DE102005057253A1 - Method for producing a semiconductor component - Google Patents

Method for producing a semiconductor component Download PDF

Info

Publication number
DE102005057253A1
DE102005057253A1 DE200510057253 DE102005057253A DE102005057253A1 DE 102005057253 A1 DE102005057253 A1 DE 102005057253A1 DE 200510057253 DE200510057253 DE 200510057253 DE 102005057253 A DE102005057253 A DE 102005057253A DE 102005057253 A1 DE102005057253 A1 DE 102005057253A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
component
semiconductor
compound semiconductor
islands
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200510057253
Other languages
German (de)
Inventor
Tomohiro Dr. Yamaguchi
Detlef Prof. Dr. Hommel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universitaet Bremen
Original Assignee
Universitaet Bremen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universitaet Bremen filed Critical Universitaet Bremen
Priority to DE200510057253 priority Critical patent/DE102005057253A1/en
Priority to PCT/EP2006/069083 priority patent/WO2007063085A1/en
Publication of DE102005057253A1 publication Critical patent/DE102005057253A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
    • H01S5/3412—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires quantum box or quantum dash

Abstract

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Laserdiode, bei dem auf eine erste Schicht (11) eines Verbindungshalbleiters mit einer ersten Komponente und einer zweiten Komponente eine zweite Schicht (12) des Verbindungshalbleiters aufgebracht wird, bei der ein erster Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente durch eine dritte Komponente ersetzt worden ist, und bei dem auf die zweite Schicht (12) eine dritte Schicht (13) des Verbindungshalbleiters aufgebracht wird, läßt sich ein unkontrolliertes Zuschütten einer Inselstruktur der zweiten Schicht (12) dadurch vermeiden, daß bei dem Verbindungshalbleiter für die dritte Schicht (13) ein zweiter Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente zum Erzeugen von Inseln (14) der zweiten Schicht (12) beim Aufbringen der dritten Schicht (13) durch die dritte Komponente ersetzt worden ist.In a method for producing a semiconductor component, in particular a laser diode, in which a second layer (12) of the compound semiconductor is applied to a first layer (11) of a compound semiconductor with a first component and a second component, in which a first portion of the first component or the second component has been replaced by a third component, and in which a third layer (13) of the compound semiconductor is applied to the second layer (12), uncontrolled filling of an island structure of the second layer (12) can be avoided by in the compound semiconductor for the third layer (13), a second portion of the first component or the second component for creating islands (14) of the second layer (12) has been replaced by the third component when the third layer (13) is applied.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Laserdiode, bei dem auf eine erste Schicht eines Verbindungshalbleiters mit einer ersten Komponente und einer zweiten Komponente eine zweite Schicht des Verbindungshalbleiters aufgebracht wird, bei welcher ein erster Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente durch eine dritte Komponente ersetzt worden ist, und bei dem auf die zweite Schicht eine dritte Schicht des Verbindungshalbleiters aufgebracht wird.The The invention relates to a method for producing a semiconductor component, in particular a laser diode, in which a first layer of a Compound semiconductor with a first component and a second Component applied a second layer of the compound semiconductor is at which a first portion of the first component or the second component has been replaced by a third component, and in the second layer, a third layer of the compound semiconductor is applied.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie insbesondere Laserdioden, werden sogenannte Verbindungshalbleiter verwendet. Das sind Halbleiter, die im allgemeinen aus Komponenten der Elemente der III. und V. chemischen Hauptgruppe, sogenannte III-V-Halbleiter oder Komponenten der Elemente der II. und VI. chemischen Hauptgruppe, sogenannte II-VI-Halbleiter, sowie deren Mischkristallen bestehen. Zur Einstellung der gewünschten Eigenschaften, insbesondere zur Auswahl der von einer Leuchtdiode oder einer Laserdiode ausgesendeten Lichtfarbe werden häufig Mischkristalle verwendet, bei denen die erste Komponente und/oder die zweite Komponente aus mehreren Elementen der jeweiligen Hauptgruppen des Periodensystems bestehen. Beispielsweise ist bei dem Verbindungshalbleiter InGaN Indium Gallium Nitrit ein Teil der Galliumatome der Kristallstruktur durch Indiumatome ersetzt worden. Dies hat einerseits Einfluß auf die Gitterkonstante und andererseits auf die Größe der Energielücke zwischen dem Leitungsband und dem Valenzband des Verbindungshalbleiters, was wiederum die Lichtfarbe des emittierten Lichtes beeinflußt. Um der fortschreitenden Miniaturisierung in der Optoelektronik und der Nachrichtentechnik und dem Bedarf an steigender Speicherdichte Rechnung zu tragen, ist es wünschenswert, die Halbleiterbauelemente, insbesondere die Laserdioden immer weiter zu verkleinern. Zu diesem Zweck sind beispielsweise für im infraroten Spektralbereich emittierende Laserdioden sogenannte Quantenpunktstrukturen (Quantum Dot QD) vorgeschlagen worden. Bei diesen Quantenpunktstrukturen wird die Tatsache genutzt, daß Verbindungshalbleiter wie beispielsweise InGaN beim epitaktischen Schichtwachstum zur Inselbildung neigen. Wird beispielsweise auf eine Schicht GaN Galliumnitrit eine weitere Schicht InGaN Indiumgalliumnitrit, bei der ein Teil der Galliumatome durch Indiumatome ersetzt worden sind, aufgebracht, so lassen sich leicht inselartige Strukturen des InGaN erzeugen. Deckt man diese inselartigen Strukturen anschließend mit einer sogenannten Cappingschicht aus GaN Galliumnitrit ab, so läßt sich der im Bereich dieser Inseln lokalisierte punktartige Potentialtopf vorteilhaft für Laserdioden verwenden. Problematisch bei diesem Verfahren ist, daß zum Gewährleisten guter Kristalleigenschaften das Aufbringen der Cappingschicht bei verhältnismäßig hohen Temperaturen erforderlich ist. Bei diesen hohen Temperaturen neigt das Indium auf den Inseln aber dazu, in die Cappingschicht zu diffundieren, was wiederum eine Rückbildung der Inseln zur Folge haben kann. Im Extremfall können vor Aufbringen der Cappingschicht vorhandene Inseln nach dem Abdecken mit der Cappingschicht vollständig verschwunden sein.at the production of semiconductor devices, in particular laser diodes, So-called compound semiconductors are used. These are semiconductors, which generally consists of components of the elements of III. and V. main chemical group, so-called III-V semiconductors or components the elements of II. and VI. main chemical group, so-called II-VI semiconductors, and their mixed crystals exist. To adjustment the desired Properties, in particular for the selection of a light emitting diode or a light color emitted by a laser diode often become mixed crystals used in which the first component and / or the second component from several elements of the respective main groups of the periodic table consist. For example, in the compound semiconductor InGaN Indium gallium nitrite is a part of the gallium atoms of the crystal structure replaced by indium atoms. This has an influence on the one hand Lattice constant and on the other hand, the size of the energy gap between the conduction band and the valence band of the compound semiconductor, which in turn affects the light color of the emitted light. To the progressive Miniaturization in optoelectronics and communications engineering and the need for increasing storage density, it is desirable the semiconductor devices, in particular the laser diode always on to downsize. For this purpose, for example, for in the infrared Spectral region emitting laser diodes so-called quantum dot structures (Quantum Dot QD) has been proposed. In these quantum dot structures the fact is used that compound semiconductors such as InGaN for epitaxial layer growth Tend island formation. For example, on a layer of GaN gallium nitrite another layer of InGaN indium gallium nitrite, in which a part the gallium atoms have been replaced by indium atoms, applied, this makes it easy to create island-like structures of the InGaN. If one then covers these island-like structures with a so-called Capping layer of GaN gallium nitrite, so can be in the range of this Islands isolated point-like potential well advantageous for laser diodes use. The problem with this method is that to ensure good crystal properties, the application of the capping layer relatively high Temperatures is required. At these high temperatures tends the indium on the islands but to diffuse into the capping layer, which in turn is a regression can result in the islands. In extreme cases, before applying the capping layer existing Islands completely disappeared after covering with the capping layer be.

Das der Erfindung zugrunde liegende Problem ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes anzugeben, mit dem sich Halbleiterbauelemente mit Quantenpunktstrukturen in hoher Qualität, zuverlässig, reproduzierbar und bei guten Kristalleigenschaften des Halbleiterbauelementes herstellen lassen.The The problem underlying the invention is to provide a method for Produce a semiconductor device to specify with which Semiconductor devices with high-quality quantum dot structures, reliable, reproducible and produce good crystal properties of the semiconductor device to let.

Das Problem wird dadurch gelöst, daß bei einem Verfahren der eingangs genannten Art bei dem Verbindungshalbleiter für die dritte Schicht ein zweiter Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente zum Erzeugen von Inseln der zweiten Schicht beim Aufbringen der dritten Schicht ersetzt worden ist.The Problem is solved by that at a method of the type mentioned in the compound semiconductor for the third layer, a second portion of the first component or the second component for generating islands of the second layer in the Applying the third layer has been replaced.

Weil in diesem Fall auch die dritte Schicht einen Anteil der dritten Komponente enthält, kann bei verhältnismäßig hohen Temperaturen diese dritte Schicht aufgebracht werden, da aus den Inseln heraus diffundierende Atome der dritten Komponente durch aus der dritten Schicht in die Inseln hinein diffundierende Atome der dritten Komponente ausgeglichen werden können. Im Einzelnen können die Schichtdicke der zweiten Schicht, der erste Anteil und der zweite Anteil so gewählt werden, daß durch die Diffusion der Atome der dritten Komponente aus der dritten Schicht in die zweite Schicht die Inseln überhaupt erst entstehen. Weil bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Diffusion der Atome der dritten Komponente nicht unbedingt vermieden werden muß, lassen sich dadurch Kristalle mit guten Kristalleigenschaften erzeugen. Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auch zur Erzeugung von Quantenpunktstrukturen bei Elementhalbleitern verwenden. In diesem Fall werden für die erste und dritte Schicht ein erster Halbleiter und für die zweite Schicht ein zweiter Halbleiter verwendet, wobei das Material zum Aufbringen der dritten Schicht neben dem ersten Halbleiter einen geringen Anteil des zweiten Halbleiters zum Erzeugen von Inseln der zweiten Schicht beim Aufbringen der dritten Schicht enthält. Anstelle des ersten Halbleiters kann für die erste Schicht auch eine andere geeignete Unterlage verwendet werden. Wichtig ist ein gutes Wachstumsverhalten entsprechend der vorstehenden Erläuterungen.Because in this case, the third layer also accounts for the third Component contains can at relatively high Temperatures are applied to this third layer, as out of the Islands out diffusing atoms of the third component atoms diffusing from the third layer into the islands third component can be compensated. In detail, the layer thickness the second layer, the first part and the second part are chosen that through the Diffusion of the atoms of the third component from the third layer in the second layer the islands in the first place emerge. Because in the method according to the invention the diffusion of the atoms of the third component is not necessarily avoided must become, can thereby produce crystals with good crystal properties. The inventive method let yourself also for the generation of quantum dot structures in elemental semiconductors use. In this case, for the first and third layer a first semiconductor and for the second layer uses a second semiconductor, the material being for applying the third layer next to the first semiconductor one small proportion of the second semiconductor for generating islands the second layer during application of the third layer. Instead of of the first semiconductor can for the first layer also uses another suitable substrate become. Important is a good growth behavior according to the above explanations.

Eine Weiterbildung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß der erste Anteil 10% bis 50%, vorzugsweise 20% bis 25% beträgt. Bei einem derartigen ersten Anteil ändert sich die Gitterkonstante des Verbindungshalbleiters von der ersten Schicht zur zweiten Schicht derart, daß die gewünschten Wachstumsbedingungen eingestellt werden können. Üblicherweise erfolgt das Wachstum der zweiten Schicht nach dem sogenannten Stransky-Kastranow-Modell, wobei zunächst ein lagenweises Wachstum erfolgt und nach einem Aufwachsen von etwa 2 bis 3 Monolagen aufgrund der größeren Gitterkonstante des Verbindungshalbleiters der zweiten Schicht gegenüber der ersten Schicht ein Inselwachstum einsetzt.A development of the invention is characterized in that the first portion 10% to 50%, preferably 20% to 25%. In such a first proportion, the lattice constant of the compound semiconductor changes from the first layer to the second layer so that the desired growth conditions can be set. Usually, the growth of the second layer takes place according to the so-called Stransky-Kastranow model, wherein first a layer-wise growth takes place and after an increase of about 2 to 3 monolayers due to the larger lattice constant of the compound semiconductor of the second layer relative to the first layer island growth.

Eine andere Weiterbildung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß der zweite Anteil kleiner ist als der erste Anteil. Vorzugsweise beträgt der zweite Anteil 5% bis 10%. Mittels dieses geringeren zweiten Anteils ist die Gitterkonstante des Verbindungshalbleiters der dritten Schicht nach Diffusion der Atome der dritten Komponente aus der dritten Schicht an die zweite Schicht in etwa gleich der Gitterkonstante der ersten Schicht. Auf diese Weise lassen sich gute Kristalleigenschaften erzielen, wobei gleichzeitig die Diffusion der Atome der dritten Komponente zu der zweiten Schicht hin zur Inselbildung unterstützt wird.A Another embodiment of the invention is characterized in that the second Share is smaller than the first share. Preferably, the second is Share 5% to 10%. By means of this lower second fraction the lattice constant of the compound semiconductor of the third layer after diffusion of the atoms of the third component from the third layer to the second layer approximately equal to the lattice constant of the first Layer. In this way, good crystal properties can be At the same time, the diffusion of the atoms of the third Component to the second layer is supported towards islanding.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die zweite Schicht monolagenweise aufgebracht wird. Dadurch lassen sich besonders gute Kristalleigenschaften erzielen. Die Schichtdicke der zweiten Schicht kann dabei 1 bis 7 Monolagen, vorzugsweise 2 Monolagen betragen. Insbesondere bei dem auftretenden Stransky-Kastranow-Wachstum befindet sich das System so am Übergang zwischen dem lagenweisen Wachstum und dem Inselwachstum, so daß weitere Atome der dritten Komponente aus der dritten Schicht beim Diffundieren zu der zweiten Schicht die gewünschten Inseln als Quantenpunktstrukturen produzieren.A advantageous embodiment of the invention is characterized by that the second layer is applied monolayer by layer. This can be done achieve particularly good crystal properties. The layer thickness The second layer can be 1 to 7 monolayers, preferably 2 Monolayers amount. Especially with the occurring Stransky-Kastranow growth the system is at the transition between the layered growth and the island growth, so that more atoms the third component from the third layer when diffusing to the second layer the desired Produce islands as quantum dot structures.

Eine andere Weiterbildung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die zweite Schicht und/oder die dritte Schicht bei einer Temperatur von 600°C bis 820°C, vorzugsweise von 820°C aufgebracht wird. Bei diesen hohen Temperaturen lassen sich Schichten guter Qualität und Kristalle von guten Kristalleigenschaften erzeugen. Insbesondere bei 820°C treten nur sehr wenige Defekte in der Kristallstruktur auf.A Another embodiment of the invention is characterized in that the second Layer and / or the third layer at a temperature of 600 ° C to 820 ° C, preferably from 820 ° C is applied. At these high temperatures can be layers good quality and produce crystals of good crystal properties. Especially at 820 ° C Only very few defects in the crystal structure occur.

Es ist weiter von Vorteil, wenn die zweite Schicht und/oder die dritte Schicht epitaktisch aufgebracht werden. Vorzugsweise kann dies mittels Metallorganischer Dampfphasenepitaxie (MOVPE), Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE) erfolgen. Mittels dieser epitaktischen Verfahren lassen sich kontrollierbar Schichten hoher Qualität mit guter Ausbeute erzeugen.It is further advantageous if the second layer and / or the third Layer epitaxially applied. This can preferably be done by means of Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), molecular beam epitaxy (MBE) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE). By means of these epitaxial methods can be controllable produce high quality layers with good yield.

Nach einem anderen Aspekt der Erfindung ist es von Vorteil, wenn die erste Schicht eine Schichtdicke von 2-3 Mikrometer insbesondere 2,3 Mikrometer aufweist. Wird die erste Schicht mit dieser Schichtdicke erzeugt, eignet sie sich gut als Trägermaterial und ist hinreichend robust für die weitere Bearbeitung.To Another aspect of the invention, it is advantageous if the first layer has a layer thickness of 2-3 microns in particular 2.3 microns. Will the first layer with this layer thickness produced, it is well suited as a carrier material and is sufficient robust for the further processing.

Es ist außerdem von Vorteil, wenn die erste Schicht auf einem Substrat aufgebracht wird. Als Substrat eignet sich beispielsweise Saphir. Insbesondere kann eine Saphir (0001) Fläche verwendet werden. Dieses Saphir Substrat eignet sich gut als Trägermaterial für die Verbindungshalbleiter und hat andererseits die erforderlichen optischen Eigenschaften zum Herstellen beispielsweise einer Laserdiode. Auch SiC, Si, GaN und andere Trägermaterialien sind bei einem geeigneten Wachstumsverhalten der Schichten darauf als Substrate geeignet.It is also advantageous if the first layer applied to a substrate becomes. As a substrate, for example, sapphire is suitable. Especially Can be a sapphire (0001) area be used. This sapphire substrate is well suited as a carrier material for the Compound semiconductors and on the other hand has the required optical Properties for producing, for example, a laser diode. Also SiC, Si, GaN and other support materials with a suitable growth behavior of the layers on it as Substrates suitable.

Bei einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden beim Aufbringen der dritten Schicht die Inseln auf der zweiten Schicht mit einer Flächenanzahldichte von 108 bis 109 pro Quadratzentimeter erzeugt. Mit konventionellen Methoden zum Erzeugen dieser Quantenpunktstrukturen liegt die Flächenanzahldichte der Inseln nicht unter 1011. Gerade zum Erzeugen von sogenannten Einzelphotonenemittern, mit denen sich gezielt einzelne Photonen emittieren lassen, ist eine Reduzierung der Flächenanzahldichte bei gleichzeitig hoher Qualität aber zwingend erforderlich. Mit diesen Einzelphotonenemittern lassen sich die Halbleiterbauelemente beispielsweise für die Nachrichtentechnik weiter deutlich miniaturisieren.In a particularly advantageous embodiment of the invention, the islands are produced on the second layer with an areal density of 10 8 to 10 9 per square centimeter when applying the third layer. With conventional methods for generating these quantum dot structures, the area number density of the islands is not less than 10 11 . Especially for generating so-called single-photon emitters, which can be used to selectively emit individual photons, a reduction of the number of surface areas and at the same time high quality is absolutely necessary. With these single-photon emitters, the semiconductor components can be further miniaturized significantly, for example for communications technology.

Eine andere Weiterbildung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß als Verbindungshalbleiter GaN mit Ga als erster Komponente und mit N als zweiter Komponente verwendet wird. Dieser GaN-Halbleiter eignet sich zum Herstellen von Laserdioden, die blaues Licht emittieren. Dieses blaue Licht hat wegen seiner geringen Wellenlänge den Vorteil, daß sich damit beispielsweise Leseköpfe für optische Speichermedien mit einer hohen Speicherdichte herstellen lassen. Vorzugsweise wird dabei als dritte Komponente Indium zum Erzeugen von InGaN als Verbindungshalbleiter verwendet. Hierdurch läßt sich eine Verschiebung des emittierten Lichtes in den grünen Spektralbereich erzeugen. Gleichzeitig bewirkt ein Zusetzen von Indium eine Vergrößerung der Gitterkonstante des Verbindungshalbleiterkristalls, so daß das gewünschte Stansky-Kastranow-Wachstum erzielt werden kann.A Another development of the invention is characterized in that as a compound semiconductor GaN with Ga as the first component and with N as the second component is used. This GaN semiconductor is suitable for manufacturing of laser diodes that emit blue light. This blue light because of its low wavelength has the advantage of being so for example, reading heads for optical Make storage media with a high storage density. Preferably, the third component is indium for generating used by InGaN as compound semiconductors. This can be a shift of the emitted light in the green spectral range produce. At the same time adding indium causes an enlargement of the lattice constant of the compound semiconductor crystal to achieve the desired Stansky-Kastranow growth can be.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren. Bei dem Halbleiterbauelement kann es sich beispielsweise um eine Laserdiode handeln. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Einzelphotonenemitter.Another aspect of the invention relates to a semiconductor device produced by the method according to the invention. The semiconductor component may be, for example, a laser diode. In particular, the invention relates to egg single photon emitter.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:following is an embodiment of Invention explained in more detail with reference to the drawings. Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Ausgangsproduktes für die Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach einem ersten Produktionsschritt, 1 a schematic representation of a starting product for the production of a semiconductor device after a first production step,

2 den Halbleiterbauelementrohling von 1 nach einem zweiten Produktionsschritt, 2 the semiconductor device blank of 1 after a second production step,

3 den Halbleiterbauelementrohling nach einem dritten Produktionsschritt, 3 the semiconductor device blank after a third production step,

4 den Halbleiterbauelementrohling nach Aufbringen einer Cappingschicht, und 4 the semiconductor device blank after applying a capping layer, and

5 ein Flußdiagramm zur Veranschaulichung des erfindungsgemäßen Verfahrens. 5 a flowchart illustrating the method according to the invention.

1 zeigt einen Rohling für ein Halbleiterbauelement nach einem ersten Produktionsschritt. Wie sich der Figur entnehmen läßt, weist der Rohling ein Substrat 10 auf, auf dem als erste Schicht eine Unterlage 11 angeordnet ist. Bei dem Substrat handelt es sich bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel um Saphir (0001). Die darauf angeordnete erste Schicht 11, die nachfolgend als Unterlage 11 bezeichnet wird, ist bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel aus einem Verbindungshalbleitermaterial ausgebildet. Im Einzelnen besteht die Unterlage 11 aus GaN, das bei guten Kristalleigenschaften auf das Substrat 10 aufgebracht worden ist. Im Einzelnen ist die Unterlage 11 bei einer Aufwachstemperatur von 820°C mittels Metallorganischer Dampfphasen-Epitaxie auf das Substrat 10 aufgewachsen worden. Bei dieser Temperatur bildet sich eine gute einkristaline Struktur des GaN Verbindungshalbleitermaterials auf dem Substrat 10 aus, da Defekte und Versetzungen gut ausheilen können. 1 shows a blank for a semiconductor device after a first production step. As can be seen from the figure, the blank has a substrate 10 on, as the first layer a base 11 is arranged. The substrate in the illustrated embodiment is sapphire (0001). The first layer arranged thereon 11 , hereafter as a document 11 is designated, is formed in the embodiment shown of a compound semiconductor material. In detail, there is the document 11 made of GaN, with good crystal properties on the substrate 10 has been applied. In detail, the document is 11 at a growth temperature of 820 ° C by means of metal-organic vapor phase epitaxy on the substrate 10 grown up. At this temperature, a good single crystal structure of the GaN compound semiconductor material is formed on the substrate 10 because defects and dislocations can heal well.

2 zeigt den Halbleiterbauelementrohling von 1 nach einem zweiten Produktionsschritt. Im Einzelnen ist in dem abgebildeten Zustand eine Nukleationsschicht 12 auf der Unterlage 11 angeordnet. Zum Herstellen der Nukleationsschicht ist bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ein Verbindungshalbleitermaterial InGaN, bei dem 20% bis 25% der Galliumatome durch Indiumatome ausgetauscht worden sind, epitaktisch mittels Metalloxiddampfphasen Epitaxie auf der Unterlage 11 aufgewachsen worden. Im Einzelnen ist bei InGaN eine größere Gitterkonstante gegeben als bei GaN, so daß beim epitaktischen Aufwachsen von InGaN auf GaN das sogenannte Stransky-Kastranow-Wachstum zu beobachten ist. Im Einzelnen wächst dabei das InGaN auf dem GaN der Unterlage 11 zunächst in Form von geordneten Monolagen auf. Erst nach Überschreiten einer kritischen Dicke von 2 bis 3 Monolagen beginnt das InGaN bei weiterem Schichtauftrag in Form eines Inselwachstums zuwachsen, bei dem nicht flächig lagenweise ein Schichtauftrag erfolgt, sondern einzelne Inseln in die Höhe wachsen, ohne daß die darunter liegenden Schichten aufgefüllt werden. Wie sich der Figur entnehmen läßt, ist die Nukleationsschicht 12 mit einer Dicke von 2 bis 3 Monolagen aufgewachsen worden, so daß hier zunächst ein lagenweises Wachstum erfolgt ist. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel beträgt die Schichtdicke 2 Monolagen, so daß eine Inselbildung noch nicht eingesetzt hat. 2 shows the semiconductor device blank of 1 after a second production step. Specifically, in the depicted state, there is a nucleation layer 12 on the pad 11 arranged. For producing the nucleation layer, in the embodiment shown, a compound semiconductor material InGaN, in which 20% to 25% of the gallium atoms have been exchanged by indium atoms, epitaxially epitaxies on the substrate by means of metal oxide vapor phases 11 grown up. In particular, InGaN has a larger lattice constant than GaN, so that the so-called Stransky-Kastranow growth can be observed in the epitaxial growth of InGaN on GaN. More specifically, the InGaN grows on the GaN of the underlay 11 initially in the form of ordered monolayers. Only after exceeding a critical thickness of 2 to 3 monolayers does the InGaN begin to grow on further layer application in the form of island growth, in which layers are not layered, but individual islands grow without the underlying layers being filled up. As can be seen from the figure, the nucleation layer is 12 grown with a thickness of 2 to 3 monolayers, so that here first a layer-wise growth has taken place. In the embodiment shown, the layer thickness is 2 monolayers, so that islanding has not yet begun.

3 zeigt den Halbleiterbauelementrohling nach einem dritten Produktionsschritt. Wie sich der Figur entnehmen läßt, ist auf die Nukleationsschicht 12 eine Formationsschicht 13 aufgebracht worden. Die Formationsschicht 13 besteht bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ebenfalls aus einem Verbindungshalbleiter, nämlich InGaN, wobei hier ebenfalls ein Anteil Galliumatome durch Indiumatome ausgetauscht worden ist. Im Einzelnen ist der Anteil der Indiumatome des Verbindungshalbleiters für die Formationsschicht 13 geringer gewählt als für die Nukleationsschicht 12. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind für das Aufdampfen der Formationsschicht 13 5% bis 10% der Galliumatome durch Indiumatome ausgetauscht worden. Das Aufwachsen der Formationsschicht wie auch das Aufwachsen der Nukleationsschicht erfolgt bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel bei einer Temperatur von 820°C, so daß sich gute Kristalleigenschaften für die Nukleationsschicht 12 wie auch für die Formationsschicht 13 ergeben. Durch die verhältnismäßig hohen Aufwachstemperaturen können sich die Indiumatome, die in geringer Konzentration in der Formationsschicht 13 enthalten sind, durch die Formationsschicht 13 mittels Diffusion bewegen. Die Indiumatome der Formationsschicht 13 reichern sich dabei im Bereich der Grenzfläche zu der Nukleationsschicht 12 an, wodurch Inseln 14 auf der Nukleationsschicht 12 entstehen. Im Einzelnen ist die Gitterkonstante des InGaN der Nukleationsschicht 12 größer als die des GaN der Unterlage 11, während die Gitterkonstante des InGaN der Formationsschicht 13 kleiner ist als die der Nukleationsschicht 12 und größer als die der Unterlage 11. Durch die Anlagerung der Indiumatome an die Grenzschicht der Nukleationsschicht 12 entmischt sich gleichsam das InGaN der Formationsschicht 13, wodurch im wesentlichen GaN als Verbindungshalbleitermaterial der Formationsschicht 13 überbleibt. 3 shows the semiconductor device blank after a third production step. As the figure can be seen, is on the nucleation layer 12 a formation layer 13 been applied. The formation layer 13 consists in the embodiment shown also of a compound semiconductor, namely InGaN, here also a proportion of gallium atoms has been replaced by indium atoms. Specifically, the proportion of indium atoms of the compound semiconductor for the formation layer is 13 chosen lower than for the nucleation layer 12 , In the embodiment shown are for the vapor deposition of the formation layer 13 5% to 10% of the gallium atoms have been replaced by indium atoms. The growth of the formation layer as well as the growth of the nucleation layer takes place in the embodiment shown at a temperature of 820 ° C, so that good crystal properties for the nucleation layer 12 as well as for the formation layer 13 result. Due to the relatively high growth temperatures, the indium atoms, in low concentration in the formation layer 13 contained by the formation layer 13 move by diffusion. The indium atoms of the formation layer 13 accumulate in the area of the interface to the nucleation layer 12 on, making islands 14 on the nucleation layer 12 arise. Specifically, the lattice constant of the InGaN is the nucleation layer 12 greater than that of the GaN of the underlay 11 while the lattice constant of the InGaN of the formation layer 13 smaller than that of the nucleation layer 12 and larger than that of the pad 11 , By the attachment of the indium atoms to the boundary layer of the nucleation layer 12 as it were, the InGaN of the formation layer separates 13 , whereby substantially GaN as the compound semiconductor material of the formation layer 13 over remains.

4 zeigt den Halbleiterbauelementrohling mit aufgebrachter Cappingschicht 15. Wie sich der Figur entnehmen läßt, ist eine Cappingschicht 15 auf die Formationsschicht 13 aufgebracht worden. Die Cappingschicht 15 besteht aus einem Verbindungshalbleiter, nämlich GaN. Die Cappingschicht 15 kann ebenfalls bei hoher Temperatur, nämlich bei 820°C auf die Formationsschicht 13 aufgebracht werden, so daß sich gute Kristallstrukturen ergeben. 4 shows the semiconductor device blank with applied capping layer 15 , As the figure can be seen, is a capping layer 15 on the formation layer 13 been applied. The capping layer 15 consists of a compound semiconductor, namely GaN. The capping layer 15 can also at high temperature, namely at 820 ° C. on the formation layer 13 be applied so that good crystal structures result.

5 zeigt ein Flußdiagramm des Verfahrens mit den Erfindungsmerkmalen. Im Schritt S10 wird das Verfahren begonnen. Zunächst erfolgt dann im Schritt S11 das Herstellen einer Unterlage. Als Unterlage im Sinne des Schrittes S11 kann sowohl das Substrat 10 wie auch die Unterlage 11 von 3 hergestellt werden. 5 shows a flow chart of the method with the features of the invention. In step S10, the process is started. First, then in step S11, the production of a pad. As a support in the sense of step S11, both the substrate 10 as well as the underlay 11 from 3 getting produced.

Als nächstes folgt der Schritt S12. In Schritt S12 wird die Nukleationsschicht 12 auf der Unterlage aufgebracht. Dies erfolgt, wie vorstehend zu den 1 bis 4 bereits erläutert, mittels Aufwachsen des Verbindungshalbleiters im Bereich lagenweisen Wachstums. Dabei wird die Schichtdicke so gewählt, daß die kritische Dicke zum Übergang des Wachstums zu dreidimensionalem Inselwachstum unterschritten wird.Next, step S12 follows. In step S12, the nucleation layer becomes 12 applied to the substrate. This is done as above to the 1 to 4 already explained, by growing the compound semiconductor in the area-wise growth. In this case, the layer thickness is chosen so that the critical thickness is exceeded for the transition of the growth to three-dimensional island growth.

Es folgt der Schritt S13. Im Schritt S13 wird die Formationsschicht 13 auf die Nukleationsschicht 12 aufgewachsen. Dies geschieht wiederum epitaktisch bei hoher Temperatur zum Erzeugen einer guten Kristallstruktur. Bei dem Aufwachsen dieser Formationsschicht, bei der ein geringerer Anteil an Indiumatomen in dem Verbindungshalbleiter vorhanden ist, entstehen die Inseln 14 durch Diffusion der Indiumatome an die Grenzfläche zu der Nukleationsschicht 12. Gleichzeitig werden die Inseln 14 aber durch die verbleibende GaN-Schicht der Formationsschicht 13 abgedeckt und somit geschützt.This is followed by step S13. In step S13, the formation layer becomes 13 on the nucleation layer 12 grew up. This again occurs epitaxially at high temperature to produce a good crystal structure. In the growth of this formation layer, in which a lower proportion of indium atoms is present in the compound semiconductor, the islands are formed 14 by diffusion of the indium atoms at the interface to the nucleation layer 12 , At the same time the islands become 14 but by the remaining GaN layer of the formation layer 13 covered and thus protected.

Im nachfolgenden Schritt S14 wird sodann die Cappingschicht 15 auf der Formationsschicht 13 aufgewachsen, wodurch die Inselstruktur geschützt und fertig zur weiteren Verwendung ist. Anschließend wird das Verfahren im Schritt S15 beendet.In the subsequent step S14 then the capping layer 15 on the formation layer 13 grown, which protects the island structure and is ready for further use. Subsequently, the process is ended in step S15.

Zur Herstellung der erforderlichen und gewünschten Bauelemente kann das erfindungsgemäße Verfahren lagenweise aufeinander folgend so oft wiederholt werden, wie es den Anforderungen entspricht. Beispielsweise genügt für einen Einzelphotonenemitter eine Lage Quantenpunkte, während für Laserdioden Stapel mit drei bis zwölf Lagen erforderlich sind.to Production of the required and desired components can be inventive method successively repeated as many times as it is meets the requirements. For example, it is sufficient for a single photon emitter a location quantum dots while for laser diodes Stack of three to twelve Layers are required.

Mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren läßt sich das aktive Gebiet einer Lichtemitterstruktur für Halbleiterbauelemente herstellen, bei denen in Form der Inseln 14 Quantenpunktstrukturen für Halbleiterbauelemente wie beispielsweise Laserdioden geschaffen werden. Diese Quantenpunktstrukturen lassen sich mit dem beschriebenen Verfahren mit einer Flächendichte von 108 bis 109 pro Quadratzentimeter erzeugen. Diese verhältnismäßig geringe Flächenanzahldichte ermöglicht es, auf diese Weise Einzelphotonenemitter herzustellen.With the method described above, the active region of a light emitting structure for semiconductor devices can be produced, in which in the form of the islands 14 Quantum dot structures are created for semiconductor devices such as laser diodes. These quantum dot structures can be produced with the described method with a surface density of 10 8 to 10 9 per square centimeter. This relatively small area number density makes it possible to produce single photon emitters in this way.

1010
Substratsubstratum
1111
Unterlagedocument
1212
Nukleationsschichtnucleation
1313
Formationsschichtformation layer
1414
Inselisland
1515
CappingschichtCappingschicht

Claims (20)

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Laserdiode, bei dem auf eine erste Schicht (11) eine zweite Schicht (12) eines Halbleiters aufgebracht wird, und bei dem auf die zweite Schicht (12) eine dritte Schicht (13) aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Material zum Aufbringen der dritten Schicht (13) einen Anteil des zweiten Halbleiters zum Erzeugen von Inseln (14) der zweiten Schicht (12) beim Aufbringen der dritten Schicht (13) enthält.Method for producing a semiconductor component, in particular a laser diode, in which a first layer ( 11 ) a second layer ( 12 ) of a semiconductor, and in which the second layer ( 12 ) a third layer ( 13 ), characterized in that the material for applying the third layer ( 13 ) a portion of the second semiconductor for generating islands ( 14 ) of the second layer ( 12 ) when applying the third layer ( 13 ) contains. Verfahren nach Anspruch 1 zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Laserdiode, bei dem auf eine erste Schicht (11) eines Verbindungshalbleiters mit einer ersten Komponente und einer zweiten Komponente eine zweite Schicht (12) des Verbindungshalbleiters aufgebracht wird, bei welcher ein erster Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente durch eine dritte Komponente ersetzt worden ist, und bei dem auf die zweite Schicht (12) eine dritte Schicht (13) des Verbindungshalbleiters ausgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Verbindungshalbleiter für die dritte Schicht (13) ein zweiter Anteil der ersten Komponente oder der zweiten Komponente zum Erzeugen von Inseln (14) der zweiten Schicht (12) beim Aufbringen der dritten Schicht (13) ersetzt worden ist.Method according to Claim 1 for producing a semiconductor component, in particular a laser diode, in which a first layer ( 11 ) of a compound semiconductor with a first component and a second component a second layer ( 12 ) of the compound semiconductor in which a first portion of the first component or of the second component has been replaced by a third component, and in which the second layer ( 12 ) a third layer ( 13 ) of the compound semiconductor, characterized in that in the compound semiconductor for the third layer ( 13 ) a second portion of the first component or the second component for generating islands ( 14 ) of the second layer ( 12 ) when applying the third layer ( 13 ) has been replaced. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anteil 10% bis 50%, vorzugsweise 20% bis 25% beträgt.Method according to claim 2, characterized in that that the first proportion is 10% to 50%, preferably 20% to 25%. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Anteil kleiner ist als der erste Anteil.Method according to claim 2 or 3, characterized that the second share is smaller than the first share. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Anteil 5% bis 10% beträgt.Method according to claim 4, characterized in that that the second share is 5% to 10%. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (12) monolagenweise aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the second layer ( 12 ) is applied monolayerwise. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der zweiten Schicht (12) eine bis sieben Monolagen, vorzugsweise zwei Monolagen beträgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the layer thickness of the second layer ( 12 ) is one to seven monolayers, preferably two monolayers. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (12) und/oder die dritte Schicht (13) bei einer Temperatur von 600°C bis 820°C, vorzugsweise von 820°C aufgebracht wird.Method according to one of the preceding Claims, characterized in that the second layer ( 12 ) and / or the third layer ( 13 ) is applied at a temperature of 600 ° C to 820 ° C, preferably 820 ° C. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (12) und/oder die dritte Schicht (13) epitaktisch, vorzugsweise mittels Metallorganische Dampfphasen-Epitaxie (MOVPE), Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder Hydrid-Dampfphasen Epitaxie (HVPE) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the second layer ( 12 ) and / or the third layer ( 13 ) epitaxially, preferably by means of metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), molecular beam epitaxy (MBE) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (11) mit einer Schichtdicke von 2 bis 3 Mikrometer, insbesondere 2,3 Mikrometer, erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 11 ) is produced with a layer thickness of 2 to 3 microns, in particular 2.3 microns. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (11) auf ein Substrat (10) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 11 ) on a substrate ( 10 ) is applied. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat (10) Saphir, insbesondere eine Saphir (0001) Fläche, verwendet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that as substrate ( 10 ) Sapphire, in particular a sapphire (0001) surface is used. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß beim Aufbringen der dritten Schicht (13) die Inseln (14) auf der zweiten Schicht (12) mit einer Flächenanzahldichte von 108 bis 109 pro Quadratzentimeter erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that during the application of the third layer ( 13 ) the islands ( 14 ) on the second layer ( 12 ) with an areal density of 10 8 to 10 9 per square centimeter. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungshalbleiter GaN mit Ga als erste Komponente und N als zweite Komponente verwendet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that as Compound semiconductors GaN with Ga as the first component and N as second component is used. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als dritte Komponente Indium zum Erzeugen von InGaN als Verbindungshalbleiter verwendet wird.Method according to claim 14, characterized in that that as third component indium for generating InGaN as compound semiconductor is used. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte des Aufbringens der zweiten Schicht (12) und der dritten Schicht (13) zum Erzeugen von Inseln (14) der zweiten Schicht (12) mehrfach aufeinander folgend ausgeführt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the steps of applying the second layer ( 12 ) and the third layer ( 13 ) for generating islands ( 14 ) of the second layer ( 12 ) are executed several times consecutively. Halbleiterbauelement, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche.Semiconductor device produced by the method according to one of the preceding claims. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Laserdiode ist.Semiconductor component according to Claim 17, characterized that it a laser diode is. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Einzelphotonenemitter ist.Semiconductor component according to claim 17 or 18, characterized characterized in that it is a single photon emitter. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 19, gekennzeichnet durch eine Inselflächenanzahldichte von 108 bis 109 pro Quadratzentimeter.Semiconductor component according to one of Claims 17 to 19, characterized by an island area number density of 10 8 to 10 9 per square centimeter.
DE200510057253 2005-11-29 2005-11-29 Method for producing a semiconductor component Withdrawn DE102005057253A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510057253 DE102005057253A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for producing a semiconductor component
PCT/EP2006/069083 WO2007063085A1 (en) 2005-11-29 2006-11-29 Method for producing a semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510057253 DE102005057253A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for producing a semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005057253A1 true DE102005057253A1 (en) 2007-06-06

Family

ID=37875757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200510057253 Withdrawn DE102005057253A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for producing a semiconductor component

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102005057253A1 (en)
WO (1) WO2007063085A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109560172B (en) * 2018-10-26 2020-01-10 复旦大学 Semi-polar gallium-nitrogen epitaxial wafer and preparation method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10038893A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor component used in a semiconductor laser comprises a second layer grown on a first layer doped with doping atoms
EP1403910A2 (en) * 2002-09-25 2004-03-31 Chiba University Semiconductor device having a nitride-based hetero-structure and method of manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3090057B2 (en) * 1996-08-07 2000-09-18 昭和電工株式会社 Short wavelength light emitting device
US6645885B2 (en) * 2001-09-27 2003-11-11 The National University Of Singapore Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10038893A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor component used in a semiconductor laser comprises a second layer grown on a first layer doped with doping atoms
EP1403910A2 (en) * 2002-09-25 2004-03-31 Chiba University Semiconductor device having a nitride-based hetero-structure and method of manufacturing the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Fiore, A.: "Electronic and Optical Confinement in Semiconductors: Towards Nanoscale Photonic De- vices". In: Proceedings of 39th Erice Summer School, 2003 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007063085A1 (en) 2007-06-07
WO2007063085A8 (en) 2008-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10392313B4 (en) Gallium nitride based devices and manufacturing processes
DE69838313T2 (en) Optoelectronic semiconductor device based on a group III nitride compound
DE60217943T2 (en) A nitride semiconductor device and method of making the same
DE60128134T2 (en) GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING LAYERS OF THIS MATERIAL
DE19905516C2 (en) Doped interfacial layer light emitting diode for controlling contaminants and methods of making the same
DE102012103686B4 (en) Epitaxial substrate, method for producing an epitaxial substrate and optoelectronic semiconductor chip with an epitaxial substrate
DE112015000824B4 (en) Method for manufacturing an electronic semiconductor chip
EP1908099B1 (en) Semi-conductor substrate and method and masking layer for producing a free-standing semi-conductor substrate by means of hydride-gas phase epitaxy
DE112005000296B4 (en) Gallium nitride compound semiconductor multilayer structure, lamp with it and manufacturing method for it
DE60033800T2 (en) GAN SEMICONDUCTOR COMPOSITE CRYSTAL WAXING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP1051740A1 (en) Method for the production of a monocrystalline layer on a substrate with a non-adapted lattice and component containing one or several such layers
DE19715572A1 (en) Selective epitaxy of III-V nitride semiconductor layers
DE112004002804B4 (en) Growth method for thin In-rich nitride semiconductor layer and UV light-emitting device with In-rich nitride semiconductor layer
EP1770795A2 (en) Substrate for epitaxy, method of fabricating it and method of fabricating a semiconductor chip
DE102011012925A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor chip
DE10196361B4 (en) Process for the preparation of a Group III nitride semiconductor crystal
DE112005002838T5 (en) Gallium nitride based semiconductor stacking structure, method of making the same, gallium nitride based semiconductor device, and lamp using the device
WO2014019752A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip
DE112004001230T5 (en) Growth methods for nitride semiconductor epitaxial layers
DE112014002691B4 (en) Excitation region comprising nanodots (also referred to as "quantum dots") in a matrix crystal grown on Si substrate and made of AlyInxGa1-y-xN crystal (y ≧ 0, x> 0) with zincblende structure (also called "cubic"). and light-emitting device (LED and LD) obtained by using the same
DE10260937A1 (en) Radiation-emitting semiconductor body and method for its production
DE102015109761B4 (en) Method of manufacturing a nitride semiconductor device and nitride semiconductor device
DE102005057253A1 (en) Method for producing a semiconductor component
DE102006043991A1 (en) Production of a semiconductor especially a semiconductor laser comprises placing a substrate on a satellite and forming a thin alloy semiconductor layer on the substrate whilst thermal energy is fed to the substrate through the satellite
DE69938609T2 (en) EPITACTIC SUBSTRATE OF ALUMINUM GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTORS AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20120601