DE102006059390A1

DE102006059390A1 - Temperature measuring device for detecting increased or decreased temperature along line or surface, has sensor device that has two interdependent object and wafer that is connected with two conductors

Info

Publication number: DE102006059390A1
Application number: DE102006059390A
Authority: DE
Inventors: Matthias Teickner; Jürgen Dr. Merz
Original assignee: SZE SPEZIAL ELEKTRONIK HAGENUK; SZE SPEZIAL ELEKTRONIK HAGENUK GmbH
Current assignee: SZE SPEZIAL ELEKTRONIK HAGENUK; SZE SPEZIAL ELEKTRONIK HAGENUK GmbH
Priority date: 2006-12-15
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2008-06-26

Abstract

The temperature measuring device has an electrical conductor (1), another electrical conductor (2), a sensor device with electrical conductivity. The sensor device has two interdependent object and wafer that is connected with two conductors and with a pre-determined temperature-dependent electrical conductivity. The wafer is made from a form-stable material. The wafers have a ceramic substrate. The two conductors with the sensor device are embedded completely in hydrolysis-firm high temperature plastic.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Temperaturmessvorrichtung zum Erfassen einer erhöhten oder verringerten Temperatur entlang einer Linie oder einer Fläche, gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.The The present invention relates to a temperature measuring device to capture an elevated or reduced temperature along a line or surface according to the preamble of claim 1.

Die Messung bzw. Erfassung einer Temperatur ist in vielen Bereichen der Technik üblich oder sogar erforderlich, um eine ordnungsgemäße Funktion einer Vorrichtung zu überwachen, defekte oder kritische Betriebszustände zu erkennen und Gefahren frühzeitig bekämpfen zu können. Eine Erfassung einer erhöhten Temperatur kann zur Erkennung einer Brandgefahr, eines Brandes oder eines Lecks einer Anlage, die ein warmes oder ein heißes Medium führt, dienen. Eine Erfassung einer verringerten bzw. niedrigen Temperatur kann zur Steuerung von Frostschutzmaßnahmen oder zur Erkennung eines Lecks in einer Anlage, die ein kaltes Medium führt bzw. enthält, dienen.The Measurement or detection of a temperature is in many areas the technique usual or even required to ensure proper functioning of a device to monitor recognize defective or critical operating conditions and dangers early fight to be able to. A detection of an increased Temperature can be used to detect a fire hazard, fire or a leak of a system that carries a warm or a hot medium serve. A detection of a reduced or low temperature can for controlling antifreeze measures or to detect a leak in a facility that is a cold medium leads or contains serve.

Es existiert eine Vielfalt an punktförmigen Temperatursensoren, mit denen die Temperatur an einem Punkt bzw. in einem sehr kleinen Raumbereich erfasst werden kann. Zur Erfassung der Temperatur in einem größeren Bereich, beispielsweise entlang einer Linie oder einer Fläche, kann eine Vielzahl von punktförmigen Sensoren verwendet werden. Deren Herstellung, Installation, Wartung und Auslesung ist jedoch aufwendig und mit entsprechend hohen Kosten verbunden.It exists a variety of point temperature sensors, with which the temperature at one point or in a very small one Room area can be detected. To record the temperature in a larger area, For example, along a line or a surface, a variety of punctate Sensors are used. Their manufacture, installation, maintenance And reading is expensive and with correspondingly high costs connected.

Außerdem ist die Verwendung spezieller Lichtleitfasern bekannt, die eine Temperaturüberwachung entlang einer Linie mit Raman-spektroskopischen Methoden ermöglicht. Diese Lichtleitfasern zeichnen sich jedoch nicht durch eine besonders große Robustheit aus. Außerdem sind die erforderlichen optischen Einrichtungen und die Auswertung der Messsignale äußerst komplex und erzeugen damit hohe Kosten.Besides that is the use of special optical fibers known to monitor the temperature along a line made possible by Raman spectroscopic methods. However, these optical fibers are not characterized by a particularly size Robustness. Furthermore are the required optical devices and the evaluation the measurement signals extremely complex and thus generate high costs.

Ferner ist die Erfassung von Wärmestrahlung bekannt, insbesondere durch infrarotempfindliche Kameras. Auch diese Technik ist komplex und teuer. Außerdem setzt sie eine Sichtverbindung zwischen der Kamera und der oder den zu überwachenden Flächen voraus.Further is the detection of heat radiation known, in particular by infrared-sensitive cameras. These too Technology is complex and expensive. In addition, she sets a visual connection between the camera and the area (s) to be monitored.

Die EP 0 279 969 A1 beschreibt ein wärmeempfindliches Kabel mit zwei parallelen Leitern unterschiedlicher thermoelektrischer Eigenschaften, die ein lineares Thermoelement bilden. Zwischen den beiden Leitern ist ein Pulver angeordnet, dessen elektrischer Widerstand einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist. Dadurch ist die elektrische Verbindung zwischen den beiden Leitern dort am besten, wo die Temperatur am höchsten ist. Die Thermospannung am Ort der höchsten Temperatur entlang des Kabels geht deshalb am stärksten in das von dem Kabel erzeugte Spannungssignal ein. Ein Nachteil dieses Kabels besteht darin, dass konstante elektrische Eigenschaften des Kabels von einem konstanten Abstand der beiden Leiter abhängen, der durch das Pulver nicht gewährleistet wird. Zusätzlich vorgesehene Abstandshalter verbessern diese Situation nur graduell. Jede mechanische Belastung verformt das Kabel plastisch. Der die Leiter und das Pulver umgebende flexible Mantel wird durch den plastisch verformbaren Pulverinhalt nicht gestützt und ist deshalb gegenüber mechanischer Verletzung empfindlich. Eine Beschädigung des Mantels ermöglicht das Eindringen von Wasserdampf oder anderen Stoffen (das Pulver ist typischerweise hygroskopisch) und hat die Zerstörung des Kabels bzw. seiner Sensorfunktion zur Folge.The EP 0 279 969 A1 describes a thermally sensitive cable with two parallel conductors of different thermoelectric properties forming a linear thermocouple. Between the two conductors, a powder is arranged, whose electrical resistance has a negative temperature coefficient. Thus, the electrical connection between the two conductors is best where the temperature is highest. The thermoelectric voltage at the highest temperature location along the cable therefore most strongly enters the voltage signal generated by the cable. A disadvantage of this cable is that constant electrical properties of the cable depend on a constant distance of the two conductors, which is not guaranteed by the powder. In addition provided spacers improve this situation only gradually. Every mechanical load deforms the cable plastically. The flexible sheath surrounding the conductors and the powder is not supported by the plastically deformable powder content and is therefore susceptible to mechanical damage. Damage to the jacket will allow the ingress of water vapor or other substances (the powder is typically hygroscopic) and result in the destruction of the cable or its sensor function.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt darin, eine verbesserte Temperaturmessvorrichtung zum Erfassen einer erhöh ten oder verringerten Temperatur entlang einer Linie oder eine Fläche zu schaffen.The Object of the present invention is an improved Temperature measuring device for detecting a raised or lowered temperature along a line or a surface to accomplish.

Diese Aufgabe wird durch eine Temperaturmessvorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst.These The object is achieved by a temperature measuring device according to claim 1 solved.

Die vorliegende Erfindung beruht auf der Idee, bei einer Temperaturmessvorrichtung eine mit zwei elektrischen Leitern verbundene Sensoreinrichtung mit einer elektrischen Leitfähigkeit, die an jedem Ort der Sensoreinrichtung von der Temperatur der Sensoreinrichtung an diesem Ort abhängig ist, vorzusehen, wobei die Sensoreinrichtung mindestens zwei voneinander beabstandete Wafer bzw. Sensorkörper bzw. Einzelsensoren, insbesondere Keramiksubstrate, umfasst, die jeweils mit den beiden Leitern verbunden sind und jeweils ein formstabiles Material und eine vorbestimmte temperaturabhängige elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Die geometrischen und damit auch die elektrischen Eigenschaften der Temperaturmessvorrichtung sind damit wohl definiert und werden durch eine mechanische Verformung der Temperaturmessvorrichtung nicht verändert.The The present invention is based on the idea of a temperature measuring device a sensor device connected to two electrical conductors with an electrical conductivity, at each location of the sensor device of the temperature of the sensor device dependent on this location is to provide, wherein the sensor device at least two from each other spaced wafer or sensor body or Single sensors, in particular ceramic substrates, comprises, respectively connected to the two conductors and in each case a dimensionally stable Material and a predetermined temperature-dependent electrical conductivity exhibit. The geometric and thus the electrical properties the temperature measuring device are well defined and become by a mechanical deformation of the temperature measuring device not changed.

Vorzugsweise sind beide Leiter linien-, flächen- oder gitterförmig ausgebildet und im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet. Die Wafer sind vorzugsweise in vorgegebenen gegenseitigen Abständen mit den Leitern verbunden und verbinden diese jeweils im Wesentlichen senkrecht zu ihrer linien- bzw. flächenförmigen Erstreckung.Preferably Both conductors are line, face or latticed formed and arranged substantially parallel to each other. The wafers are preferably in predetermined mutual distances with connected to the ladders and connect these in each case essentially perpendicular to their line or planar extension.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel weisen die beiden Leiter unterschiedliche thermoelektrische Koeffizienten auf. Zwischen den beiden Leitern entsteht in diesem Fall eine Spannung, die von der Temperatur der beiden Leiter abhängig ist. Diese Spannung kann einfach gemessen werden, um die Temperatur der beiden Leiter zu bestimmen. Wenn der elektrische Widerstand der Sensoreinrichtung einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist, wird das von den beiden Leitern abgreifbare Spannungssignal durch die Thermospannung zwischen den beiden Leitern an dem Ort bestimmt, an dem die beiden Leiter und vor allem die Sensoreinrichtung die höchste Temperatur aufweisen, da dort der Widerstand der Sensoreinrichtung am geringsten ist. Wenn der elektrische Widerstand der Sensoreinrichtung einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist, wird das an den beiden Leitern abgreifbare Spannungssignal durch die Spannung zwischen den beiden Leitern bzw. die Temperatur der beiden Leiter und der Sensoreinrichtung an dem Ort dominiert, an dem die geringste Temperatur vorliegt, da dort der elektrische Widerstand der Sensoreinrichtung am geringsten ist.According to one embodiment, the two conductors have different thermoelectric coefficients. In this case, a voltage arises between the two conductors, which depends on the temperature of the two conductors. This voltage can easily be measured to the tem determine the temperature of the two conductors. If the electrical resistance of the sensor device has a negative temperature coefficient, the voltage signal which can be picked up by the two conductors is determined by the thermal voltage between the two conductors at the location at which the two conductors and above all the sensor device have the highest temperature, since there the resistance the sensor device is the lowest. If the electrical resistance of the sensor device has a positive temperature coefficient, the voltage signal which can be tapped off at the two conductors is dominated by the voltage between the two conductors or the temperature of the two conductors and the sensor device at the location where the lowest temperature is present the electrical resistance of the sensor device is lowest.

Alternativ weisen beide Leiter das gleiche elektrisch leitfähige Material auf. In diesem Fall wird nicht die Spannung, sondern der elektrische Widerstand zwischen den beiden Leitern gemessen. Im Falle eines negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands der Sensoreinrichtung wird der Widerstandsmesswert durch den Ort dominiert, an dem die Sensoreinrichtung die höchste Temperatur hat. Im Falle eines positiven Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands der Sensoreinrichtung wird der Widerstandsmesswert durch den Ort dominiert, an dem die niedrigste Temperatur vorliegt.alternative Both conductors have the same electrically conductive material. In this Case is not the voltage, but the electrical resistance measured between the two conductors. In case of a negative temperature coefficient the electrical resistance of the sensor device becomes the resistance reading dominated by the location where the sensor device is the highest temperature Has. In the case of a positive temperature coefficient of the electric Resistance of the sensor device is the resistance reading by dominates the place where the lowest temperature is present.

Sowohl die Messung einer Thermospannung als auch die Messung eines Widerstands ist mittels einfacher, robuster und preisgünstiger elektrischer Schaltungen möglich. Durch Wahl des Vorzeichens des Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands der Sensoreinrichtung ist die Temperaturmessvorrichtung für eine Überwachung hinsichtlich einer verringerten Temperatur oder für eine Überwachung hinsichtlich einer erhöhten Temperatur geeignet. Die Temperaturmessvorrichtung bietet damit ein besonders einfaches und zuverlässiges Mittel zur Steuerung von Frostschutzmaßnahmen oder Auslösung eines entsprechenden Alarms, zur Überwachung von Anlagen, die warme oder kalte Medien führen bzw. lagern, hinsichtlich Leckagen und die frühzeitige Erkennung von Brandgefahr oder Bränden.Either the measurement of a thermoelectric voltage as well as the measurement of a resistance is by means of simple, robust and inexpensive electrical circuits possible. By choice of the sign of the temperature coefficient of the electric Resistance of the sensor device is the temperature measuring device for a surveillance in terms of a reduced temperature or for monitoring in terms of increased Temperature suitable. The temperature measuring device offers it a particularly simple and reliable means of control of antifreeze measures or trip a corresponding alarm to monitor installations that lead to warm or cold media or store, in terms of leakage and the early detection of fire hazard or fires.

Besonders vorteilhaft ist die Ausführung jedes Wafers der Sensoreinrichtung in Form eines Keramiksubstrats. Dieses Keramiksubstrat kann ein elektrisch isolierendes Keramikmaterial enthalten und an seiner Oberfläche eine Halbleiterschicht, eine Metallschicht oder eine andere elektrisch leitfähige Schicht mit den erwähnten positiven oder negativen Temperaturkoeffizienten aufweisen. Das elektrisch isolierende Keramikmaterial weist bei günstigen Herstellungskosten gute mechanische Eigenschaften, insbesondere eine hohe Festigkeit auf, was zur Robustheit und Messwertstabilität der Temperaturmessvorrichtung maßgeblich beiträgt. Dünne amorphe oder polykristalline oder kristalline Halbleiterschichten oder andere elektrisch leitfähige Schichten können kostengünstig und mit exakt definierten elektrischen Eigenschaften hergestellt werden. Zu ihrem Schutz können sie ohne weiteres mit einer Schutzschicht, beispielsweise einer Lack- oder Kunststoffschicht bedeckt werden.Especially advantageous is the execution each wafer of the sensor device in the form of a ceramic substrate. This ceramic substrate may be an electrically insulating ceramic material included and on its surface a semiconductor layer, a metal layer or another electrically conductive layer with the mentioned have positive or negative temperature coefficients. The electrically insulating ceramic material points at favorable Production costs good mechanical properties, in particular a high strength, resulting in the robustness and measured value stability of the temperature measuring device decisively contributes. Thin amorphous or polycrystalline or crystalline semiconductor layers or others electrically conductive Layers can economical and manufactured with precisely defined electrical properties become. For their protection they readily with a protective layer, such as a Paint or plastic layer are covered.

Alternativ weisen die Keramiksubstrate selbst ein elektrisch leitfähiges Keramikmaterial mit dem erwünschten positiven oder negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands auf. Die Herstellung der Wafer der Sensoreinrichtung wird dadurch noch weiter vereinfacht. Sofern durch Lösungsmittel, Säuren, Basen oder andere äußere Einflüsse nur eine vernachlässigbare dünne Oberflächenschicht der Keramiksubstrate in ihren elektrischen Eigenschaften verändert werden kann, kann sogar auf eine Schutzschicht verzichtet werden.alternative For example, the ceramic substrates themselves have an electrically conductive ceramic material with the desired positive or negative temperature coefficient of the electric Resistance on. The production of the wafers of the sensor device is thereby further simplified. If by solvent, acids, Bases or other external influences only a negligible thin surface layer the ceramic substrates are changed in their electrical properties can, can even be dispensed with a protective layer.

Zur Abschirmung der Temperaturmessvorrichtung gegenüber elektromagnetischen Störungen weist die Temperaturmessvorrichtung optional eine elektrisch leitfähige Schirmstruktur auf, die die Leiter und die Sensoreinrichtung im Wesentlichen vollständig umschließt. Eine hervorragende Abschirmung wird auch durch eine koaxiale Anordnung der beiden Leiter oder durch ein Verdrillen zweier jeweils linienförmiger Leiter erzielt. Eine besonders kostengünstige Herstellung ist im Falle zweier in Form einer Stegleitung oder auf ähnliche Weise parallel zueinander angeordneter Leiter möglich. Besonders eine parallele Anordnung zweier im Wesentlichen linienförmiger Leiter, insbesondere in Form einer Stegleitung, aber auch eine koaxiale Anordnung ermöglicht eine Fertigung der Temperaturmessvorrichtung mit weitgehend bekannten bzw. nur geringfügig zu modifizierenden, insbesondere standardisierten, industriellen Fertigungsprozessen, die eine gleichbleibende, genau spezifizierte und hohe Qualität ermöglichen. Gleiches gilt für eine verdrillte Anordnung der Leiter und auch für eine zusätzliche Schirmstruktur. Eine Ausführung der Leiter als Streifenleiter ermöglicht ebenfalls eine sehr kostengünstige Herstellung und darüber hinaus eine starke Miniaturisierung.to Shielding the temperature measuring device against electromagnetic interference points the temperature measuring device optionally an electrically conductive screen structure which essentially completely encloses the conductors and the sensor device. A Excellent shielding is also ensured by a coaxial arrangement the two conductors or by twisting two each line-shaped conductor achieved. A particularly cost-effective Production is in the case of two in the form of a jetty or similar Way parallel to each other arranged conductor possible. Especially a parallel one Arrangement of two substantially linear conductors, in particular in the form of a web guide, but also a coaxial arrangement allows for production the temperature measuring device with well known or only slight to be modified, in particular standardized, industrial manufacturing processes, which allow a consistent, precisely specified and high quality. The same applies to a twisted arrangement of the conductors and also for an additional screen structure. An execution of Head as stripline also allows a very cost effective Manufacture and above a strong miniaturization.

Zum Erfassen einer erhöhten oder verringerten Temperatur entlang einer Fläche weist die Temperaturmessvorrichtung vorteilhaft platten- oder gitterförmige Leiter und/oder Leiter auf, die jeweils aus einer Mehrzahl von Streifenleitern bestehen.To the Capture an elevated or decreased temperature along a surface, the temperature measuring device advantageous plate or lattice-shaped conductors and / or conductors on, each consisting of a plurality of strip conductors.

Zur Erhöhung der Langzeitstabilität sowie der mechanischen Robustheit und der Beständigkeit der Temperaturmessvorrichtung gegenüber Säuren, Basen, Lösungsmitteln und/oder anderen widrigen Umwelteinflüssen ist eine Ummantelung mit einem hydrolysefesten Hochtemperaturkunststoff vorteilhaft. Sofern die Temperaturmessvorrichtung eine Schirmstruktur umfasst, ist diese vorzugsweise ebenfalls vollständig von hydrolysefestem Hochtemperaturkunststoff umschlossen.To increase the long-term stability and the mechanical robustness and the resistance of the temperature measuring device to acids, bases, solvents and / or other adverse environmental influences is a sheath with a hydrolysis resistant high temperature plastic advantageous. If the temperature measuring device comprises a screen structure, this is preferably also completely enclosed by hydrolysis-resistant high-temperature plastic.

Vorteilhaft ist ferner eine Ausführung der Temperaturmessvorrichtung, bei der mindestens einer der beiden Leiter eine konstante bzw. ortsunabhängige elektrische Leitfähigkeit aufweist. Eine ortsunabhängige konstante elektrische Leitfähigkeit der Leiter ist besonders dann vorteilhaft, wenn beide Leiter das gleiche Material oder hinsichtlich ihrer thermoelektrischen Eigenschaften sehr ähnliche Materialien aufweisen und der Widerstand zwischen den Leitern wie oben beschrieben gemessen wird.Advantageous is also an embodiment the temperature measuring device, wherein at least one of the two Conductor a constant or location-independent electrical conductivity having. A place independent constant electrical conductivity the conductor is particularly advantageous when both conductors are the same material or in terms of their thermoelectric properties very similar Have materials and the resistance between the conductors like is measured above.

Eine Widerstandsmesseinrichtung zum Messen des elektrischen Widerstands zwischen einem Ende oder elektrischen Anschluss des ersten Leiters und einem Ende oder elektrischen Anschluss des zweiten Leiters kann unmittelbar oder über elektrische Leitungen mit den beiden Leitern verbunden sein. Die Widerstandsmesseinrichtung kann Teil der Temperaturmessvorrichtung in dem Sinne sein, dass diese neben den beiden Leitern und den Wafern der Sensoreinrichtung nach einer der oben beschriebenen Varianten auch die mit diesen direkt oder über Leitungen verbundene Widerstandsmesseinrichtung umfasst.A Resistance measuring device for measuring the electrical resistance between an end or electrical connection of the first conductor and an end or electrical connection of the second conductor can directly or via electrical lines to be connected to the two conductors. The Resistance measuring device can be part of the temperature measuring device in the sense that these are next to the two ladders and the wafers the sensor device according to one of the variants described above also with these directly or via lines connected resistance measuring device comprises.

Bei der erfindungsgemäßen Temperaturmessvorrichtung ist aufgrund ihres Aufbaus auch ohne weiteres eine im Falle einer entlang der Temperaturmessvorrichtung konstanten Temperatur konstante, vom Ort unabhängige vorbestimmte Impedanz realisierbar. Damit eignet sich die Temperaturmessvorrichtung zur Lokalisierung eines Orts erhöhter oder verringerter Temperatur mittels eines Impulsreflex- bzw. Kabelradar-Verfahrens. Ein elektrisches Signal, vorzugsweise ein Signal mit steilen steigenden und/oder fallenden Flanken, wird an die Leiter angelegt und breitet sich entlang der Leiter aus. An einem Ort mit erhöhter bzw. verringerter Temperatur weist die Tempera turmessvorrichtung eine andere Impedanz auf als an anderen Orten. Die lokale Veränderung der Impedanz bewirkt eine Reflexion des elektrischen Signals. Das reflektierte elektrische Signal wird empfangen. Aus der Laufzeit zwischen dem Aussenden des elektrischen Signals und dem Empfangen des reflektierten elektrischen Signals kann der Abstand des Orts erhöhter oder verringerter Temperatur von dem Ort des Sendens und Empfangens bestimmt werden. Eine Einrichtung zum Senden eines elektrischen Signals und zum Empfangen eines reflektierten elektrischen Signals kann unmittelbar oder über eine Leitung mit der Temperaturmessvorrichtung verbunden sein. Sie kann in beiden Fällen Bestandteile der Temperaturmessvorrichtung sein und ermöglicht eine genaue Lokalisierung des Orts erhöhter oder verringerter Temperatur.at the temperature measuring device according to the invention is due to their structure also readily one in the case of along the temperature measuring device constant temperature constant, independent from the place predetermined impedance can be realized. Thus, the temperature measuring device is suitable to localize a place elevated or reduced temperature by means of a pulse reflex or cable radar method. An electrical signal, preferably a signal with steep rising and / or falling flanks, is applied to the ladder and spreads get out along the ladder. In a place with elevated or reduced temperature, the temperature turmessvorrichtung a different impedance than other places. The local change the impedance causes a reflection of the electrical signal. The reflected electrical signal is received. From the term between the transmission of the electrical signal and the receiving of the reflected electrical signal may be the distance of the location increased or reduced temperature determined by the location of the transmission and reception become. A device for transmitting an electrical signal and for receiving a reflected electrical signal may be direct or via a Line be connected to the temperature measuring device. she can in both cases components be the temperature measuring device and allows accurate localization of the place elevated or reduced temperature.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der beiliegenden Figuren näher beschrieben. Es zeigen:preferred embodiments The present invention will be described below with reference to the accompanying Figures closer described. Show it:

1 eine schematische Darstellung einer Temperaturmessvorrichtung in Form eines Kabels gemäß der vorliegenden Erfindung; 1 a schematic representation of a temperature measuring device in the form of a cable according to the present invention;

2–4 schematische Darstellungen von Querschnitten durch Temperaturmessvorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung; und 2 - 4 schematic representations of cross sections through temperature measuring devices according to the present invention; and

5 eine schematische Darstellung einer Temperaturmessvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. 5 a schematic representation of a temperature measuring device according to the present invention.

1 ist eine schematische Darstellung einer Temperaturmessvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Temperaturmessvorrichtung in Form eines Kabels ausgebildet. Ein erster elektrischer Leiter 1 und ein zweiter elektrischer Leiter 2 sind im Wesentlichen parallel zueinander, d. h. insbesondere mit im Wesentlichen konstantem Abstand, angeordnet. Eine Reihe von Wafern bzw. Sensorkörpern bzw. Einzelsensoren 10 sind in vorbestimmten gegenseitigen Abständen mit den Leitern 1, 2 verbunden. Einzelheiten der Wafer 10 werden unten mit Bezug auf die 2 bis 4 näher beschrieben. 1 is a schematic representation of a temperature measuring device according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, the temperature measuring device is in the form of a cable. A first electrical conductor 1 and a second electrical conductor 2 are substantially parallel to each other, that is arranged in particular at a substantially constant distance. A series of wafers or sensor bodies or individual sensors 10 are at predetermined mutual distances with the ladders 1 . 2 connected. Details of the wafers 10 be down with respect to the 2 to 4 described in more detail.

Die Leiter 1, 2 und die Wafer 10 sind von einem Isoliermantel 21 umgeben bzw. in diesen eingebettet. Der Isoliermantel ist vorzugsweise in einem Extrodierprozess aus einem vorzugsweise hydrolysefesten und vorzugsweise Hochtemperatur-beständigen Kunststoff gebildet. Der Isoliermantel 21 ist von einer Schirmstruktur 22 schlauchförmig umgeben. Die Schirmstruktur 22 umfasst vorzugsweise ein schlauchförmiges Drahtgeflecht und/oder einen schlauchförmigen Mantel aus elektrisch leitfähiger Folie (beispielsweise Aluminiumfolie) oder elektrisch leitfähig beschichteter Kunststofffolie. Die Schirmstruktur 22 ist von einem Schutzmantel 23 umgeben. Der Schutzmantel 23 besteht vorzugsweise aus einem zähen und elastischen Material, das die Leiter 1, 2, die Wafer 10 und die Schirmstruktur 22 vor schädlichen Umwelteinflüssen schützt, insbesondere vor mechanischen Schäden und vor Schäden durch Säuren, Basen, Lösungsmittel, Öl und andere reaktive bzw. aggressive Medien. Vorzugsweise verhindert der Schutzmantel 23 ferner das Eindringen von Wasser bzw. Feuchtigkeit in das Kabel.The ladder 1 . 2 and the wafers 10 are from an insulating jacket 21 surrounded or embedded in these. The insulating jacket is preferably formed in a Extrodierprozess of a preferably hydrolysis resistant and preferably high temperature resistant plastic. The insulating jacket 21 is of a screen structure 22 surrounded tubular. The screen structure 22 preferably comprises a tubular wire mesh and / or a tubular jacket made of electrically conductive film (for example, aluminum foil) or electrically conductive coated plastic film. The screen structure 22 is from a protective coat 23 surround. The protective jacket 23 is preferably made of a tough and elastic material that the ladder 1 . 2 , the wafers 10 and the umbrella structure 22 Protects against harmful environmental influences, in particular against mechanical damage and against damage by acids, bases, solvents, oil and other reactive or aggressive media. Preferably, the protective sheath prevents 23 Furthermore, the penetration of water or moisture in the cable.

Der erste Leiter 1 und der zweite Leiter 2 können das gleiche oder voneinander verschiedene elektrisch leitfähige Materialien umfassen, beispielsweise Kupfer- oder Aluminium-Legierungen. Abweichend von der Darstellung in 1 können die beiden Leiter 1, 2 miteinander verdrillt bzw. in Form einer Doppelhelix angeordnet sein, um die Flexibilität des Kabels zu erhöhen. Wenn die Leiter 1, 2 miteinander verdrillt sind, kann je nach den Anforderungen an die EMV-Eigenschaften auf die Schirmstruktur 22 verzichtet werden. In diesem Fall kann optional auch auf den Schutzmantel 23 verzichtet werden, dessen Aufgabe dann vom Isoliermantel 21 übernommen wird.The first leader 1 and the second conductor 2 may comprise the same or different electrically conductive materials, for example copper or aluminum alloys. deviate from the illustration in 1 can the two leaders 1 . 2 twisted together or arranged in the form of a double helix to increase the flexibility of the cable. When the ladder 1 . 2 twisted together, depending on the requirements for the EMC properties on the screen structure 22 be waived. In this case, optional can also be applied to the protective jacket 23 be waived, whose task then from the insulating jacket 21 is taken over.

Vorzugsweise und insbesondere im Falle einer verdrillten Anordnung der Leiter 1, 2 weisen die Schirmstruktur 22 und der Schutzmantel 23 im Wesentlichen kreisförmige Querschnitte auf. Alternativ weist die Temperaturmessvorrichtung die Gestalt einer Stegleitung auf. Die Herstellung einer Stegleitung erfordert einen besonders geringen Materialeinsatz und ermöglicht ein besonders schnelles Ansprechen auf Temperaturänderungen, da Wärme bis zu den Wafern nur über eine besonders geringe Distanz geleitet werden muss.Preferably and in particular in the case of a twisted arrangement of the conductors 1 . 2 have the umbrella structure 22 and the protective mantle 23 essentially circular cross sections. Alternatively, the temperature measuring device has the shape of a web lead. The production of a ridge line requires a particularly low use of material and allows a particularly fast response to temperature changes, since heat must be passed to the wafers only over a very short distance.

2 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die Leiter 1, 2 und einen Wafer 10. Der Wafer 10 umfasst ein Keramiksubstrat 11 aus einem elektrisch isolierenden, formstabilen und zähen Keramikmaterial. An einer Seite des Keramiksubstrats 11 sind Anschlusselektroden 13, 14 voneinander beabstandet und dadurch voneinander isoliert angeordnet. Die Leiter 1, 2 sind durch Löt-, Schweiß-, Reibschweiß- oder eine andere elektrisch leitfähige Verbindung mit den Leitern 1, 2 verbunden sind. Alternativ sind die Leiter 1, 2 mittels Einpresstechnik mit den Anschlusselektroden 13, 14 verbunden, wodurch eine besonders hohe Temperaturstabilität erzielbar ist. Jede der Anschlusselektroden 13, 14 ist durch mindestens eine Durchkontaktierung 15, 16 mit einer an der gegenüberliegenden Seite des Keramiksubstrats 11 angeordneten Kontaktelektrode 17, 18 verbunden. Eine Halbleiterschicht 12 ist so auf das Keramiksubstrat 11 aufgebracht, dass sie die beiden Kontaktelektroden 17, 18 verbindet. Eine Schutzschicht 19, vorzugsweise eine Nanoschicht, ist auf die Halbleiterschicht 12 aufgebracht und schützt diese vor mechanischen und vor allem vor chemischen Einflüssen. 2 is a schematic representation of a cross section through the ladder 1 . 2 and a wafer 10 , The wafer 10 includes a ceramic substrate 11 made of an electrically insulating, dimensionally stable and tough ceramic material. On one side of the ceramic substrate 11 are connection electrodes 13 . 14 spaced apart and thereby isolated from each other. The ladder 1 . 2 are by soldering, welding, friction welding or other electrically conductive connection with the conductors 1 . 2 are connected. Alternatively, the ladder 1 . 2 by means of press-fitting technology with the connection electrodes 13 . 14 connected, whereby a particularly high temperature stability can be achieved. Each of the connection electrodes 13 . 14 is through at least one via 15 . 16 with one on the opposite side of the ceramic substrate 11 arranged contact electrode 17 . 18 connected. A semiconductor layer 12 is so on the ceramic substrate 11 applied that to the two contact electrodes 17 . 18 combines. A protective layer 19 , preferably a nano-layer, is on the semiconductor layer 12 applied and protects them from mechanical and especially from chemical influences.

Die Anschlusselektroden 13, 14 und/oder die Durchkontaktierungen 15, 16 in Durchgangslöchern des Keramiksubstrats 11 sind vorzugsweise in Dickschicht-Technologie, insbesondere beispielsweise mittels Siebdruck hergestellt. Die Kontaktelektroden 17, 18 sind in Dickschicht- oder Dünnschicht-Technologie hergestellt. Die Halbleiterschicht 12 ist kristallin, polykristallin oder amorph und vorzugsweise in einem Plasmaprozess hergestellt.The connection electrodes 13 . 14 and / or the vias 15 . 16 in through holes of the ceramic substrate 11 are preferably produced in thick film technology, in particular for example by means of screen printing. The contact electrodes 17 . 18 are made in thick-film or thin-film technology. The semiconductor layer 12 is crystalline, polycrystalline or amorphous and preferably prepared in a plasma process.

Die elektrischen Eigenschaften des Wafers 10 sind durch die Geometrie der Kontaktelektroden 17, 18, insbesondere durch ihren Abstand, durch die Geometrie der Halbleiterschicht 12, insbesondere durch ihre Dicke, sowie durch das Material der Halbleiterschicht 12, insbesondere seine Dotierung, bestimmt.The electrical properties of the wafer 10 are due to the geometry of the contact electrodes 17 . 18 , in particular by their distance, by the geometry of the semiconductor layer 12 , in particular by its thickness, and by the material of the semiconductor layer 12 , in particular its doping, determined.

3 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch Leiter 1, 2 und einen Wafer 10 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Wafer 10 umfasst ein elektrisch leitfähiges Keramiksubstrat 11 mit einer Isolierschicht 31 mit einer vorbestimmten Breite, wobei die elektrische Leitfähigkeit des Keramiksubstrats von dessen Temperatur abhängt. Anschlusselektroden 13, 14 sind auf dem Keramiksubstrat 11 und der Isolierschicht 31 angeordnet. Eine Schutzschicht 19 umgibt das Keramiksubstrat und schützt es vor mechanischen und chemischen Einflüssen, soweit es nicht durch die Isolierschicht 31 oder die Anschlusselektroden 13, 14 bedeckt ist. Leiter 1, 2 sind mit einem der oben anhand der 2 beschriebenen Verfahren elektrisch leitfähig mit den Anschlusselektroden 13, 14 verbunden. 3 is a schematic representation of a cross section through conductors 1 . 2 and a wafer 10 according to another embodiment of the present invention. The wafer 10 comprises an electrically conductive ceramic substrate 11 with an insulating layer 31 with a predetermined width, wherein the electrical conductivity of the ceramic substrate depends on its temperature. terminal electrodes 13 . 14 are on the ceramic substrate 11 and the insulating layer 31 arranged. A protective layer 19 surrounds the ceramic substrate and protects it from mechanical and chemical influences, as far as it is not through the insulating layer 31 or the connection electrodes 13 . 14 is covered. ladder 1 . 2 are using one of the above based on the 2 described method electrically conductive with the terminal electrodes 13 . 14 connected.

Die elektrischen Eigenschaften des Wafers 10 werden durch die Geometrie des Keramiksubstrats 11, insbesondere seine Dicke, durch die Geometrie der Isolierschicht 31, insbesondere ihre Breite, sowie durch das Material des Keramiksubstrats 11 bestimmt.The electrical properties of the wafer 10 are due to the geometry of the ceramic substrate 11 , in particular its thickness, by the geometry of the insulating layer 31 , in particular its width, and by the material of the ceramic substrate 11 certainly.

4 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch Leiter 1, 2 und einen Wafer 10 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Wafer 10 umfasst ein elektrisch leitfähiges Keramiksubstrat 11, dessen elektrische Leitfähigkeit wie bei dem Ausführungsbeispiel nach 3 von seiner Temperatur abhängt. An gegenüberliegenden Seiten des Keramiksubstrats 11 sind Anschlusselektroden 13, 14 angeordnet und elektrisch leitfähig mit dem Keramiksubstrat 11 verbunden. Die Leiter 1, 2 sind mit je einer der Anschlusselektroden 13, 14 auf eine der oben anhand der 2 beschriebenen Weisen elektrisch leitfähig verbunden. 4 is a schematic representation of a cross section through conductors 1 . 2 and a wafer 10 according to another embodiment of the present invention. The wafer 10 comprises an electrically conductive ceramic substrate 11 whose electrical conductivity as in the embodiment according to 3 depends on its temperature. On opposite sides of the ceramic substrate 11 are connection electrodes 13 . 14 arranged and electrically conductive with the ceramic substrate 11 connected. The ladder 1 . 2 are each with one of the connection electrodes 13 . 14 to one of the above based on the 2 ways described electrically connected.

Die elektrischen Eigenschaften des Wafers 10 werden durch die Geometrie des Keramiksubstrats 11, insbesondere seine Dicke, die Geometrie der Anschlusselektroden 13, 14, ihre Flächen, und durch die elektrischen Eigenschaften des Materials des Keramiksubstrats 11 bestimmt.The electrical properties of the wafer 10 are due to the geometry of the ceramic substrate 11 , in particular its thickness, the geometry of the terminal electrodes 13 . 14 , their surfaces, and by the electrical properties of the material of the ceramic substrate 11 certainly.

Die anhand der 2 bis 4 dargestellten Wafer 10 werden vorzugsweise hergestellt, indem große Keramikplatten mit Durchgangslöchern, Anschlusselektroden 13, 14, Durchgangskontaktierungen 15, 16, Kontaktelektroden 17, 18, einer Halbleiterschicht 12, einer Schutzschicht 19 und/oder einer Isolierschicht 31 versehen und anschließend in eine Vielzahl einzelner kleiner Wafer 10 vereinzelt werden. Dies ermöglicht eine besonders kostengünstige Herstellung der Wafer 10.The basis of the 2 to 4 represented wafers 10 are preferably made by large ceramic plates with through-holes, terminal electrodes 13 . 14 , Continuity contacts 15 . 16 , Contact electrodes 17 . 18 , a semiconductor layer 12 , a protective layer 19 and / or an insulating layer 31 and then into a plurality of individual small wafers 10 isolated become. This allows a particularly cost-effective production of the wafer 10 ,

Die die elektrischen Eigenschaften der Wafer 10 beeinflussenden geometrischen Größen sind mit geringem Aufwand und ausreichender bis hoher Genauigkeit und Reproduzierbarkeit einstellbar, beispielsweise durch Verwendung von Siebdruckverfahren. Die elektrischen Eigenschaften der Halbleiterschicht 12 sind durch Wahl des Halbleiters sowie des oder der Dotierstoffe und ihrer Konzentrationen mit geringem Aufwand genau einstellbar. Vor allem bei niedriger Dotierung dominiert die Halbleitereigenschaft, und es resultiert ein negativer Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstands. Bei sehr hoher Dotierung der Halbleiterschicht 12 ist ein quasi-metallisches Verhalten mit positivem Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstands erzielbar. Ein positiver Temperaturkoeffizient wird alternativ erzielt, indem anstelle der Halbleitschicht 12 eine Metallschicht verwendet wird.The electrical properties of the wafers 10 influencing geometric variables can be adjusted with little effort and sufficient to high accuracy and reproducibility, for example by using screen printing. The electrical properties of the semiconductor layer 12 are precisely adjustable by choosing the semiconductor and the dopant (s) and their concentrations with little effort. Especially at low doping dominates the semiconductor property, and there is a negative temperature coefficient of electrical resistance. At very high doping of the semiconductor layer 12 a quasi-metallic behavior with a positive temperature coefficient of the electrical resistance can be achieved. A positive temperature coefficient is alternatively achieved by replacing the semiconductor layer 12 a metal layer is used.

Im Falle der anhand der 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiele werden die elektrischen Eigenschaften der elektrisch leitfähigen Keramiksubstrate 11, insbesondere Betrag und Vorzeichen der Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands, durch die Zusammensetzung des Keramikmaterials, insbesondere durch Halbleiter- oder Metallanteile eingestellt.In the case of the basis of the 3 and 4 Illustrated embodiments are the electrical properties of the electrically conductive ceramic substrates 11 , in particular amount and sign of the temperature coefficient of electrical resistance, adjusted by the composition of the ceramic material, in particular by semiconductor or metal components.

5 ist eine schematische Darstellung einer Temperaturmessvorrichtung, wie sie oben anhand der 1 bis 4 dargestellt wurde, die jedoch schematisch vereinfacht in 5 nur durch die Leiter 1, 2 und die Wafer 10 repräsentiert wird. Die Leiter 1, 2 sind direkt, alternativ abweichend von 5 über Kabel, mit einer Einrichtung 40 verbunden, die als Bestandteil der Temperaturmessvorrichtung oder als deren Ergänzung angesehen werden kann. 5 is a schematic representation of a temperature measuring device, as described above with reference to 1 to 4 has been shown, however, simplified schematically in 5 only through the ladder 1 . 2 and the wafers 10 is represented. The ladder 1 . 2 are direct, alternatively different from 5 via cable, with a device 40 connected, which can be considered as part of the temperature measuring device or as a supplement.

Wenn die Leiter 1, 2 das gleiche elektrisch leitfähige Material aufweisen, ist die Einrichtung 40 eine Einrichtung zum Messen eines Widerstands zwischen den Leitern 1, 2. Der elektrische Widerstand zwischen den Leitern 1, 2 wird durch die Wafer 10 dominiert, die einen wesentlich höheren Widerstand aufweisen als die Leiter 1, 2. Im Falle eines negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstands der Halbleiterschicht 12 bzw. des elektrisch leitfähigen Keramiksubstrats 11 wird der Widerstandsmesswert durch den oder die Wafer 10 mit der höch sten Temperatur dominiert bzw. im Wesentlichen bestimmt. Im Falle eines positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstands der Halbleiterschicht 12 bzw. des elektrisch leitfähigen Keramiksubstrats 11 wird der Widerstandsmesswert durch den oder die Wafer 10 mit der niedrigsten Temperatur dominiert bzw. im Wesentlichen bestimmt.When the ladder 1 . 2 have the same electrically conductive material is the device 40 a device for measuring a resistance between the conductors 1 . 2 , The electrical resistance between the conductors 1 . 2 gets through the wafers 10 dominates, which have a much higher resistance than the conductors 1 . 2 , In the case of a negative temperature coefficient of resistance of the semiconductor layer 12 or the electrically conductive ceramic substrate 11 the resistance reading is given by the wafer or wafers 10 dominated or substantially determined with the highest temperature. In the case of a positive temperature coefficient of resistance of the semiconductor layer 12 or the electrically conductive ceramic substrate 11 the resistance reading is given by the wafer or wafers 10 dominated or essentially determined with the lowest temperature.

Alternativ ist die Einrichtung 40 eine Einrichtung zum Senden eines elektrischen Pulses, zum Empfangen eines reflektierten elektrischen Pulses, und zum Bestimmen einer Signallaufzeit zwischen dem Senden und dem Empfangen. Die Veränderung des elektrischen Widerstands eines Wafers 10 bedeutet eine lokale Veränderung der Impedanz. An dieser lokalen Impedanzänderung wird der elektrische Puls reflektiert. Durch Bestimmen der Signallaufzeit zwischen dem Senden eines Pulses und dem Empfangen eines reflektierten Pulses ist der Abstand zwischen dem Wafer 10 mit verändertem Widerstand bzw. erhöhter oder verringerter Temperatur von der Einrichtung 40 bestimmt.Alternatively, the device 40 means for transmitting an electrical pulse, receiving a reflected electrical pulse, and determining a signal propagation time between transmission and reception. The change in the electrical resistance of a wafer 10 means a local change of impedance. At this local impedance change, the electrical pulse is reflected. By determining the signal transit time between sending a pulse and receiving a reflected pulse, the distance between the wafer is 10 with changed resistance or increased or decreased temperature of the device 40 certainly.

Wenn die Leiter 1, 2 unterschiedliche elektrisch leitfähige Materialien bzw. Materialien mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften aufweisen, ist die Einrichtung 40 vorzugsweise eine Einrichtung zum Messen einer Spannung zwischen den Leitern 1, 2. Im Falle eines negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands der Wafer 10 wird der Spannungsmesswert durch die Thermospannung zwischen den Leitern 1, 2 an dem oder den Wafern 10 mit der höchsten Temperatur dominiert bzw. im Wesentlichen bestimmt. Im Falle eines positiven Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands der Wafer 10 wird der Spannungsmesswert durch die Thermospannung zwischen den Leitern 1, 2 an dem oder den Wafern 10 mit der niedrigsten Temperatur dominiert bzw. im Wesentlichen bestimmt.When the ladder 1 . 2 have different electrically conductive materials or materials with different thermoelectric properties, is the device 40 preferably means for measuring a voltage between the conductors 1 . 2 , In the case of a negative temperature coefficient of electrical resistance of the wafer 10 the voltage reading is determined by the thermal voltage between the conductors 1 . 2 on the wafer or wafers 10 dominated or substantially determined by the highest temperature. In the case of a positive temperature coefficient of electrical resistance of the wafer 10 the voltage reading is determined by the thermal voltage between the conductors 1 . 2 on the wafer or wafers 10 dominated or essentially determined with the lowest temperature.

Anstelle der oben anhand der 1 bis 5 dargestellten kabelförmigen Ausgestaltung der Temperaturmessvorrichtung zur Erfassung von Temperaturen entlang einer Linie können die Leiter 1, 2 auch als Gitter oder Platten oder als Mannigfaltigkeit paralleler Einzelleiter oder Streifenleiter ausgebildet sein, um die Temperatur entlang einer Fläche zu erfassen.Instead of the above based on the 1 to 5 shown cable-shaped configuration of the temperature measuring device for detecting temperatures along a line, the ladder 1 . 2 also be designed as a grid or plates or as a manifold parallel individual conductors or strip conductors to detect the temperature along a surface.

Claims

A temperature measuring device for detecting an increased or decreased temperature along a line or surface, comprising: a first electrical conductor (10); 1 ); a second electrical conductor ( 2 ); a sensor device ( 10 ) having an electrical conductivity that is dependent on the temperature of the sensor device at this location at each location of the sensor device, wherein the sensor device with the first conductor ( 1 ) and with the second conductor ( 2 ), characterized in that the sensor means at least two spaced apart and with the first and the second conductor ( 1 . 2 ) connected wafers ( 10 ) of a dimensionally stable material and with a predetermined tempe having temperature-dependent electrical conductivity.

Temperature measuring device according to claim 1, characterized in that the first and the second conductor ( 1 . 2 ) are formed line, surface or grid-shaped and extend substantially parallel to each other, and that the sensor device a plurality of spaced-apart wafer ( 10 ), wherein the first and second conductors ( 1 . 2 ) at a predetermined mutual distance perpendicular to its line or planar extension with each wafer ( 10 ) are electrically connected.

Temperature measuring device according to claim 1 or 2, characterized in that the first conductor ( 1 ) has a first electrically conductive material and the second conductor ( 2 ) comprises a second electrically conductive material, wherein the first material and the second material have different thermoelectric coefficients.

Temperature measuring device according to claim 1 or 2, characterized in that the first conductor ( 1 ) and the second conductor ( 2 ) have the same electrically conductive material.

Temperature measuring device according to one of claims 1 to 4 for detecting an elevated temperature, characterized in that the electrical resistance of the sensor device ( 10 ) has a negative temperature coefficient.

Temperature measuring device according to one of claims 1 to 4 for detecting a reduced temperature, characterized in that the electrical resistance of the sensor device ( 10 ) has a positive temperature coefficient.

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized in that each wafer ( 10 ) a ceramic substrate ( 11 ) having.

Temperature measuring device according to claim 7, characterized in that the ceramic substrate ( 11 ) is an electrical insulator, and each wafer ( 10 ) further comprises a semiconductor layer ( 12 ) on the ceramic substrate ( 11 ).

Temperature measuring device according to claim 8, characterized in that each wafer ( 10 ) a protective layer ( 19 ) comprising the semiconductor layer ( 12 ) covered.

Temperature measuring device according to claim 7, characterized in that each ceramic substrate ( 11 ) has an electrical conductivity which depends on the temperature of the ceramic substrate ( 11 ) depends.

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized by an electrically conductive screen structure ( 22 ), who are the leaders ( 1 . 2 ) and the sensor device ( 2 ) encloses substantially completely to shield electromagnetic interference.

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized in that the first conductor ( 1 ) and the second conductor ( 2 ) are each formed linear or tubular and are arranged coaxially with each other.

Temperature measuring device according to claim 2 or one of claims 3 to 11 in conjunction with claim 2, characterized in that the first conductor ( 1 ) and the second conductor ( 2 ) are each formed linear and are twisted together.

Temperature measuring device according to one of claims 1 to 11, characterized in that the first conductor ( 1 ) and the second conductor ( 2 ) are arranged parallel to each other and in the form of a web guide.

Temperature measuring device according to one of claims 1 to 11, characterized in that the first conductor and / or the second Ladder plate or lattice-shaped are and / or have one or more strip conductors.

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized in that the first and the second conductor ( 1 . 2 ) with the sensor device ( 10 ) completely in hydrolysis resistant high temperature plastic ( 21 ) are embedded.

Temperature measuring device according to Claim 11 or one of Claims 12 to 16 with reference to Claim 11, characterized in that the electrically conductive screen structure ( 22 ) of hydrolysis resistant high temperature plastic ( 23 ) is completely enclosed.

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized in that one of the two conductors ( 1 . 2 ) a predetermined, along the conductor ( 1 . 2 ) has constant electrical conductivity.

Temperature measuring device according to claim 18, characterized in that it further comprises a resistance measuring device ( 40 ) for measuring an electrical resistance between one end of the first conductor ( 1 ) and one end of the second conductor ( 2 ) by the distance of a location at which the sensor device ( 10 ) has an increased or decreased temperature, from the ends of the conductors ( 1 . 2 ).

Temperature measuring device according to one of the preceding claims, characterized in that it has a constant, independent of location predetermined impedance when the temperature at each location of the sensor device ( 10 ) is equal to.

Temperature measuring device according to claim 20, characterized in that a device ( 40 ) for transmitting an electrical signal and for receiving a reflected electrical signal and with the first conductor ( 1 ) and the second conductor ( 2 ) from the transit time between the transmission of the electrical signal and the reception of the reflected electrical signal, a distance of a location at which the sensor device ( 10 ) has an elevated or reduced temperature, by the device ( 40 ).