DE102005023653B3 - Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren - Google Patents

Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102005023653B3
DE102005023653B3 DE102005023653A DE102005023653A DE102005023653B3 DE 102005023653 B3 DE102005023653 B3 DE 102005023653B3 DE 102005023653 A DE102005023653 A DE 102005023653A DE 102005023653 A DE102005023653 A DE 102005023653A DE 102005023653 B3 DE102005023653 B3 DE 102005023653B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
primary
secondary side
diode
circuit
error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102005023653A
Other languages
English (en)
Inventor
Sacha Pawel
Reinhard Herzer
Ilja Pawel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Technische Universitaet Ilmenau
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Technische Universitaet Ilmenau
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG, Semikron Elektronik GmbH and Co KG, Technische Universitaet Ilmenau filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE102005023653A priority Critical patent/DE102005023653B3/de
Priority to JP2006127544A priority patent/JP2006333458A/ja
Priority to KR1020060040146A priority patent/KR20060121098A/ko
Application granted granted Critical
Publication of DE102005023653B3 publication Critical patent/DE102005023653B3/de
Priority to EP20060009796 priority patent/EP1727285A1/de
Priority to CNA2006100850374A priority patent/CN1870401A/zh
Priority to US11/439,839 priority patent/US7233510B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltungsanordnung, vorgestellt zur Ansteuerung von Leistungsschaltern, angeordnet in Brückenschaltung, und ein zugehöriges Verfahren. Die Primärseite dieser Schaltungsanordnung ist hierbei mit der Sekundärseite, die den TOP-Schalter ansteuert, über einen Levelshifter (44) verbunden. Weiterhin weist die Schaltungsanordnung zwischen der Primärseite und einer Sekundärseite eine Diode zur Fehlerstatusübermittlung von der Sekundärseite zur Primärseite auf. Der anodenseitige Anschluss der Diode ist mit der Primärseite und deren kathodenseitiger Anschluss mit der Sekundärseite der Treiberschaltung verbunden. Die Primärseite legt an diese Diode eine Spannung an. Bei fehlerfreiem Betrieb legt die Sekundärseite an die Kathode der Diode an "high"-Pegel (Vd) an, bei fehlerhaftem Betrieb "low"-Pegel (Vg). Der Fehlerstatus auf der Sekundärseite wird von der Primärseite dadurch erkannt, dass ein Stromfluss durch die Diode stattfindet, da sich die Sekundärseite über den geöffneten BOT-Schalter oder über den hochohmigen Widerstand annähernd auf dem Masse-Bezugspotential befindet.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine vorzugsweise integrierte Schaltungsanordnung vorgestellt zur Ansteuerung von Leistungsschaltern angeordnet in Brückenschaltung und ein zugehöriges Verfahren. Derartige Brückenanordnungen von Leistungsschaltern sind als Halb-, H- (Zweiphasen-), oder als Dreiphasenbrückenschaltungen bekannt, wobei die einphasige Halbbrücke den Grundbaustein derartiger leistungselektronischer Schaltungen darstellt. In einer Halbbrückenschaltung sind zwei Leistungsschalter, ein erster, sog. TOP-Schalter und ein zweiter sog. BOT- Schalter in einer Reihenschaltung angeordnet. Eine derartige Halbbrücke weist in der Regel eine Verbindung zu einem Gleichstromzwischenkreis auf. Die Mittelanzapfung ist typischerweise mit einer Last verbunden.
  • Bei Ausgestaltung der Leistungsschalter als ein Leistungshalbleiterbauelement oder mit als eine Mehrzahl parallel oder in Reihe geschalteter Leistungshalbleiterbauelemente ist zur Ansteuerung der Leistungsschalter eine Ansteuerschaltung notwendig. Derartige Ansteuerschaltungen bestehen nach dem Stand der Technik aus mehreren Teilschaltungen bzw. Funktionsblöcken. Das von einer übergeordneten Steuerung kommende Ansteuersignal wird in einer ersten Teilschaltung, der Primärseite, aufbereitet und über weitere Komponenten den Treiberschaltungen, den Sekundärseiten und schließlich dem Steuereingang des jeweiligen Leistungsschalters zugeführt. Bei Halbbrückenanordnungen mit höheren Zwischenkreisspannungen, beispielhaft größer 50V, wird die Primärseite zur Aufbereitung der Steuersignale potentialmäßig/galvanisch von der Sekundärseite getrennt, da sich die Leistungsschalter, zumindest der TOP- Schalter der Halbbrücke im Betrieb auf keinem konstanten Potential befinden und somit eine spannungsmäßige Isolation unumgänglich ist. Diese Trennung erfolgt nach dem Stand der Technik beispielhaft mittels Übertragern, Optokopplern, wie in der DE 197 02 134 A1 offen gelegt, bzw. Lichtwellenleitern. Diese galvanische Trennung wird zumindest für den TOP-Schalter, bei höheren Leistungen aber auch für den BOT-Schalter auf Grund eines möglichen Verrisses des Massepotentials beim Schatten ausgeführt.
  • Bekannt sind auch integrierte Schaltungsanordnungen für Leistungsschalter der Spannungsklassen bis 600V oder auch 1200V, die auf eine externe galvanische Trennung verzichten. Bei diesen monolithisch integrierte Schaltungen werden nach dem Stand der Technik so genannte Levelshifter, zumindest für den TOP- Schalter, eingesetzt, Diese elektronischen Bauelemente und Isolationstechniken überwinden somit die die Potentialdifferenz von der Primärseite zur Sekundärseite.
  • In dieser beschriebenen Ausgestaltung einer monolithisch integrierten Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungsschaltern ist zumindest in der einfachsten Konfiguration für die Sekundärseite des TOP- Schalters keine Möglichkeit gegeben zur Rückmeldung eines Fehlers an die Primärseite. Durch den Einsatz weiterer Levelshifter, wie beispielhaft in der DE 196 05 593 C2 beschrieben ist diese Fehlerrückmeldung an die Primärseite möglich.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine vorzugsweise monolithisch integrierte Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiterschalter in Brückenanordnung sowie ein zugehöriges Verfahren vorzustellen, welches eine Fehlerrückmeldung von der Sekundärseite zur Primärseite mittels einfacher und integrierbarer Mittel gestattet.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch die Maßnahmen der Merkmale der Ansprüche 1 und 4. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
  • Der erfinderische Gedanke geht aus von einer bekannten Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern in Brückentopologie bestehend aus einem primärseitigen Teil (Primärseite) und jeweils einem sekundärseitigen Teil (Sekundärseite). Die Brückenschaltung besteht aus einem ersten, dem TOP und einem zweiten den BOT-Schalter. Diese sind nach dem Stand der Technik mit einem Gleichstromzwischenkreis verbunden. Der Mittenabgriff zwischen dem TOP und dem BOT- Schalter bildet den Wechselstromausgang der Brückenschaltung. Die Schaltungsanordnung zur Ansteuerung weist auf ihrer Primärseite mindestens eine Signalverarbeitung und mindestens einen Levelshifter zur potentialfreien Ansteuerung mindestens einer Sekundärseite auf. Diese Sekundärseite weist ihrerseits mindestens eine Signalverarbeitung sowie mindestens eine Treiberstufe für den jeweiligen Schalter auf.
  • Die Erfindung stellt eine, vorzugsweise monolithisch integrierte, Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern vor, wobei zwischen der Primärseite und mindestens einer Sekundärseite eine Diode zur Fehlerstatusübermittlung von der Sekundärseite zur Primärseite angeordnet ist. Hierbei ist der anodenseitige Anschluss der Diode zur Primärseite und der kathodenseitige Anschluss zur Sekundärseite der Treiberschaltung angeordnet. Weiterhin weist die Schaltungsanordnung auf der Primärseite eine Filterung und eine Stromerfassung zur Fehlerstatuserkennung auf sowie auf der Sekundärseite eine Schaltung zur Fehlerstatusimplementierung. Diese beiden Schaltungsteile sind mit der Diode verbunden.
  • Das zugehörige Verfahren zur Fehlerübermittlung von der Sekundärseite zur Primärseite in einer Schaltungsanordnung der oben genannten Art weist auf der Primärseite eine Stromerfassung sowie vorzugsweise eine Spannungsregelung auf, die eine definierte Spannung, gleich oder kleiner als die primärseitige Betriebsspannung, an die Diode anlegt.
  • Bei fehlerfreiem Betrieb stellt die Fehlerstatusimplementierung der einem TOP Schalter zugeordneten Sekundärseite „high-" Pegel an der Kathode der Diode ein, bei fehlerhaftem Betrieb weist diese Fehlerstatusimplementierung „low-" Pegel auf. Solange die Sekundärseite eine hohe positive Offsetspannung gegenüber der Primärseite aufweist (TOP-Schalter offen), kann kein Stromfluss stattfinden (Diode gesperrt). Bei geschlossenem TOP- Schalter und geöffneten BOT- Schalter bzw. durch einen zum BOT- Schalter parallelen hochohmigen Widerstand wird die sekundärseitige Schaltung zur Fehlerstatusimplementierung auf Masse- Bezugspotential gezogen. In diesem Fall wird ein implementierter Fehlerstatus auf der Sekundärseite von der Primärseite dadurch erkannt, dass ein Stromfluss durch die nun leitende Diode möglich ist.
  • Der erfinderische Gedanke wird anhand der Ausführungsbeispiele der 1 und 2 näher erläutert.
  • 1 zeigt eine Schaltungsanordnung nach dem Stand der Technik.
  • 2 zeigt eine erfindungsgemäß weitergebildete Schaltungsanordnung.
  • 1 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern in Brückentopologie nach dem Stand der Technik. Dargestellt ist zwecks Vereinfachung nur eine Halbbrücke. Weitere Brückentopologien sind hierzu analog.
  • Bei der Ansteuerung von Leistungshalbleiterbauelementen (50, 52), wie IGBTs (insulated gate bipolar transistor), in einer Schaltungsanordnung in Brückentopologie, ist aufgrund der Spannungsdifferenz zwischen der übergeordneten Steuerung (10) beispielhaft in Form eines Mikrokontrollers (10) und der Primärseite (20) der Schaltungsanordnung einerseits und der Sekundärseite (30, 32) der Schaltungsanordnung und dem Leistungshalbleiterbauelement (50, 52) andererseits eine Potentialtrennung notwendig. Dem Stand der Technik entsprechend, sind verschiedenen Möglichkeiten der Potentialtrennung bekannt, beispielhaft Transformatoren (40, 42), Optokoppler, Lichtwellenleiter oder elektronische Bauelemente mit entsprechender Spannungsfestigkeit.
  • Bei der monolithischen Integration von Primärseite und Sekundärseite werden zur Übertragung von Steuersignalen von der Primärseite zur Sekundärseite häufig Levelshifter eingesetzt. Mit den genannten Bauelementen können Ein- und Ausschaltsignale von der Primärseite (Niederspannungsseite) auf die Sekundärseite (Hochspannungsseite) übertragen werden. Wesentlich für den störungsfreien Betrieb eines leistungselektronischen Systems ist die Kenntnis von Betriebszuständen auf der Sekundärseite, beispielhaft über die konkreten Schaltzustände des TOP- und des BOT-Schalters oder diverse Fehlerzustände.
  • Eine derartige Statusabfrage entsprechend einer Signalübertragung von der Sekundärseite zur Primärseite ist bei hybriden Lösungen mittels Transformatoren, bidirektionalen Optokopplern oder bidirektionalen Lichtwellenleitern möglich. Bei monolithisch integrierten Lösungen sind komplementäre Levelshifter, vorzugsweise unter Verwendung von pMOS- Hochspannungstransistoren, bekannt. Nachteil aller dieser genannten Lösungen ist, dass ein zusätzlicher Signalpfad mit zusätzlichen Kosten und/oder zusätzlichem Technologieaufwand realisiert werden muss.
  • 2 zeigt eine erfindungsgemäß weitergebildet, monolithisch integrierte, Schaltungsanordnung (100) zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern (50, 52) in Brückentopologie. Hierbei ist zwischen der Primärseite (20) und der Sekundärseite (30) eine Diode angeordnet. Hierbei weist diese Diode eine Spannungsfestigkeit entsprechend der maximalen Potentialdifferenz zwischen Primär- und Sekundärseite auf. Die Anode dieser Diode wird von der Primärseite mit einer Spannung gleich der oder kleiner der lokalen Betriebsspannung beaufschlagt.
  • Die dem BOT- Schalter zugeordnete Sekundärseite (32) ist ohne Potentialtrennung mit der Primärseite (20) verbunden. Bei der erfindungsgemäßen Ausgestaltung der Schaltungsanordnung und des zugehörigen Verfahrens wird von einem Schaltungsteil der Primärseite (20) überwacht, inwieweit ein Strom durch die Diode (60) fließt. Solange die Sekundärseite (30) eine hohe positive Offsetspannung gegenüber der Primärseite (20) aufweist, kann kein dauerhafter Stromfluss durch die Diode (60) stattfinden. Somit können im Normalbetrieb während der Einschaltphasen des TOP-Schalters (50) keine Statussignale von der Sekundär- (20) auf die Primärseite (30) übertragen werden. Das gleiche gilt für Fehlerzustände, während derer die Sekundärseite (30) auf hohem Offsetpotential verbleibt. Befinden sich jedoch Primär- (20) und Sekundärseite (30) auf annähernd gleichem Bezugspotential, wie es im Ansteuermodus TOP- Schalter (50) in Stellung „aus" und BOT- Schalter (52) in Stellung „ein" der Fall ist, kann ein Strom durch die Diode (60) fließen. Dieser Zustand wird im Normalbetrieb zyklisch durchlaufen.
  • Bei integrierten oder auch hybriden Systemen mit einer eigenen sekundärseitigen Energieversorgung beispielhaft über bootstrap- Dioden ist dieser Betriebszustand sogar zwingend erforderlich und kann daher verwendet werden. Ausschlaggebend ist hier das Potential am kathodenseitigen Anschluss der Diode (60). Liegt dieser auf der Betriebsspannung (Vd) der Sekundärseite (30), tritt infolge der Dimensionierung der Spannungsregelung am anodenseitigen Anschluss kein statischer Stromfluss auf. Dieser Zustand signalisiert eine fehlerfreie Funktion der Sekundärseite (30), beispielhaft einen korrekt ausgeschalteten TOP- Schalter (50). Erkennt der sekundärseitig angeordnete Gatetreiber andererseits während der Phase eines eingeschalteten TOP- Schalters (50) einen Fehler, so wird dieser Status lokal gespeichert und der sekundärseitige Anschluss der Diode (60) an das Masse- Bezugspotential (Gd) gelegt. Im Verlauf der nächst folgenden Einschaltphase des BOT- Schalters (52) fließt ein Strom durch die Diode (60) und signalisiert den erkannten Fehlerstatus der Sekundärseite (30) an die, als Stromerfassungsschaltung (22), vorzugsweise mit nachfolgender Spannungsregelung (24) ausgebildete Fehlererfassung auf der Primärseite (20).
  • Ein Rücksetzen des sekundärseitigen Fehlerspeichers kann über den nächsten TOP-Einschaltpuls erfolgen, da dieser nur erzeugt wird, wenn das System den Fehler ignoriert bzw. als behoben ansieht. Eine Spannungsregelung auf der Primärseite (20) dient der Optimierung des Störabstandes zwischen transienten Umladeströmen und Durchlassströmen der Diode (60) infolge temporärer negativer Offsetspannungen gegenüber der sicheren Signalübermittlung.
  • Im einfachsten Fall liegt die Anode der Diode (60) direkt auf dem Potential der primärseitigen Betriebsspannung. Eine Erfassung des Flusstromes kann über Widerstands-Spannungsabfälle, Auskopplung von Stromanteilen oder andere bekannte Prinzipien stattfinden. Wichtig ist eine in Analogie zum Levelshifter angepasste Filterung der auftretenden transienten Umladeströme der Diode infolge ihrer Koppelkapazität zwischen Sekundärseite (30) und Primärseite (20).
  • Zusätzlich erfolgt eine Fensterung (Zeit- Phasen- Steuerung) der aktiven Überwachungsphasen der primärseitigen Fehlererfassung auf diejenigen Ansteuermuster, die eine genügend lang vorliegende Möglichkeit der Stromauswertung zulassen. Die strukturelle Einfachheit der Schaltungsanordnung sowie der Verzicht auf aktiv geschaltete Hochspannungsbauelemente macht eine robuste Implementierung möglich. Demgegenüber erweist es sich als nachteilig, dass die Auslesephasen zeitlich begrenzt sind. Somit ist das Verfahren nicht vollkommen universell sondern nur während der Ausschaltphasen des TOP- Schalters (50) für eine Fehler-Rückübertragung geeignet. Andererseits ist somit bei sehr geringem Kostenaufwand eine Rückmeldung in das System integrierbar.
  • Generell ist die vorgeschlagene Methode anwendbar bei zyklischem Durchlaufen der Schaltzustände einer Brückenschaltung. Im beispielhaften Anwendungsfall einer Betriebsspannungsüberwachung der Sekundärseite (30) muss mittels der Dimensionierung der kapazitiven Blockung sichergestellt werden, dass die Spannung nach Unterschreiten der Betriebsspannungschwelle noch bis zur nächsten Schaltphase einen ausreichenden Wert behält. Durch die genannte Schaltungsanordnung und das zugehörige Verfahren wird der lokal zwischengespeicherte Fehlerstatus von der Sekundärseite auf die Primärseite übertragen und ein erneutes Einschalten des TOP- Schalters (50) im Fehlerfall somit vermieden.
  • Bei Schaltzuständen, bei denen beide Schalter ausgeschaltet sind, ist das Bezugspotential nicht definiert sondern schwebend, so dass keine sichere Rückübermittlung stattfinden kann. Um auch in solchen Fällen eine Fehlerübertragung zu gewährleisten wird mittels eines hochohmigen Widerstandes (70) der Wechselstromabgriff der Brückenschaltung mit dem Masse- Bezugspotential hochohmig verbunden, indem der BOT- Schalter hochohmig überbrückt wird. Bei der Dimensionierung des Widerstandes muss der Querstrom im regulären Betrieb beachtet werden. Dieser Strom soll einerseits minimal sein, andererseits aber ausreichend, um die Koppelkapazität des gesamten Brückenausganges zu entladen.

Claims (5)

  1. Schaltungsanordnung (100), vorzugsweise monolithisch integriert, zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern (50, 52) in Brückentopologie bestehend aus einer Primärseite (20) und jeweils einer Sekundärseite (30) für den TOP- (50) und den BOT-Schalter (52) der Brückenschaltung, wobei die Primärseite (20) mindestens eine Signalverarbeitung und mindestens einen Levelshifter (44) zur potentialfreien Ansteuerung mindestens einer Sekundärseite (30) aufweist und diese Sekundärseite (30) mindestens eine Signalverarbeitung sowie mindestens eine Treiberstufe für den jeweiligen Schalter aufweist, wobei zwischen der Primärseite (20) und mindestens einer Sekundärseite (30) eine Diode (60) zur Fehlerstatusübermittlung von der Sekundärseite (30) zur Primärseite (20) angeordnet ist, deren anodenseitiger Anschluss zur Primärseite (20) und deren kathodenseitiger Anschluss zur Sekundärseite (30) der Treiberschaltung angeordnet ist, diese Diode (60) auf der Primärseite (20) mit einer Filterung und einer Stromerfassung zur Fehlerstatuserkennung verbunden ist und auf der Sekundärseite (30) mit einer Schaltung zur Fehlerstatusimplementierung verbunden ist.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei der Mittenabgriff der Brückenschaltung und somit auch die Schaltung zur Fehlerstatusimplementierung mit dem Masse- Bezugspotential der gesamten Schaltungsanordnung über einen hochohmigen Widerstand (70) verbunden ist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei die Diode eine Spannungsfestigkeit entsprechend der maximalen Potentialdifferenz zwischen Primär- (20) und Sekundärseite (30) aufweist.
  4. Verfahren zur Fehlerübermittlung von der Sekundärseite (30) zur Primärseite (20) in einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei von der Primärseite (20) eine definierte Spannung, gleich oder kleiner als die dortige Betriebsspannung, an die Anode der Diode (60) angelegt wird und bei fehlerfreiem Betrieb der einem TOP- Schalter (50) zugeordneten Sekundärseite (30) mittels der Fehlerstatusimplementierungsschaltung die Kathode der Diode „high-" Pegel (Vd) aufweist, bei fehlerhaftem Betrieb mittels der Fehlerstatusimplementierung „low-" Pegel (Vg) aufweist, und bei geschlossenem TOP- Schalter (50) ein Fehlerstatus auf der Sekundärseite (30) von der Primärseite (20) dadurch erkannt wird, weil ein Stromfluss durch die Diode (60) stattfindet, da sich der sekundärseitige „low-" Pegel über den geöffneten BOT- Schalter (52) oder über den hochohmigen Widerstand (70) annähernd auf dem Masse- Bezugspotential befindet.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Stromfluss über die Diode (60) nach einer Filterung und einer Zeit- Phasen-Steuerung mittels Erfassung des Widerstandsspannungsabfalls infolge Stromfluss oder der Auskopplung von Stromanteilen ausgewertet wird.
DE102005023653A 2005-05-23 2005-05-23 Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren Expired - Fee Related DE102005023653B3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005023653A DE102005023653B3 (de) 2005-05-23 2005-05-23 Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
JP2006127544A JP2006333458A (ja) 2005-05-23 2006-05-01 故障応答機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。
KR1020060040146A KR20060121098A (ko) 2005-05-23 2006-05-03 에러 전송 장치를 구비하고 전력 반도체 스위치를 구동하기위한 회로 장치 및 이에 대한 방법
EP20060009796 EP1727285A1 (de) 2005-05-23 2006-05-12 Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
CNA2006100850374A CN1870401A (zh) 2005-05-23 2006-05-22 控制功率半导体开关的具有故障响应的电路及相应方法
US11/439,839 US7233510B2 (en) 2005-05-23 2006-05-23 Circuit configuration with error feedback for the actuation of power semiconductor switches and associated method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005023653A DE102005023653B3 (de) 2005-05-23 2005-05-23 Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005023653B3 true DE102005023653B3 (de) 2006-05-04

Family

ID=36202128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005023653A Expired - Fee Related DE102005023653B3 (de) 2005-05-23 2005-05-23 Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7233510B2 (de)
EP (1) EP1727285A1 (de)
JP (1) JP2006333458A (de)
KR (1) KR20060121098A (de)
CN (1) CN1870401A (de)
DE (1) DE102005023653B3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020122783B3 (de) 2020-09-01 2021-08-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Übertragung eines Einschaltsignals und eines Ausschaltsignals von einer Primärseite und zu einer Sekundärseite eines Treibers zum Ansteuern eines Leistungshalbleiterschalters und Treiber

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005023652B3 (de) * 2005-05-23 2006-08-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Fehlererkennung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
US7660135B2 (en) * 2007-05-23 2010-02-09 Hamilton Sundstrand Corporation Universal AC high power inveter with galvanic isolation for linear and non-linear loads
JP5303167B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-02 ローム株式会社 スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置
US9641169B2 (en) * 2015-07-31 2017-05-02 Infineon Technologies Austria Ag Conveying information between high side and low side driver

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19702134A1 (de) * 1996-01-26 1997-10-30 Int Rectifier Corp Schutzschaltung für Hochleistungs-Schalterbauteile
DE19605593C2 (de) * 1995-02-27 2002-04-18 Int Rectifier Corp MOSFET-Treiberschaltung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3472867D1 (en) * 1984-02-29 1988-08-25 Ibm Power switching circuit
US5500791A (en) * 1994-10-21 1996-03-19 General Electric Company Power distribution system for generating regulated DC output voltages using a dual active bridge converter driven from an unregulated DC source
US6522178B2 (en) * 1999-04-22 2003-02-18 International Rectifier Corporation Controlling high side devices without using level shift switches
JP3494154B2 (ja) * 2001-03-12 2004-02-03 日産自動車株式会社 パワートランジスタの駆動用電源回路
US6859087B2 (en) * 2002-10-31 2005-02-22 International Rectifier Corporation Half-bridge high voltage gate driver providing protection of a transistor
JP2004242491A (ja) * 2002-11-29 2004-08-26 Sony Corp スイッチング電源回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19605593C2 (de) * 1995-02-27 2002-04-18 Int Rectifier Corp MOSFET-Treiberschaltung
DE19702134A1 (de) * 1996-01-26 1997-10-30 Int Rectifier Corp Schutzschaltung für Hochleistungs-Schalterbauteile

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020122783B3 (de) 2020-09-01 2021-08-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Übertragung eines Einschaltsignals und eines Ausschaltsignals von einer Primärseite und zu einer Sekundärseite eines Treibers zum Ansteuern eines Leistungshalbleiterschalters und Treiber

Also Published As

Publication number Publication date
EP1727285A1 (de) 2006-11-29
CN1870401A (zh) 2006-11-29
KR20060121098A (ko) 2006-11-28
JP2006333458A (ja) 2006-12-07
US7233510B2 (en) 2007-06-19
US20060268583A1 (en) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005023652B3 (de) Schaltungsanordnung mit Fehlererkennung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
DE102006029928B3 (de) Elektronische Schalteinrichtung mit zumindest zwei Halbleiterschaltelementen
DE102016224706B4 (de) Gate-Antriebsschaltung für Halbleiterschaltgeräte
EP2070179B1 (de) Redundante stromversorgung mit diagnosefähigkeit und schutzbeschaltung
DE112014006951B4 (de) Kurzschluss-Schutzschaltung für Halbleiterelemente vom Typ mit Lichtbogen-Selbstlöschung
DE10020981B4 (de) Motor-Steuergerät mit Fehlerschutzschaltung
DE112013001123B4 (de) Leistungsschaltung
DE112013006912B4 (de) Vorrichtung zum Steuern eines Halbleiterelements mit isolierendem Gate und Leistungswandlungsvorrichtung, welche die Vorrichtung zum Steuern des Halbleiterelements mit isolierendem Gate verwendet
DE102013219975A1 (de) Gate-Ansteuerschaltung mit einer Fehlererkennungsschaltung für eine Halbleiter-Schalteinrichtung
DE4208894A1 (de) Schaltung zur ansteuerung eines spannungsgesteuerten halbleiterschalters
EP1956709A2 (de) Ansteuerschaltung mit TOP-Pegelumsetzer zur Übertragung eines Eingangssignals und zugeordnetes Verfahren
EP3281286B1 (de) Treiberschaltung, schaltungsanordnung umfassend eine treiberschaltung und wechselrichter umfassend eine schaltungsanordnung
DE102005023653B3 (de) Schaltungsanordnung mit Fehlerrückmeldung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
EP2871766B1 (de) Ansteuerschaltung für Drei-Level-Inverter
EP3455933A1 (de) Spannungswandler mit verpolungsschutzdiode
EP2871763B1 (de) Ansteuersystem zur Ansteuerung von Brückenschaltungen mit symmetrisch geerdetem Zwischenkreis
EP3918713A1 (de) Schaltungsanordnung für die ansteuerung eines inverters
DE102005025705B3 (de) Schaltungsanordnung mit Fehlerübermittlung und zugehöriges Verfahren zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern
DE102018107474B4 (de) Steuereinrichtung für einen Leistungshalbleiterschalter
DE102019127798A1 (de) Elektronische schaltung mit zwei spannungsversorgungsschaltungen
AT523936A4 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern eines halbleiterschalters
DE102010046539A1 (de) Schaltungsanordnung zum Betrieb einer Kaskodenschaltung
DE102019214539A1 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern von mehreren parallel geschalteten Halbleiterschaltern
WO2019063308A1 (de) Optimierte kaskodenhalbbrücke
DE102013213028B3 (de) Schaltungsanordnung zum Schalten externer Lasten mit Schutzschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee