DE102005014167A1

DE102005014167A1 - Treiberschutzschaltung

Info

Publication number: DE102005014167A1
Application number: DE200510014167
Authority: DE
Inventors: Ralf Abel
Original assignee: HKR Climatec GmbH
Current assignee: HKR Automotive GmbH
Priority date: 2005-03-29
Filing date: 2005-03-29
Publication date: 2006-10-05
Anticipated expiration: 2025-03-30
Also published as: DE102005014167B4

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schutzschaltung und ein Ansteuerverfahren zum Ansteuern eines Schaltmittels (30), wobei ein Schaltzustand des Schaltmittels (30) im Ansprechen auf einen Schaltvorgang erfasst wird und der Schaltvorgang im Ansprechen auf ein Feststellen eines fehlerhaften Schaltzustands als Ergebnis des Erfassungsschritts abgebrochen werden kann. Durch diese Maßnahme kann eine Überlastung des Schaltmittels (30) bei Auftreten eines fehlerhaften Schaltzustands, bspw. durch einen Kurzschluss in der Ansteuerung, vermieden werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schutzschaltung zur Vermeidung einer Überlastung in einer Schaltstufe, und ein Verfahren zum Ansteuern eines Schaltmittels, wie bspw. ein MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Leistungsschalter oder Leistungshalbleiter wie bspw. Transistoren, MOSFETs, IGBTs (Isolated Gate Bipolar Transistors) usw., werden typischerweise in Endstufen für Netzteile, Lastschaltungen oder Motorsteuerungen eingesetzt. MOS-FETs und IGBTs enthalten ein kapazitiv angesteuertes Gate, durch welches der Elektronenstrom in einem Kanal gesteuert wird. Hierbei treten lediglich geringe Speicherladungseffekte auf, so dass prinzipiell Schaltfrequenzen bis in den hohen MHz-Bereich möglich sind. Die kapazitive Ansteuerung erfordert dabei allerdings doch erhebliche Steuerströme.

2 zeigt ein Beispiel einer herkömmlichen Schaltstufe mit einer MOSFET-Schalteinrichtung 30 als Schaltmittel, die einen MOSFET als Einzelschaltelement oder auch als Eingangselement einer Schaltung mit einer Vielzahl von weiteren MOSFETs oder anderen Transistorarten und sonstigen elektronischen Bauelementen enthalten kann.

Die in 2 gezeigte Schaltung kann durch auf einer Schaltplatine diskret angeordnete Bauelemente oder auch als monolithisch integrierte Schaltung, wie bspw. ein ASIC (Application Specific Integrated Circuit), realisiert sein.

Die MOSFET-Schalteinrichtung 30 schaltet einen einem Lastwiderstand R_L zugeführten Laststrom I_L, der wiederum aus einer Gleichspannungsquelle 70 mit einer Ausgangsspannung U_b zugeführt wird. An einem Steueranschluss der MOSFET-Einrichtung 30 ist eine Umschalteinrichtung 20 vorgesehen, die zum Umschalten dient zwischen einer Ausschaltspannung U_ref, die einer geringen Spannung wie bspw. 0V entsprechen kann, und einer Einschaltspannung U_P, die größer ist als die Versorgungsspannung U_b. Die Umschalteinrichtung 20 ist ausgestaltet zum selektiven Anlegen entweder der Einschaltspannung U_p oder der Ausschaltspannung U_ref an den Steueranschluss, d.h. an das Gate im Falle der vorliegenden MOSFET-Einrichtung 30. Der Wert der überhöhten Einschaltspannung U_p kann bspw. um 10V höher sein als der Wert der Versorgungsspannung U_b.

Zur Erzeugung der überhöhten Einschaltspannung ist eine Spannungserhöhungsschaltung 10 vorgesehen, die bspw. eine Spannungsvervielfachungsschaltung, wie bspw. eine Bootstrap-Schaltung oder eine Pumpschaltung mit Kondensatoren, aufweisen kann. Für die in der Spannungserhöhungseinrichtung 10 erzeugte Spannungsüberhöhung sind nur kleine Dauerströme notwendig, so dass die Spannungserhöhungseinrichtung 10 typischerweise nur begrenzt belastbar ist.

Tritt während des Betriebs der in 2 gezeigten Ansteuer- oder Treiberschaltung ein Fehlerzustand auf, so wird die MOSFET-Schalteinrichtung 30 über die Umschalteinrichtung 20 ausgeschaltet. Das Ausschalten geschieht üblicherweise mit einem hohen Gatestrom I_G, z.B. 1A. Da dieser hohe Gatestrom I_G im Normal fall nur kurz fließt, ist der von der Spannungserhöhungseinrichtung 10 zu liefernde mittlere Dauerstrom lediglich gering, z.B. 20mA.

Tritt aber ein Kurzschluss, bspw. in der Umschalteinrichtung 20 zwischen dem Ausgangsanschluss der Spannungserhöhungseinrichtung 10 und dem Gateanschluss der MOSFET-Einrichtung 30 auf (wie durch die gestrichelte Linie im Block 20 dargestellt ist), so wird beim Ausschalten der MOSFET-Einrichtung 30 die Spannungserhöhungseinrichtung 10 überlastet, da ein Dauerstrom fließt.

3 zeigt ein Schaltungsbeispiel für die Spannungserhöhungseinrichtung 10 als Pumpschaltung mit einer Kondensatoren-Dioden-Kombination und einem Rechteckgenerator. Wie aus der Schaltungskonfiguration gemäß 3 hervorgeht, klemmen die Dioden der Pumpschaltung die Ausgangsspannung U_p der Schalterhöhungseinrichtung 10 auf einen Wert U_b-2U_F, wobei U_F der Flussspannung oder Durchlassspannung einer Diode entspricht. Dies hat zur Folge, dass die an dem Gate der MOSFET-Einrichtung 30 anliegende Gate-Spannung im Fehlerzustand auf einen Wert von bspw. 11V (bspw. bei einem Kraftfahrzeugversorgungssystem) geklemmt wird, was zur Folge hat, dass die MOSFET-Einrichtung 30 nicht vollständig durchgeschaltet ist, aber noch ein hoher Laststrom I_L fließt. Dies wiederum führt zu einer Verlustleistung, die wesentlich höher ist als im Normalbetrieb. Die MOSFET-Einrichtung 30 wird dadurch überhitzt, was zu einer Beschädigung der MOSFET-Einrichtung 30 oder ihrer Schaltungsumgebung führen kann.

Mögliche Ursachen für den als punktierte Linie im Block 20 dargestellten Kurzschluss kann bspw. ein kleines Metallteil, wie bspw. ein Span odgl., in der Umschalteinrichtung 20 oder eine Schädigung des Schalters in der Umschalteinrichtung 20 sein.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Treiberschutzschaltung und ein Verfahren zum Ansteuern eines Schaltmittels bereitzustellen, durch die eine Überlastung durch den vorgenannten oder einen ähnlichen Betriebsfehler vermieden werden kann.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Schutzschaltung nach Anspruch 1 und durch ein Ansteuerverfahren nach Anspruch 16.

Erfindungsgemäß wird der Schaltzustand des Schaltmittels, z.B. des MOSFETs, im Ansprechen auf einen Schaltvorgang erfasst, und der Schaltvorgang wird im Ansprechen auf das Feststellen eines fehlerhaften Schaltzustands abgebrochen. Ist die Steuerspannung des Schaltmittels nach einem Umschaltvorgang nicht in dem für den gewünschten Schaltzustand erforderlichen Strom- bzw. Spannungsbereich, so wird eine Fortführung des Schaltvorgangs abgebrochen oder unterdrückt. Dadurch wird eine Schädigung des Schaltmittels oder seiner Schaltungsumgebung vermieden.

Das Abbrechen des Schaltvorgangs kann bspw. durch Unterdrückungsmittel zum Unterdrücken des Schaltvorgangs im Ansprechen auf das Erfassen eines fehlerhaften Schaltzustands erfolgen. Diese Unterdrückungsmittel können bspw. ausgestaltet sein zum selektiven Verringern eines dem Schaltmittel zugeführten Steuersignals. Im Einzelnen kann dies durch einen steuerbaren Widerstand erreicht werden, der einen dem Schaltmittel zugeführten Steuerstrom selektiv verringert. Vorzugsweise ist der verringerte Steuerstrom kleiner als ein zulässiger Dauerstrom einer den Steuerstrom liefernden Spannungsquelle.

Diese Spannungsquelle kann bspw. durch ein Spannungserhöhungsmittel zum Erhöhen einer durch das Schaltmittel geschalteten Versorgungsspannung realisiert werden, wobei das Steuermittel ausgestaltet ist zum Abschalten des Schaltmittels durch selektives Zuführen der erhöhten Versorgungsspannung an einen Steuereingang des Schaltmittels. Das Spannungserhöhungsmittel kann eine Ladungspumpe oder eine Bootstrap-Schaltung aufweisen. Vorzugsweise ist das Steuermittel ausgestaltet zum Einschalten des Schaltmittels durch selektives Zuführen einer gegenüber der erhöhten Versorgungsspannung kleineren Einschaltspannung. Im einzelnen kann das Steuermittel bspw. ein Umschaltmittel umfassen zum selektiven Verbinden des Steuereingangs des Schaltmittels entweder mit einem Ausgang des Spannungserhöhungsmittels oder mit einem Masseanschluss.

Ferner kann das Erfassungsmittel kausgestaltet sein zum Erfassen einer Spannung an einem Steueranschluss des Schaltmittels oder eines durch das Schaltmittel fließendend Stroms. Dabei kann die Feststellung des fehlerhaften Schaltzustands durch das Erfassungsmittel dann erfolgen, wenn zumindest ein Wert des erfassten Stroms oder der erfassten Spannung von einem vorbestimmten Wert in einer vorbestimmten Richtung abweicht. Als Beispiel kann das Erfassungsmittel vorzugsweise ausgestaltet sein zum Durchführen eines Erfassungsvorgangs nach Ablauf einer vorbestimmten Zeitdauer nach Einleiten eines Schaltvorgangs durch das Steuermittel. Diese vorbestimmte Zeitdauer kann bspw. durch ein Zeitgebermittel festgelegt sein. Dieses Zeitgebermittel kann bspw. zumindest einen Kondensator aufweisen, der mit einem vorbestimmten Ladestrom geladen oder entladen wird.

Der fehlerhafte Strom kann insbesondere dann festgestellt werden, wenn die Spannung an einem Steueranschluss des Schaltmittels oder der Strom durch das Schaltmittel einen vorbestimmten Wert überschreiten.

Der Schritt des Abbrechens des Schaltvorgangs kann somit einen Schritt des Unterbrechens oder ausreichenden Verringerns eines dem Schaltmittel zugeführten Steuerstroms umfassen.

Vorteilhafte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den Merkmalen der abhängigen Ansprüche aufgeführt.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungsfiguren näher erläutert. Es zeigen:
1 ein schematisches Blockschaltbild einer Schutzschaltung nach dem bevorzugten Ausführungsbeispiel;
2 ein schematisches Blockschaltbild einer herkömmlichen Ansteuerschaltung gemäß dem Stand der Technik;
3 ein schematisches Schaltungsdiagramm einer in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel verwendeten Ladungspumpenschaltung; und
4 ein Zeitdiagramm charakteristischer Spannungs- und Stromsignale in der Schaltung gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel.
Es erfolgt eine nähere Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand einer Schutzschaltung für eine Ansteuerung einer MOSFET-Einrichtung 30 als Beispiel für ein beliebiges Schaltmittel.
Die bereits in Verbindung mit der herkömmlichen in 2 gezeigten Schaltung beschriebenen Blöcke 10, 20, 30 und 70 und deren Funktion und Realisationsmöglichkeiten sind im Wesentlichen identisch und werden hier nicht nochmals näher beschrieben.
Zur Bereitstellung einer Schutzfunktion für die in Verbindung mit der herkömmlichen Schaltung beschriebene Überlastungsproblematik wird eine Unterdrückungseinrichtung 40 bereitgestellt, die den aus der Spannungserhöhungseinrichtung 10 gelieferten Strom unterdrückt bzw. zumindest auf einen ausreichenden Wert verringert, so dass die MOSFET-Einrichtung 30 auch bei Auftreten eines Kurzschlusses in der Umschalteinrichtung 20 in einem zulässigen Betriebszustand verbleibt. Vorzugsweise ist die Unterdrückungseinrichtung 40 so ausgestaltet, dass sie den der Spannungserhöhungseinrichtung 10 entnommen und der MOSFET-Schalteinrichtung 30 zugeführten Gatestrom I_G auf einen Wert verringert, der zumindest kleiner ist als ein zulässiger Dauerstrom der Spannungserhöhungseinrichtung 10.
Die Ansteuerung der Unterdrückungseinrichtung 40 erfolgt durch eine Fehlererfassungseinrichtung 50, die den durch die MOSFET-Einrichtung 30 fließenden Laststrom I_L bspw. mittels einer Stromerfassungseinrichtung 70, wie bspw. ein Mess- oder Shuntwiderstand, und/oder die Gatespannung U_G am Gate des MOSFETs der MOSFET-Einrichtung 30 erfasst und auswertete. Die Auswertung kann bspw. durch Vergleich mit einem für den betreffenden Schaltzustand cha rakteristischen Grenzwert erfolgen. Wird dieser Grenzwert je nach Schaltzustand überschritten bzw. unterschritten, so erfolgt eine entsprechende Ansteuerung der Unterdrückungseinrichtung 40 zur entsprechenden Verringerung des Gatestroms I_G, so dass der Schaltvorgang abgebrochen wird.
Die Fehlererfassungseinrichtung 50 kann durch eine Komparatorschaltung mit entsprechenden Referenzwerten für die beiden Schaltzustände gebildet sein, wobei die Feststellung eines fehlerhaften Schaltzustands entweder auf der erfassten Größe des Laststroms I_L oder der erfassten Größe der Gatespannung U_G oder auf auch auf beiden Größen basieren kann. Die Unterdrückungseinrichtung 40 kann als steuerbarer Widerstand bspw. durch ein steuerbares Halbleiterelement wie bspw. ein Transistor oder eine komplexere Schaltung mit steuerbarem Widerstand oder steuerbarem Ausgangsstrom gebildet sein.
Der Zeitpunkt der Erfassung des Schaltzustands durch die Fehlererfassungseinrichtung 50 kann durch eine Zeitgeberschaltung 60 wie bspw. ein Timer festgelegt werden, der eine vorbestimmte Zeitdauer nach Initiierung des Umschaltvorgangs der Umschalteinrichtung 20 ein Steuersignal an die Fehlererfassungseinrichtung 50 abgibt. Hierzu kann ein der Umschalteinrichtung 20 zugeführtes Steuersignal auch der Zeitgeberschaltung 60 zugeführt sein und diese triggern.
Im Einzelnen kann die Zeitfunktion der Zeitgebereinrichtung 60 bspw. dadurch realisiert werden, dass ein Kondensator mit einem vorbestimmten Entladestrom von einem vorbestimmten ersten Spannungswert wie bspw. 2V auf einen vorbestimmten zweiten Spannungswert wie bspw. 0,5V entladen wird, oder umgekehrt. Als Beispiel kann der Wert des Kondensators bspw. 3,3μF und des Wert des Entladestroms bspw. 30μA betragen. Als Alternative kann die Zeitfunktion auch so gesteuert sein, dass die Zeitgebereinrichtung 60 erst bei Erfassen eines fehlerhaften Zustands durch die Fehlererfassungseinrichtung 50 aktiviert wird und dann die Zeitfunktion einleitet, so dass eine Ansteuerung der Unterdrückungseinrichtung 40 nach Ablauf der vorbestimmten Zeitdauer erfolgt, sofern der fehlerhafte Zustand weiterhin vorliegt.
Der Abschaltstrom am Gate der MOSFET-Einrichtung 30 kann bspw. bis zu 500mA betragen. Wird der Fehlerzustand erkannt, so kann die Unterdrückungseinrichtung 40 den Gatestrom I_G auf 3mA verringern, so dass die MOSFET-Einrichtung 30 in einem zulässigen Zustand oder Arbeitspunkt gehalten und eine Überlastung vermieden wird. Da die bspw. als Ladungspumpenschaltung ausgestaltete Spannungserhöhungseinrichtung 10 typischerweise einen Dauerstrom von mehr als 10mA liefern kann, bleibt die Gate-Spannung U_G damit erhalten.
Die beim Einschaltzustand der MOSFET-Einrichtung 30 zugeführte Referenzspannung U_ref kann eine gegenüber der erhöhten Spannung U_p verringerte Spannung oder einen Wert von 0V aufweisen, wobei der Referenzspannungsanschluss dann mit Massepotential verbunden sein kann.
Im Ergebnis wird ein Ausschalten der MOSFET-Einrichtung 30 vermieden, wenn die Gate-Spannung bzw. Gate-Source-Spannung des MOSFETs der MOSFET-Einrichtung 30 nach der vorbestimmten Zeitdauer, die der Ausschaltvorgang benötigt, nicht im gewünschten Ausschaltbereich liegt. Dabei wird der Ausschaltstrom bspw. durch Erhöhung des durch die Unterdrückungsschaltung 40 gebildeten Widerstands reduziert, bspw. auf weniger als 5mA oder auf 0mA, so dass die MOSFET-Einrichtung 30 dann in einem zulässigen Arbeitspunkt arbeiten kann und nicht geschädigt wird. Nachdem der Kurzschluss beseitigt ist, kann der verringerte Strom die MOSFET-Einrichtung 30 dann ausschalten.
Die Erfassung, ob die MOSFET-Einrichtung 30 den Abschaltzustand erreicht hat, kann bspw. bei Feststellung einer Gate-Source-Spannung von mehr als 1V erfolgen, was einer absoluten Gatespannung von bspw. mehr als 3V entspricht. Als Alternative kann auch eine Messung relativ zur Versorgungsspannung U_b erfolgen, wobei die Differenz zwischen der Versorgungsspannung U_b und der Gate-Source-Spannung U_GS dann als fehlerhaft erachtet wird, wenn sie mehr als –3V beträgt. Bei Auswertung des durch die MOSFET-Einrichtung 30 fließenden Laststroms I_L kann ein Wert größer als bspw. 1A als Hinweis auf einen fehlerhaften Ausschaltzustand gewertet werden. Die durch die Zeitgebereinrichtung 60 vorgegebene Zeitdauer kann bspw. 2μs betragen.
4 zeit ein schematisches Zeitdiagramm der an der Schutzschaltung gemäß 1 anliegenden Spannungs- bzw. Stromsignale. Die mit dem Index „f" gekennzeichneten Signalgrößen entsprechen dabei dem Signalverlauf bei Auftreten eines fehlerhaften Ausschaltzustands.
Die in 4 durchgezogen dargestellte Linie entspricht der Gatespannung U_G im Falle eines normalen Ausschaltvorgangs ohne Abbruch. Zum Zeitpunkt t1 wird der Gatestrom IG durch Umschalten anhand der Umschalteinrichtung 20 in negativer Richtung erhöht und führt zum Einleiten eines Ausschaltvorgangs. Bei Vorliegen eines Kurzschlusses zwischen der Unterdrückungseinrichtung 40 und dem Gateanschluss der MOSFET-Einrichtung 30 ergibt sich ein fehlerhafter Spannungsverlauf der Gatespannung U_G bzw. der Gate-Source-Spannung U_GS dahingehend, dass die Spannungen aufgrund der Überlastung der Spannungserhöhungseinrichtung 10 auf einen Wert unterhalb der Versorgungsspannung U_b sinken, was durch den an der Spannungserhöhungseinrichtung 10 abfallenden Durchlassspannung verursacht wird. Dieser fehlerhafte Ausschaltvorgang wird nach Ablauf der durch die Zeitgebereinrichtung 60 vorbestimmten Zeitdauer im Zeitpunkt t2 durch die Fehlererfassungseinrichtung 50 erkannt und dadurch abgebrochen, dass ein entsprechendes Steuersignal an die Unterdrückungseinrichtung 40 abgegeben wird, die den Gatestrom I_G auf einen ausreichend geringen Wert reduziert und die MOSFET-Einrichtung 30 damit in einem zulässigen Bereich hält.
Eine Überlastung der MOSFET-Einrichtung 30 oder der übrigen Schaltelemente kann dadurch zuverlässig vermieden werden.
Es ist anzumerken, dass die vorgeschlagene Schutzwirkung auch im Falle einer Überlastung der MOSFET-Einrichtung 30 im Einschaltzustand greifen kann, da auch dann die Erfassungseinrichtung 50 bei entsprechendem Vergleich mit zulässigen Grenzwerten für die Gatespannung U_G und/oder den Laststrom I_L eine entsprechende Ansteuerung der Unterdrückungseinrichtung 40 vornehmen kann. Die Unterdrückungseinrichtung 40 kann auch parallel zum Gateanschluss der MOSFET-Einrichtung 30 angeordnet sein, wobei dann eine Verringerung der Gatespannung U_G bzw. des Gatestroms I_G durch entsprechenden erhöhten Stromabfluss am Gate erfolgen kann.
Wie bereits erwähnt, kann die Schutzschaltung sowohl diskret als auch integriert bspw. als ASIC aufgebaut sein. Als zu schützendes Schaltmittel sind jegliche vor Überlastung zu schützende elektronische Schaltelemente oder Schaltungskomponenten denkbar. Die vorliegende Erfindung ist somit nicht auf das Ausführungsbeispiel beschränkt.

Claims

Schutzschaltung zur Vermeidung einer Überlastung in einer Schaltstufe, wobei die Schutzschaltung umfasst: a) Erfassungsmittel (50) zum Erfassen eines Schaltzustands eines Schaltmittels (30) der Schaltstufe; b) Steuermittel (20) zum Versetzen des Schaltmittels (30) in einen vorbestimmten Schaltzustand; und c) Unterdrückungsmittel (40) zum Abbrechen eines Schaltvorgangs im Ansprechen auf das Erfassen eines fehlerhaften Schaltzustands durch das Erfassungsmittel (50).
Schutzschaltung nach Anspruch 1, des Weiteren umfassend Spannungserhöhungsmittel (10) zum Erhöhen einer durch das Schaltmittel (30) geschalteten Versorgungsspannung, wobei das Steuermittel (20) ausgestaltet ist zum Abschalten des Schaltmittels (30) durch selektives Zuführen der erhöhten Versorgungsspannung an einen Steuereingang des Schaltmittels (30).
Schutzschaltung nach Anspruch 2, wobei das Spannungserhöhungsmittel (10) eine Ladungspumpenschaltung oder eine Bootstrap-Schaltung aufweist.
Schutzschaltung nach Anspruch 2 oder 3, wobei das Steuermittel (20) ausgestaltet ist zum Einschalten des Schaltmittels (30) durch selektives Zuführen einer gegenüber der erhöhten Versorgungsspannung kleineren Einschaltspannung.
Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das Steuermittel ein Umschaltmittel (20) aufweist zum selektiven Verbinden des Steuereingangs des Schaltmittels (30) entweder mit einem Ausgang des Spannungserhöhungsmittels (10) oder mit einem Masseanschluss.
Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Erfassungsmittel (50) ausgestaltet ist zum Erfassen einer Spannung an einem Steueranschluss des Schaltmittels (30) oder eines durch das Schaltmittel (30) fließenden Stroms.
Schutzschaltung nach Anspruch 6, wobei das Erfassungsmittel (50) ausgestaltet ist zum Feststellen des fehlerhaften Schaltzustands wenn zumindest ein Wert des erfassten Stroms oder der erfassten Spannung von einem vorbestimmten Wert in einer vorbestimmten Richtung abweicht.
Schutzschaltung nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Erfassungsmittel (50) ausgestaltet ist zum Durchführen eines Erfassungsvorgangs nach Ablauf einer vorbestimmten Zeitdauer nach Einleiten eines Schaltvorgangs durch das Steuermittel (20).
Schutzschaltung nach Anspruch 8, des Weiteren umfassend Zeitgebermittel (60) zum Festlegen der vorgegebenen Zeitdauer.
Schutzschaltung nach Anspruch 9, wobei das Zeitgebermittel (60) zumindest einen Kondensator aufweist, der mit einem vorbestimmten Ladestrom geladen oder entladen wird.
Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei das Erfassungsmittel (50) ausgestaltet ist zum Feststellen eines fehlerhaften Ausschaltzustands, wenn die Spannung an einem Steueranschluss des Schaltmittels (30) oder der Strom durch das Schaltmittel (30) einen vorbestimmten Wert überschreiten.
Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Unterdrückungsmittel (40) ausgestaltet ist zum selektiven Verringern eines dem Schaltmittel (30) zugeführten Steuersignals.
Schutzschaltung nach Anspruch 12, wobei das Unterdrückungsmittel (40) einen steuerbaren Widerstand aufweist zum selektiven Verringern eines dem Schaltmittel (30) zugeführten Steuerstroms.
Schutzschaltung nach Anspruch 13, wobei der verringerte Steuerstrom kleiner ist als ein zulässiger Dauerstrom einer den Steuerstrom liefernden Spannungsquelle (10).
Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Schaltmittel (30) ein MOSFET ist.
Verfahren zum Ansteuern eines Schaltmittels (30), mit den Schritten: a) Erfassen eines Schaltzustands des Schaltmittels (30) im Ansprechen auf einen Schaltvorgang; und b) Abbrechen des Schaltvorgangs im Ansprechen auf ein Feststellen eines fehlerhaften Schaltzustands als Ergebnis des Erfassungsschritts.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei der Schritt des Abbrechens einen Schritt des Unterbrechens oder Verringerns eines dem Schaltmittel (30) zugeführten Steuerstroms umfasst.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei der Schritt des Erfassens des Schaltzustands basiert auf einer Erfassung der Steuerspannung des Schaltmittels (30) oder des durch das Schaltmittel (30) fließenden Stroms.