DE102007010577A1 - Method for manufacturing thermoelectric element, involves arranging electrical contact of electrically conductive contact material at thermoelectric material - Google Patents

Method for manufacturing thermoelectric element, involves arranging electrical contact of electrically conductive contact material at thermoelectric material Download PDF

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Abstract

The method involves arranging an electrical contact of electrically conductive contact material (3) at a thermoelectric material (1). The electrical contact is formed from bismuth, gold, tin, platinum, antimony and tellurium.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes sowie ein thermoelektrisches Bauelement.The The invention relates to a method for producing a thermoelectric Component and a thermoelectric device.

Aus dem Stand der Technik sind thermoelektrische Bauelemente bekannt, die als Kühler (Peltierkühler) oder Thermogeneratoren in verschiedenen Bereichen der Technik eingesetzt werden. Beispielsweise werden thermoelektrische Kühler zum Kühlen von Computerprozessoren verwendet.Out the prior art thermoelectric components are known as coolers (Peltier coolers) or thermal generators be used in various fields of technology. For example be thermoelectric cooler for cooling Computer processors used.

Insbesondere sind miniaturisierte thermoelektrische Bauelemente bekannt, die Abmessungen im Bereich von einigen Mikrometern aufweisen. Ein derartiges thermoelektrisches Bauelement ist z. B. in der DE 198 45 104 A1 beschrieben.In particular, miniaturized thermoelectric components are known which have dimensions in the range of a few micrometers. Such a thermoelectric device is z. B. in the DE 198 45 104 A1 described.

Das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Problem besteht darin, ein thermoelektrisches Bauelement mit verbessertem Wirkungsgrad sowie ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen thermoelektrischen Bauelementes anzugeben.The The problem underlying the present invention is that a thermoelectric device with improved efficiency and a method for producing such a thermoelectric Specify component.

Dieses Problem wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen der Ansprüche 1 oder 16 sowie durch ein thermoelektrisches Bauelement mit den Merkmalen der Ansprüche 38 oder 41 gelöst. Besonders bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This Problem is solved by a method having the features of the claims 1 or 16 and by a thermoelectric device with the Characteristics of claims 38 or 41 solved. Especially preferred developments of the invention are in the dependent Claims specified.

Danach wird ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes angegeben, wobei an einem thermoelektrischen Material mindestens ein elektrischer Kontakt angeordnet wird, der Bismut und Gold aufweist.After that is a method of manufacturing a thermoelectric device indicated, wherein on a thermoelectric material at least placing an electrical contact comprising bismuth and gold.

Hiermit wird ein elektrischer Kontakt zum elektrischen Kontaktieren des thermoelektrischen Material eines thermoelektrischen Bauelementes ermöglicht, der einen im Ver gleich zu herkömmlichen elektrischen Kontakten für thermoelektrische Materialien reduzierten Kontaktwiderstand (Übergangswiderstand zwischen dem thermoelektrischen Material und dem Material des elektrischen Kontaktes) aufweist.Herewith is an electrical contact for electrically contacting the thermoelectric material of a thermoelectric device allows the one in comparison to conventional electrical Reduced contacts for thermoelectric materials Contact resistance (contact resistance between the thermoelectric Material and the material of the electrical contact).

Es sei erwähnt, dass allgemein unter einem thermoelektrischen Material ein Material verstanden wird, das einen im Vergleich mit anderen Materialien hohen thermoelektrischen Koeffizienten aufweist, also eine vergleichsweise hohe Temperaturdifferenz bezogen auf eine an das Material angelegte Spannung erzeugen kann. Dabei liegt insbesondere ein Seebeck-Koeffizient von größer als 50 μV/K vor. Besonders vorteilhaft sind thermoelektrische Materialien der Hauptgruppen V/VI und IV/VI.It it should be mentioned that generally under a thermoelectric Material is understood as a material that compares to a material other materials has high thermoelectric coefficients, ie a comparatively high temperature difference relative to one the material can generate applied voltage. This is in particular a Seebeck coefficient of greater than 50 μV / K in front. Thermoelectric materials are particularly advantageous Main groups V / VI and IV / VI.

Des weiteren wird darauf hingewiesen, dass mit der Formulierung, dass der elektrische Kontakt z. B. Bismut und Gold „aufweist" insbesondere der Fall erfasst ist, dass der Kontakt im Wesentlichen nur diese Materialien aufweist, d. h. aus diesen Materialien gebildet ist. Der elektrische Kontakt erstreckt sich bevorzugt angrenzend zu dem thermoelektrischen Material.Of Further, it is noted that with the wording that the electrical contact z. B. bismuth and gold "has" In particular, the case is recorded that the contact is essentially only has these materials, d. H. formed from these materials is. The electrical contact preferably extends adjacent to the thermoelectric material.

Ein niederohmiger Kontaktwiderstand zum thermoelektrischen Material ist für die Kühlleistung (wenn das thermoelektrische Bauelement als Kühler betrieben wird) bzw. für den Wirkungsgrad für die Konversion von Temperaturdifferenzen (Wärmeströme) in Strom (Thermogenerator) eines thermoelektrischen Bauelementes von wesentlicher Bedeutung. Dies ist dadurch bedingt, dass bei einem Stromfluss durch das thermoelektrische Material neben der in dem Volumenbereich des thermoelektrischen Materials abfallenden Joulschen Wärme (~ R·I2, R: Volumenwiderstand des thermoelektrischen Materials; I: Stromstärke durch das Material) eine zusätzliche Joulsche Wärme aufgrund des elektrischen Kontaktwiderstandes zwischen dem Kontaktmaterial und dem thermoelektrischen Material entsteht. Diese zusätzlich durch den Kontaktwiderstand hervorgerufene Joulsche Wärme ist proportional zu 2·Rc·I2 (Rc: Kontaktwiderstand), wobei der Faktor 2 daher rührt, dass in einem thermoelektrischen Bauelement zum Beschalten des thermoelektrischen Materials zwei Kontakte notwendig sind. Somit hängt die an den Kontakten erzeugte Joulsche Wärme proportional vom Kontaktwiderstand ab. Die aufgrund des Kontaktwiderstands hervorgerufene zusätzliche Joulsche Wärme wiederum reduziert die Kühlleistung bzw. die Konversion Wärmestrom zu elektrischer Energie eines thermoelektrischen Bauelementes.A low-resistance contact resistance to the thermoelectric material is for the cooling performance (when the thermoelectric device is operated as a cooler) and for the conversion efficiency of the temperature differences (heat flows) into electricity (thermal generator) of a thermoelectric device essential. This is due to the fact that in a current flow through the thermoelectric material in addition to the falling in the volume range of the thermoelectric material Joule heat (~ R · I 2 , R: volume resistivity of the thermoelectric material, I: current through the material) additional Joule heat due the electrical contact resistance between the contact material and the thermoelectric material is formed. This Joule heat, which is additionally caused by the contact resistance, is proportional to 2 * R c * I 2 (R c : contact resistance), the factor 2 stemming from the fact that two contacts are necessary in a thermoelectric device for connecting the thermoelectric material. Thus, the Joule heat generated at the contacts depends proportionally on the contact resistance. The additional Joule heat caused by the contact resistance in turn reduces the cooling capacity or the conversion of heat flow to electrical energy of a thermoelectric component.

Ein besonders große Rolle spielt der Kontaktwiderstand bei miniaturisierten thermoelektrischen Bauelementen. In diesen Bauelementen ist das Volumen des thermoelektrischen Materials geringer als bei üblichen thermoelektrischen Bauelementen, weshalb das ther moelektrische Material einen geringeren elektrischen (Volumen-) Widerstand aufweist. Der Kontaktwiderstand verringert sich dagegen nur in dem Maße, wie sich die Kontaktfläche zwischen dem thermoelektrischen Material und dem elektrischen Kontakt verringert. Die Kontaktfläche in miniaturisierten Bauelementen ist zumeist jedoch nur unwesentlich kleiner als in nicht-miniaturisierten Bauelementen, so dass der Kontaktwiderstand in miniaturisierten Bauelementen einen größeren Anteil am Gesamtwiderstand des Bauelementes ausmacht. Dies insbesondere, wenn das Bauelement zur Miniaturisierung im Wesentlichen in einer Richtung (die Höhe) verkleinert wird (wie z. B. in vertikalen thermoelektrischen Bauelementen), während die Grundfläche gleich bleibt. Hier reduziert sich zwar der Serienwiderstand des thermoelektrischen Materials proportional zur Höhe, der Kontaktwiderstand bleibt jedoch konstant.A particularly important role is played by contact resistance in miniaturized thermoelectric devices. In these devices, the volume of the thermoelectric material is lower than conventional thermoelectric devices, which is why the ther moelectric material has a lower electrical (volume) resistance. On the other hand, the contact resistance decreases only as the contact area between the thermoelectric material and the electrical contact decreases. The contact area in miniaturized components is, however, only insignificantly smaller than in non-miniaturized components, so that the contact resistance in miniaturized components accounts for a larger proportion of the total resistance of the component. This is especially true if the miniaturization device is substantially reduced in one direction (the height) (such as in vertical thermoelectric devices) while the footprint remains the same. Here, although the series resistance of the thermoelectric material is reduced in proportion to the height, the contact resistance remains constant.

Für thermoelektrische Bauelemente, die aus Massivmaterialien hergestellt werden, spielen die elektrischen Übergangswiderstände zwischen dem aktiven thermoelektrischen Material und dem Kontaktmaterial aufgrund des im Verhältnis zum Kontaktwiderstand hohen Volumenwiderstands des thermoelektrischen Materials eine geringere Rolle. So können kommerziell erhältliche Bauelemente bereits bei einem Kontaktwiderstand im Bereich zwischen 10–9 bis 10–10 Ωm2 ihre typischen Leistungsparameter erreichen.For thermoelectric devices made from bulk materials, the electrical contact resistances between the active thermoelectric material and the contact material play less of a role due to the high volume resistivity of the thermoelectric material relative to the contact resistance. Thus, commercially available components can achieve their typical performance parameters even with a contact resistance in the range between 10 -9 to 10 -10 Ωm 2 .

Wie oben ausgeführt, weisen miniaturisierte thermoelektrische Bauelemente aufgrund ihres geringeren Volumens einen deutlich geringeren Eigenwiderstand des thermoelektrischen Materials als nicht-miniaturisierte Bauelemente auf, weshalb der Kontaktwiderstand eine größere Rolle spielt. Mit den Materialien, die bisher zum Herstellen eines elektrischen Kontaktes zu einem thermoelektrischen Material bei konventionellen oder kommerziellen Bauelementen verwendet werden (mit denen – wie erwähnt – Kontaktwiderstände im Bereich von 10–9 bis 10–10 Ωm2 realisierbar sind), lassen sich lediglich verkleinerte Bauelemente herstellen, die nur einen Bruchteil der theoretisch möglichen Leistung (d. h. der erreichbaren Temperaturdifferenz bzw. der Kühlleistungsdichte im Falle eines Peltierkühlers) aufweisen. Angestrebt werden für derartige miniaturisierte thermoelektrische Bauelemente spezifische Kontaktwiderstände im Bereich zwischen 10–11 bis 10–12 Ωm2.As stated above, miniaturized thermoelectric devices have a significantly lower intrinsic resistance of the thermoelectric material than non-miniaturized devices due to their smaller volume, so that the contact resistance plays a greater role. With the materials that have hitherto been used for making electrical contact with a thermoelectric material in conventional or commercial components (with which - as mentioned - contact resistances in the range of 10 -9 to 10 -10 Ωm 2 can be realized), can only be reduced Produce components that have only a fraction of the theoretically possible power (ie the achievable temperature difference or the cooling power density in the case of a Peltier cooler). The aim is for such miniaturized thermoelectric devices specific contact resistance in the range between 10 -11 to 10 -12 Ωm 2 .

Dies kann mit dem erfindungsgemäßen elektrischen Kontakt, der durch das Verbinden des Bismut aufweisenden Materialbereiches mit dem Gold aufweisenden Materialbereich hergestellt wird, erreicht werden.This can with the electrical contact according to the invention, the material region comprising the bismuth achieved with the gold-containing material area achieved become.

In einer bevorzugten Variante der Erfindung weist der elektrische Kontakt zusätzlich Zinn auf. Beispielsweise wird auf einer Bismutschicht eine Gold-Zinn-Schicht erzeugt. Der Kontakt kann insbesondere im Wesentlichen aus Bismut-Gold-Zinn gebildet sein.In A preferred variant of the invention has the electrical contact additionally tin on. For example, on a bismuth layer produces a gold-tin layer. The contact can be especially in Essentially made of bismuth gold-tin.

In einer besonders vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das thermoelektrische Material an einem ersten Substrat angeordnet und zum Erzeugen des elektrischen Kontaktes erfolgen die folgenden Schritte:

  • – Erzeugen eines ersten Materialbereiches auf dem thermoelektrischen Material;
  • – Erzeugen eines zweiten Materialbereiches an einem zweiten Substrat;
  • – Erzeugen des elektrischen Kontaktes an dem thermoelektrischen Material durch zumindest abschnittsweises Verbinden des ersten Materialbereiches mit dem zweiten Materialbereich.
In a particularly advantageous embodiment of the method according to the invention, the thermoelectric material is arranged on a first substrate and for producing the electrical contact, the following steps take place:
  • - generating a first material region on the thermoelectric material;
  • Creating a second material region on a second substrate;
  • - Generating the electrical contact to the thermoelectric material by at least partially connecting the first material region with the second material region.

In einer bevorzugten Variante erfolgt das Verbinden des ersten Materialbereichs mit dem zweiten Materialbereich unter Temperaturerhöhung der beiden Materialbereiche, d. h. mittels eines Temperschrittes. Vorteilhaft ist, wenn der erste Materialbereich zusätzlich Gold aufweist oder durch eine Schichtfolge Bismut-Gold-Zinn gebildet ist oder eine derartige Schichtfolge aufweist.In In a preferred variant, the joining of the first material region takes place with the second material area under temperature increase the two material areas, d. H. by means of a tempering step. It is advantageous if the first material area additionally Gold or formed by a layer sequence bismuth gold-tin or has such a layer sequence.

Des Weiteren kann der erste Materialbereich Bismut und/oder Gold, insbesondere in Form von Materialschichten, aufweisen. Zusätzlich weist der erste Materialbereich optional auch Zinn, insbesondere eine Zinnschicht auf. Der erste Materialbereich kann auch aus den genannten Materialien gebildet sein, d. h. im Wesentlichen diese Materialien aufweisen.Of Furthermore, the first material region can be bismuth and / or gold, in particular in the form of material layers. Additionally points the first material region optionally also tin, in particular a Tin layer on. The first material area can also be mentioned from the Be formed materials, d. H. essentially these materials exhibit.

Vorteilhafterweise wird Gold als Schutzschicht auf Bismut verwendet. Die Dicke der Schutzschicht kann hierbei derart gewählt sein, dass die Schutzschicht vor dem Inverbindungbringen des ersten Materialbereiches mit dem zweiten Materialbereich im Wesentlichen verbraucht ist („Opferschicht"). Die Schutzschicht weist beispielsweise eine Dicke im Bereich von ca. 5–50 nm auf.advantageously, Gold is used as a protective layer on bismuth. The thickness of the Protective layer may in this case be chosen such that the protective layer before bringing the first material area into contact with the second material area is substantially consumed ("sacrificial layer") Protective layer has, for example, a thickness in the range of about 5-50 nm.

Besonders bevorzugt wird mit einem ersten Materialbereich, der eine Bismutschicht und darüber eine Gold-Zinn-Mischschicht aufweist, ein Temperschritt durchgeführt. Die Gold-Zinn-Mischung wird gegen den Gold aufweisenden (z. B. aus einer Goldschicht mit einer Dicke von einigen um bestehenden) zweiten Materialbereich gelötet (Gold-Zinn-Gold-Lötung).Especially preferred is with a first material region containing a bismuth layer and having a gold-tin mixed layer above, an annealing step carried out. The gold-tin mixture will go against the gold having (for example, a gold layer having a thickness of some soldered to existing) second material area (gold-tin-gold soldering).

Eine Gold-Zinn-Mischschicht kann, z. B. durch Sputtern mit einem Gold/Zinn-Target oder durch (Ko-)Elektronenstrahlverdampfen, bei dem gleichzeitig Gold und Zinn verdampft werden. Die Gold-Zinn-Schicht kann hierbei unmittelbar auf der Bismutschicht oder z. B. auch auf einer oberhalb der Bismutschicht vorhandenen Goldschicht erzeugt werden.A Gold-tin mixed layer can, for. B. by sputtering with a gold / tin target or by (co-) electron beam evaporation in which simultaneously Gold and tin are evaporated. The gold-tin layer can here directly on the bismuth layer or z. B. also on an above the Bismuth layer existing gold layer can be generated.

In einer anderen bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist das thermoelektrische Material ein Material der Hauptgruppen V–VI oder IV–VI auf, das p- oder n-dotiert sein kann. In einer Ausführungsform wird als thermoelektrisches Material Bismuttellurid, insbesondere eine (Bi1-x Sbx)2 Te3-Verbindung, verwendet. Aus dem Bismut aufweisenden elektrischen Kontakt interdiffundiert (insbesondere bei Temperatureinwirkung etwa durch Tempern) Tellur aus dem Bismuttellurid mit dem Bismut des elektrischen Kontaktes, so dass sich am Übergang vom thermoelektrischen Material zum elektrischen Kontakt eine im Vergleich mit dem Volumen des thermoelektrischen Materials bismutreiche (und somit p-dotierte) Bismuttellurid-Schicht (Bi1-x Tex-Schicht) bildet. Aufgrund der Tellurverarmung bzw. der Bismutanreicherung am Übergang zum elektrischen Kontakt entsteht ein Übergang von einem hochdotierten p-Halbleiter zu dem elektrischen Kontakt, wodurch ein abrupter Übergang (bezogen auf die Ladungsträgerkonzentration) zwischen dem thermoelektrischen Halbleiter und dem Kontaktmaterial vermieden und somit der gewünschte niederohmige Kontaktwiderstand ermöglicht wird. Ein analoger Mechanismus ergibt sich bei Verwendung eines anderen V–VI-Materials (z. B. Bismutselenid oder Antimontellurid).In another preferred embodiment of the invention, the thermoelectric material comprises a material of the main groups V-VI or IV-VI, which may be p- or n-doped. In one embodiment, bismuth telluride, in particular a (Bi 1-x Sb x ) 2 Te 3 compound, is used as the thermoelectric material. From the bismuth having electrical contact interdiffused (especially at temperature effect as by annealing) tellurium from the bismuth telluride with the bismuth of the electrical contact, so that at the transition from the thermoelectric material to the electrical contact in comparison with the volume of the thermoelectric material bismutreiche (and thus p-doped) bismuth telluride layer (Bi 1-x Te x layer). Due to the tellurium depletion or the bismuth enrichment at the transition to the electrical contact, a transition from a highly doped p-type semiconductor to the electrical contact occurs, thereby avoiding an abrupt transition (based on the charge carrier concentration) between the thermoelectric semiconductor and the contact material and thus the desired low-resistance contact resistance is possible. An analogous mechanism results when using a different V-VI material (eg, bismuth selenide or antimony telluride).

Das verwendete thermoelektrische Material weist z. B. eine Bandlücke im Bereich von ca. 100 meV bis 400 meV auf; insbesondere bei Verwendung im Raumtemperaturbereich. Als n-leitendes Material wird z. B. eine Bi2(Te1-x Sex)3-Verbindung und für p-leitende Bereiche des thermoelektrischen Materials beispielsweise eine (Bi1-x Sbx)2 Te3-basierende Verbindung verwendet.The thermoelectric material used has z. B. a band gap in the range of about 100 meV to 400 meV; especially when used in the room temperature range. As n-conductive material is z. B. a Bi 2 (Te 1-x Se x ) 3 compound and for p-type regions of the thermoelectric material, for example, a (Bi 1-x Sb x ) 2 Te 3 -based compound used.

Je nach gewünschter Einsatztemperatur können den n-leitenden Materialien Anteile von Antimon im Metalluntergitter bzw. den p-leitenden Materialien Anteile von Selen im Chalkogen-Untergitter zur Optimierung zugesetzt werden. Die im thermoelektrischen Material nötige Ladungsträgerkonzentration wird entweder durch Fremddotierung und/oder durch den Chalkogengehalt (d. h. durch die Eigendotierung) der Materialien eingestellt. Charakteristisch ist bei den V–VI-Materialien, dass ein Chalkogenüberschuss ein n-leitendes Material, ein Chalkogenmangel dagegen zu einem p-leitenden Material führt.ever according to the desired operating temperature can n-type materials proportions of antimony in the metal substructure or the p-type materials shares of selenium in the chalcogen sublattice to Optimization can be added. The thermoelectric material necessary carrier concentration will either by external doping and / or by the chalcogen content (i.e. self-doping) of the materials. Characteristic is at the V-VI materials that a chalcogen surplus an n-type material, a chalcogen deficiency on the other hand to a p-type Material leads.

In einem zweiten Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes vorgesehen, wobei an einem thermoelektrischen Material ein elektrischer Kontakt in Form eines Platin aufweisenden Materialbereiches erzeugt wird.In A second aspect of the invention is a method of manufacturing a thermoelectric device provided, wherein on a thermoelectric material is an electrical contact in the form of a Platinum having material area is generated.

Der Platin aufweisende Materialbereich ist insbesondere im Wesentlichen aus Platin gebildet und wird z. B. in Form einer Platinschicht erzeugt. Zudem kann sich der Platin aufweisende Materialbereich angrenzend an das thermoelektrische Material erstrecken. Das Erzeugen des Materialbereiches erfolgt bevorzugt durch einen Vakuumprozess, wie z. B. Sputtern, thermisches Aufdampfen oder Elektronenstrahlaufdampfen.Of the In particular, platinum-containing material region is substantially made of platinum and z. B. generated in the form of a platinum layer. In addition, the platinum having material area adjacent extend to the thermoelectric material. Creating the material area is preferably carried out by a vacuum process, such. Sputtering, thermal evaporation or electron beam evaporation.

In einer besonders bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens des zweiten Erfindungsaspektes wird mit dem Platin aufweisenden Materialbereich ein Temperschritt durchgeführt, d. h. die Temperatur im Bereich des Platin aufweisenden Materialbereiches zeitlich begrenzt erhöht wird. Insbesondere wird beim Tempern der Platin aufweisende Materialbereich auf eine Temperatur zwischen 200 und 300°C erwärmt.In a particularly preferred embodiment of the method of the second Invention aspect is with the platinum having material area Tempering performed, d. H. the temperature in the area the platinum-containing material area increased in time becomes. In particular, when annealing the platinum having material area heated to a temperature between 200 and 300 ° C.

Auch für derartige Kontakte wurden niederohmige Kontaktwiderstände im Bereich zwischen 10–11 und 10–12 Ohm m2 gemessen (per TLM-Verfahren). Als thermoelektrisches Material wird bevorzugt wiederum ein V–VI-Material (z. B. Bismuttellurid) verwendet, wobei sich zwischen dem V–VI-Material und dem Platin-Kontakt Phasen ausbilden. Diese Phasen besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der wesentlich geringer ist als der des thermoelektrischen V–VI-Materials selbst.Low-resistance contact resistances in the range between 10 -11 and 10 -12 ohm m 2 were also measured for such contacts (by TLM method). As the thermoelectric material, a V-VI material (eg, bismuth telluride) is again preferably used, whereby phases are formed between the V-VI material and the platinum contact. These phases have a resistivity substantially lower than that of the V-VI thermoelectric material itself.

Gleichzeitig ist vorteilhaft, dass die im Bereich der Grenzfläche zwischen dem elektrischen Kontakt und dem thermoelektrischen Material gebildete Phasen gleichzeitig auch als Diffusionsbarriere zwischen dem thermoelektrischen Material und weiteren Materialien wirkt, die auf dem Platin aufweisenden Materialbereich deponiert werden, wie z. B. weitere Metallschichten oder auch thermoelektrisches Material.simultaneously is advantageous that in the area of the interface between the electrical contact and the thermoelectric material formed Phases at the same time as a diffusion barrier between the thermoelectric Material and other materials that have on the platinum acts Material area are deposited, such. B. more metal layers or else thermoelectric material.

In einer bevorzugten Weiterbildung weist der Platin aufweisende Materialbereich zusätzlich Titan auf. Insbesondere wird der Materialbereich durch eine Schichtfolge Titan-Platin-Titan-Platin gebildet oder weist eine derartige Schichtfolge auf. Mit einer derartigen Schichtfolge wird bevorzugt ebenfalls ein Temperschritt, wie oben erläutert, durchgeführt.In In a preferred development, the platinum-containing material region in addition titanium on. In particular, the material area formed by a layer sequence of titanium-platinum-titanium-platinum or has such a layer sequence. With such a layer sequence is preferably also a tempering step, as explained above, carried out.

Des Weiteren kann der Platin aufweisende Materialbereich mit Vorteil zwischen einem elektrisch leitfähigen Kontaktmaterial (z. B. aus Kupfer) und dem thermoelektrischen Material angeordnet sein.Of Further, the platinum having material area with advantage between an electrically conductive contact material (z. B. copper) and the thermoelectric material may be arranged.

In einer weiteren Variante wird zwischen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material ein Antimon aufweisender Materialbereich angeordnet. Dies kann unter Temperaturerhöhung erfolgen, insbesondere derart, dass eine oder me hrere Platin und Antimon aufweisende Phasen entstehen. Wird z. B. Bismuttellurid als thermoelektrisches Material verwendet, enthalten die gebildeten Phasen teilweise zusätzlich Tellur.In Another variant is between the platinum-containing material area and the thermoelectric material, an antimony-containing material region arranged. This can be done with temperature increase, in particular such that one or more of the platinum and antimony-containing phases arise. If z. B. bismuth telluride as a thermoelectric material partially used in addition to the phases formed Tellurium.

Bevorzugt werden der Platin aufweisende und der Antimon aufweisende Material schichtförmig ausgebildet, wobei die Dicke der Platinschicht so gewählt wird, dass die Platinschicht ein Eindiffundieren von Antimon in die Kontaktstruktur verhindert. Die Dicke der Platinschicht wird insbesondere in Abhängigkeit von der Dicke oder allgemein der Beschaffenheit der Antimonschicht bemessen. Insbesondere ist die Platinschicht so beschaffen, dass sie nach einem Temperaturschritt nicht vollständig aufgebraucht, d. h. in eine Pt-Sb-Mischphase übergegangen ist, sondern dick genug ist, um weiterhin als Diffusionssperre zu wirken.Prefers become the platinum-containing and the antimony-containing material layered, wherein the thickness of the platinum layer is chosen so that the platinum layer diffusing from Antimony in the contact structure prevented. The thickness of the platinum layer in particular depending on the thickness or generally the nature of the antimony layer. In particular the platinum layer so that it after a temperature step not completely used up, d. H. went into a Pt-Sb mixed phase is thick enough to continue to act as a diffusion barrier Act.

In einer vorteilhaften Weiterbildung umfasst das Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten Erfindungsaspekt die Schritte:

  • – Anordnen des thermoelektrischen Materials an einem ersten Substrat;
  • – Erzeugen eines elektrisch leitfähigen Kontaktmaterials an einem zweiten Substrat;
  • – Erzeugen des Platin aufweisenden Materialbereiches auf dem Kontaktmaterial; und
  • – Erzeugen des elektrischen Kontaktes an dem thermoelektrischen Material durch zumindest abschnittsweises Verbinden des Platin aufweisenden Materialbereiches mit dem thermoelektrischen Material.
In an advantageous development, the manufacturing method according to the second Er Finding the right steps:
  • - placing the thermoelectric material on a first substrate;
  • - generating an electrically conductive contact material on a second substrate;
  • - Generating the platinum-containing material region on the contact material; and
  • - Generating the electrical contact to the thermoelectric material by at least partially connecting the platinum-containing material region with the thermoelectric material.

In dieser Variante wird demnach eine an einem (zweiten) Substrat ausgebildete Kontaktstruktur (Kontaktmaterial) mit Platin, insbesondere einer Platinschicht, versehen und mit einem an einem weiteren (ersten), zunächst separaten Substrat abgeschiedenen thermoelektrischen Material in Verbindung gebracht, wodurch ein niederohmiger elektrischer Kontakt zwischen der Kontaktstruktur und dem thermoelektrischen Material erzeugt wird.In Accordingly, this variant is formed on a (second) substrate Contact structure (contact material) with platinum, in particular one Platinum layer, provided with one on another (first), initially separate substrate deposited thermoelectric Material associated, creating a low-impedance electrical Contact between the contact structure and the thermoelectric Material is generated.

Hierbei kann das Kontaktmaterial als Kontaktstruktur auf das Substrat strukturiert werden (mittels eines Halbleiterprozesses wie z. B. Ätzen oder Lift-Off) und mit der Platinschicht versehen werden, bevor es mit dem thermoelektrischen Material kontaktiert wird. Dies ist insbesondere bei vertikal aufgebauten thermoelektrischen Bauelementen vorgesehen. Hier wird eine Kontaktstruktur (Elektroden) für eine serielle Verschaltung von alternierenden thermoelektrischen n- und p-Materialien (die sich auf einem ersten Substrat befinden) zunächst auf einem (zweiten) Substrat strukturiert, bevor die Kontaktstruktur mit dem thermoelektrischen Material, d. h. das zweite mit dem ersten Substrat, verbunden wird.in this connection For example, the contact material can be structured as a contact structure on the substrate be (by means of a semiconductor process such as etching or lift-off) and be provided with the platinum layer before it is contacted with the thermoelectric material. This is in particular with vertically constructed thermoelectric components intended. Here is a contact structure (electrodes) for a serial interconnection of alternating thermoelectric n and p materials (which are located on a first substrate) first structured on a (second) substrate before the contact structure with the thermoelectric material, d. H. the second with the first Substrate, is connected.

Als Material für derartige Kontaktstrukturen wird z. B. Gold, Silber oder Kupfer verwendet. Derartige, aus diesen Materialien gebildete Kontaktstrukturen sollen jedoch keinen unmittelbaren Kontakt zum thermoelektrischen Material bekommen, um ein Hineindiffundieren des Materials in das thermoelektrische Material zu vermeiden. Deshalb wird auf ihnen Platinmaterial (der Platin aufweisende Materialbereich des elektrischen Kontaktes, z. B. in Form einer Platinschicht) als Diffusionsbarriere erzeugt. Vorzugsweise wird eine Platinschicht mit einer Dicke zwischen 10 bis 500 nm deponiert. Das Deponieren von Platin erfolgt – wie oben bereits zur zweiten Erfindungsvariante erläutert – bevorzugt mit einem Vakuumverfahren und einer anschließenden Temperung.When Material for such contact structures is z. Gold, Used silver or copper. Such, from these materials However, formed contact structures should not be in direct contact get to the thermoelectric material to diffuse into it of the material in the thermoelectric material. Therefore becomes platinum material on them (platinum-containing material area the electrical contact, z. B. in the form of a platinum layer) as Diffusion barrier generated. Preferably, a platinum layer deposited with a thickness between 10 to 500 nm. The dumping of Platinum takes place - as already above for the second variant of the invention explained - preferably with a vacuum process and a subsequent annealing.

Zusätzlich ist in einer besonders bevorzugten Weiterbildung dieser Erfindungsvariante vorgesehen, auf der Platinschicht bzw. auf dem Platinmaterial des zweiten Substrates eine Antimonschicht anzuordnen. Hierbei kann zunächst z. B. mit einem Vakuumprozess die Platinschicht auf das Kontaktmaterial aufgebracht und in einem nachfolgenden Schritt die Antimonschicht erzeugt werden. Insbesondere wird die Antimonschicht auf der Platinschicht unter Temperaturerhöhung im Bereich des zweiten Substrates erzeugt, d. h. während der Deposition des Antimons wird das zweite Substrat bzw. die Platinschicht erwärmt.additionally is in a particularly preferred embodiment of this variant of the invention provided on the platinum layer or on the platinum material of second substrate to arrange an antimony layer. Here can initially z. B. with a vacuum process, the platinum layer applied to the contact material and in a subsequent step the antimony layer are generated. In particular, the antimony layer becomes on the platinum layer with temperature increase in the range of the second substrate, d. H. during the deposition of antimony, the second substrate or platinum layer is heated.

Ein sowohl Platin als auch Antimon aufweisender Kontakt hat den Vorteil, dass er einen geringen Kontaktwiderstand aufweist und gleichzeitig als effiziente Diffusionsbarriere zwischen dem thermoelektrischen Material und dem Kontaktmaterial (Gold, Silber oder Kupfer) dient. Der so gebildete elektrische Kontakt kann sowohl zusammen mit einem n-als auch mit einem p-dotierten thermoelektrischen Material verwendet werden.One both platinum and antimony-containing contacts have the advantage that it has a low contact resistance and at the same time as an efficient diffusion barrier between the thermoelectric Material and the contact material (gold, silver or copper) is used. The electrical contact thus formed can be used both together with a used as well as with a p-doped thermoelectric material become.

Die Erfindung betrifft des Weiteren ein thermoelektrisches Bauelement mit mindestens einem an einem thermoelektrischen Material angeordneten elektrischen Kontakt, der Bismut und Gold aufweist oder aus diesen Materialien gebildet ist. Ein derartiges thermoelektrisches Bauelement wird bevorzugt nach dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren gemäß dem ersten Erfindungsaspekt hergestellt.The The invention further relates to a thermoelectric device with at least one arranged on a thermoelectric material electrical Contact containing bismuth and gold or of these materials is formed. Such a thermoelectric device is preferably according to the above-described manufacturing method according to the produced first aspect of the invention.

Eine bevorzugte Ausgestaltung des thermoelektrischen Bauelementes sieht vor, dass das thermoelektrische Material an einem ersten Substrat angeordnet und der elektrische Kontakt zwischen dem thermoelektrischen Material und einem zweiten Substrat (bzw. einer auf dem zweiten Substrat angeordneten Struktur) ausgebildet ist.A sees preferred embodiment of the thermoelectric device in that the thermoelectric material is attached to a first substrate arranged and the electrical contact between the thermoelectric Material and a second substrate (or one on the second Substrate arranged structure) is formed.

Des Weiteren umfasst die Erfindung ein thermoelektrisches Bauelement mit einem thermoelektrischen Material und einem elektrischen Kontakt in Form eines an dem thermoelektrischen Material angeordneten Platin aufweisenden Materialbereiches. Ein derartiges thermoelektrisches Bauelement wird bevorzugt durch ein Verfahren gemäß dem oben erläuterten zweiten Erfindungsaspekt erzeugt.Of Furthermore, the invention comprises a thermoelectric component with a thermoelectric material and an electrical contact in the form of a platinum disposed on the thermoelectric material having material area. Such a thermoelectric Component is preferred by a method according to the produced above explained second aspect of the invention.

In einer bevorzugten Weiterbildung dieses thermoelektrischen Bauelementes ist der elektrische Kontakt zwischen dem thermoelektrischen Material und einem elektrisch leitfähigen Kontaktmaterial, insbesondere aus Gold, Silber oder Kupfer, ausgebildet, z. B. mit mäanderförmigem Verlauf. Hier kann der elektrische Kontakt eine Platinschicht und zusätzlich eine an das thermoelektrische Material angrenzende Antimonschicht aufweisen. Das elektrisch leitfähige Kontaktmaterial ist z. B. an einem weiteren Substrat ausgebildet. Als thermoelektrisches Material kommen insbesondere – wie oben bereits mit Bezug zu den erfindungsgemäßen Verfahrensvarianten erwähnt – V–VI oder IV–VI-Materialien in Frage.In a preferred embodiment of this thermoelectric device is the electrical contact between the thermoelectric material and an electrically conductive contact material, in particular made of gold, silver or copper, formed, for. B. with meandering Course. Here, the electrical contact can be a platinum layer and in addition, an antimony layer adjacent to the thermoelectric material exhibit. The electrically conductive contact material is z. B. formed on a further substrate. As thermoelectric Material come in particular - as already mentioned above mentioned to the process variants of the invention - V-VI or IV-VI materials in question.

Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren genauer erläutert. Es zeigen:The The present invention will be described below with reference to exemplary embodiments explained in more detail with reference to the figures. It demonstrate:

1 schematisch eine erste Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung; 1 schematically a first variant of the manufacturing method according to the first aspect of the invention;

2 eine zweite Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung; 2 a second variant of the manufacturing method according to the first aspect of the invention;

3 eine dritte Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung; 3 a third variant of the manufacturing method according to the first aspect of the invention;

4 schematisch eine erste Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung; 4 schematically a first variant of the manufacturing method according to the second aspect of the invention;

5 eine zweite Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung; 5 a second variant of the manufacturing method according to the second aspect of the invention;

6 eine dritte Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung; 6 a third variant of the manufacturing method according to the second aspect of the invention;

7 und 8 eine vierte Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung; 7 and 8th a fourth variant of the manufacturing method according to the second aspect of the invention;

9 eine fünfte Variante des Herstellungsverfahrens gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung. 9 a fifth variant of the manufacturing method according to the second aspect of the invention.

1 zeigt schematisch eine Momentaufnahme beim Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung. Ein schichtartiges thermoelektrisches Material 1 (z. B. Bismuttellurid) ist an einem Substrat 2 (z. B. ein Silizium-Substrat) angeordnet. Das Substrat 2 weist eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) auf, die das thermoelektrische Material 1 vom Substrat 2 elektrisch isoliert. Die isolierende Schicht ist z. B. aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid gebildet. Zwischen dem thermoelektrischen Material 1 und dem Substrat 2 (d. h. genauer zwischen dem Material 1 und der isolierenden Schicht) befindet sich eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur 3 (z. B. aus Kupfer), über die das thermoelektrische Material 1 an seiner dem Substrat 2 zugewandten Seite elektrisch kontaktiert wird. Des Weiteren ist auf dem thermoelektrischen Material 1 (d. h. an dessen dem Substrat 2 abgewandten Seite) ein erster Materialbereich in Form einer Bismutschicht 6 erzeugt worden. 1 schematically shows a snapshot in manufacturing a thermoelectric device according to the first aspect of the invention. A layered thermoelectric material 1 (eg bismuth telluride) is on a substrate 2 (eg, a silicon substrate). The substrate 2 has an electrically insulating layer (not shown) which is the thermoelectric material 1 from the substrate 2 electrically isolated. The insulating layer is z. B. formed of silicon oxide or silicon nitride. Between the thermoelectric material 1 and the substrate 2 (ie more precisely between the material 1 and the insulating layer) is an electrically conductive contact structure 3 (eg of copper) over which the thermoelectric material 1 at his the substrate 2 facing side is electrically contacted. Furthermore, on the thermoelectric material 1 (ie at the substrate 2 opposite side) a first material region in the form of a bismuth layer 6 been generated.

An einem zweiten (zum ersten Substrat 2 zunächst separaten) Substrat 4 (das z. B. ebenfalls aus Silizium mit SiO2 als Deckschicht gebildet sein kann) ist ein zweiter Materialbereich in Form einer Goldschicht 5 angeordnet. Zum Erzeugen eines elektrischen Kontaktes auf dem thermoelektrischen Material 1 wird der erste Materialbereich mit dem zweiten Materialbereich (d. h. die Bismutschicht 6 mit der Goldschicht 5) verbunden, d. h. die Substrate 2 und 4 werden mit einander zugewandten Schichten 5, 6 zusammengefügt. Das Verbinden der Materialbereiche erfolgt insbesondere unter Temperaturerhöhung im Bereich der miteinander zu verbindenden Schichten 5 und 6, wodurch sich ein Übergang Bi(Au2Bi)-Au ausbildet. Der auf diese Weise erzeugte elektrische Kontakt zwischen dem thermoelektrischen Material und der verbliebenen Au-Schicht weist einen im Vergleich zu vorbekannten Kontaktmaterialien niedrigeren Kontaktwiderstand aufweist.At a second (to the first substrate 2 initially separate) substrate 4 (which, for example, may also be formed of silicon with SiO 2 as the cover layer) is a second material region in the form of a gold layer 5 arranged. For generating an electrical contact on the thermoelectric material 1 becomes the first material region with the second material region (ie the bismuth layer 6 with the gold layer 5 ), ie the substrates 2 and 4 be with layers facing each other 5 . 6 together. The bonding of the material regions takes place in particular with an increase in temperature in the region of the layers to be joined together 5 and 6 , which forms a transition Bi (Au 2 Bi) -Au. The electrical contact between the thermoelectric material and the remaining Au layer produced in this way has a lower contact resistance compared to previously known contact materials.

Eine zweite Variante des ersten Erfindungsaspektes zeigt 2. Analog zu 1 ist auf einem ersten Substrat 2 eine Schicht aus einem thermoelektrischen Material 1 angeordnet, wobei sich zwischen dem thermoelektrischen Material 1 und dem Substrat 2 eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur 3 befindet. Im Unterschied zur 1 besteht der erste Materialbereich jedoch nicht nur aus einer Bismutschicht, sondern weist neben einer Bismutschicht 6, die auf dem thermoelektrischen Material 1 erzeugt wurde, zudem eine Goldschicht 7 auf. Auf der Goldschicht 7 befindet sich darüber hinaus eine weitere Materialschicht 8, die eine Gold-Zinn-Mischung aufweist.A second variant of the first aspect of the invention shows 2 , Analogous to 1 is on a first substrate 2 a layer of a thermoelectric material 1 arranged, being between the thermoelectric material 1 and the substrate 2 an electrically conductive contact structure 3 located. In contrast to 1 However, the first material area not only consists of a bismuth layer, but also has a bismuth layer 6 on the thermoelectric material 1 was generated, also a gold layer 7 on. On the gold layer 7 In addition, there is another layer of material 8th which has a gold-tin mixture.

Wiederum analog zu 1 wird zum Herstellen des thermoelektrischen Bauelementes ein zweites Substrat 4 mit einem als Goldschicht 5 ausgebildeten zweiten Materialbereich mit dem ersten Substrat 2 derart zusammengefügt, dass der erste Materialbereich (der die Bismutschicht 6, die Goldschicht 7 sowie die Gold-Zinn-Schicht 8 umfasst) mit dem zweiten Materialbereich (d. h. mit der Goldschicht 5) verbunden wird. Hierdurch wird auf dem thermoelektrischen Material 1 ein elektrischer Kontakt erzeugt.Again analogous to 1 For the production of the thermoelectric device, a second substrate 4 with one as a gold layer 5 formed second material region with the first substrate 2 assembled so that the first material area (the bismuth layer 6 , the gold layer 7 as well as the gold-tin layer 8th Includes) with the second material region (ie with the gold layer 5 ) is connected. As a result, on the thermoelectric material 1 generates an electrical contact.

Eine dritte Variante des ersten Erfindungsaspektes stellt 3 dar. Analog zu den 1 und 2 ist auf einem ersten Substrat 2 eine elektrische Kontaktstruktur 3 und darüber eine Schicht aus einem thermoelektrischen Material 1 angeordnet. Auf dem thermoelektrischen Material 1 befindet sich ein erster Materialbereich, der neben einer Bismutschicht 6 eine Schicht 8 aus einer Gold-Zinn-Mischung umfasst. Der Unterschied zur 2 besteht somit darin, dass sich zwischen der Bismutschicht 6 und der Gold-Zinn-Schicht 8 keine zusätzliche Goldschicht befindet.A third variant of the first aspect of the invention provides 3 dar. Analog to the 1 and 2 is on a first substrate 2 an electrical contact structure 3 and above that a layer of a thermoelectric material 1 arranged. On the thermoelectric material 1 there is a first area of material next to a bismuth layer 6 a layer 8th comprising a gold-tin mixture. The difference to 2 is thus that between the bismuth layer 6 and the gold-tin layer 8th no additional gold layer is located.

Der auf dem Substrat 2 angeordnete erste Materialbereich wird – wie bei den anhand der 1 und 2 beschriebenen Ausführungsformen – mit einer an einem zweiten Substrat angeordneten Goldschicht 5 in Verbindung gebracht (insbesondere unter thermischer Einwirkung), wodurch ein niederohmiger elektrischer Kontakt auf dem thermoelektrischen Material 1 erzeugt wird.The one on the substrate 2 arranged first material area becomes - as with the basis of the 1 and 2 described embodiments - with a arranged on a second substrate gold layer 5 brought in connection (in particular un ter thermal action), whereby a low-resistance electrical contact on the thermoelectric material 1 is produced.

Die 4 bis 6 beziehen sich auf die Herstellung eines thermoelektrisches Bauelementes gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung. Wie in 4 dargestellt, wird gemäß einer ersten Variante ein thermoelektrisches Material 1 an einem Substrat 2 angeordnet, wobei sich analog zu den 1 bis 3 eine elektrische Kontaktstruktur 3 (Kontaktmaterial) zwischen dem thermoelektrischen Material 1 und dem Substrat 2 befindet. An dem thermoelektrischen Material 1 ist ein elektrischer Kontakt in Form einer Platinschicht 9 angeordnet. Die Platinschicht 9 befindet sich hierbei auf dem thermoelektrischen Material 1, d. h. an dessen dem Substrat 2 abgewandten Seite.The 4 to 6 refer to the manufacture of a thermoelectric device according to the second aspect of the invention. As in 4 is shown, according to a first variant, a thermoelectric material 1 on a substrate 2 arranged, analogous to the 1 to 3 an electrical contact structure 3 (Contact material) between the thermoelectric material 1 and the substrate 2 located. On the thermoelectric material 1 is an electrical contact in the form of a platinum layer 9 arranged. The platinum layer 9 is located on the thermoelectric material 1 ie at the substrate 2 opposite side.

Eine zweite Herstellungsvariante gemäß dem zweiten Erfindungsaspekt zeigt 5. Hier ist eine Platinschicht 9 als elektrischer Kontakt zwischen einer Kontaktstruktur 3 und einem thermoelektrischen Material 1 angeordnet, so dass die elektrische Kontaktstruktur 3 über den elektrischen Kontakt mit dem thermoelektrischen Material 1 elektrisch verbunden ist. Zusätzlich kann natürlich auch auf der dem Substrat 2 abgewandten Seite des thermoelektrischen Materials 1 eine Platinschicht als weiterer elektrischer Kontakt angeordnet werden.A second production variant according to the second aspect of the invention shows 5 , Here is a platinum layer 9 as electrical contact between a contact structure 3 and a thermoelectric material 1 arranged so that the electrical contact structure 3 via the electrical contact with the thermoelectric material 1 electrically connected. In addition, of course, on the substrate 2 opposite side of the thermoelectric material 1 a platinum layer can be arranged as a further electrical contact.

Die Variante gemäß der 6 entspricht vom Prinzip her der Variante der 5, wobei zusätzlich eine Antimonschicht 10 zwischen der Platinschicht 9 und dem thermoelektrischen Material 1 angeordnet ist, wobei die Platinschicht 9 und die Antimonschicht 10 zusammen den elektrischen Kontakt zum thermoelektrischen Material bilden. Auch hier kann ein selbstverständlich ein weiterer derartiger elektrischer Kontakt an der dem Substrat abgewandten Seite des thermoelektrischen Materials angeordnet werden, um auf beiden Seiten des thermoelektrischen Material einen niederohmigen Kontakt zu schaffen.The variant according to the 6 corresponds in principle to the variant of 5 , wherein additionally an antimony layer 10 between the platinum layer 9 and the thermoelectric material 1 is arranged, wherein the platinum layer 9 and the antimony layer 10 together form the electrical contact to the thermoelectric material. Again, of course, another such electrical contact on the side facing away from the substrate of the thermoelectric material can be arranged to provide a low-resistance contact on both sides of the thermoelectric material.

Die 7 und 8 betreffen eine weitere Variante gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung, wobei die 7 die Situation vor einer Temperaturerhöhung (Temperschritt) und 8 nach dem Temperschritt zeigt. Analog der in den 4 bis 6 illustrierten Herstellungsverfahren ist an einem Substrat 2 eine Kontaktstruktur 3 angeordnet. Auf der Kontaktstruktur 3 ist eine Platinschicht 9 vorgesehen, auf der sich wiederum eine Antimonschicht 10 befindet. Ein thermoelektrisches Material 1 ist an einem (zweiten) Substrat (nicht dargestellt) angeordnet und kann mit der Platin-Antimonschicht 9, 10 in Kontakt gebracht werden.The 7 and 8th relate to a further variant according to the second aspect of the invention, wherein the 7 the situation before a temperature increase (annealing step) and 8th after the annealing step shows. Analogous to the 4 to 6 Illustrated manufacturing method is on a substrate 2 a contact structure 3 arranged. On the contact structure 3 is a platinum layer 9 provided on the turn, in turn, an antimony layer 10 located. A thermoelectric material 1 is disposed on a (second) substrate (not shown) and may be coated with the platinum-antimony layer 9 . 10 be brought into contact.

Beim oder nach dem Erzeugen der Antimonschicht 10 wird ein Temperschritt durchgeführt, d. h. die Temperatur wird im Bereich der Platin- und der Antimonschicht 9, 10 erhöht. Der Temperschritt wird derart ausgeführt, d. h. der Temperaturverlauf wird derart gewählt, dass sich oberhalb der Platinschicht 9 ein Materialbereich in Form einer oder mehrerer Phasen 101 aus Platin und Antimon einstellt. Hierbei geht ein Teil der Platinschicht in die Mischphase über, so dass die Dicke der Platinschicht nach dem Tempern geringer ist als vor dem Tempern. Dennoch ist die verbleibende Platinschicht dick genug, um ein Eindiffundieren von insbesondere Antimon in die Kontaktstruktur 3 im Wesentlichen zu verhindern. Um die Wirkung der verbleibenden Platinschicht als Diffusionssperre nach dem Tempern sicherzustellen, wird sie mit einer Dicke erzeugt, die von der (vorgesehenen) Dicke der Antimonschicht (d. h. von der für die Mischphase zur Verfügung stehenden Antimonmenge) abhängt.During or after the production of the antimony layer 10 a tempering step is carried out, ie the temperature is in the range of the platinum and the antimony layer 9 . 10 elevated. The annealing step is carried out in this way, ie the temperature profile is chosen such that above the platinum layer 9 a material region in the form of one or more phases 101 made of platinum and antimony. In this case, part of the platinum layer merges into the mixed phase, so that the thickness of the platinum layer after annealing is lower than before annealing. Nevertheless, the remaining platinum layer is thick enough to allow in particular antimony to diffuse into the contact structure 3 essentially to prevent. In order to ensure the effect of the remaining platinum layer as a diffusion barrier after annealing, it is produced with a thickness which depends on the (intended) thickness of the antimony layer (ie on the amount of antimony available for the mixing phase).

Bevorzugt wird das thermoelektrische Material 1 vor oder während des Temperschrittes mit der Antimonschicht 10 in Kontakt gebracht. Weist das thermoelektrische Material z. B. Bismuttellurid (oder ein anderes Tellur haltiges V–VI-Material) auf, entsteht zwischen der (verbliebenden) Platinschicht 9 und dem thermoelektrischen Material 1 Phasen 101, die neben Platin und Antimon auch Tellur aufweisen. Zusätzlich wird ein Übergangsbereich 102 erzeugt, der von der Platinschicht 9 zum thermoelektrischen Material 1 hin eine abnehmende Tellurkonzentration aufweist.The thermoelectric material is preferred 1 before or during the annealing step with the antimony layer 10 brought into contact. Does the thermoelectric material z. B. bismuth telluride (or another tellurium-containing V-VI material), arises between the (remaining) platinum layer 9 and the thermoelectric material 1 phases 101 , which also have tellurium in addition to platinum and antimony. In addition, a transition area 102 generated by the platinum layer 9 to the thermoelectric material 1 has a decreasing tellurium concentration.

9 zeigt eine Abwandlung des in den 7 und 8 beschriebenen Verfahrens. Anstelle einer einzelnen Platinschicht ist ein Schichtsystem, das mehrere abwechselnd übereinander angeordnete Platin- und Titanschichten 9, 11 aufweist, vorgesehen. Das Tempern und Verbinden des an einem separaten Substrat angeordneten thermoelektrischen Materials 1 kann wie mit Bezug zu 7, 8 erläutert erfolgen. Insbesondere entsteht nach dem Tempern ein Platin-Titan-Gefüge als Diffusionssperre und zwischen dem Platin-Titan-Gefüge und dem thermoelektrischen Material eine Platin und Antimon aufweisende Mischphase. 9 shows a modification of the in the 7 and 8th described method. Instead of a single platinum layer is a layer system, the several alternately stacked platinum and titanium layers 9 . 11 has provided. Annealing and bonding of the thermoelectric material disposed on a separate substrate 1 as related to 7 . 8th explained. In particular, after annealing a platinum-titanium structure is formed as a diffusion barrier and between the platinum-titanium structure and the thermoelectric material, a mixed phase comprising platinum and antimony.

Es wird darauf hingewiesen, dass generell die Herstellungsvarianten der 1–3 und 4–9 auch miteinander kombiniert werden können. So kann z. B. ausgehend von der Schichtfolge der 5 oder 6 (bei der sich ein Platinkontakt zwischen dem Substrat und dem thermoelektrischen Material befindet) ein weiterer Kontakt oberhalb des thermoelektrischen Materials gemäß einer Variante des ersten Erfindungsaspektes hergestellt werden (z. B. ein Bismut-Gold-Kontakt).It should be noted that in general the production variants of the 1 - 3 and 4 - 9 can also be combined with each other. So z. B. starting from the layer sequence of 5 or 6 (where there is a platinum contact between the substrate and the thermoelectric material), another contact may be made above the thermoelectric material according to a variant of the first aspect of the invention (eg, a bismuth-gold contact).

11
thermoelektrisches Materialthermoelectric material
22
erstes Substratfirst substratum
33
KontaktstrukturContact structure
44
zweites Substratsecond substratum
55
Goldschichtgold layer
66
Bismutschichtbismuth
77
Goldschichtgold layer
88th
Gold-Zinn-SchichtGold-tin layer
99
Platinschichtplatinum layer
1010
Antimonschichtantimony layer
101101
Mischphasemixed phase
102102
ÜbergangsbereichTransition area
1111
Titanschichttitanium layer

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 19845104 A1 [0003] - DE 19845104 A1 [0003]

Claims (46)

Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes, wobei an einem thermoelektrischen Material (1) mindestens ein elektrischer Kontakt angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt Bismut und Gold aufweist.Method for producing a thermoelectric component, wherein on a thermoelectric material ( 1 ) at least one electrical contact is arranged, characterized in that the electrical contact comprises bismuth and gold. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt aus Bismut und Gold gebildet ist.Method according to claim 1, characterized in that that the electrical contact is formed of bismuth and gold. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt zusätzlich Zinn aufweist oder aus Bismut, Gold und Zinn gebildet ist.Method according to claim 1, characterized in that that the electrical contact additionally comprises tin or made of bismuth, gold and tin. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) an einem ersten Substrat (2) angeordnet ist und zum Anordnen des elektrischen Kontaktes die folgenden Schritte erfolgen: – Erzeugen eines ersten Materialbereiches auf dem thermoelektrischen Material (1); – Erzeugen eines zweiten Materialbereiches an einem zweiten Substrat (4); – Erzeugen des elektrischen Kontaktes an dem thermoelektrischen Material (1) durch zumindest abschnittsweises Verbinden des ersten Materialbereiches mit dem zweiten Materialbereich.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) on a first substrate ( 2 ) and for arranging the electrical contact, the following steps are carried out: generating a first material region on the thermoelectric material ( 1 ); Producing a second material region on a second substrate ( 4 ); Generating the electrical contact on the thermoelectric material ( 1 ) by at least partially connecting the first material region with the second material region. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbinden des ersten Materialbereiches mit dem zweiten Materialbereich unter Temperaturerhöhung der beiden Materialbereiche erfolgt.Method according to claim 4, characterized in that that connecting the first material area with the second Material area under temperature increase of the two material areas he follows. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Materialbereich Bismut, insbesondere eine Bismutschicht (6), aufweist.Method according to claim 4 or 5, characterized in that the first material region bismuth, in particular a bismuth layer ( 6 ), having. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Materialbereich Gold, insbesondere eine Goldschicht (5), aufweist.Method according to one of claims 4 to 6, characterized in that the first material region gold, in particular a gold layer ( 5 ), having. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Materialbereich Zinn, insbesondere eine Zinnschicht, aufweist.Method according to one of claims 4 to 7, characterized in that the first material region tin, in particular a tin layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Materialbereich zusätzlich Gold, insbesondere eine Goldschicht (7) und/oder eine Gold/Zinnschicht (8), aufweist.Method according to one of claims 4 to 8, characterized in that the first material area additionally gold, in particular a gold layer ( 7 ) and / or a gold / tin layer ( 8th ), having. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Materialbereich eine auf dem thermoelektrischen Material (1) angeordnete Bismutschicht (6) sowie eine zwischen einer Zinnschicht angeordnete Goldschicht (7) umfasst.A method according to claim 9, characterized in that the first material region on the thermoelectric material ( 1 ) arranged bismuth layer ( 6 ) and a gold layer arranged between a tin layer ( 7 ). Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass – der ersten Materialbereich einem Temperschritt unterzogen wird, d. h. die Temperatur im Bereich des ersten Materialbereiches zeitlich begrenzt erhöht wird, wobei – die Dicke der Zinnschicht so gewählt wird, dass durch den Temperschritt eine Schicht (8) mit einer näherungsweise homogenen Mischung aus Gold und Zinn entsteht.A method according to claim 10, characterized in that - the first material region is subjected to an annealing step, ie the temperature in the region of the first material region is increased in time, wherein - the thickness of the tin layer is selected so that by the annealing step, a layer ( 8th ) is formed with an approximately homogeneous mixture of gold and tin. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) Bismuttellurid aufweist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) Has bismuth telluride. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) eine (Bi1-xSbx)2Te3-Verbindung aufweist.Method according to claim 12, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) has a (Bi 1-x Sb x ) 2 Te 3 compound. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) Bleitellurid aufweist.Method according to one of claims 1 to 11, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) Has lead telluride. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) zumindest abschnittsweise p-dotiert oder n-dotiert ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) is at least partially p-doped or n-doped. Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes, wobei an einem thermoelektrischen Material (1) mindestens ein elektrischer Kontakt angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt in Form eines Platin aufweisenden Materialbereiches ausgebildet wird.Method for producing a thermoelectric component, wherein on a thermoelectric material ( 1 ) is arranged at least one electrical contact, characterized in that the electrical contact in the form of a platinum-containing material region is formed. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich eine Platinschicht (9) aufweist.A method according to claim 16, characterized in that the platinum-containing material region has a platinum layer ( 9 ) having. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich zusätzlich Titan, insbesondere eine Titanschicht (11), aufweist.A method according to claim 16 or 17, characterized in that the platinum-containing material area additionally titanium, in particular a titanium layer ( 11 ), having. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich eine auf dem thermoelektrischen Material (1) an geordnete Titanschicht (11) und darüber eine Schichtfolge Platin-Titan-Platin aufweist.Method according to one of Claims 16 to 18, characterized in that the area of material comprising platinum on the thermoelectric material ( 1 ) to ordered titanium layer ( 11 ) and above a layer sequence platinum-titanium-platinum. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Platin aufweisenden Materialbereich ein Temperschritt durchgeführt wird, d. h. die Temperatur im Bereich des Platin aufweisenden Materialbereiches zeitlich begrenzt erhöht wird.Method according to one of claims 16 to 19, characterized in that with the platinum having material region an annealing step is performed, i. H. the temperature limited in time in the area of the platinum-containing material area is increased. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich während des Temperschrittes einer Temperatur zwischen 200° und 300°C ausgesetzt wird.A method according to claim 20, characterized in that the platinum material having is exposed during the annealing step of a temperature between 200 ° and 300 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material (1) ein Antimon aufweisender Teilbereich, insbesondere eine Antimonschicht (10), angeordnet ist.Method according to one of claims 16 to 21, characterized in that between the platinum-containing material region and the thermoelectric material ( 1 ) an antimony-containing subregion, in particular an antimony layer ( 10 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Antimon aufweisende Materialbereich unter Temperaturerhöhung erzeugt wird.Method according to claim 22, characterized in that that the antimony-containing material area under temperature increase is produced. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturerhöhung derart erfolgt, dass zwischen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material mindestens eine Phase (101) entsteht, die Platin und Antimon aufweist.A method according to claim 23, characterized in that the temperature increase takes place such that between the platinum-containing material region and the thermoelectric material at least one phase ( 101 ), which has platinum and antimony. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur auf eine Temperatur im Bereich von näherungsweise 150–450°C erhöht wird.Method according to Claim 24, characterized that the temperature is at a temperature in the range of approximately 150-450 ° C is increased. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich in Form einer Platinschicht (9) ausgebildet ist, deren Dicke so gewählt ist, dass die Platinschicht (9) auch nach der Temperaturerhöhung dick genug ist, um ein Eindiffundieren von Antimon in das Kontaktmaterial (3) im Wesentlichen zu verhindernMethod according to one of claims 24 or 25, characterized in that the platinum-containing material region in the form of a platinum layer ( 9 ) is formed, whose thickness is selected such that the platinum layer ( 9 ) is thick enough, even after the temperature increase, to allow antimony to diffuse into the contact material ( 3 ) substantially Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Antimon aufweisende Materialbereich in Form einer Antimonschicht (10) ausgebildet ist und die Dicke der Platinschicht (9) in Abhängigkeit von der Dicke der Antimonschicht (10) bemessen ist.A method according to claim 26, characterized in that the antimony-containing material region in the form of an antimony layer ( 10 ) and the thickness of the platinum layer ( 9 ) depending on the thickness of the antimony layer ( 10 ) is dimensioned. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) ein V–VI-Material ist und die mindestens eine Phase (101) einen Anteil des VI-Materials enthält.Method according to one of claims 24 to 27, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) is a V-VI material and the at least one phase ( 101 ) contains a portion of the VI material. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) Bismuttellurid ist und die Phase (101) Platin, Antimon und Tellur aufweist.A method according to claim 28, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) Is bismuth telluride and the phase ( 101 ) Has platinum, antimony and tellurium. Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes nach einem der Ansprüche 16 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass – das thermoelektrische Material (1) an einem ersten Substrat angeordnet wird; – ein elektrisch leitfähiges Kontaktmaterial (3) an einem zweiten Substrat angeordnet wird; – der Platin aufweisenden Materialbereich auf dem Kontaktmaterial erzeugt wird; und – des elektrische Kontakt an dem thermoelektrischen Material (1) durch zumindest abschnittsweises Verbinden des Platin aufweisenden Materialbereiches mit dem thermoelektrischen Material (1) erzeugt wird.Method for producing a thermoelectric component according to one of Claims 16 to 29, characterized in that - the thermoelectric material ( 1 ) is disposed on a first substrate; An electrically conductive contact material ( 3 ) is disposed on a second substrate; - The platinum-containing material region is produced on the contact material; and - the electrical contact on the thermoelectric material ( 1 ) by at least partially connecting the platinum-containing material region with the thermoelectric material ( 1 ) is produced. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktmaterial Gold, Silber und/oder Kupfer aufweist.Method according to claim 30, characterized in that the contact material comprises gold, silver and / or copper. Verfahren nach Anspruch 30 oder 31, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Platin aufweisenden Materialbereich ein Temperschritt durchgeführt wird, wobei die Temperatur im Bereich des Platin aufweisenden Materialbereiches zeitlich begrenzt erhöht wird.Method according to claim 30 or 31, characterized that with the platinum having material area an annealing step is carried out, the temperature in the range of Platinum-containing material area increased in time becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 30 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Platin aufweisenden Materialbereich ein Antimon aufweisender Materialbereich, insbesondere eine Antimonschicht (10), angeordnet wird.Method according to one of claims 30 to 32, characterized in that on the platinum having material area an antimony-containing material area, in particular an antimony layer ( 10 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass der Antimon aufweisende Materialbereich auf dem Platin aufweisenden Materialbereich unter Temperaturerhöhung im Bereich des zweiten Substrates erzeugt wird.Method according to claim 33, characterized that the antimony-containing material area has on the platinum Material area under temperature increase in the area of the second Substrates is generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verbinden des ersten Substrats mit dem zweiten Substrat der Antimon aufweisende Materialbereich mit dem thermoelektrischen Material (1) in Verbindung gebracht wird.Method according to one of claims 33 or 34, characterized in that when connecting the first substrate to the second substrate, the antimony-containing material region with the thermoelectric material ( 1 ). Verfahren nach einem der Ansprüche 30 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) p-dotiert ist.Method according to one of claims 30 to 35, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) is p-doped. Verfahren nach einem der Ansprüche 30 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) n-dotiert ist.Method according to one of claims 30 to 35, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) is n-doped. Thermoelektrisches Bauelement, mit mindestens einem auf einem thermoelektrischen Material (1) angeordneten elektrischen Kontakt, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt Bismut und Gold aufweist.Thermoelectric device, having at least one on a thermoelectric material ( 1 ) arranged electrical contact, characterized in that the electrical contact comprises bismuth and gold. Thermoelektrisches Bauelement nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Kontakt zusätzlich Zinn aufweist.Thermoelectric device according to claim 38, characterized in that the electrical contact in addition Tin has. Thermoelektrisches Bauelement nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekennzeichnet, dass – das thermoelektrischen Material (1) an einem ersten Substrat (2) angeordnet ist; und – der elektrische Kontakt zwischen dem thermoelektrischen Material (1) und einem zweiten Substrat (4) ausgebildet ist.Thermoelectric component according to claim 38 or 39, characterized in that - the thermoelectric material ( 1 ) on a first substrate ( 2 ) is arranged; and - the electrical contact between the thermoelek tric material ( 1 ) and a second substrate ( 4 ) is trained. Thermoelektrisches Bauelement, mit – einem thermoelektrischen Material (1); und – einem elektrischen Kontakt in Form eines an dem thermoelektrischen Material (1) angeordneten Platin aufweisenden Materialbereich.Thermoelectric device, comprising - a thermoelectric material ( 1 ); and - an electrical contact in the form of a on the thermoelectric material ( 1 ) arranged platinum having material area. Thermoelektrisches Bauelement nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass der Platin aufweisende Materialbereich zwischen dem thermoelektrischen Material (1) und einem elektrisch leitfähigen Kontaktmaterial (3) ausgebildet ist.Thermoelectric component according to claim 41, characterized in that the platinum-containing material region between the thermoelectric material ( 1 ) and an electrically conductive contact material ( 3 ) is trained. Thermoelektrisches Bauelement nach Anspruch 41 oder 42, dadurch gekennzeichnet, dass zwsichen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material (1) ein Antimonaufweisender Materialbereich (10) angeordnet ist.Thermoelectric component according to claim 41 or 42, characterized in that between the platinum-containing material region and the thermoelectric material ( 1 ) an antimony-containing material region ( 10 ) is arranged. Thermoelektrisches Baulement nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass dass zwischen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material (1) mindestes eine Platin und Antimon aufweisende Phase angeordnet ist.Thermoelectric component according to claim 43, characterized in that the material region between the platinum and the thermoelectric material ( 1 ) At least one platinum and antimony-containing phase is arranged. Thermoelektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 38 bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrische Material (1) Bismuttellurid oder Bleitellurid aufweist.Thermoelectric component according to one of Claims 38 to 44, characterized in that the thermoelectric material ( 1 ) Has bismuth telluride or lead telluride. Thermelektrisches Bauelement nach den Ansprüche 44 und 45, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Platin aufweisenden Materialbereich und dem thermoelektrischen Material (1) mindestens eine Platin, Antimon und Tellur aufweisende Phase angeordnet ist.Therelectric component according to claims 44 and 45, characterized in that between the platinum-containing material region and the thermoelectric material ( 1 ) at least one platinum, antimony and tellurium-containing phase is arranged.
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