl enthält, die chemisch direkt und/oder über ein Element der fünften oder sechsten Hauptgruppe an das jeweilige Element gebunden sind. Insbesondere kann das Precursormaterial eine organometallische Verbindung, die mindestens eine Metall-Kohlenstoff-Bindung aufweist, oder eine Komplex- oder Koordinationsverbindung sein, die einen organischen Liganden und/oder Carbonyl enthält. Dabei sind Komplex- oder Koordinationsverbindungen bevorzugt, die einen Liganden ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carbonyl, Hexafluoracetylacetonato und Acetylacetonato enthalten.Preference is given to a precursor material which contains an element other than carbon from the second to fifth main group or a subgroup of the Periodic Table of the Elements and organic groups and / or carbonyl which are chemically directly and / or via an element of the fifth or sixth main group to the respective element are bound. In particular, the precursor material may be an organometallic compound having at least one metal-carbon bond, or a complex or coordination compound containing an organic ligand and / or carbonyl. Complex or coordination compounds which contain a ligand selected from the group consisting of carbonyl, hexafluoroacetylacetonato and acetylacetonato are preferred.

In einer bevorzugten Ausführungsform enthält das Precursormaterial ein Element, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi und U, wobei die Elemente Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi und U besonders bevorzugt sind. Besonders bevorzugt ist dabei ein Precursormaterial, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus
Bis-(1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentandionato)-palladium(II),
Tetracarbonylnickel,
Nickelocen,
2,2,6,6-Tetramethyl-3,5-heptandionatosilber(I),
Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionato)bismut(III),
Tetraethylblei,
Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionato)blei(II),
Uranhexafluorid,
Uranocen,
Uranacetat,
Wolframhexacarbonyl,
Dimethyl(hexafluoracetylacetonato)gold,
Tetrakis(triphenylphosphin)platin(0),
Bis(hexafluoracetylacetonato)platin(II),
Bis(acetylacetonato)platin(II),
Dimethyl(1,5-cyclooctadien)platin(II),
Methyl(triphenylphosphin)gold(I) und
Bis-(1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentandionato)-blei(II).
In a preferred embodiment, the precursor material comprises an element selected from the group consisting of Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi, and U, wherein the elements Ni , Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi and U are particularly preferred. Particularly preferred is a precursor material which is selected from the group consisting of
Bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) palladium (II),
tetracarbonylnickel,
nickelocene,
2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionatosilber (I),
Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) bismuth (III),
tetraethyl lead,
Bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) lead (II),
Uranium hexafluoride,
uranocene,
uranium acetate,
tungsten hexacarbonyl,
Dimethyl (hexafluoroacetylacetonato) gold,
Tetrakis (triphenylphosphine) platinum (0)
Bis (hexafluoroacetylacetonato) platinum (II),
Bis (acetylacetonato) platinum (II),
Dimethyl (1,5-cyclooctadiene) platinum (II),
Methyl (triphenylphosphine) gold (I) and
Bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) -lead (II).

Die Erfindung betrifft auch innenbeschichtete Hohllichtwellenleiter, die nach dem oben beschriebenen Verfahren erhältlich sind. Überraschenderweise zeichnen sich die Innenbeschichtungen solcher innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter durch eine besondere Oberflächenmorphologie aus. Ohne Beschränkung auf eine bestimmte Theorie wird davon ausgegangen, dass sich durch das erfindungsgemäße Verfahren homogene Lagenschichten mit geringer Korrugation, geringer Oberflächenrauigkeit und geringer Höhe ausbilden, die aus Partikeln aufgebaut sind, die eine monodisperse Partikelgrößenverteilung aufweisen und eine spezielle, insbesondere abgeplatte, in der Dimension senkrecht zur Beschichtungsfläche gestauchte Form haben. Diese innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter sind insbesondere für optische Anwendungen vorteilhaft. Bevorzugte Ausführungsformen dieser innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter weisen Materialien, Beschichtungsdicken, Oberflächenrauigkeiten, Höhen und/oder Partikelgrößenverteilungen auf wie oben definiert.The invention also relates to internally coated hollow optical waveguides obtainable by the method described above. Surprisingly, the inner coatings of such internally coated hollow optical waveguides are characterized by a special surface morphology. Without being limited to a particular theory, it is assumed that homogeneous layer layers with low corrugation, low surface roughness and low height, which are composed of particles which have a monodisperse particle size distribution and a special, in particular cut-off, in dimension, are formed by the method according to the invention have upset perpendicular to the coating surface shape. These internally coated hollow waveguides are particularly advantageous for optical applications. Preferred embodiments of these internally coated hollow optical waveguides have materials, coating thicknesses, surface roughnesses, heights and / or particle size distributions as defined above.

Die Erfindung betrifft auch die Verwendung der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter. Insbesondere betrifft die Erfindung die Verwendung der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter zur Formung, Führung, Fokussierung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen oder Teilchenstrahlung, insbesondere von Mikrowellen, wobei der Wellenlängenbereich von 100 cm bis 1 mm besonders bevorzugt ist, von sichtbarem Licht, wobei der Wellenlängenbereich von 380 bis 750 nm besonders bevorzugt ist, von UV-Strahlung, wobei die Wellenlängenbereiche von 50 bis etwa 190 nm (VUV-Bereich) und 1 bis 50 nm (EUV-Bereich) besonders bevorzugt sind, von Laserstrahlung, von Röntgenstrahlung und von Teilchenstrahlung (γ-Strahlung und Neutronenstrahlung).The invention also relates to the use of the inner coated hollow waveguide according to the invention. In particular, the invention relates to the use of the inner coated hollow optical waveguides according to the invention for shaping, guiding, focusing and amplifying electromagnetic waves or particle radiation, in particular of microwaves, the wavelength range of 100 cm to 1 mm being particularly preferred, of visible light, the wavelength range from 380 to 750 nm is particularly preferred, of UV radiation, wherein the wavelength ranges from 50 to about 190 nm (VUV range) and 1 to 50 nm (EUV range) are particularly preferred, laser radiation, X-rays and particle radiation (γ- Radiation and neutron radiation).

Insbesondere bevorzugt sind dabei der niedrigenergetische Bereich der Röntgenstrahlung mit einer Energie von 0,124 bis 1,24 keV (entsprechend einer Wellenlänge von 1 bis 10 nm); der höherenergetische Bereich der Röntgenstrahlung mit einer Energie von 1,24 bis 12,4 keV (entsprechend einer Wellenlänge von 0,1 bis 1 nm), insbesondere die diskreten Wellenlängen der Cu Kα-Strahlung (8 keV); und der hochenergetische Bereich der Röntgenstrahlung mit einer Energie von 12,4 bis 124 keV (entsprechend einer Wellenlänge von 0,01 bis 0,1 nm), insbesondere die diskreten Wellenlängen der MoKα-Strahlung (17 keV). Besonders bevorzugt ist der Bereich der Röntgenstrahlung mit einer Energie von 15 bis 30 keV. Particularly preferred are the low-energy range of the X-radiation with an energy of 0.124 to 1.24 keV (corresponding to a wavelength of 1 to 10 nm); the higher energy range of the X-radiation with an energy of 1.24 to 12.4 keV (corresponding to a wavelength of 0.1 to 1 nm), in particular the discrete wavelengths of the Cu Kα radiation (8 keV); and the high-energy region of the X-radiation with an energy of 12.4 to 124 keV (corresponding to a wavelength of 0.01 to 0.1 nm), in particular the discrete wavelengths of MoKα radiation (17 keV). Particularly preferred is the range of X-rays with an energy of 15 to 30 keV.

Insbesondere im hochenergetischen Bereich der Röntgenstrahlung ist die Wellenlänge der zu verstärkenden Strahlung kleiner als der Abstand der Atome im Festkörper. Überraschenderweise sind die erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter insbesondere auch zur Formung, Führung, Fokussierung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen geeignet, deren Wellenlängen geringer sind als die rms-Oberflächenrauigkeit und/oder die Höhe der dem Kanalinnenraum zugewandten Oberfläche der Innenbeschichtung.Especially in the high-energy range of X-radiation, the wavelength of the radiation to be amplified is smaller than the distance of the atoms in the solid state. Surprisingly, the internally coated hollow optical waveguides according to the invention are also particularly suitable for shaping, guiding, focusing and amplifying electromagnetic waves whose wavelengths are smaller than the rms surface roughness and / or the height of the interior coating facing the channel interior.

Bevorzugt ist auch die Verwendung der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter für röntgenlithographische Anwendungen wie Soft X-ray Lithographie (SXRL) mit 1 bis 2 keV oder Röntgentiefenlithographie (Deep X-ray Lithography, DXRL) mit 4 bis 10 keV. Ebenfalls bevorzugt ist die Verwendung für röntgenmikroskopische Anwendungen im Spektralbereich von etwa 2 und bis etwa 4 nm (Wasserfenster).Also preferred is the use of the internally coated hollow optical waveguides according to the invention for X-ray lithographic applications such as soft X-ray lithography (SXRL) with 1 to 2 keV or deep x-ray lithography (DXRL) with 4 to 10 keV. Also preferred is the use for X-ray microscopic applications in the spectral range of about 2 to about 4 nm (water window).

Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleiter ist ihre verbesserte Langzeitstabilität bei der Verwendung zur Formung, Führung, Fokussierung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen oder Teilchenstrahlung. Bei unbeschichteten Hohllichtwellenleitern, beispielsweise aus Bleiglas, führen Energieaufnahmen, beispielsweise durch Röntgen-Exposition, langfristig zu Materialschäden an den Hohllichtwellenleitern und damit zu Intensitätsverlusten und zur Unbrauchbarkeit der Strukturen. Bei den erfindungsgemäßen innenbeschichteten Hohllichtwellenleitern können solche Materialschäden zumindest weitgehend vermieden werden.A particular advantage of the inner coated hollow optical waveguides according to the invention is their improved long-term stability when used for shaping, guiding, focusing and amplifying electromagnetic waves or particle radiation. In the case of uncoated hollow-fiber waveguides, for example made of lead glass, energy recordings, for example by X-ray exposure, lead in the long term to material damage to the hollow-fiber waveguides and thus to loss of intensity and unusability of the structures. In the inner coated hollow optical waveguides according to the invention, such material damage can be at least largely avoided.

Insbesondere bevorzugt ist auch die Verwendung erfindungsgemäß innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter zur Fokussierung von EUV-Strahlung oder Röntgenstrahlung für (röntgen)lithographische Anwendungen beispielsweise in der Maskenbelichtung für die Halbleiterproduktion. Bevorzugt ist auch die Verwendung erfindungsgemäß innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter in röntgenmedizinischen Verfahren, insbesondere in der Röntgenendoskopie.Particular preference is also given to the use according to the invention of internally coated hollow optical waveguides for focusing EUV radiation or X-radiation for (X-ray) lithographic applications, for example in mask exposure for semiconductor production. The use according to the invention of internally coated hollow-fiber waveguides in X-ray-medical procedures, in particular in X-ray endoscopy, is also preferred.

Die Erfindung wird nun anhand von ausgewählten Beispielen eingehender erläutert.The invention will now be explained in more detail with reference to selected examples.

Beispiel 1example 1

Eine Monokapillare aus Quarzglas mit einer Länge von 250 mm, einem Außendurchmesser von 0,8 mm und einem Innendurchmesser von 0,55 mm wurde mittels eines Zweikomponentenklebstoffs an einem Ende an ein Vakuumsystem gasdicht angeschlossen und mehrmals durch gleichzeitiges Erhitzen auf 650 K und Überleiten von 1000 mbar molekularem Sauerstoff von innen gereinigt. Anschließend wurde eine konstante Grundtemperatur der Monokapillarstruktur von 373 K eingestellt. Der durch das Vakuumsystem eingestellte Minimaldruck betrug 10–5 mbar. Als Precursor wurde W(CO)6 verwendet. Durch ein bewegliches Ofensystem wurde über einen Zeitraum von 120 Minuten abschnittweise eine lokal begrenzte Temperatur von 696 K eingestellt. Abschließend wurde die Monokapillarstruktur unter Inertgasbedingungen versiegelt.A 250 mm long fused silica monocrillet, having a length of 250 mm, an outside diameter of 0.8 mm and an inside diameter of 0.55 mm, was gas-tightly connected to a vacuum system by means of a two-part adhesive at one end and heated several times by simultaneous heating to 650 K and passing 1000 mbar molecular oxygen purified from the inside. Subsequently, a constant basic temperature of the monocapillar structure of 373 K was set. The minimum pressure set by the vacuum system was 10 -5 mbar. As precursor W (CO) 6 was used. By means of a mobile kiln system, a locally limited temperature of 696 K was set in sections over a period of 120 minutes. Finally, the monocapillar structure was sealed under inert gas conditions.

Mit der erhaltenen Innenbeschichtung wurden XRD(X-Ray Diffraction)-Messungen durchgeführt (1). Dabei wurden in den relevanten Bereichen keine Reflexe gemessen. Dies zeigt, dass die erhaltene Beschichtung amorph war.XRD (X-Ray Diffraction) measurements were carried out with the obtained inner coating ( 1 ). No reflections were measured in the relevant areas. This shows that the resulting coating was amorphous.

Die Beschichtungsdicke der Innenbeschichtung wurde rasterelektronenmikroskopisch zu 104 nm bestimmt. Die Oberflächenmorphologie der Innenbeschichtung wurde mittels AFM (Atomic Force Microscopy) untersucht (2). Diese Untersuchungen bestätigten, dass eine Innenbeschichtung mit sehr geringer Korrugation erhalten worden war. Eine genauere Untersuchung ergab, dass die Oberflächen eine rms-Oberflächenrauigkeit von 1 nm und eine Höhe von 1–2 nm aufwies.The coating thickness of the inner coating was determined by scanning electron microscopy to be 104 nm. The surface morphology of the inner coating was investigated by AFM (Atomic Force Microscopy) ( 2 ). These studies confirmed that an inner coating having very little corrugation was obtained. A closer examination revealed that the surfaces had an rms surface roughness of 1 nm and a height of 1-2 nm.

Die innenbeschichtete Monokapillare wurde mittels röntgenoptischer Messungen in einem Energiebereich von 15 bis 30 keV untersucht. Dabei wurden Intensitätsverstärkungen von bis zu mehr als 80% erzielt (3).The internally coated monocapillary was examined by means of X-ray optical measurements in an energy range of 15 to 30 keV. Intensity enhancements of up to more than 80% have been achieved ( 3 ).

Beispiel 2Example 2

Eine Monokapillare aus N16B-Glas mit einer Länge von 250 mm, einem Außendurchmesser von 2 mm und einem Innendurchmesser von 0,5 mm wurde mittels eines Zweikomponentenklebstoffs an einem Ende an ein Vakuumsystem gasdicht angeschlossen und mehrmals durch gleichzeitiges Erhitzen auf 650 K und Überleiten von 1000 mbar molekularem Sauerstoff von innen gereinigt. Anschließend wurde eine konstante Grundtemperatur der Monokapillarstruktur von 373 K eingestellt. Der durch das Vakuumsystem eingestellte Minimaldruck betrug 10–5 mbar. Als Precursor wurde W(CO)6 verwendet. Durch ein bewegliches Ofensystem wurde über einen Zeitraum von 120 Minuten abschnittweise eine lokal begrenzte Temperatur von 696 K eingestellt. Abschließend wurde die Monokapillarstruktur unter Inertgasbedingungen versiegelt.An N16B 250 mm long, 2 mm OD, 0.5 mm I.D. mono capillary was gas tightly attached to a vacuum system by means of a two-part adhesive at one end and heated several times by simultaneous heating to 650 K and passing 1000 mbar molecular oxygen purified from the inside. Subsequently, a constant basic temperature of the monocapillar structure of 373 K was set. The minimum pressure set by the vacuum system was 10 -5 mbar. As precursor W (CO) 6 was used. By means of a mobile kiln system, a locally limited temperature of 696 K was set in sections over a period of 120 minutes. Finally, the monocapillar structure was sealed under inert gas conditions.

Die innenbeschichtete Monokapillare wurde mittels röntgenoptischer Messungen in einem Energiebereich von 15 bis 30 keV untersucht. Dabei wurden Intensitätsverstärkungen von bis zu 75% erzielt (3).The internally coated monocapillary was examined by means of X-ray optical measurements in an energy range of 15 to 30 keV. Intensity gains of up to 75% were achieved ( 3 ).

Beispiel 3Example 3

Es wurde eine Polykapillarstruktur aus Glas mit einer Länge von 50 mm und einem maximalen Außendurchmesser von 7,20 mm verwendet, die etwa 40000 Kanäle mit einem Kanalinnendurchmesser von 29,5 μm enthielt. Diese Polykapillarstruktur wurde wie in Beispiel 1 an einem Ende an ein Vakuumsystem angeschlossen und von innen gereinigt. Anschließend wurde eine konstante Grundtemperatur der Polykapillarstruktur von 373 K eingestellt. Der durch das Vakuumsystem eingestellte Minimaldruck betrug 10–5 mbar. Als Precursor wurde W(CO)6 verwendet.A glass polycapillary structure having a length of 50 mm and a maximum outside diameter of 7.20 mm was used which contained about 40,000 channels with a channel internal diameter of 29.5 μm. This polycapillary structure was connected to a vacuum system at one end as in Example 1 and cleaned from the inside. Subsequently, a constant basic temperature of the polycapillary structure of 373 K was set. The minimum pressure set by the vacuum system was 10 -5 mbar. As precursor W (CO) 6 was used.

Durch ein bewegliches Ofensystem wurde über einen Zeitraum von 118 Minuten abschnittweise eine lokal begrenzte Temperatur von 723 K eingestellt. Die über das Ofensystem zugeführte Energie sowie der Temperaturgradient wurden konstant gehalten.By means of a mobile furnace system, a localized temperature of 723 K was set in sections over a period of 118 minutes. The energy supplied via the furnace system and the temperature gradient were kept constant.

Claims (42)

Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter, der a) eine Kanalstruktur und b) eine Innenbeschichtung auf der inneren Oberfläche der Kanalstruktur umfasst, wobei die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine Höhe von weniger als 50 nm aufweist.Internal coated hollow fiber waveguide, the a) a channel structure and b) an inner coating on the inner surface of the channel structure wherein the surface of the inner coating facing the channel interior has a height of less than 50 nm. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach Anspruch 1, bei der die Kanalstruktur eine Monokanalstruktur oder eine Multikanalstruktur ist.The inside coated hollow optical waveguide according to claim 1, wherein the channel structure is a mono-channel structure or a multi-channel structure. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach Anspruch 2, bei dem die Monokanalstruktur eine Monokapillare ist.An inner coated hollow optical waveguide according to claim 2, wherein the monochannel structure is a monocapillary. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach Anspruch 2, bei dem die Multikanalstruktur ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Polykapillaren, zusammengesetzten Linsen hergestellt aus einzelnen Mono- und/oder Polykapillaren, monolithischen Linsen hergestellt aus einzelnen Mono- und/oder Polykapillaren, photonischen Kristallen und monolithischen integralen Mikrolinsen.The inside coated hollow fiber waveguide of claim 2, wherein the multichannel structure is selected from the group consisting of polycapillaries, compound lenses made of single mono- and / or polycapillaries, monolithic lenses made of single mono- and / or polycapillaries, photonic crystals, and monolithic integral microlenses. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Kanalstruktur aus Glas besteht.An inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 4, wherein the channel structure is made of glass. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Kanalstruktur Wärmeleitfäden oder Wärmeleitdrähte enthält.An inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 5, wherein the channel structure includes thermal conduction wires or heat conduction wires. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Innenbeschichtung ein von Kohlenstoff verschiedenes Element aus der zweiten bis fünften Hauptgruppe oder einer Nebengruppe des Periodensystems der Elemente enthält.The inside coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 6, wherein the inner coating contains a non-carbon element from the second to fifth main group or a subgroup of the periodic table of the elements. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Innenbeschichtung ein Metall ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi und U enthält, wobei die Elemente Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi und U besonders bevorzugt sind.The inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 7, wherein said inner coating contains a metal selected from the group consisting of Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi and U. , wherein the elements Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi and U are particularly preferred. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Innenbeschichtung ein Metall mit einer Ordnungszahl Z > 27, insbesondere Z > 40, am meisten bevorzugt Z > 71 enthält.Inner coated hollow optical waveguide according to one of claims 1 to 8, wherein the inner coating contains a metal having an atomic number Z> 27, in particular Z> 40, most preferably Z> 71. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Innenbeschichtung aus Metallschichten und/oder Metallpartikeln, bevorzugt aus amorphen Metallschichten und/oder amorphen Metallpartikeln, insbesondere aus amorphen Metallschichten besteht.Inner coated hollow optical waveguide according to one of claims 1 to 9, wherein the inner coating of metal layers and / or metal particles, preferably of amorphous metal layers and / or amorphous metal particles, in particular of amorphous metal layers. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine rms-Oberflächenrauigkeit von weniger als 10 nm, insbesondere weniger als 5 nm, am meisten bevorzugt weniger als 2 nm aufweist.An inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 10, wherein the channel interior facing surface of the inner cladding has an rms surface roughness of less than 10 nm, especially less than 5 nm, most preferably less than 2 nm. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die dem Kanalinnenraum zugewandte Oberfläche der Innenbeschichtung eine Höhe von weniger als 15 nm, insbesondere weniger als 8 nm, am meisten bevorzugt weniger als 4 nm aufweist.The inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 11, wherein the surface of the inner coating facing the channel interior has a height of less than 15 nm, in particular less than 8 nm, most preferably less than 4 nm. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem der Bedeckungsgrad der Innenbeschichtung mindestens 95%, insbesondere mindestens 98%, am meisten bevorzugt mindestens 99% beträgt. An inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 11, wherein the degree of coverage of the inner coating is at least 95%, more preferably at least 98%, most preferably at least 99%. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die Innenbeschichtung Partikel mit einer Partikelgrößenverteilung enthält, bei der die Standardabweichung der Partikelgröße weniger als 20%, insbesondere weniger als 10%, am meisten bevorzugt weniger als 5% der mittleren Partikelgröße beträgt.The inner coated hollow fiber waveguide of any one of claims 1 to 13, wherein the inner coating contains particles having a particle size distribution where the standard deviation of the particle size is less than 20%, more preferably less than 10%, most preferably less than 5% of the mean particle size. Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem die Innenbeschichtung eine Dicke im Bereich von 1 bis 1000 nm, bevorzugt 10 bis 250 nm, insbesondere 50 bis 150 nm, am meisten bevorzugt 80 bis 120 nm aufweist.An inner coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 14, wherein the inner coating has a thickness in the range of 1 to 1000 nm, preferably 10 to 250 nm, especially 50 to 150 nm, most preferably 80 to 120 nm. Verfahren zur Herstellung eines innenbeschichteten Hohllichtwellenleiters nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem die Innenbeschichtung durch ein photolytisches Verfahren, ein plasmatechnologisches Verfahren oder ein Gasphasen-Verfahren in der Kanalstruktur abgeschieden wird und das die Schritte (a) Evakuieren der Kanalstruktur, wobei zwischen den Enden der Kanalstruktur ein Druckgradient aufgebaut wird, (b) Einstellen der gesamten Kanalstruktur auf eine konstante Grundtemperatur im Bereich von 273 K bis 2073 K, bevorzugt 293 K bis 873 K, am meisten bevorzugt 373 K bis 723 K, die 50 K bis 150 K, bevorzugt 80 K bis 120 K unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursormaterials liegt, (c) Verdampfen eines Precursormaterials und Transport des Precursormaterials durch die Kanalstruktur durch den Druckgradienten, und (d) Abscheiden einer Beschichtung aus dem Precursormaterial durch lokal begrenzte Zufuhr von Energie umfasst.A method for producing an internally coated hollow optical waveguide according to any one of claims 1 to 15, wherein the inner coating is deposited by a photolytic process, a plasma technology process or a gas-phase process in the channel structure and the steps (a) evacuating the channel structure, establishing a pressure gradient between the ends of the channel structure, (b) adjusting the total channel structure to a constant base temperature in the range of 273K to 2073K, preferably 293K to 873K, most preferably 373K to 723K, 50K to 150K, preferably 80K to 120K below the decomposition temperature of the precursor material is, (c) evaporating a precursor material and transporting the precursor material through the channel structure through the pressure gradient, and (D) depositing a coating of the precursor material by locally limited supply of energy includes. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die Innenbeschichtung durch Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder Chemische Gasphaseninfiltration (CVI) in der Kanalstruktur abgeschieden wird.The method of claim 16, wherein the inner coating is deposited by chemical vapor deposition (CVD) or chemical vapor infiltration (CVI) in the channel structure. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Innenbeschichtung durch Chemische Gasphasenabscheidung von Organometallverbindungen (OMCVD), chemische Gasphaseninfiltration von Organometallverbindungen (OMCVI) oder Gasphasenepitaxie von Organometallverbindungen (OMVPE) in der Kanalstruktur abgeschieden wird.The method of claim 17, wherein the inner coating is deposited by chemical vapor deposition of organometallic compounds (OMCVD), chemical vapor infiltration of organometallic compounds (OMCVI) or gas phase epitaxy of organometallic compounds (OMVPE) in the channel structure. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei dem vor Schritt (a) die Innenoberfläche der Kanalstruktur aktiviert wird.A method according to any one of claims 16 to 18, wherein prior to step (a) the inner surface of the channel structure is activated. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem das Aktivieren der Innenoberfläche durch Überleiten von molekularem Sauerstoff, bevorzugt bei einer Temperatur im Bereich von 480 K bis 773 K, erfolgt.The method of claim 19, wherein activating the inner surface is by passing molecular oxygen, preferably at a temperature in the range of 480 K to 773 K. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, bei dem vor Schritt (a) und gegebenenfalls vor dem Aktivieren der Innenoberfläche der Kanal/die Kanäle der Kanalstruktur gereinigt werden.A method according to any one of claims 16 to 20, wherein prior to step (a) and optionally before activation of the inner surface, the channel (s) of the channel structure are cleaned. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem das Reinigen des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur durch Plasmabehandlung, chemische Prozesse und/oder Evakuieren mit gleichzeitigem Ausheizen erfolgt.The method of claim 21, wherein the cleaning of the channel (s) of the channel structure is performed by plasma treatment, chemical processes and / or evacuation with simultaneous annealing. Verfahren nach Anspruch 22, bei dem das Reinigen des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur durch Evakuieren bei einem Druck unterhalb von 10–3 mbar mit gleichzeitigem Ausheizen, bevorzugt bei einer Temperatur im Bereich von 473 K bis 773 K, erfolgt.The method of claim 22, wherein the cleaning of the channel (s) of the channel structure by evacuation at a pressure below 10 -3 mbar with simultaneous annealing, preferably at a temperature in the range of 473 K to 773 K occurs. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 23, bei dem vor Schritt (a), gegebenenfalls vor dem Aktivieren der Innenoberfläche und gegebenenfalls vor oder nach dem Reinigen des Kanals/der Kanäle eine thermische Glättung der Innenoberfläche des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur erfolgt.A method according to any of claims 16 to 23, wherein prior to step (a), optionally before activation of the inner surface and optionally before or after cleaning of the channel (s), thermal smoothing of the inner surface of the channel (s) of the channel structure occurs. Verfahren nach Anspruch 24, bei dem die thermische Glättung der Innenoberfläche des Kanals/der Kanäle der Kanalstruktur durch Erwärmen auf eine Temperatur im Bereich von 473 K bis 2073 K, bevorzugt 573 K bis 1473 K erfolgt, die 50 K bis 1500 K, insbesondere 100 K bis 1000 K, bevorzugt 150 K bis 300 K unterhalb des Erweichungspunkts des Glases liegt.The method of claim 24, wherein the thermal smoothing of the inner surface of the channel (s) of the channel structure is carried out by heating to a temperature in the range of 473 K to 2073 K, preferably 573 K to 1473 K, which is 50 K to 1500 K, in particular 100 K is up to 1000 K, preferably 150 K to 300 K below the softening point of the glass. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 25, bei dem die Kanalstruktur nur von einem ihrer Enden her evakuiert wird.Method according to one of claims 16 to 25, wherein the channel structure is evacuated only from one of its ends. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 26, bei dem in Schritt (a) ein Minimaldruck von weniger als 10–2 mbar, vorzugsweise weniger als 10–3 mbar und besonders bevorzugt weniger als 10–4 mbar, eingestellt wird.Method according to one of claims 16 to 26, wherein in step (a) a minimum pressure of less than 10 -2 mbar, preferably less than 10 -3 mbar and more preferably less than 10 -4 mbar, is set. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 27, bei dem der Transport des Precursormaterials durch die Kanalstruktur in Schritt (c) durch einen Trägergasstrom unterstützt wird.Method according to one of claims 16 to 27, wherein the transport of the precursor material through the channel structure in step (c) is supported by a carrier gas stream. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 28, bei dem in Schritt (d) eine lokale Temperatur im Bereich von 273 K bis 2073 K, bevorzugt 293 K bis 873 K, eingestellt wird.Method according to one of claims 16 to 28, wherein in step (d) a local temperature in the range of 273 K to 2073 K, preferably 293 K to 873 K, is set. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 29, bei dem die Zufuhr von Energie in Schritt (d) durch einen Wärme- oder Heizstrahler, einen Ofen, einen Laser, Mikrowellenstrahlung und/oder ein Plasma erfolgt. Method according to one of claims 16 to 29, wherein the supply of energy in step (d) by a heat or radiant heater, an oven, a laser, microwave radiation and / or a plasma takes place. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 30, bei dem die Zufuhr von Energie in Schritt (d) durch Kombination einer thermischen und einer photochemischen Zufuhr von Energie erfolgt.A method according to any one of claims 16 to 30, wherein the supply of energy in step (d) is by combination of a thermal and a photochemical supply of energy. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 31, das ferner das Durchleiten eines Gases zur chemischen, physikalischen und/oder morphologischen Veränderung der Beschichtung umfasst.The method of any one of claims 16 to 31, further comprising passing a gas for chemical, physical and / or morphological alteration of the coating. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 32, das ferner die Durchführung einer in-situ-Prozessanalytik und Prozesssteuerung umfasst.The method of any of claims 16 to 32, further comprising performing an in-situ process analysis and process control. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 33, bei dem das Precursormaterial ein sublimierbares Material ist.A method according to any one of claims 16 to 33, wherein the precursor material is a sublimable material. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 34, bei dem das Precursormaterial ein von Kohlenstoff verschiedenes Element aus der zweiten bis fünften Hauptgruppe oder einer Nebengruppe des Periodensystems der Elemente sowie organische Gruppen und/oder Carbonyl enthält, die chemisch direkt und/oder über ein Element der fünften oder sechsten Hauptgruppe an das jeweilige Element gebunden sind.A method according to any one of claims 16 to 34, wherein the precursor material contains a non-carbon element from the second to fifth main group or a subgroup of the Periodic Table of the Elements and organic groups and / or carbonyl which are chemically directly and / or via an element of fifth or sixth main group are bound to the respective element. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 35, bei dem das Precursormaterial eine organometallische Verbindung, die mindestens eine Metall-Kohlenstoff-Bindung aufweist, oder eine Komplex- oder Koordinationsverbindung ist, die einen organischen Liganden und/oder Carbonyl enthält.A method according to any one of claims 16 to 35, wherein the precursor material is an organometallic compound having at least one metal-carbon bond or a complex or coordination compound containing an organic ligand and / or carbonyl. Verfahren nach Anspruch 36, bei dem die Komplex- oder Koordinationsverbindung einen Liganden ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carbonyl, Hexafluoracetylacetonato und Acetylacetonato enthält.The method of claim 36, wherein the complex or coordination compound comprises a ligand selected from the group consisting of carbonyl, hexafluoroacetylacetonato and acetylacetonato. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 37, bei dem das Precursormaterial ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi und U enthält, wobei die Elemente Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi und U besonders bevorzugt sind.A method according to any one of claims 16 to 37, wherein the precursor material comprises an element selected from the group consisting of Be, Ni, Pt, Cu, Pd, Ag, W, Re, Ir, Os, Au, Pb, Bi and U, wherein the elements Ni, Ag, Au, W, Pb, Pt, Bi and U are particularly preferred. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 38, bei dem das Precursormaterial ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bis-(1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentandionato)-palladium(II), Tetracarbonylnickel, Nickelocen, 2,2,6,6-Tetramethyl-3,5-heptandionatosilber(I), Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionato)bismut(III), Tetraethylblei, Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionato)blei(II), Uranhexafluorid, Uranocen, Uranacetat, Wolframhexacarbonyl, Dimethyl(hexafluoracetylacetonato)gold, Tetrakis(triphenylphosphin)platin(0), Bis(hexafluoracetylacetonato)platin(II), Bis(acetylacetonato)platin(II), Dimethyl(1,5-cyclooctadien)platin(II), Methyl(triphenylphosphin)gold(I) und Bis-(1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentandionato)-blei(II).The method of any one of claims 16 to 38, wherein the precursor material is selected from the group consisting of Bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) palladium (II), tetracarbonylnickel, nickelocene, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionatosilber (I), Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) bismuth (III), tetraethyl lead, Bis (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) lead (II), Uranium hexafluoride, uranocene, uranium acetate, tungsten hexacarbonyl, Dimethyl (hexafluoroacetylacetonato) gold, Tetrakis (triphenylphosphine) platinum (0) Bis (hexafluoroacetylacetonato) platinum (II), Bis (acetylacetonato) platinum (II), Dimethyl (1,5-cyclooctadiene) platinum (II), Methyl (triphenylphosphine) gold (I) and Bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) -lead (II). Innenbeschichteter Hohllichtwellenleiter erhältlich nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 16 bis 39.Inner coated hollow optical waveguide obtainable by a method according to one of claims 16 to 39. Verwendung eines innenbeschichteten Hohllichtwellenleiters gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 oder 40 oder eines gemäß einem der Ansprüche 16 bis 39 hergestellten innenbeschichteten Hohllichtwellenleiters zur Formung, Führung, Fokussierung und Verstärkung elektromagnetischer Wellen oder Teilchenstrahlung.Use of an internally coated hollow optical waveguide according to one of claims 1 to 15 or 40 or of an internally coated hollow optical waveguide produced according to one of claims 16 to 39 for shaping, guiding, focusing and amplifying electromagnetic waves or particle radiation. Verwendung nach Anspruch 41, bei der die elektromagnetischen Wellen harte Röntgenstrahlung mit einer Energie von mehr als 12,4 keV, bevorzugt mehr als 15 keV sind.Use according to claim 41, wherein the electromagnetic waves are hard X-rays having an energy of more than 12.4 keV, preferably more than 15 keV.
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