DE102006015646A1 - Temperatursensor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Siegfried Dr. Menzel
Hartmut Dr. Vinzelberg
Thomas Dr. Gemming
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Physik und betrifft einen Temperatursensor, wie er zur Messung von Temperaturfeldern angewandt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperatursensor und ein Verfahren anzugeben, welcher eine höhere Ortsauflösung der Messung realisiert. Gelöst wird die Aufgabe durch einen Temperatursensor, bestehend aus einem Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder aus einer gefüllten oder ungefüllten Nanoröhre, die so an einem Träger elektrisch isolierend befestigt sind, dass sie mit ihrer Länge in Richtung des Messortes ausgerichtet sind, wobei die eine elektrische Kontaktierung an eine größere Wärmekapazität angekoppelt ist als die andere Kontaktierung. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren, bei dem an oder auf einem Träger ein Nanodraht und/oder eine gefüllte oder ungefüllte Nanoröhre so isolierend befestigt werden, dass der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mit ihrer Längsrichtung in Richtung des Messortes angeordnet sind und die Thermospannung gemessen wird.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete des Gerätebaus, der Messtechnik und der Physik und betrifft einen Temperatursensor, wie er beispielsweise zur Messung von Temperaturen allgemein und speziell von Temperaturfeldern, zur Anwendung kommen kann, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Temperatursensors.
  • Zur Temperaturmessung sind zahlreiche Methoden bekannt, die die verschiedensten Temperatursensoren, wie Gasthermometer, Ausdehnungsthermometer, Dampfdruckthermometer, Widerstandsthermometer, Thermoelemente, Strahlungsthermometer (Pyrometer), Rauschthermometer, Akustische Thermometer, Magnetische Thermometer, Kernresonanzthermometer, Kernorientierungsthermometer oder Kapazitätsthermometer und auch Temperatursensoren unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit von Barriereübergängen (Schottky-Barriere), verwenden.
  • Dabei kann grundsätzlich unterschieden werden, ob sich der Temperatursensor im Wärmekontakt (Leitung, Konvektion) mit der Probe befindet oder aber, ob die Messung (wie im Falle der Pyrometer) kontaktlos und nur über Strahlungsmessung erfolgt.
  • Das Messprinzip des Thermoelementes ist in seiner Anwendung weit verbreitet und beruht auf dem von Seebeck entdeckten Effekt, dass an den Enden zweier Drähte aus verschiedenen Materialien eine Spannung entsteht, wenn die Temperatur an der Verbindungsstelle der beiden Materialien eine andere ist als die an den Klemmen des Messgerätes.
  • Der generelle Nachteil aller bekannten Methoden ist die geringe Ortsauflösung der Messung, die beispielsweise bei Pyrometern einen Bereich von 10-30 μm nicht mehr unterschreitet. Bei anderen Systemen handelt es sich im Allgemeinen um eine Punktmessung, das heißt, dass keine Rasterung möglich ist und die Ortsauflösung wird in erster Linie durch die Geometrie und Dimensionen des Sensors bestimmt. Im Falle von Thermoelementen beispielsweise lassen sich Drähte in Durchmessern oberhalb von 1 μm herstellen, welche dann zu einer „Messperle" in Kontakt gebracht werden. Das heißt, dass die eigentliche Sonde weit größer als der Drahtdurchmesser ist. Für eine konventionelle Temperaturmessung (Routineverfahren) an Festkörperoberflächen haben sich nur das Thermoelement (Kontaktverfahren) und das berührungslose Messverfahren mittels Pyrometer durchgesetzt. Ortsaufgelöste Messungen (Temperaturscans) im mikroskopischen Bereich sind mit beiden Sensoren, wie auch mit allen anderen traditionellen Sensoren, nicht möglich.
  • Anforderungen insbesondere aus der Mikroelektronik und Mikromechanik haben in den letzten Jahren zu einer intensiven Suche nach Temperaturmessmethoden und – sensoren mit mikroskopischer und submikroskopischer Auflösung geführt. Bisher wird in der Mikroelektronik für eine mehr integrale Messung die Methode über den TCR (Temperature Coefficient of Resitivity) eingesetzt, wo die Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes einer Widerstandslinie zur Temperaturbestimmung verwendet wird (Standard method for measuring and using the temperature coefficient of resitance to determine the temperature of a metallization, EIA/JEDEC Standard, EIA/JESD33 (1995)).
  • Derartige Entwicklungen zur gescannten Temperaturmessung an mikroskopischen Strukturen beziehen fast ausschließlich die gerätetechnischen Möglichkeiten der Rastersondenmikroskopie (AFM, RTM) ein, wo ein Signal (z-Auslenkung, Tunnelstrom, Phasenverschiebung o.a.) während eines piezogetriebenen Scans (nm-Ortsauflösung) von einer Probenoberfläche registriert und in einem zweidimensionalen Plot dargestellt werden kann. Die dafür speziell entwickelten Messspitzen beispielsweise für AFM-Geräte bestehen in der Verwendung einer temperaturempfindlichen sogenannten Schottky-Diode (1, Prinzipdarstellung), bei der die Temperaturabhängigkeit dieses Kontakts zur Temperaturmessung ausgenutzt wird oder in der Adaption eines herkömmlichen Miniaturthermoelements, beispielsweise auf einer AFM-Spitze (G. Mills et al., Appl. Phys. Lett. Vol. 72, No. 22 (1998), pp. 2900-2902; A. Majumda et al., Appl. Phys. Lett, Vol. 62, No. 20 (1993) pp. 2501-2503; H.K. Wickramasinghe, Acta mater. 48 (2000) 347-358). Eine Übersicht über bestehende Sensorkonzepte für den mikroskopischen Bereich mit den erreichbaren Temperatur- und räumliche Auflösungen ist von W. Müller-Hirsch, Dissertation Universität Oldenburg 2000 gezeigt worden. Neben herkömmlichen Spitzen für AFM oder RTM wurden auch Glaskapilaren verwendet (http://www.nanonics.co.il/). Die bekannte Ortsauflösung derartiger Systeme ist insbesondere aufgrund der pyramiden- bzw. kegelförmigen Spitzengeometrie und den damit im Zusammenhang stehenden Effekten an den Flanken der Spitze ebenfalls begrenzt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperatursensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, welcher eine höhere Ortsauflösung der Messung realisiert und einfach und kostengünstig herstellbar ist.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Dabei besteht der erfindungsgemäße Temperatursensor aus mindestens einem Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder aus mindestens einer Nanoröhre, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht und/oder mit einem solchen gefüllt ist, wobei das Verhältnis von Länge zu Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre mindestens > 1 : 1 ist und ein oder mehrere der Nanodrähte und/oder der Nanoröhren so an einem Träger elektrisch isolierend befestigt sind, dass sie mit Ihrer Länge in Richtung des Messortes ausgerichtet sind, wobei die Thermospannung über elektrische Kontakte von jeweils den beiden Enden des oder der Nanodrähte und/oder der Nanoröhren abgenommen wird, und die elektrische Kontaktierung an dem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre, die nicht in Richtung des Messortes zeigt, an eine größere Wärmekapazität angekoppelt ist, als die andere Kontaktierung.
  • Vorteilhafterweise ist der Nanodraht mit einem elektrisch schlechter leitenden Material als der Nanodraht oder mit einem elektrisch isolierenden Material ummantelt.
  • Ebenfalls vorteilhafterweise besteht die Nanoröhre aus einem elektrisch schlechter leitenden Material als das Füllmaterial oder aus einem elektrisch isolierenden Material.
  • Weiterhin vorteilhafterweise beträgt das Verhältnis von Länge zu Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre 2 : 1 bis 50 : 1.
  • Auch vorteilhafterweise weist der Träger im Bereich der Befestigung des Nanodrahtes oder der Nanoröhre eine Hervorhebung in Richtung des Messortes auf, die kegelförmig, kegelstumpfförmig, pyramidenförmig, pyramidenstumpfförmig, halbkugelförmig oder zylindrisch ausgebildet sein kann, und wobei noch vorteilhafterweise im Bereich der Hervorhebung, von dem aus der Messort in einer geraden Linie erreichbar ist, eine Öffnung, vorteilhafterweise ein Loch, vorhanden ist, die mindestens dem Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre entspricht und in welcher der Nanodraht oder die Nanoröhre vorteilhafterweise mittels eines elektrisch isolierenden Klebstoffes befestigt ist, wobei keine elektrisch leitende Verbindung zwischen den elektrisch leitenden Kontakten der beiden Enden des Nanodrahtes oder der Nanoröhre und der Hervorhebung des Träger besteht.
  • Von Vorteil ist auch, wenn der Träger und/oder die Hervorhebung des Trägers oder eine Schicht auf dem Träger aus einem elektrisch schlechter leitenden Material als das Material des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre und/oder der Füllung der Nanoröhre oder aus einem elektrisch isolierenden Material besteht.
  • Auch von Vorteil ist es, wenn die Hervorhebung eine AFM-Messspitze oder eine RTM-Messspitze ist, wobei vorteilhafterweise in der Spitze der Messspitze ein Loch vorhanden ist, in welchem ein Nanodraht und/oder eine Nanoröhre positioniert sind.
  • Weiterhin von Vorteil ist es, wenn das elektrisch leitende Material des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre oder der Füllung der Nanoröhre eine andere Thermospannung aufweisen als das Material der Kontaktierung, wobei vorteilhafterweise die Materialien einen möglichst großen Unterschied in der Thermospannung aufweisen. Dabei sind vorteilhafterweise die elektrisch leitenden Materialien Metalle oder dotierte Halbleitermaterialien, wobei noch vorteilhafterweise das Metall in der Nanoröhre oder des Nanodrahtes ein Metall mit hoher Thermospannung ist. Die eingesetzten Metalle sind vorteilhafterweise Kobalt, Eisen oder Platin. Die eingesetzten dotierten Halbleitermaterialien sind vorteilhafterweise dotiertes Silicium.
  • Ebenfalls von Vorteil ist es, wenn das elektrisch schlechter leitende oder isolierende Material Kohlenstoff, Silicium, Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid oder Zinnoxid ist, und als elektrisch isolierendes Trägermaterial Silizium oder ZnO oder Oxide und/oder Nitride des Siliziums eingesetzt sind.
  • Von Vorteil ist es auch, wenn die gefüllten Nanoröhren oder der beschichtete Nanodraht einen Durchmesser von 1 bis 200 nm, vorteilhafterweise von 1 bis 5 nm und 10 bis 100 nm aufweisen.
  • Und auch von Vorteil ist es, wenn die Schichtdicken der elektrisch leitenden Kontaktierungen zwischen 2 und 100 nm betragen.
  • Vorteilhafterweise ist die Wärmekapazität, die an die elektrischen Kontaktierung an dem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre, die nicht in Richtung des Messortes zeigt, angekoppelt ist, 10fach bis 100fach größer ist, als die Wärmekapazität der anderen Kontaktierung.
  • Auch vorteilhafterweise erfolgt die Kontaktierung des elektrisch leitenden Endes des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre im Bereich des Messortes über das elektrisch leitende Messobjekt.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors werden an oder auf einem Träger mindestens ein Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder mindestens eine Nanoröhre, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht und/oder mit einem solchen gefüllt ist, so isolierend befestigt, dass der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mit ihrer Längsrichtung in Richtung des Messortes angeordnet sind, und nachfolgend je eine elektrisch Verbindung zwischen dem an den Enden der Nanoröhre oder des Nanodrahtes zugänglichen elektrisch leitendem Material zu je einem elektrischen Kontakt hergestellt und die Thermospannung gemessen wird.
  • Vorteilhafterweise werden der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mittels eines Klebers an oder auf dem Träger befestigt.
  • Ebenfalls vorteilhafterweise wird als Träger eine AFM-Messspitze eingesetzt.
  • Weiterhin vorteilhafterweise wird in den Bereich des geringsten Krümmungsradiusses der Hervorhebung eines Trägers eine zentrische Öffnung, noch vorteilhafterweise ein Loch, mittels fokussierter Ionenstrahlung hergestellt.
  • Vorteilhaft ist es, wenn nach dem Positionieren des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre an oder auf dem Träger zuerst eine elektrisch leitende Verbindung auf der Seite des Trägers in Richtung des Messortes vom Metall an diesem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre zu einem ersten elektrischen Kontakt hergestellt wird.
  • Auch vorteilhaft ist es, wenn nach dem Positionieren des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre an oder auf dem Träger und nach erfolgter Kontaktierung des Endes des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre auf der Seite des Trägers in Richtung des Messortes zu einem ersten elektrischen Kontakt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem anderen Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre zu einem zweiten elektrischen Kontakt hergestellt wird.
  • Der erfindungsgemäße Temperatursensor ist besonders geeignet für die dynamische Messung von Temperaturfeldern mit hoher Ortsauflösung in mikroskopischen Bereichen und mit einer hohen Empfindlichkeit, sowie von örtlichen Temperaturrampen. Bei dem erfindungsgemäßen Temperatursensor wird ebenfalls die prinzipielle Funktionsweise eines Thermoelementes ausgenutzt.
  • Der thermoelektrische Effekt beruht auf einer materialspezifischen Eigenschaft von elektrisch leitfähigen Materialien. Im Inneren eines Leiters stellt sich eine Verschiebung der Elektronendichte ein (Volumendiffusionseffekt), wenn über dem Leiter ein Temperaturgradient besteht. Die Ansammlung der Elektronen wird dichter im Bereich der niedrigen Temperaturen.
  • Mit Hilfe einer für die jeweilige Materialkombination charakteristischen Empfindlichkeit und einer Kalibrationskurve lässt sich dann der gemessenen Thermospannung eineindeutig eine bestimmte Temperatur zuordnen.
  • Bedeutende Fortschritte auf dem Gebiet der Nanotechnologie und insbesondere bei der Herstellung von Nanodrähten, Nanonadeln, oxydischen Nanoröhren oder gefüllten Multi-(MWCNT) oder Singlewall-Kohlenstoffnanoröhren (SWCNT) usw. ermöglichen nunmehr auch ihre routinemäßige praktische Anwendung. Zum Beispiel können Nanoröhren reproduzierbar mit Metallen, wie beispielsweise Eisen, Nickel, Kobalt und mit Legierungen gefüllt werden, die in Verbindung mit einem anderen Material Materialkombinationen mit einer hohen Thermospannung darstellen.
  • Durch den Einsatz des erfindungsgemäßen Temperatursensors in einer AFM- oder RTM-Messspitze kann vorteilhafterweise zunächst die Topgraphie einer Probenoberfläche mittels dieser Spitze ermittelt werden und nachfolgend innerhalb dieses Rasters oder an ausgewählten Punkten des Rasterfeldes die Temperatur ermittelt werden.
  • Bei der erfindungsgemäßen Lösung kann weiterhin vorteilhafterweise die thermoelektrische Kontaktierung auf der dem Messort zugewandten Seite als submikroskopisch feine Sonde zur Temperaturmessung und die thermoelektrische Kontaktierung auf der dem Messort abgewandten Seite im Inneren der Messspitze als Referenzpunkt (Referenztemperatur T0) eingesetzt werden. Der erfindungsgemäß präparierte Temperatursensor kann in einem herkömmlichen AFM (z.B. Veeco) oder RTM (z.B. DI) eingesetzt und mit der Technik des AFM- oder RTM (Piezosteller) über eine Probenoberfläche gescannt werden.
  • Anstelle von metallgefüllten oder mit dotiertem Halbleitermaterial, wie z.B. dotiertem Silizium, gefüllten Nanoröhren können auch mit einem elektrisch isolierenden Material beschichtete Nanodrähte für den erfindungsgemäßen Temperatursensor eingesetzt werden.
  • Es besteht weiterhin die Möglichkeit, zur sicheren Funktionsfähigkeit des erfindungsgemäßen Temperatursensors, die Außenseite der herausragenden gefüllten Nanoröhre oder des beschichteten Nanodrahtes und/oder auch das Innere der AFM- oder RTM-Messspitze mit der darin hineinreichenden gefüllten Nanoröhre oder dem hinreichenden beschichteten Nanodraht mit einer dünnen elektrischen Isolationsschicht zu versehen, die ebenfalls aufgesputtert oder mittels CVD aufgebracht werden kann. Ferner kann auf diese Weise auch eine weitere Dünnschicht zur Wärmeisolation aufgebracht werden. Dabei ist zu berücksichtigen, dass dann vor dem Aufbringen der thermoelektrischen Kontaktierung die elektrische Leitfähigkeit zum Metall der Nanoröhre oder des Nanodrahtes wiederhergestellt werden muss. Dies geschieht vorteilhaft mittels fokussierter Ionenstrahlen (FIB).
  • Als Nanoröhren können Multi- oder Single-Wall-Kohlenstoffnanoröhren oder andere bekannte Nanoröhren eingesetzt werden.
  • Auch kann die elektrische Kontaktierung zur thermoelektrischen Messung stark lokalisiert erfolgen, beispielsweise in Form von nur Linienkontakten.
  • Die Ausbildung des elektrischen Kontaktes zur thermoelektrischen Messung kann als planare Fläche oder als Mantelfläche oder als eine Kombination von beidem erfolgen.
  • Das Füllmaterial der Nanoröhren oder das Material des Nanodrahtes, sowie auch die elektrischen Kontaktierungen können aus metallischen Multilagen oder Materialkombinationen, wie Legierungen, auch mit Nichtmetallen (z.B. Si) bestehen.
  • Die Temperaturmessungen können im Kontakt-Mode oder auch mit leicht zurück gezogener Sonde durchgeführt werden (Verwendung der AFM- oder RTM-Routinen).
  • Die Füllung der Nanoröhren kann gezielt durch beispielsweise gezielten Elektromigrationstransport beeinflusst werden, um sicher vollständig gefüllte Nanoröhren zu erhalten.
  • Nachfolgend wird die Erfindung an einem Beispiel näher erläutert.
  • Dabei zeigt
  • 1 Schottky-Diode (Stand der Technik), Prinzipdarstellung,
  • 2 eine Prinzipdarstellung der erfindungsgemäßen Lösung, wobei die Darstellung keinen Aufschluss über tatsächliche Abmessungen gibt.
  • Beispiel 1
  • In eine AFM-Messspitze aus Siliziumnitrid wird im Bereich ihres geringsten Krümmungsradiusses mittels eines fokussierten Ionenstrahls einer Dual-Beam-FIB-Workstation ein zentrisch angeordnetes Loch von 80 nm Durchmesser eingebracht. Danach wird eine mit Kobalt gefüllte Kohlenstoffnanoröhre mit einem Durchmesser der Füllung von 40 nm (Außendurchmesser der Kohlenstoffnanoröhre 80 nm) und einer Länge von 4 μm in die Öffnung geschoben und dort mittels eines Klebstoffes aus einem Polymer, positioniert. Die verwendete Kohlenstoffnanoröhre ist vorher mittels einer Untersuchung im Rasterelektronenmikroskop auf eine vollständige Füllung ohne Leerräume untersucht worden. Nur vollständig gefüllte Kohlenstoffnanoröhren werden eingesetzt. Nachfolgend wird wiederum mittels eines fokussierten Ionenstrahls die Länge des aus der AFM-Messspitze herausragenden Teils der Kohlenstoffnanoröhre auf 60 nm begrenzt. Nun wird die Außenseite der AFM-Messspitze gemeinsam mit der gefüllten Kohlenstoffnanoröhre mittels Sputterns mit einer 10 nm dicken Platinschicht bedeckt und damit mit dem Kobalt der erste thermoelektrische Kontakt realisiert. Dann wird das Innere der AFM-Messspitze ebenfalls mittels Sputtern mit einer 300 nm dicken Platinschicht versehen, wobei der kegelförmige Bereich an der dem Messort abgewandten Seite der Messspitze zu 50 % mit Platin gefüllt ist, damit im Inneren der Messspitze eine merklich höhere Wärmekapazität an Platin vorhanden ist als an der dem Messort zugewandten Seite. Dieser zweite thermoelektrische Kontakt Kobalt/Platin auf der dem Messort abgewandten Seite wird als Referenzmesspunkt verwendet. Die Zeitkonstante für den Temperaturausgleich bei statischer Temperaturmessung, d.h. ohne Scan hängt maßgeblich von dem Verhältnis der Wärmekapazitäten und folglich, im Falle gleicher Kontaktmaterialien, von der Massedifferenz ab. Ein elektrischer Kontakt zwischen den beiden Platinschichten durch die Öffnung in der AFM-Messspitze wird zwingend durch den isolierenden Klebstoff vermieden, da sonst keine Messung realisiert werden kann.
  • Im Falle der Messung von Temperaturen an Messpunkten eines Rasters einer Probenoberfläche wird die Kohlenstoffnanoröhre an die Messpunkte geführt, dort gehalten und die vorhandene Thermospannung verstärkt, gemessen und aufgezeichnet. Die Messpunkte können in einem Abstand von 50 × 50 nm in gleichmäßigen Abständen im Rasterbereich von 5 × 5 μm auf der Probenoberfläche liegen. Dabei wird ein Temperaturfeld ermittelt, was eine extrem hohe Ortsauflösung der Temperaturen wiedergibt.
  • 1
  • 1
    Ti/p-Si-Kontakt
    2
    Al
    3
    SiO2
    4
    Al/p-Si-Ohmic-Kontakt
    5
    p-Si
    6
    Ti
  • 2
  • 1
    Pt
    2
    Si3N4
    3
    elektrische Kontakte
    4
    thermoelektrische Kontakte
    5
    Kohlenstoffnanoröhre
    6
    Co

Claims (34)

  1. Temperatursensor, bestehend aus mindestens einem Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder aus mindestens einer Nanoröhre, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht und/oder mit einem solchen gefüllt ist, wobei das Verhältnis von Länge zu Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre mindestens > 1 : 1 ist und ein oder mehrere der Nanodrähte und/oder der Nanoröhren so an einem Träger elektrisch isolierend befestigt sind, dass sie mit Ihrer Länge in Richtung des Messortes ausgerichtet sind, wobei die Thermospannung über elektrische Kontakte von jeweils den beiden Enden des oder der Nanodrähte und/oder der Nanoröhren abgenommen wird, und die elektrische Kontaktierung an dem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre, die nicht in Richtung des Messortes zeigt, an eine größere Wärmekapazität angekoppelt ist, als die andere Kontaktierung.
  2. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem der Nanodraht mit einem elektrisch schlechter leitenden Material als der Nanodraht oder mit einem elektrisch isolierenden Material ummantelt ist.
  3. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die Nanoröhre aus einem elektrisch schlechter leitenden Material als das Füllmaterial oder aus einem elektrisch isolierenden Material besteht.
  4. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem das Verhältnis von Länge zu Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre 2 : 1 bis 50 : 1 beträgt.
  5. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem der Träger im Bereich der Befestigung des Nanodrahtes oder der Nanoröhre eine Hervorhebung in Richtung des Messortes aufweist.
  6. Temperatursensor nach Anspruch 5, bei dem die Hervorhebung kegelförmig, kegelstumpfförmig, pyramidenförmig, pyramidenstumpfförmig, halbkugelförmig oder zylindrisch ausgebildet ist.
  7. Temperatursensor nach Anspruch 5, bei dem im Bereich der Hervorhebung, von dem aus der Messort in einer geraden Linie erreichbar ist, eine Öffnung vorhanden ist, die mindestens dem Durchmesser des Nanodrahtes oder der Nanoröhre entspricht und in welcher der Nanodraht oder die Nanoröhre befestigt ist, wobei keine elektrisch leitende Verbindung zwischen den elektrisch leitenden Kontakten der beiden Enden des Nanodrahtes oder der Nanoröhre und der Hervorhebung des Träger besteht.
  8. Temperatursensor nach Anspruch 7, bei dem die Öffnung ein Loch ist.
  9. Temperatursensor nach Anspruch 7, bei dem der Nanodraht oder die Nanoröhre in der Öffnung mittels eines Klebstoffes befestigt ist.
  10. Temperatursensor nach Anspruch 7, bei dem die Befestigung des Nanodrahtes oder der Nanoröhre durch ein elektrisch isolierendes Material erfolgt.
  11. Temperatursensor nach Anspruch 5, bei dem die Hervorhebung eine AFM-Messspitze oder eine RTM-Messspitze ist.
  12. Temperatursensor nach Anspruch 11, bei dem in der Spitze der Messspitze ein Loch vorhanden ist, in welchem ein Nanodraht und/oder eine Nanoröhre positioniert sind.
  13. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem der Träger und/oder die Hervorhebung des Trägers oder eine Schicht auf dem Träger aus einem elektrisch schlechter leitenden Material als das Material des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre und/oder der Füllung der Nanoröhre oder aus einem elektrisch isolierenden Material besteht.
  14. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem das elektrisch leitende Material des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre oder der Füllung der Nanoröhre eine andere Thermospannung aufweisen als das Material der Kontaktierung.
  15. Temperatursensor nach Anspruch 14, bei dem die Materialien einen möglichst großen Unterschied in der Thermospannung aufweisen.
  16. Temperatursensor nach Anspruch 14, bei dem die elektrisch leitenden Materialien Metalle oder dotierte Halbleitermaterialien sind.
  17. Temperatursensor nach Anspruch 16, bei dem das Metall in der Nanoröhre oder des Nanodrahtes ein Metall mit hoher Thermospannung ist.
  18. Temperatursensor nach Anspruch 17, bei dem das Metall Kobalt, Eisen oder Platin ist.
  19. Temperatursensor nach Anspruch 16, bei dem das dotierte Halbleitermaterial dotiertes Silicium ist.
  20. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem das elektrisch schlechter leitende oder isolierende Material Kohlenstoff, Silicium, Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid oder Zinnoxid ist.
  21. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem als elektrisch isolierendes Trägermaterial Silizium oder ZnO oder Oxide und/oder Nitride des Siliziums eingesetzt sind.
  22. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die gefüllten Nanoröhren oder der beschichtete Nanodraht einen Durchmesser von 1 bis 200 nm aufweisen.
  23. Temperatursensor nach Anspruch 22, bei dem die gefüllten Nanoröhren oder der beschichtete Nanodraht einen Durchmesser von 1 bis 5 nm aufweisen.
  24. Temperatursensor nach Anspruch 22, bei dem die gefüllten Nanoröhren oder der beschichtete Nanodraht einen Durchmesser von 10 bis 100 nm aufweisen.
  25. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die Schichtdicken der elektrisch leitenden Kontaktierungen zwischen 2 und 100 nm betragen.
  26. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die Wärmekapazität, die an die elektrischen Kontaktierung an dem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre, die nicht in Richtung des Messortes zeigt, angekoppelt ist, 10fach bis 100fach größer ist, als die Wärmekapazität der anderen Kontaktierung.
  27. Temperatursensor nach Anspruch 1, bei dem die Kontaktierung des elektrisch leitenden Endes des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre im Bereich des Messortes über das elektrisch leitende Messobjekt erfolgt.
  28. Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 27, bei dem an oder auf einem Träger mindestens ein Nanodraht aus einem elektrisch leitenden Material und/oder mindestens eine Nanoröhre, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht und/oder mit einem solchen gefüllt ist, so isolierend befestigt werden, dass der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mit ihrer Längsrichtung in Richtung des Messortes angeordnet sind, und nachfolgend je eine elektrisch Verbindung zwischen dem an den Enden der Nanoröhre oder des Nanodrahtes zugänglichen elektrisch leitendem Material zu je einem elektrischen Kontakt hergestellt und die Thermospannung gemessen wird.
  29. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem der Nanodraht und/oder die Nanoröhre mittels eines Klebers an oder auf dem Träger befestigt werden.
  30. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem als Träger eine AFM-Messspitze eingesetzt wird.
  31. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem in den Bereich des geringsten Krümmungsradiusses der Hervorhebung eines Trägers eine zentrische Öffnung mittels fokussierter Ionenstrahlung hergestellt wird.
  32. Verfahren nach Anspruch 31, bei dem als zentrische Öffnung ein Loch eingebracht wird.
  33. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem nach dem Positionieren des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre an oder auf dem Träger zuerst eine elektrisch leitende Verbindung auf der Seite des Trägers in Richtung des Messortes vom Metall an diesem Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre zu einem ersten elektrischen Kontakt hergestellt wird.
  34. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem nach dem Positionieren des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre an oder auf dem Träger und nach erfolgter Kontaktierung des Endes des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre auf der Seite des Trägers in Richtung des Messortes zu einem ersten elektrischen Kontakt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem anderen Ende des Nanodrahtes und/oder der Nanoröhre zu einem zweiten elektrischen Kontakt hergestellt wird.
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