DE102005010969A1 - Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation - Google Patents
Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005010969A1 DE102005010969A1 DE200510010969 DE102005010969A DE102005010969A1 DE 102005010969 A1 DE102005010969 A1 DE 102005010969A1 DE 200510010969 DE200510010969 DE 200510010969 DE 102005010969 A DE102005010969 A DE 102005010969A DE 102005010969 A1 DE102005010969 A1 DE 102005010969A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light beam
- measuring
- plate
- plane according
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 title description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
Vorgestellt
werden ein Verfahren und ein Gerät
zur Messung der Position eines Lichtbündels (
Die
Platte besteht aus einem Material, das entsprechend einer ersten
Ausführung
der Erfindung das Primärlichtbündel ganz
oder teilweise absorbiert und in Photolumineszenzstrahlung insbesondere Fluoreszenzstrahlung
(
In
einer zweiten Ausführung
der Erfindung wird das Primärlichtbündel (
In
beiden Varianten der Erfindung befinden sich den Kanten (
Die
auf die Plattenkanten (
Als
Sensorelemente (
Zur Positionsbestimmung des Primärlichtbündels kann es ausreichend sein, mehrere Sensorelemente elektrisch zusammenzuschalten und gemeinsam auszuwerten. Beispielsweise können Solarzellen, die sich an einer Kante befinden, alle parallelgeschaltet und gemeinsam ausgewertet werden. Dies ergibt pro Kante ein elektrisches Signal.to Position determination of the primary light beam can it may be sufficient to interconnect several sensor elements electrically and evaluate together. For example, solar cells that can become located on one edge, all connected in parallel and evaluated together become. This gives an electrical signal per edge.
Eine
andere Möglichkeit
der Auswertung besteht darin, durch Auswertung der elektrischen
Signale mehrerer an einer Kante (z. B. an der linken zur y-Richtung
parallelen Kante in
Auch zeitaufgelöste Messungen sind möglich. Die Grenzfrequenz des Systems ist in erster Linie durch die Grenzfrequenz der verwendeten Sensoren gegeben. Bei Fotodioden oder Solarzellen als Sensorelemente ist die Sperrschichtkapazität die limitierende Größe.Also time-resolved Measurements are possible. The cutoff frequency of the system is primarily due to the cutoff frequency given the sensors used. For photodiodes or solar cells the barrier layer capacitance is the limiting factor as sensor elements.
Als
Sensorelemente sind auch CCD- oder CMOS-Zeilensensoren (
In
einer vereinfachten Ausführung
der Erfindung kann die Platte auch als langer, schmaler Streifen
oder Balken gestaltet sein, bei dem die Sensorelemente (
BESCHREIBUNG DER ABBILDUNGENDESCRIPTION OF THE FIGURES
In
In
Die
in
Ein bekanntes Verfahren zur Messung der Position eines Lichtbündels in einer Ebene besteht darin, dass in diese Ebene eine Platte in Form einer quadratischen großflächigen Fotodiode angebracht wird. Die Kontaktierung der dem Primärlichtbündel zugewandten Halbleiterschicht (in der Regel die p-dotierte Schicht) erfolgt über vier streifenförmige Elekroden. die entlang den Plattenkanten verlaufen. Die Halbleiterschicht hat einen bestimmten, konstanten Flächenwiderstand, und der vom primärlichtbündel erzeugte Strom verteilt sich nach der Stromteilerregel auf die vier Kontaktelektroden. Die dem primärlichtbündel am nächsten liegende Elektrode erhält den größten Stromanteil. Derartige Bauelemente sind als Lateraleffekt-Fotodioden oder Positionsdioden (PSD, position sensitive diode) bekannt.One Known method for measuring the position of a light beam in One level is that in this level a plate in shape a square large-area photodiode is attached. The contacting of the semiconductor light beam facing the semiconductor layer (usually the p-doped layer) via four strip-shaped electrodes. which run along the edges of the plate. The semiconductor layer has a certain, constant sheet resistance, and the one generated by the primary light beam Electricity is distributed according to the current divider rule on the four contact electrodes. The primary beam at the next lying electrode receives the largest proportion of electricity. Such devices are as lateral effect photodiodes or position diodes (PSD, position sensitive diode) known.
Bei konstantem Flächenwiderstand erhält man einen linearen Zusammenhang zwischen den an den einzelnen Elektroden messbaren Kurzschlussströmen und der Position des primärlichtbündels. Bedingung für Linearität ist außerdem, dass der Strom erhalten bleibt, d. h. dass keine Ladungsträger durch Rekombination verloren gehen. Dies wird dadurch erreicht, dass diese Dioden als pin-Dioden aufgebaut sind, was die Rekombinationsverluste minimiert. Da alle Stromsignale proportional zum Strahlungsfluss des primärlichtbündels sind, können die Ströme so miteinander verrechnet werden, dass das errechnete Positionssignal unabhängig vom Strahlungsfluss des primärlichtbündels ist, d. h. Leistungsschwankungen der Lichtquelle spielen keine Rolle.at constant sheet resistance you get a linear relationship between the at the individual electrodes measurable short-circuit currents and the position of the primary light beam. condition for linearity is also that the electricity is maintained, d. H. that no charge carriers through Lost recombination. This is achieved by having these Diodes are constructed as pin diodes, what the recombination losses minimized. Since all current signals are proportional to the radiation flux of the primary light beam, can the streams be calculated so that the calculated position signal independently from the radiation flux of the primary light beam, d. H. Power fluctuations of the light source are irrelevant.
Derartige Sensoren sind in quadratischer Form als zweidimensionale Positionssensoren mir passender Auswerteelektronik von mehreren Herstellern erhältlich (z. B. SiTek Electro Optics). Es gibt sie auch in Form langer, schmaler Streifen zur eindimensionalen Positionsbestim mung. Seit kurzem sind Positionssensoren auch in Form von großflächigen Fototransistoren erhältlich (SiTek Electro Optics). Diese sind deutlich lichtempfindlicher als Fotodioden.such Sensors are in square form as two-dimensional position sensors suitable evaluation electronics available from several manufacturers (eg. SiTek Electro Optics). They are also in the form of long, narrower ones Strip for one-dimensional position determination. Recently, position sensors also in the form of large-area phototransistors available (SiTek Electro Optics). These are much more sensitive to light than Photodiodes.
Die Vorteile dieser Lateraleffekt-Fotodioden bestehen darin, dass sie bei konstantem Flächenwiderstand sehr linear arbeiten und damit sehr genaue Positionsmessungen ermöglichen. Die Position des Leistungsschwerpunkts des primärlichtbündels kann mit einer Genauigkeit von wenigen Mikrometern bestimmt werden, wobei die örtliche Verteilung der Bestrahlungsstärke im dem durch das Primärlichtbündel erzeugten Lichtfleck praktisch keine Rolle spielt. Die Auswertung der zwei oder vier Stromsignale ist relativ einfach und kann analog-elektronisch oder digital erfolgen.The Advantages of these lateral effect photodiodes are that they at constant sheet resistance work very linearly and thus allow very accurate position measurements. The position of the power center of the primary beam can be accurate be determined by a few micrometers, with the local Distribution of irradiance in the generated by the primary light beam Light spot plays virtually no role. The evaluation of the two or four current signals is relatively simple and can be analog-electronic or digitally.
Die Nachteile der Lateraleffekt-Fotodioden bestehen darin, dass diese hohe Auswertegenauigkeit nur erreicht werden kann, wenn der Flächenwiderstand der p-Schicht sehr konstant gehalten wird. Die Herstellung ist demnach sehr aufwendig und teuer. Wegen der geforderten Gleichmäßigkeit der p-Schicht und der mit der Größe zunehmenden Probleme mir Ladungsträger-Rekombination können diese Bauelemente auch nicht beliebig Groß gemacht werden (maximal ca. 40 mm x 40 mm). Insbesondere ist es nicht möglich, einen ganzen Silizium-Wafer in einen Positionssensor umzuwandeln. Dies bedeutet, dass der Messbereich dieser Sensoren sehr begrenzt ist. Da die Sensorfläche etwa der benötigten Waferfläche entspricht. spielen auch die Materialkosten des Wafers eine große Rolle für die Herstellungskosten des Sensors. Mit zunehmender Sensorfläche steigt die Ausschussquote überproportional; damit steigen auch die Herstellungskosten überproportional.The disadvantages of the lateral effect photodiodes are that this high evaluation accuracy can only be achieved if the sheet resistance of the p-layer is kept very constant. The preparation is therefore very complicated and expensive. Because of the required uniformity of the p-layer and the increasing problems with the size of the recombiner, these components can not be made arbitrarily large (maximum about 40 mm x 40 mm). In particular, it is not possible to convert an entire silicon wafer into a position sensor. This means that the measuring range of these sensors is very limited. Since the sensor surface corresponds approximately to the required wafer area. The material costs of the wafer also play a major role in the manufacturing costs of the sensor. As the sensor area increases, the reject rate increases disproportionately; thus the production costs rise disproportionately.
Ein anderes bekanntes Verfahren zur Messung der Position eines Lichtbündels in einer Ebene besteht darin, dass in diese Ebene eine Platte in Form eines CCD- oder CMOS-Sensors angebracht wird, wie er in Videokameras verwendet wird. Die Auflösung ist durch die Pixelgröße des Sensors (wenige Mikrometer) bestimmt. Die Positionsbestimmung des Primärlichtbündels erfolgt durch Auswertung des Bildsignals, das dieser Sensor liefert. Derartige Sensoren sind hauptsächlich in eindimensionaler Ausführung, d. h. als CCD- oder CMOS-Zeilensensor, gebräuchlich, können aber in dieser Ausführung mehrere cm lang sein und mehr als 10 000 Bildelemente (Pixel) besitzen. Damit sind genaue und schnelle Positionsmessungen möglich.One Another known method for measuring the position of a light beam in One level is that in this level a plate in shape a CCD or CMOS sensor, as in video cameras is used. The resolution is due to the pixel size of the sensor (a few microns) determined. The position determination of the primary light beam takes place by evaluating the image signal that this sensor provides. such Sensors are mainly in one-dimensional design, d. H. As a CCD or CMOS line sensor, common, but can in this embodiment several cm long and have more than 10 000 picture elements (pixels). This allows accurate and fast position measurements.
Der Hauptvorteil dieser Sensoren ist, dass sie potenziell wesentlich schneller sind als Lateraleffekt-Fotodioden. Dies liegt an der großen Sperrschichtkapazität der letzteren. Außerdem lässt sich die Verteilung der Bestrahlungsstärke auf der Sensorfläche messen was bei Positionsdioden nicht möglich ist. Diese Sensoren sind also auch für andere Anwendungen Geeignet.Of the The main advantage of these sensors is that they are potentially essential faster than lateral effect photodiodes. This is due to the large junction capacitance of the latter. Furthermore can the Distribution of irradiance on the sensor surface Measure what is not possible with position diodes. These sensors are also for other applications Suitable.
Als Nachteile sind auch hier der begrenzte Messbereich und der hohe Preis anzusehen. Die Einschränkungen und Probleme bei der Herstellung dieser Sensoren sind ähnlich vie bei Lateraleffekt-Fotodioden. Dazu kommt, dass die Auswertung komplizierter und nur mit Hilfe des Computers mit spezieller Hardware (z. B. Frame grabber) möglich ist.When Disadvantages here too are the limited measuring range and the high Price to watch. The restrictions and problems in the production of these sensors are similar vie with lateral effect photodiodes. In addition, the evaluation is more complicated and only with the help of the computer with special hardware (eg frame grabber) possible is.
Beide Arten herkömmlicher Positionssensoren reagieren auch auf Fremdlicht (Tageslicht, Glühlampen, Leuchtstoffröhren), das auf die Sensorfläche trifft. Dieses führt zu Fehlmessungen. Daher muss Fremdlicht durch Abschirmungen oder Filter vom Sensor ferngehalten werden, wenn es nicht möglich ist, das primärlichtbündel so leistungsstark zu machen, dass das Fremdlicht vernachlässigbar wird (bei CCD- oder CMOS-Sensoren ist aber darauf zu achten, dass sie nicht übersteuert werden). Eine andere Möglichkeit, den Fremdlichteinfluss auszuschalten, besteht darin, das primärlichtbündel zu modulieren und mit elektronischen bzw. digitalen Filtern oder mit einem Lock-In-Verstärker nur den Signalanteil mit der richtigen Modulationsfrequenz zu detektieren.Both Types of conventional Position sensors also react to extraneous light (daylight, incandescent lamps, Fluorescent tubes) which hits the sensor surface. This leads to incorrect measurements. Therefore, extraneous light has to be shielded or shielded Filters are kept away from the sensor when it is not possible the primary light bundle like that To make powerful that the extraneous light negligible (with CCD or CMOS sensors, however, make sure that she does not oversteer become). Another possibility, To switch off the influence of extraneous light is to close the primary light beam modulate and with electronic or digital filters or with a Lock-in amplifier only to detect the signal component with the correct modulation frequency.
VORTEILE DER ERFINDUNGADVANTAGES OF INVENTION
Die Erfindung zielt daraufhin ab, einen Positionssensor mit deutlich größerem Messbereich zu schaffen. Sensorplatten mit Kantenlängen von einigen 10 Zentimetern sind möglich, wenn eine hinreichend intensive Lichtquelle zur Verfügung steht. Die benötigten Materialien und Bauteile sind sehr billig und leicht zu bearbeiten. Es stehen auch kostengünstige Sensorelemente zur Verfügung (insbesondere Solarzellen). Die Herstellung eines kompletten großflächigen Sensors ist nach dem Stand der Technik mit niedrigen Kosten möglich.The Invention aims to provide a position sensor with clear larger measuring range to accomplish. Sensor plates with edge lengths of some 10 centimeters are possible, when a sufficiently intense light source is available. The necessities Materials and components are very cheap and easy to work with. There are also cost-effective Sensor elements available (especially solar cells). The production of a complete large-area sensor is possible according to the state of the art with low costs.
Wird ein Plattenmaterial verwendet, das einen wesentlichen Anteil des primärlichtbündels unbeeinflusst durchlässt, dann kann die Position des primärlichtbündels mit einem zweiten Sensor in einer zweiten Ebene bestimmt werden. Aus diesen beiden Messungen können der Ort und der Winkel des primärlichtbündels im Raum dreidimensional bestimmt werden.Becomes used a plate material which is a substantial proportion of the primary beam unaffected to pass through, then the position of the primary light beam with a second sensor in a second plane. Out These two measurements can the location and angle of the primary beam in the Space to be determined three-dimensionally.
Als Nachteil des erfindungsgemäßen Positionssensors ist anzuführen, dass der Strahlungsfluss des Photolumineszenz- oder Streulichts auf dem Weg vom Auftreffort des primärlichtbündels zur Kante nicht vollständig erhalten bleibt. Durch Absorption und Streuung geht ein Teil verloren. Der Zusammenhang zwischen der Bestrahlungsstärke auf einem Sensorelement und dem Abstand desselben zum Auftreffort des primärlichtbündels ist nicht linear. Dies hat Einfluss auf die Messgenauigkeit des Sensors. Außerdem muss der Sensor kalibriert werden. Die Auswertung der Sensorsignale erfolgt also zweckmäßigerweise mit Hilfe eines Mikroprozessors oder eines PC.When Disadvantage of the position sensor according to the invention should be mentioned that the radiation flux of the photoluminescent or scattered light not completely preserved on the way from the point of incidence of the primary beam to the edge remains. Through absorption and scattering a part is lost. Of the Relationship between the irradiance on a sensor element and the distance thereof to the point of incidence of the primary light beam not linear. This has an influence on the measuring accuracy of the sensor. In addition, must the sensor can be calibrated. The evaluation of the sensor signals takes place So appropriately with the help of a microprocessor or a PC.
Auf Fremdlicht reagiert der erfindungsgemäße Sensor unempfindlicher als die dem Stand der Technik entsprechenden Sensoren. Dieses Fremdlicht ist meist breitbandig, und im Falle eines auf Photolumineszenz beruhenden Positionssensors trägt nur ein Teil des Spektrums zur Photolumineszenzanregung bei, wohingegen ein auf einer Fotodiode basierender Sensor einen breiten Wellenlängenempfindlichkeitsbereich hat. Im Falle eines auf Streuung beruhenden Positionssensors ist der Anteil der gestreuten Strahlung ebenfalls stark wellenlängenabhängig. Der Anteil am Fremdlichtspektrum, der langwelliger ist als das Primärlichtbündel, wird weniger stark gestreut als der letztere. Die Abhilfemaßnahmen gegenüber Fremdlicht sind im übrigen dieselben wie bei Lateraleffekt-Dioden.For extraneous light sensor of the invention reacts less sensitive than the prior art sensors. This extraneous light is usually broadband, and in the case of a photoluminescence-based position sensor, only a part of the spectrum contributes to photoluminescence excitation, whereas a photodiode-based sensor has a broad wavelength sensitivity range. In the case of a scattering-based position sensor, the proportion of the scattered radiation is also strongly wavelength-dependent. The proportion of the external light spectrum, the long Wavy than the primary beam is less scattered than the latter. The remedies for extraneous light are otherwise the same as for lateral effect diodes.
Es ergeben sich folgende Vorteile dieses neuartigen erfindungsgemäßen Positionssensors:
- – Der ein- oder zweidimensionale Messbereich ist deutlich größer als bei dem Stand der Technik entsprechenden Positionssensoren.
- – Die Materialien und Herstellungsverfahren sind billig.
- – Der Sensor kann mechanisch robust gestaltet werden.
- – Mit zwei geeignet ausgeführten Sensoren in unterschiedlichen Ebenen kann die räumliche Lage des primärlichtbündels (Ort und der Winkel) simultan bestimmt werden.
- - The one- or two-dimensional measuring range is significantly larger than in the prior art corresponding position sensors.
- - The materials and manufacturing processes are cheap.
- - The sensor can be made mechanically robust.
- - With two suitably designed sensors in different planes, the spatial position of the primary light beam (location and angle) can be determined simultaneously.
Anwendungsmöglichkeiten für einen derartigen Sensor sind z. B.
- – berührungslose Messung und Regelung von Verschiebungen und Drehungen
- – Justieraufgaben mit festen oder variablen Zielwerten
- – Messungen und Regelung von Bahnen im Raum
- – Positionsbestimmung von Teilen oder Bohrungen Dieser Sensor ist für den Betrieb in rauer industrieller Umgebung geeignet.
- - Non-contact measurement and control of displacements and rotations
- - Adjustment tasks with fixed or variable target values
- - Measurements and regulation of trains in the room
- - Positioning Parts or Holes This sensor is suitable for use in harsh industrial environments.
Claims (42)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200510010969 DE102005010969A1 (en) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200510010969 DE102005010969A1 (en) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005010969A1 true DE102005010969A1 (en) | 2006-09-14 |
Family
ID=36914677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200510010969 Withdrawn DE102005010969A1 (en) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102005010969A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013012761B3 (en) * | 2013-07-31 | 2014-12-24 | Georg-Simon-Ohm Hochschule für angewandte Wissenschaften Fachhochschule Nürnberg | Device for determining the position of a signal source |
-
2005
- 2005-03-10 DE DE200510010969 patent/DE102005010969A1/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013012761B3 (en) * | 2013-07-31 | 2014-12-24 | Georg-Simon-Ohm Hochschule für angewandte Wissenschaften Fachhochschule Nürnberg | Device for determining the position of a signal source |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112012005324B4 (en) | Integrated circuit and method for detecting an angle of incident light | |
WO2015081362A1 (en) | Optical input surface | |
EP2419811B1 (en) | Display surface and control device combined therewith for a data processing system | |
DE69715554T2 (en) | Optical device for displacement detection | |
DE69926659T2 (en) | Method and device for the optical inspection of objects on a substrate | |
DE19544501A1 (en) | Device for light reflection measurements | |
DE10244177A1 (en) | Photosensitive screen for taking X-ray pictures has top fluorescent layer on contact layer on top of photosensor array with individual contacts on substrate with further contacts to circuit elements | |
WO2015036368A1 (en) | Testing device and method for testing optoelectronic components | |
WO1996009531A1 (en) | Device for measuring the visual characteristics of surfaces | |
EP1265198A2 (en) | Device and method for investigating documents | |
DE102005010969A1 (en) | Method for measuring position of light beam in layer based on photoluminescent, light scattering and photo electric conversion involves conversion of incoming light into photoluminescent radiation e.g. fluorescence radiation | |
DE69222053T2 (en) | OPTO-ELECTRONIC MEASURING SCALE | |
AT511393B1 (en) | INPUT DEVICE FOR A DATA PROCESSING SYSTEM COMPRISING DISPLAY AREA AND LIGHT-SENSITIVE DETECTOR SURFACE | |
EP0402633B1 (en) | Device for measuring aerosols and airborne dust | |
DE3643842C2 (en) | Arrangement for the contactless determination of the spatial position of an object point located on the surface of a body | |
EP2560208B1 (en) | Optoelectronic sensor | |
AT510605B1 (en) | DEVICE AND METHOD FOR THE OPTICAL MEASUREMENT OF AT LEAST ONE DIMENSION OF AN OBJECT BY MEANS OF POINT-LIKE, DIVERTED LIGHT SOURCES | |
DE102006025469A1 (en) | photocell | |
EP0225625A2 (en) | Device for determining positions of light-spots on a plane light sensor | |
DE4239013C2 (en) | Condition measuring device | |
WO2016162406A1 (en) | Device for detecting electronic defects in the edge region of silicon-based semiconductors | |
DE69329763T2 (en) | Electro-optical measuring device | |
WO2003021237A2 (en) | Method and device for measuring translational movements between a surface and a measuring device | |
DE4017201A1 (en) | Transparent photoelectric light detector - has partial absorption of light by thin sensitive layer, and substantial transmission | |
WO2016162398A1 (en) | Apparatus for detecting electronic faults on silicon-based semiconductor wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |