DE102007006861B3 - Radiation source for producing electromagnetic radiation having a first wavelength region comprises electrodes connected to an alternating voltage source, a gas-filled transparent discharge vessel and a dielectric layer - Google Patents
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs, die für elektromagnetische Strahlung eines sich mit dem ersten Wellenlängenbereich wenigstens teilweise überschneidenden zweiten Wellenlängenbereichs transparent ist, sowie ein Verfahren zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs mittels einer Strahlungsquelle, bei dem die Intensität und Richtung einer durch die Strahlungsquelle tretenden elektromagnetischen Strahlung eines sich mit dem ersten Wellenlängenbereich wenigstens teilweise überschneidenden zweiten Wellenlängenbereichs im wesentlichen unbeeinflußt bleibt.The The present invention relates to a radiation source for generation electromagnetic radiation of a first wavelength range, those for electromagnetic Radiation of at least partially overlapping with the first wavelength range second wavelength range transparent and a method of generating electromagnetic radiation a first wavelength range by means of a radiation source, in which the intensity and direction a passing through the radiation source electromagnetic radiation one at least partially overlapping with the first wavelength range second wavelength range essentially unaffected remains.
Strahlungsquellen, die für Strahlung bestimmter Wellenlängenbereiche transparent sind, finden im Allgemeinen überall dort eine Anwendung, wo eine Beleuchtung mit Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs erfolgen soll, ohne dabei eine Intensität von anwesender Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs, deren Ursprung beliebig sein kann, durch Streuung, Absorption und/oder Transmission zu vermindern. Beispielsweise ist es für gewisse industrielle, aber auch wissenschaftliche Zwecke erforderlich, ein Objekt oder einen Raum zusätzlich mit Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu bestrahlen, obwohl es bzw. er bereits Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs ausgesetzt ist. In solchen Fällen ist es von Vorteil, wenn die Strahlungsquelle zur Erzeugung der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs transparent ist, da eine solche Strahlungsquelle einfach in den Strahlengang der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs eingebracht werden kann, ohne dabei die Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs wesentlich zu verändern oder deren Strahldichte zu vermindern. Es müssen keinerlei zusätzliche apparative Maßnahmen für die gleichzeitige Beleuchtung des Objekts bzw. Raumes mit beiden Strahlungen wie zum Bei spiel Lichtleiter oder Umlenkspiegel vorgesehen werden, wie sie sonst üblicherweise notwendig sind.Radiation sources, the for Radiation of certain wavelength ranges transparent, generally find an application everywhere, where a lighting with radiation of a first wavelength range should be done without an intensity of radiation present a second wavelength range, whose origin can be arbitrary, by scattering, absorption and / or Reduce transmission. For example, it is for certain industrial but also scientific purposes required Object or room in addition to be irradiated with radiation of a first wavelength range, although he or she already radiation of a second wavelength range is exposed. In such cases it is advantageous if the radiation source for generating the Radiation of the first wavelength range for radiation of the second wavelength range is transparent, since such a radiation source is easy in the Beam path of the radiation of the second wavelength range are introduced can, without losing the radiation of the second wavelength range to change significantly or to reduce their radiance. There must be no additional apparatus measures for the simultaneous illumination of the object or room with both radiations how to provide for example light guide or deflecting mirror, as usual necessary.
Viele derartige Anwendungsgebiete finden sich insbesondere für Strahlungsquellen, die sichtbares Licht sowohl erzeugen als auch für sichtbares Licht transparent sind. Solche auch als leuchtende durchsichtige Fenster bezeichnete Strahlungsquellen werden unter anderem als Werbeleuchten eingesetzt, aber auch für die Allgemeinbeleuchtung von Wohnräumen oder als ambiente Dekorbeleuchtung beispielsweise in Möbeln. Es ist auch bekannt, transparente Strahlungsquellen als Elemente mit integrierten leuchtenden Sicherheitshinweisen und dergleichen auszustatten. Eine solche Kombination von Beleuchtung und Displayfunktionen wird gemeinhin „Signage" genannt.Lots Such applications are especially for radiation sources, generate the visible light as well as transparent to visible light are. Such also called luminous transparent windows Radiation sources are used inter alia as advertising lights, but also for the general lighting of living rooms or as ambient decoration lighting, for example in furniture. It is also known transparent radiation sources as elements with integrated lighting safety instructions and the like equip. Such a combination of lighting and display functions is commonly called "signage".
Bei bekannten, für gewisse Wellenlängenbereiche transparenten Strahlungsquellen wird von Kaltkathodenröhren (CCFL; Cold Cathode Fluorescent Lamp), Leuchtstoffröhren, oder Leuchtdioden (LED) abgegebene Strahlung seitlich in beispielsweise eine Kunststoffscheibe eingestrahlt. Zur Auskopplung der eingestrahlten Strahlung ist die Oberfläche der Kunststoffscheibe strukturiert. Mittels einer gleichmäßigen Gitterstruktur wird eine möglichst homogene Auskopplung erreicht. Gelegentlich ist die Strukturierung auch in der Form eines Zeichens gestaltet. Die Strukturierung beeinträchtigt jedoch die Transparenz der Kunststoffscheibe, die infolge der Strukturierung zum Teil oder sogar nahezu vollständig verloren geht. Problematisch sind darüber hinaus ungewollte Auskopplungen der Strahlung durch Verschmutzungen der Scheibenoberfläche. Insgesamt zeichnen sich solche Lösungen durch einen geringen Wirkungsgrad aus. Ein weiterer Nachteil ergibt sich durch das seitliche Einstrahlen der Strahlung in die Kunststoffscheibe, da dadurch die Intensität der Strahlung an den Kanten der Scheibe wesentlich höher ist als in der Scheibenmitte und es sehr erschwert, eine homogene Strahldichte der Strahlung über der gesamten Fläche der Kunststoffscheibe zu erreichen.at well-known, for certain wavelength ranges transparent radiation sources is used by cold cathode tubes (CCFL; Cold Cathode Fluorescent Lamp), Fluorescent Tubes, or Light Emitting Diodes (LED) emitted radiation laterally in, for example, a plastic disc irradiated. To decouple the irradiated radiation is the Surface of the Structured plastic disc. By means of a uniform lattice structure will one possible achieved homogeneous extraction. Occasionally the structuring is also designed in the shape of a sign. However, the structuring is impaired the transparency of the plastic disc resulting from the structuring partly or even almost completely lost. Problematic are over it In addition, unwanted outcoupling of the radiation due to contamination the disk surface. Overall, such solutions stand out by a low efficiency. Another disadvantage results by the lateral irradiation of the radiation into the plastic disk, because of that the intensity the radiation at the edges of the disc is much higher as in the center of the disk and it makes it very difficult to achieve a homogeneous radiance the radiation over the entire area to reach the plastic disc.
Andere bekannte, für gewisse Wellenlängenbereiche transparente Strahlungsquellen sind transparente organische Leuchtdioden (OLED). Diese dienen vor allem zur Her stellung transparenter Anzeigevorrichtungen mit kleinen Flächen. Großflächige Strahlungsquellen mit Flächen von einigen hundert Quadratzentimetern sind mit transparenten OLEDs allerdings bisher nicht realisierbar. Insbesondere die Herstellung von sehr dünnen, defektfreien Schichten, die in teuren und aufwendigen Vakuumprozessen aufgebracht werden müssen, ist dabei problematisch. Ferner haben transparente OLEDs den Nachteil einer geringen Lebensdauer, insbesondere wenn sie im Freien eingesetzt werden, da deren Komponenten von UV-Strahlung beeinträchtigt werden und deren organisches Material von Wasser und Sauerstoff angegriffen wird. All dies macht es notwendig, die Komponenten transparenter OLEDs zu verkapseln, was wiederum deren Herstellung erschwert und verteuert und ihre Flexibilität herabsetzt.Other well-known, for certain wavelength ranges transparent radiation sources are transparent organic light-emitting diodes (OLED). These serve primarily for the manufacture of transparent display devices with small areas. Large-area radiation sources with surfaces of a few hundred square centimeters, however, are with transparent OLEDs not realizable so far. In particular, the production of very thin, defect-free layers, which are applied in expensive and expensive vacuum processes Need to become, is problematic. Furthermore, transparent OLEDs have the disadvantage Low life, especially when used outdoors because their components are affected by UV radiation and their organic material attacked by water and oxygen becomes. All this makes it necessary to make the components more transparent Encapsulating OLEDs, which in turn makes their production more difficult and expensive and their flexibility decreases.
Weitere
bekannte Strahlungsquellen sind Gasentladungslampen, die auf dem
Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung arbeiten und bei
denen vorzugsweise ein Edelgas zu einem Plasma angeregt wird. Auf
dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung basierende Strahlungsquellen
zur Erzeugung von sichtbarem Licht sind zum Beispiel in
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es somit, eine Strahlungsquelle zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu schaffen, die für elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs transparent ist, eine homogene Intensitätsverteilung der erzeugten Strahlung aufweist und eine hohe Lebensdauer hat, sowie ein Verfahren zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs mittels einer Strahlungsquelle bereitzustellen, bei dem eine Intensität einer durch die Strahlungsquelle tretenden elektromagnetischen Strahlung eines sich mit dem ersten Wellenlängenbereich wenigstens teilweise überschneidenden zweiten Wellenlängenbereichs unbeeinflusst bleibt, das preiswert, frei formbar und auch im Freien ohne besondere Vorkehrungen durchführbar ist.task Thus, it is the object of the present invention to provide a radiation source for Generation of electromagnetic radiation of a first wavelength range to create that for electromagnetic radiation of a second wavelength range transparent is a homogeneous intensity distribution of generated radiation and has a long life, and a method for generating electromagnetic radiation of a first Wavelength range to provide by means of a radiation source, in which an intensity of a by the radiation source passing electromagnetic radiation one at least partially overlapping with the first wavelength range second wavelength range It remains unaffected, inexpensive, freely mouldable and also outdoors without special precautions is feasible.
Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen gekennzeichneten Ausführungsformen gelöst.These The object is achieved by the embodiments characterized in the claims solved.
Insbesondere
wird eine Strahlungsquelle zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung
eines ersten Wellenlängenbereichs
mit
zwei Elektroden, die mit einer Wechselspannungsquelle verbindbar
sind,
einem für
elektromagnetische Strahlung eines sich mit dem ersten Wellenlängenbereich
wenigstens teilweise überschneidenden
zweiten Wellenlängenbereichs
zumindest bereichsweise transparenten und mit einem Gas gefüllten Entladungsgefäß, wenigstens
einer für
Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs
wenigstens bereichsweise transparenten dielektrischen Schicht,
wobei
die Elektroden, die dielektrische Schicht und das gasgefüllte Entladungsgefäß zur Anregung
einer dielektrisch behinderten Entladung im Gas bei Anlegen einer
Wechselspannung an die Elektroden ausgelegt sind, bei der das Gas
elektromagnetische Strahlung in einem dritten Wellenlängenbereich
erzeugt,
wobei die Strahlungsquelle weiter wenigstens eine Leuchtstoffpartikel
enthaltende Leuchtstoffschicht aufweist, deren Leuchtstoffpartikel
durch wenigstens einen Teil der Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs
zur Emission von Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs anregbar sind,
und
deren Leuchtstoffpartikel einen Partikeldurchmesser aufweisen, der
kleiner ist als die Wellenlängen
der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs und die Leuchtstoffschicht
dadurch für
Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs
zumindest bereichsweise transparent ist, bereitgestellt.In particular, a radiation source for generating electromagnetic radiation of a first wavelength range with
two electrodes which can be connected to an AC voltage source,
at least partially transparent and filled with a gas discharge vessel, at least one for radiation of the second wavelength range at least partially transparent dielectric layer for electromagnetic radiation of at least partially overlapping with the first wavelength range second wavelength range transparent,
the electrodes, the dielectric layer and the gas-filled discharge vessel being designed to excite a dielectrically impeded discharge in the gas when an alternating voltage is applied to the electrodes, in which the gas generates electromagnetic radiation in a third wavelength range,
wherein the radiation source further comprises at least one phosphor layer containing phosphor particles whose phosphor particles can be excited by at least part of the radiation of the third wavelength range to emit radiation of the first wavelength range,
and whose phosphor particles have a particle diameter which is smaller than the wavelengths of the radiation of the second wavelength range and the phosphor layer is thereby at least partially transparent for radiation of the second wavelength range.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird für die erfindungsgemäße Strahlungsquelle sowie bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Leuchtstoffschicht mit Leuchtstoffpartikeln vorgesehen, deren Partikeldurchmesser kleiner ist als Wellenlängen der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs. Dadurch werden Streueffekte der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs an Partikelgrenzen der Leuchtstoffpartikel vermieden und die Leuchtstoffschicht ist für diese Strahlung transparent. Mittels solcher Leuchtstoffschichten ist es nunmehr möglich, auf dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung arbeitende Strahlungsquellen für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs transparent auszubilden. Man erhält damit eine Strahlungsquelle, die – wie solche auf Basis klassischer Leuchtstoffe – eine sehr lange Lebensdauer von wenigstens 50000 Stunden aufweisen können und die Strahlung mit einer homogenen Intensitätsverteilung erzeugt. Zudem ist die Strahlungsquelle absolut frei von Quecksilber, weist nur eine geringe Temperaturabhängigkeit auf und ist kostengünstig und auch im Freien einsetzbar, da deren Komponenten weder einer besonderen Behandlung unterzogen werden müssen noch von UV-Strahlung, Feuchtigkeit oder Sauerstoff beeinträchtigt werden. Die erfindungsgemäße Strahlungsquelle kann grundsätzlich in jeder beliebigen Form ausgeführt werden. Auch die Leuchtstoff schicht der Strahlungsquelle und damit deren leuchtende Fläche sind in jeder beliebigen Form ausführbar. Insbesondere kann die Strahlungsquelle bereichsweise mit einer Leuchtstoffschicht in Form eines Logos, eines Werbeschriftzugs, einer Sicherheitsmarkierung oder ähnlichem beschichtet sein.According to the present invention, a phosphor layer with phosphor particles whose particle diameter is smaller than wavelengths of the radiation of the second wavelength range is provided for the radiation source according to the invention and in the method according to the invention. As a result, scattering effects of the radiation of the second wavelength range at particle boundaries of the phosphor particles are avoided and the phosphor layer is transparent to this radiation. By means of such phosphor layers, it is now possible to form transparent radiation sources operating on the principle of dielectrically impeded discharge for radiation of the second wavelength range. This gives a source of radiation, which - like those based on classic phosphors - can have a very long life of at least 50,000 hours and generates the radiation with a homogeneous intensity distribution. In addition, the radiation source is absolutely free of mercury, has only a low temperature dependence and is inexpensive and can be used outdoors, since their components must not be subjected to any special treatment nor be affected by UV radiation, moisture or oxygen. The radiation source according to the invention can basically be embodied in any desired form. The phosphor layer of the Radiation source and thus their luminous surface can be executed in any form. In particular, the radiation source may be partially coated with a phosphor layer in the form of a logo, an advertising lettering, a security marking or the like.
Bei der Erfindung können sich der erste und der zweite Wellenlängenbereich beispielsweise in einem nur sehr schmalen Wellenlängenbereich überschneiden, die dann beiden Wellenlängenbereichen gemeinsam ist. In den häufigsten Fällen umfaßt die Überschneidung des ersten und des zweiten Wellenlängenbereiches mehrere, beiden Wellenlängenbereichen gemeinsame Wellenlängen. Der erste und der zweite Wellenlängenbereich können auch nahezu oder vollständig identisch sein, oder einer der beiden Wellenlängenbereiche kann den jeweils anderen Wellenlängenbereich vollständig umfassen. Beispielsweise kann der erste Wellenlängenbereich vollständig vom zweiten Wellenlängenbereich umfaßt sein, der darüber hinaus noch weitere Wellenlängen aufweist, oder der zweite Wellenlängenbereich kann neben weiteren Wellenlängen vollständig vom ersten Wellenlängenbereich umfaßt sein.at of the invention For example, the first and the second wavelength range overlap in a very narrow wavelength range, then the two wavelength ranges together is. In the most common make comprises the overlap the first and the second wavelength range more, both Wavelength ranges common wavelengths. The first and the second wavelength range can also almost or completely be identical, or one of the two wavelength ranges can each other wavelength range Completely include. For example, the first wavelength range may be completely different from second wavelength range be covered the above has even more wavelengths, or the second wavelength range can in addition to other wavelengths Completely from the first wavelength range comprises be.
Bei einer bevorzugten Ausführung der Strahlungsquelle liegen der erste und/oder der zweite Wellenlängenbereich wenigstens teilweise im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts. Besonders bevorzugt liegen sowohl der erste und der zweite Wellenlängenbereich wenigstens teilweise im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts. Eine solche Strahlungsquelle ist in einem inaktiven Zustand, in dem sie keine Strahlung erzeugt, durchsichtig wie ein gewöhnliches Fenster, während sie in einem aktiven Zustand, in dem sie Strahlung erzeugt, wie eine Lampe leuchtet und dabei aber immer noch durchsichtig ist.at a preferred embodiment the radiation source are the first and / or the second wavelength range at least partially in the wavelength range of visible light. Particularly preferred are both the first and the second wavelength range at least partially in the wavelength range of visible light. Such a radiation source is in one inactive state in which it does not generate radiation, transparent like an ordinary one Window while she is in an active state where she generates radiation, such as a lamp is lit while still being transparent.
Vorzugsweise befindet sich der dritte Wellenlängenbereich im Bereich zwischen 100 nm und 800 nm und der erste Wellenlängenbereich im Bereich zwischen 200 nm und 2000 nm. Bei einer solchen Strahlungsquelle deckt der erste Wellenlängenbereich bevorzugt alle Wellenlängen des sichtbaren Lichtes ab.Preferably is the third wavelength range in the range between 100 nm and 800 nm and the first wavelength range in the range between 200 nm and 2000 nm. In such a radiation source covers the first wavelength range prefers all wavelengths of visible light.
Der
Partikeldurchmesser der Leuchtstoffpartikel beträgt vorteilhaft höchstens
200 nm, d.h. 1 nm bis 200 nm, insbesondere 1 bis 100 nm, mehr bevorzugt
1 bis 20 nm, wodurch gewährleistet
ist, daß die Strahlungsquelle
insbesondere für
sichtbares Licht eine hohe Transparenz aufweist. Bevorzugt werden anorganische
Leuchtstoffpartikel mit einem Partikeldurchmesser von 1 bis 100
nm, einer bevorzugt nahezu monodispersen Größenverteilung im Bereich von ± 20 %,
mehr bevorzugt ± 5
%, und einer Quantenausbeute in Abhängigkeit von der gewählten Materialklasse
von mindestens 20% eingesetzt. In Abhängigkeit von der gewählten Materialklasse
können auch
Quantenausbeuten von 40 % oder mehr bzw. 60 % oder mehr gegeben
sein. Solche anorganischen Leuchtstoffpartikel können durch das Verfahren zur
gezielten Synthese von anorganischen Leuchtstoffpartikeln hergestellt
werden, wie es in der internationalen Patentanmeldung
Im Stand der Technik sind geeignete Verfahren zur Bestimmung des Partikeldurchmessers, der monodispersen Größenverteilung sowie der Quantenausbeute bekannt.in the State of the art are suitable methods for determining the particle diameter, the monodisperse size distribution and the quantum yield known.
Die Leuchtstoffpartikel weisen vorzugsweise eine chemische Zusammensetzung auf, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus LiI:Eu, CsI:Na, LiF:Mg, LiF:Mg,Ti, LiF:Mg,Na, KMgF3:Mn, Al2O3:Eu, BaFCl:Eu, BaFCl:Sm, BaFBr:Eu, BaFCl0,5Br0,5:Sm, BaY2F8:A (A = Pr, Tm, Er, Ce), BaSi2O5:Pb, BaMg2Al16O27:Eu, BaMgAl13O23:Eu, BaMgAl10O17:Eu, (Ba,Mg)Al2O4:Eu, Ba2P2O7:Ti, (Ba,Zn,Mg)3Si2O7:Pb, Ce(Mg,Ba)Al11O19, Ce0,60Tb0,35MgAl10O19, MgAl11O19:Ce,Tb, MgF2:Mn, MgS:Eu, MgS:Ce, MgS:Sm, MgS:Sm,Ce, (Mg,Ca)S:Eu, MgSiO3:Mn, 3,5MgO × 0,5MgF2 × GeO2:Mn, MgWO4:Sm, MgWO4:Pb, (Zn,Mg)F2:Mn, (Zn,Be)SiO4:Mn, Zn2SiO4:Mn, ZnO:Zn, ZnO:Zn,Si,Ga, Zn3(PO4)2:Mn, ZnS:A (A = Ag, Al, Cu), (Zn,Cd)S:A (A = Cu, Al, Ag, Ni), CdBO4:Mn, CaF2:Mn, CaF2:Dy, CaS:A (A = Lanthanoide, Bi), (Ca,Sr)S:Bi, CaWO4:Pb, CaWO4:Sm, CaSO4:A (A = Mn, Lanthanoide), 3Ca3(PO4)2 × Ca(F,Cl)2:Sb,Mn, CaSiO3:Mn,Pb, Ca2Al2Si2O7:Ce, (Ca,Mg)SiO3:Ce, (Ca,Mg)SiO3:Ti, 2Sr0,6(B2O3) × SrF2:Eu, 3Sr3(PO4)2 × CaCl2:Eu, A3(PO4)2 × ACl2:Eu (A = Sr, Ca, Ba), (Sr,Mg)2P2O7:Eu, (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn, SrS:Ce, SrS:Sm,Ce, SrS:Sm, SrS:Eu, SrS:Eu,Sm, SrS:Cu,Ag, Sr2P2O7:Sn, Sr2P2O7:Eu, Sr4Al14O25:Eu, SrGa2S4:A (A = Lanthanoide, Pb), SrGa2S4:Pb, Sr3Gd2Si6O18:Pb,Mn, YF3:Yb,Er, YF3:Ln (Ln = Lanthanoide), YLiF4:Ln (Ln = Lanthanoide), Y3Al5O12:Ln (Ln = Lanthanoide), YAl3(BO4)3:Nd,Yb, (Y,Ga)BO3:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, Y2Al3Ga2O12:Tb, Y2SiO5:Ln (Ln = Lanthanoide), Y2O3:Ln (Ln = Lanthanoide), Y2O2S:Ln (Ln = Lanthanoide), YVO4:A (A = Lanthanoide, In), Y(P,V)O4:Eu, YTaO4:Nb, YAlO3:A (A = Pr, Tm, Er, Ce), YOCl:Yb,Er, LnPO4:Ce,Tb (Ln = Lanthanoide oder Gemische von Lanthanoiden), LuVO4:Eu, GdVO4:Eu, Gd2O2S:Tb, GdMgB5O10:Ce,Tb, LaOBr:Tb, La2O2S:Tb, NaGdF4:Yb,Er, NaLaF4:Yb,Er, LaF3:Yb,Er,Tm, BaYF5:Yb,Er, Ga2O3:Dy, GaN:A (A = Pr, Eu, Er, Tm), Bi4Ge3O12, LiNbO3:Nd,Yb, LiNbO3:Er, LiCaAlF6:Ce, LiSrAlF6:Ce, LiLuF4:A (A = Pr, Tm, Er, Ce), Gd3Ga5O12:Tb, Gd3Ga5O12:Eu, Li2B4O7:Mn,SiOx,Er,Al (0 < x < 2), YVO4:Eu, YVO4:Sm, YVO4:Dy, LaPO4:Eu, LaPO4:Ce, LaPO4:Ce,Tb, ZnS:Tb, ZnS:TbF3, ZnS:Eu, ZnS:EuF3, Y2O3:Eu, Y2O2S:Eu, Y2SiO5:Eu, SiO2:Dy, SiO2:Al, Y2O3:Tb, ZnS:Tb, ZnS:Ag, ZnS:Cu, Ca3(PO4)2:Eu, Ca3(PO4)2:Eu,Mn, Sr2SiO4:Eu, Ba2SiO4:Eu, BaAl2O4:Eu, MgF2:Mn, ZnS:Mn, ZnS:Ag, ZnS:Cu, CaSiO3:A, CaS:A, CaO:A, ZnS:A, Y2O3:A, MgF2:A (A = Lanthanoide), MS, MSe, MTe (M = Zn, Cd, Ge, Sn, Pb), MN, MP, MAs, MSb (M = Al, Ga, In), M2SiO4:Eu (M = Ca, Sr, Ba), M2Si5N8:Eu (M = Ca, Sr, Ba), LaSi3N5:Ce, Ln1-xSrxSi3-2xAl2xO3xN5-3x:Ce, LaSi3N5:Ce und Ln1-xSrxSi3-2xAl2xO3xN5-3x:Eu (Ln = Al, Y, La, Lanthanoid) und Kombinationen davon.The phosphor particles preferably have a chemical composition selected from the group consisting of LiI: Eu, CsI: Na, LiF: Mg, LiF: Mg, Ti, LiF: Mg, Na, KMgF 3 : Mn, Al 2 O 3 : Eu, BaFCl: Eu, BaFCl: Sm, BaFBr: Eu, BaFCl 0.5 Br 0.5 : Sm, BaY 2 F 8 : A (A = Pr, Tm, Er, Ce), BaSi 2 O 5 : Pb, BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu, BaMgAl 13 O 23 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, (Ba, Mg) Al 2 O 4 : Eu, Ba 2 P 2 O 7 : Ti, (Ba, Zn, Mg ) 3 Si 2 O 7 : Pb, Ce (Mg, Ba) Al 11 O 19 , Ce 0.60 Tb 0.35 MgAl 10 O 19 , MgAl 11 O 19 : Ce, Tb, MgF 2 : Mn, MgS: Eu , MgS: Ce, MgS: Sm, MgS: Sm, Ce, (Mg, Ca) S: Eu, MgSiO 3 : Mn, 3.5MgO x 0.5MgF 2 x GeO 2 : Mn, MgWO 4 : Sm, MgWO 4 : Pb (Zn, Mg) F 2: Mn, (Zn, Be) SiO 4: Mn, Zn 2 SiO 4: Mn, ZnO: Zn, ZnO: Zn, Si, Ga, Zn 3 (PO 4) 2: Mn, ZnS: A (A = Ag, Al, Cu), (Zn, Cd) S: A (A = Cu, Al, Ag, Ni), CdBO 4 : Mn, CaF 2 : Mn, CaF 2 : Dy, CaS: A (A = lanthanides, Bi), (Ca, Sr) S: Bi, CaWO 4 : Pb, CaWO 4 : Sm, CaSO 4 : A (A = Mn, lanthanides), 3Ca 3 (PO 4 ) 2 × Ca (F, Cl) 2 : Sb, Mn, CaSiO 3 : Mn, Pb, Ca 2 Al 2 Si 2 O 7 : Ce, (Ca, Mg) SiO 2 3 : Ce, (Ca, Mg) SiO 3 : Ti, 2Sr 0.6 (B 2 O 3 ) × SrF 2 : Eu, 3Sr 3 (PO 4 ) 2 × CaCl 2 : Eu, A 3 (PO 4 ) 2 × ACI 2 : Eu (A = Sr, Ca, Ba), (Sr, Mg) 2 P 2 O 7 : Eu, (Sr, Mg) 3 (PO 4 ) 2 : Sn, SrS: Ce, SrS: Sm, Ce, SrS: Sm, SrS: Eu, SrS: Eu, Sm, SrS: Cu, Ag, Sr 2 P 2 O 7 : Sn, Sr 2 P 2 O 7 : Eu, Sr 4 Al 14 O 25 : Eu, SrGa 2 S 4 : A (A = lanthanides, Pb), SrGa 2 S 4 : Pb, Sr 3 Gd 2 Si 6 O 18 : Pb, Mn, YF 3 : Yb, Er, YF 3 : Ln (Ln = lanthanides), YLiF 4 : Ln (Ln = lanthanides), Y 3 Al 5 O 12 : Ln (Ln = lanthanides), YAl 3 (BO 4 ) 3 : Nd, Yb, (Y, Ga) BO 3 : Eu, (Y, Gd ) BO 3 : Eu, Y 2 Al 3 Ga 2 O 12 : Tb, Y 2 SiO 5 : Ln (Ln = lanthanides), Y 2 O 3 : Ln (Ln = lanthanides), Y 2 O 2 S: Ln (Ln = Lanthanides), YVO 4 : A (A = lanthanides, In), Y (P, V) O 4 : Eu, YTaO 4 : Nb, YAlO 3 : A (A = Pr, Tm, Er, Ce), YOCl: Yb, Er, LnPO 4 : Ce, Tb (Ln = lanthanides or mixtures of lanthanides), LuVO 4 : Eu, GdVO 4 : Eu, Gd 2 O 2 S: Tb, GdMgB 5 O 10 : Ce, Tb, LaOBr: Tb , La 2 O 2 S: Tb, NaGdF 4 : Yb, Er, NaLaF 4 : Yb, Er, LaF 3 : Yb, Er, Tm, BaYF 5 : Yb, Er, Ga 2 O 3 : Dy, Ga N: A (A = Pr, Eu, Er, Tm), Bi 4 Ge 3 O 12 , LiNbO 3 : Nd, Yb, LiNbO 3 : Er, LiCaAlF 6 : Ce, LiSrAlF 6 : Ce, LiLuF 4 : A (A = Pr, Tm, Er, Ce), Gd 3 Ga 5 O 12 : Tb, Gd 3 Ga 5 O 12 : Eu, Li 2 B 4 O 7 : Mn, SiO x , Er, Al (0 <x <2) , YVO 4 : Eu, YVO 4 : Sm, YVO 4 : Dy, LaPO 4 : Eu, LaPO 4 : Ce, LaPO 4 : Ce, Tb, ZnS: Tb, ZnS: TbF 3 , ZnS: Eu, ZnS: EuF 3 , Y 2 O 3 : Eu, Y 2 O 2 S: Eu, Y 2 SiO 5 : Eu, SiO 2 : Dy, SiO 2 : Al, Y 2 O 3 : Tb, ZnS: Tb, ZnS: Ag, ZnS: Cu, Ca 3 (PO 4 ) 2 : Eu, Ca 3 (PO 4 ) 2 : Eu, Mn, Sr 2 SiO 4 : Eu, Ba 2 SiO 4 : Eu, BaAl 2 O 4 : Eu, MgF 2 : Mn, ZnS: Mn, ZnS: Ag, ZnS: Cu, CaSiO 3 : A, CaS: A, CaO: A , ZnS: A, Y 2 O 3 : A, MgF 2 : A (A = lanthanides), MS, MSe, MTe (M = Zn, Cd, Ge, Sn, Pb), MN, MP, MAs, MSb (M = Al, Ga, In), M 2 SiO 4 : Eu (M = Ca, Sr, Ba), M 2 Si 5 N 8 : Eu (M = Ca, Sr, Ba), LaSi 3 N 5 : Ce, Ln 1-x Sr x Si 3-2x Al 2x O 3x N 5-3x : Ce, LaSi 3 N 5 : Ce and Ln 1-x Sr x Si 3-2x Al 2x O 3x N 5-3x : Eu (Ln = Al, Y, La, lanthanoid) and combinations thereof.
Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, die Leuchtstoffpartikel aus einem II-VI-Halbleiter oder einem III-V-Halbleiter oder aus einem seltenerd-dotierten Metallphosphat oder -vanadat herzustellen.Furthermore it is possible, the phosphor particles from a II-VI semiconductor or a III-V semiconductor or a rare earth-doped metal phosphate or vanadate manufacture.
In einer weiteren Ausführungsform können diese Leuchtstoffpartikel mit 5 ppm bis 70 mol% eines oder mehrerer Dotierungsmittel dotiert sein, wobei das Dotierungsmittel aus Elementen der Gruppe, bestehend aus Lanthanoiden, Übergangsmetallen, Hauptgruppenelementen und Kombinationen davon, ausgewählt ist. Besonders bevorzugt ist das Dotierungsmittel aus der Gruppe, bestehend aus La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Cr, Mn, Cu, Zn, Y, Ag, Cd, B, Al, Ga, In, Ge, Sn, Pb, den Halogenen, den Chalkogenen, den Elementen der Stickstoffgruppe und Kombinationen davon, ausgewählt. Besonders bevorzugt ist eine Dotierung im Bereich von 0,1 bis 5,0 mol%.In a further embodiment can this Phosphor particles with 5 ppm to 70 mol% of one or more dopants be doped, wherein the dopant of elements of the group consisting from lanthanides, transition metals, main group elements and combinations thereof is. Particularly preferred is the dopant from the group, consisting of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Cr, Mn, Cu, Zn, Y, Ag, Cd, B, Al, Ga, In, Ge, Sn, Pb, the halogens, Chalcogens, elements of nitrogen group and combinations thereof, selected. Particularly preferred is a doping in the range of 0.1 to 5.0 mol%.
In noch einer weiteren Ausführungsform können diese Leuchtstoffpartikel mit einer anorganischen Hülle unter Bildung von Kern-Schale-Partikeln ("Core-Shell-Particle") beschichtet sein. Entsprechende Verfahren zur Herstellung von Kern-Schale-Partikeln sind im Stand der Technik bekannt. Das Material der Schale ist vorzugsweise aus der Gruppe, bestehend aus Phosphaten, Halogenphosphaten, Arsenaten, Sulfaten, Borsten, Aluminaten, Gallaten, Silicaten, Germanaten, Oxiden, Vanadaten, Niobaten, Tantalaten, Wolframaten, Molybdaten, Halogeniden und Alkalihalogeniden, Nitriden, Oxynitriden, Phosphiden, Sulfiden, Seleniden, Telluriden, Sulfoseleniden, Oxysulfiden und Kombinationen davon, ausgewählt. In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Schale eine chemische Zusammensetzung auf, welche der des Leuchtstoffpartikelkerns entspricht, jedoch nicht dotiert ist. Ebenfalls bevorzugt ist eine Schale, deren Zusammensetzung das Kation des Wirtsgitters des Leuchtstoffpartikelkerns und Fluorid oder Phosphat als Anion aufweist. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Schale aus einem Material, ausgewählt aus SiO2, TiO2, ZnO, Al2O3, ZrO2, SnO2, MgO, den Hydroxiden, Oxidhydroxiden, Oxidhydraten, Hydroxidhydraten der vorstehend genannten Oxide, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, ScF3, YF3, den Lanthanoidfluoriden und Kombinationen davon, aufgebaut.In yet another embodiment, these phosphor particles may be coated with an inorganic shell to form core-shell particles. Corresponding methods for producing core-shell particles are known in the art. The material of the shell is preferably selected from the group consisting of phosphates, halogen phosphates, arsenates, sulfates, bristles, aluminates, gallates, silicates, germanates, oxides, vanadates, niobates, tantalates, tungstates, molybdates, halides and alkali halides, nitrides, oxynitrides, Phosphides, sulfides, selenides, tellurides, sulfoselenides, oxysulfides and combinations thereof. In a preferred embodiment, the shell has a chemical composition which corresponds to that of the phosphor particle core, but is not doped. Also preferred is a shell whose composition comprises the cation of the host lattice of the phosphor particle core and fluoride or phosphate as the anion. In a further preferred embodiment, the shell is made of a material selected from SiO 2 , TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , ZrO 2 , SnO 2 , MgO, the hydroxides, oxide hydroxides, oxide hydrates, hydroxide hydrates of the abovementioned oxides, MgF 2 , CaF 2 , SrF 2 , BaF 2 , ScF 3 , YF 3 , the lanthanide fluorides and combinations thereof.
Je nach Art des Leuchtstoffpartikels kann der erste Wellenlängenbereich variieren. Insbesondere für Strahlungsquellen, die sichtbares Licht erzeugen, läßt sich die Farbe des erzeugten Lichtes durch die Wahl eines geeigneten Leuchtstoffpartikels bestimmen.ever in the manner of the phosphor particle, the first wavelength range vary. Especially for Radiation sources that produce visible light, can be the color of the light produced by choosing a suitable one Determine phosphor particle.
Für das Aufbringen der Leuchtstoffschicht gibt es verschiedene Möglichkeiten. Beispielsweise kann die Leuchtstoffschicht auf wenigstens einem Teil des Entladungsgefäßes und/oder wenigstens einem Teil der dielektrischen Schicht und/oder wenigstens einem Teil wenigstens einer der Elektroden vorgesehen werden. Sofern sich die Leuchtstoffschicht außerhalb des Entladungsgefäßes befindet, ist das Entladungsgefäß wenigstens bereichsweise transparent für Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs. Vorzugsweise werden die Leuchtstoffpartikel in die dielektrische Schicht integriert, so daß letztendlich die Leuchtstoffschicht mit der dielektrischen Schicht identisch ist. Dadurch wird ein Beschädigen der Leuchtstoffschicht wie zum Beispiel ein Zerkratzen derselben unterbunden, und bei der Herstellung der Strahlungsquelle entfällt der Schritt des Aufbringens oder Beschichtens mit der Leuchtstoffschicht.For applying The phosphor layer, there are several ways. For example, can the phosphor layer on at least a part of the discharge vessel and / or at least part of the dielectric layer and / or at least a part of at least one of the electrodes are provided. Provided the phosphor layer is outside located in the discharge vessel, is the discharge vessel at least partially transparent for Radiation of the third wavelength range. Preferably the phosphor particles are integrated into the dielectric layer, so that ultimately the Phosphor layer is identical to the dielectric layer. This will damage you the phosphor layer such as scratching the same prevented, and in the manufacture of the radiation source eliminates the Step of applying or coating with the phosphor layer.
Die dielektrische Schicht kann beispielsweise aus Glas, Quarz, Keramik oder einem Polymer bestehen. Sofern es sich bei der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs um sichtbares Licht handelt, werden allerdings Glas oder Quarz für die dielektrische Schicht bevorzugt. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle bildet die dielektrische Schicht gleichzeitig wenigstens einen Teil der Wandung des Entladungsgefäßes. Auf diese Weise wird die Zahl der Komponenten der Strahlungsquelle reduziert, die dadurch zum einen leichter und schneller zusammengebaut werden kann und zum anderen robuster ist.The Dielectric layer may, for example, glass, quartz, ceramic or a polymer. As far as the radiation of the second wavelength range However, glass or quartz is the dielectric for visible light Layer preferred. In a further preferred embodiment the radiation source according to the invention At the same time, the dielectric layer forms at least one part the wall of the discharge vessel. On this way the number of components of the radiation source is reduced, which are thereby easier and faster to assemble can and is more robust to the other.
Wenigstens eine der Elektroden kann für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs transparent sein. Dies ist insbesondere dann notwendig, wenn die Elektrode in einem Durchtrittsgebiet der Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs angeordnet ist. Zu diesem Zweck kann die transparente Elektrode eine für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs transparente und leitfähige Oxidschicht aufweisen. Beispielhafte Schichten sind beispielsweise Schichtsysteme wie ITO, ZnO:Al oder SnO2:F. Ebenso kann wenigstens eine der Elektroden gitterförmig oder streifenförmig sein, wodurch sie auch ohne zusätzliche Beschichtung für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs transparent ist. Nichtsdestotrotz kann auch eine gitterförmige oder streifenförmige Elektrode mit einer Beschichtung versehen sein.At least one of the electrodes may be transparent to radiation of the second wavelength range. This is necessary in particular when the electrode is arranged in a passage region of the radiation of the second wavelength range. For this purpose, the transparent electrode may have a transparent and conductive oxide layer for radiation of the second wavelength range. Exemplary layers are, for example, layer systems such as ITO, ZnO: Al or SnO 2 : F. Likewise, at least one of the electrodes may be lattice-shaped or strip-shaped, whereby it is transparent even without additional coating for radiation of the second wavelength range. Nonetheless, a grid-shaped or strip-shaped electrode may also be provided with a coating.
Ferner kann wenigstens eine der Elektroden außerhalb des Entladungsgefäßes von diesem beabstandet angeordnet sein oder von außen oder von innen an einer Wandung des Entladungsgefäßes anliegen oder wenigstens teilweise in eine Wandung des Entladungsgefäßes eingelassen sein oder innerhalb des Entladungsgefäßes von dessen Wandung beabstandet angeordnet sein. Ist die Elektrode außerhalb des Entladungsgefäßes von diesem beabstandet angeordnet, so wird der Raum zwischen Elektrode und Wandung des Entladungsgefäßes bevorzugt von der Leuchtstoffschicht ausgefüllt, um zu verhindern, daß ein Plasma außerhalb des Entladungsgefäßes erzeugt wird. Sofern die Elektrode von außen an der Wandung des Entladungsgefäßes anliegt oder von außen ganz oder teilweise in die Wandung eingelassen ist, stellt die Wandung vorteilhaft gleichzeitig die dielektrische Schicht der Strahlungsquelle dar. Im Falle von Elektroden, die von innen an der Wandung des Entladungsgefäßes anliegen oder teilweise in die Wandung eingelassen sind oder im Inneren des Entladungsgefäßes von dessen Wandung beabstandet angeordnet sind, ist eine dielektrische Schicht erforderlich, die nicht mit der Wandung des Entladungsgefäßes identisch sein kann.Furthermore, at least one of the electrodes outside the discharge vessel can be arranged at a distance therefrom or from the outside or from inside NEN abut against a wall of the discharge vessel or be at least partially embedded in a wall of the discharge vessel or arranged spaced apart from the wall of the discharge vessel. If the electrode is arranged at a distance from the discharge vessel, the space between the electrode and the wall of the discharge vessel is preferably filled by the phosphor layer in order to prevent a plasma from being generated outside the discharge vessel. If the electrode bears against the wall of the discharge vessel from the outside or is completely or partially embedded in the wall from outside, the wall advantageously simultaneously forms the dielectric layer of the radiation source. In the case of electrodes which rest against the wall of the discharge vessel from the inside are partially embedded in the wall or are arranged spaced apart from the wall of the discharge vessel, a dielectric layer is required, which may not be identical to the wall of the discharge vessel.
Die dielektrische Schicht kann entweder an nur einer der Elektroden anliegen oder es kann jeweils eine dielektrische Schicht an jeder Elektrode anliegen. Darüber hinaus kann die dielektrische Schicht von beiden Elektroden beabstandet sein. So ist es beispielsweise möglich, im Inneren des Entladungsgefäßes eine einzige dielektrische Schicht zwischen den beiden Elektroden und von diesen beabstandet vorzusehen.The Dielectric layer can either on only one of the electrodes abut or it may each have a dielectric layer on each Abut electrode. About that In addition, the dielectric layer may be spaced from both electrodes be. For example, it is possible inside the discharge vessel a single dielectric layer between the two electrodes and to provide spaced therefrom.
Bevorzugt ist wenigstens eine der Elektroden strukturiert und weist schaltbare Teilflächen auf. Dann ist es durch Aktivierung der entsprechenden Teilfläche möglich, nur einen Teil der Strahlungsquelle zur Erzeugung von Strahlung zu aktivieren.Prefers At least one of the electrodes is structured and has switchable subareas on. Then it is possible by activating the corresponding subarea, only activate a part of the radiation source to generate radiation.
Die Strahlungsquelle ist bevorzugt flächig ausgebildet, wobei sie besonders bevorzugt eine Fläche von wenigstens 100 cm2 oder 500 cm2 oder 1000 cm2 aufweist. Bei solchen Strahlungsquellen sind die Elektroden vorteilhaft einander gegenüberliegend oder in einer Ebene nebeneinander liegend angeordnet. Eine alternative Ausführungsform der Strahlungsquelle weist einen runden Querschnitt auf, wobei deren Elektroden rund und konzentrisch sind.The radiation source is preferably flat, wherein it particularly preferably has an area of at least 100 cm 2 or 500 cm 2 or 1000 cm 2 . In such radiation sources, the electrodes are advantageously arranged opposite one another or lying next to one another in a plane. An alternative embodiment of the radiation source has a round cross-section, with its electrodes being round and concentric.
Als Gas kann zum Beispiel ein reines Edelgas oder Edelgasgemisch aus zwei oder mehreren Edelgasen, ein Edelgas/Halogen-Gemisch oder Metalldämpfe verwendet werden. Bevorzugt wird in der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle Xenon, besonders bevorzugt eine Mischung aus Xenon und Neon, eingesetzt. Das Gas weist vorzugsweise einen Kaltfülldruck von 50 mbar bis 1000 mbar auf, prinzipiell sind aber auch Nieder- und Hochdruckgasfüllungen des Entladungsgefäßes sowie alle dazwischen liegenden Drücke möglich. Bevorzugt wird ein Kaltfülldruck im Bereich um etwa 150 mbar. Das Entladungsgefäß kann ein abgeschlossenes Gasvolumen aufweisen, es kann aber auch vom Gas durchströmt sein.When For example, gas can be a pure noble gas or noble gas mixture two or more noble gases, a noble gas / halogen mixture or metal vapors used become. In the radiation source according to the invention xenon, particularly preferably a mixture of xenon and neon used. The gas preferably has a cold filling pressure of 50 mbar to 1000 mbar on, but in principle are also low and high pressure gas filling of Discharge vessel as well all intervening pressures possible. A cold filling pressure is preferred in the range around 150 mbar. The discharge vessel can be a closed Have gas volume, but it can also be traversed by the gas.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren beschrieben. Es zeigen:following The invention will be described with reference to embodiments with reference described on figures. Show it:
Das
Entladungsgefäß
Das
Entladungsgefäß
Wird
die Lampe
Eine
alternative Ausführungsform
der transparenten Lampe ist in
Hinsichtlich
der Anordnung der Elektroden
Eine
weitere Möglichkeit
zur Anordnung der Elektrode
Einen
solchen Fall zeigt die
Einen
anderen Ansatz für
eine transparente Lampe
Schließlich sollen noch zwei weitere Beispiele verdeutlichen, daß erfindungsgemäßen Lampen beliebige Formen verliehen werden können.Finally, should Two further examples illustrate that lamps according to the invention are arbitrary Shapes can be awarded.
Die
in der
- 11
- Lampelamp
- 22
- Entladungsgefäßdischarge vessel
- 33
- Elektrodeelectrode
- 44
- LeuchtstoffschichtPhosphor layer
- 55
- Innenrauminner space
- 66
- Wandungwall
- 77
- WechselspannungsquelleAC voltage source
- 88th
- Umgebungslichtambient light
- 99
- erzeugtes Lichtgenerated light
- 1010
- Lampelamp
- 1111
- Wandungwall
- 1212
- Entladungsgefäßdischarge vessel
- 1313
- Lampelamp
- 1414
- dielektrische Schichtdielectric layer
- 1515
- Elektrodenelectrodes
- 1616
- Lampelamp
- 1717
- Lampelamp
- 1818
- Entladungsgefäßdischarge vessel
- 1919
- drahtförmige Elektrodewire-shaped electrode
- 2020
- LeuchtstoffschichtPhosphor layer
- 2121
- Elektrodeelectrode
- 2222
- Innenrauminner space
- 2323
- Lampelamp
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Effective date: 20140902 |