DE102005009376A1 - Semiconductor module preferably inverter circuit for electric motor operation has damping resistance and power semiconductor switches integrated on the semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module preferably inverter circuit for electric motor operation has damping resistance and power semiconductor switches integrated on the semiconductor module Download PDF

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Abstract

A semiconductor module preferably an inverter circuit comprises a DC side (G) with controllable power semiconductor switches (T1,T2) joined to connections (G1,G2), at least one damping resistance (R) in a filter and an AC side (W) joined to the switches through the resistance. Switches and resistance are integrated on the module.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul, vorzugsweise eine Umrichterschaltung, mit integrierten Dämpfungswiderständen.The The invention relates to a semiconductor module, preferably a converter circuit, with integrated damping resistors.

Umrichterschaltungen dienen meist zum Betrieb von elektrischen Maschinen mit variabler Speisefrequenz. Ein solcher Umrichter bzw. Frequenzumrichter ermöglicht es beispielsweise, einen elektrischen Motor, zum Beispiel eine Drehfeldmaschine wie etwa eine Synchronmaschine, nicht mehr nur direkt am Netz und damit an eine starre Drehzahl gebunden zu betreiben, sondern das starre Netz durch einen elektronisch erzeugtes frequenzvariables und auch amplitudenvariables Netz zur Speisung der elektrischen Maschine zu ersetzen.converter circuits are mostly used for the operation of electrical machines with variable Supply frequency. Such a converter or frequency converter makes it possible For example, an electric motor, for example a rotating field machine such as about a synchronous machine, not only directly on the network and so To operate bound to a fixed speed, but the rigid Network through an electronically generated frequency variable and also Amplitude variable network for feeding the electric machine to replace.

Der zugehörige Maschinenstromrichter bzw. Wechselrichter zur Speisung der Maschine wird in der Regel über eine Drehstrom-Brückenschaltung mit sechs löschbaren Stromventilen, zum Beispiel IGBT-Transistoren, gebildet, die beispielsweise Gleichspannung eines Spannungszwischenkreises auf der Wechselspannungsseite in eine Spannungspulsfolge für ein Drehspannungssystem umsetzt.Of the associated Machine converter or inverter for feeding the machine is usually over a three-phase bridge circuit with six erasable Current valves, for example, IGBT transistors, formed, for example, the DC voltage a voltage intermediate circuit on the AC side in a voltage pulse train for converts a three-phase system.

Alternativ kann auf der Wechselspannungsseite jedoch auch ein Drehspannungsnetz angeschlossen sein, dessen Wechselspannung vom Umrichter in eine Gleichspannung umgesetzt wird.alternative However, on the AC side also a three-phase voltage network be connected, whose AC voltage from the inverter in one DC voltage is converted.

Die Umrichterschaltung ist in der Regel auf einem Halbleitermodul integriert. Dies ermöglicht einen einfachen Einbau sowie einen kompakten Aufbau des Systems. Das Halbleitermodul wird auf einen Kühlkörper montiert und kann so die durch die Verlustleistung entstehende Wärme nach außen abführen.The Converter circuit is usually integrated on a semiconductor module. this makes possible a simple installation and a compact design of the system. The semiconductor module is mounted on a heat sink and can so the Dissipate heat generated by the power loss to the outside.

In den Umrichtersystemen können sich jedoch Systemschwingungen ausbilden, die mittels einer Filterschaltung reduziert werden müssen.In the inverter systems can however, system vibrations are formed by means of a filter circuit have to be reduced.

Hierzu können RLC-Filter verwendet werden, die die unerwünschten Oberschwingungen reduzieren. Die zugehörige Induktivität wird durch die Leitung in Netz gebildet, die zugehörigen Dämpfungswiderstände und -kondensatoren werden als diskrete Bauelemente realisiert. Hierzu ist es erforderlich, dass die Schaltung Abzweigknoten für die RC-Zweige aufweist, die von den Zweigen auf der Wechselspannungsseite abzweigen. Die Dämpfungswiderstände haben in der Regel einen Wert zwischen 10 mOhm und 10 Ohm.For this can RLC filters are used, which reduce the unwanted harmonics. The associated inductance is formed by the wire into network, the associated damping resistors and capacitors are realized as discrete components. For this It is necessary that the circuit branch node for the RC branches has, which branch off from the branches on the AC voltage side. The damping resistors have usually a value between 10 mOhm and 10 ohms.

Bei herkömmlicher Ausführungsweise werden die zum RLC-Filter gehörenden Dämpfungswiderstände in vom Halbleitermodul getrennten Gehäusen realisiert. Da die Dämpfungswiderstände durch elektrische Verluste eine erhebliche Wärmemenge erzeugen, werden diese ebenfalls auf einen Kühlkörper montiert, jedoch nicht in das Halbleitermodul integriert.at conventional FOR CARRYING OUT become those belonging to the RLC filter Damping resistances in of Semiconductor module separate housings realized. Since the damping resistances by electrical Losses generate a significant amount of heat, These are also mounted on a heat sink, but not integrated into the semiconductor module.

Die Dämpfungswiderstände benötigen jedoch zusätzlichen Platz auf dem Kühlkörper, was diesen und somit gegebenenfalls den gesamten Frequenzumrichter vergrößert.The However, damping resistors need additional Space on the heat sink, what this and thus possibly increases the entire frequency converter.

Die Verbindungstechnik für den elektrischen Anschluss sowie der Aufbau der Dämpfungswiderstände ist zudem vergleichsweise aufwändig und fehleranfällig.The Connection technology for the electrical connection and the structure of the damping resistors is also comparatively expensive and error prone.

Die unerwünschte Streuinduktivität im Kreis von Dämpfungswiderständen und -kondensatoren ist hoch, da die Bauelemente jeweils getrennte Gehäuse besitzen.The undesirable leakage inductance in the circle of damping resistors and capacitors is high because the devices each have separate housings.

Der Stand der Technik umfasst weiterhin Halbleitermodule, die als Umrichter eingesetzt werden können und in den Wechselspannungszweigen einen Messwiderstand bzw. Shunt zum Messen der durch diese fließenden Ströme als Messgröße für die Rege lung des Wechselspannungsnetzes aufweisen. Hierbei sind zwar die Messwiderstände der Wechselspannungsphasen auf dem Halbleitermodul integriert, diese befinden sich jedoch innerhalb der Wechselspannungsleitung und nicht in einem separaten Zweig und können daher nicht als Filterwiderstände verwendet werden. Zudem weisen die Messwiderstände prinzipbedingt einen vergleichsweise geringen Wert von wenigen Milliohm auf, es muss somit infolge der vergleichsweise geringen Verlustleistung im Gegensatz zu der bei Dämpfungswiderständen entstehenden Wärmemenge bei Messwiderständen nur eine geringe Wärmemenge abgeführt werden. Die beschriebene Anordnung ist somit gut zur Messung der durchfließenden Ströme und zur Regelung der Leistungsaufnahme der nachgeschalteten Last geeignet, jedoch nicht zum Herausfiltern der Oberwellen aus dem Wechselspannungskreis.Of the The prior art further comprises semiconductor modules, which serve as converters can be used and in the alternating voltage branches a measuring resistor or shunt for measuring the flowing through them streams as a measure of the regulation having the AC voltage network. Although the measuring resistors are the AC voltage phases integrated on the semiconductor module, this However, they are inside the AC line and not in a separate branch and can therefore not as filter resistors be used. In addition, the measuring resistors inherently have a comparatively low Value of a few milliohms, it must therefore be due to the comparatively low power loss in contrast to the resulting at damping resistors heat with measuring resistors only a small amount of heat dissipated become. The arrangement described is thus good for measuring the flowing through streams and for regulating the power consumption of the downstream load suitable, but not to filter out the harmonics from the AC circuit.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Halbleitermodul anzugeben, bei dem die genannten Nachteile nicht auftreten.Of the The invention is based on the object of specifying a semiconductor module, where the mentioned disadvantages do not occur.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Halbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.These Task is carried out according to the invention a semiconductor module having the features of claim 1 solved.

Das Halbleitermodul gemäß Anspruch 1 umfasst

  • a) eine Gleichspannungsseite mit zwei Gleichspannungsanschlüssen G1 und G2,
  • b) wenigstens einen mit dem positiven Gleichspannungsanschluss G1 verbundenen Leistungshalbleiterschalter T1 sowie wenigstens einen mit dem negativen Gleichspannungsanschluss G2 verbundenen Leistungshalbleiterschalter T2, wobei der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter T1 sowie der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter T2 jeweils über eine Steuereinheit ansteuerbar sind,
  • c) wenigstens einen in einem Filter wirkenden Dämpfungswiderstand,
  • d) eine Wechselspannungsseite zur Verarbeitung wenigstens einer Wechselspannungsphase mit wenigstens einem Wechselspannungszweig, umfassend jeweils einen Filteranschluss sowie jeweils einen Wechselspannungsanschluss, der mit dem jeweiligen Filteranschluss über den jeweiligen Dämpfungswiderstand, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T1, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T2 sowie mit dem jeweiligen internen Wechselspannungsknoten verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass
  • e) der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter T1, der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter T2 sowie der wenigstens eine Dämpfungswiderstand auf dem Halbleitermodul integriert sind.
The semiconductor module according to claim 1
  • a) a DC side with two DC terminals G1 and G2,
  • b) at least one power connected to the positive DC voltage terminal G1 Semiconductor switch T1 and at least one connected to the negative DC voltage terminal G2 power semiconductor switch T2, wherein the at least one power semiconductor switch T1 and the at least one power semiconductor switch T2 are each controlled by a control unit,
  • c) at least one damping resistor acting in a filter,
  • d) an alternating voltage side for processing at least one alternating voltage phase with at least one alternating voltage branch, each comprising a filter terminal and an alternating voltage terminal connected to the respective filter terminal via the respective damping resistor, with the respective power semiconductor switch T1, with the respective power semiconductor switch T2 and with the respective internal alternating voltage node is connected, characterized in that
  • e) the at least one power semiconductor switch T1, the at least one power semiconductor switch T2 and the at least one damping resistor are integrated on the semiconductor module.

Vorzugsweise weist die Wechselspannungsseite zur parallelen Verarbeitung von drei Wechselspannungsphasen drei parallele Wechselspannungszweige auf, umfassend jeweils einen Filteranschluss sowie jeweils einen Wechselspannungsanschluss, der jeweils mit dem jeweiligen Filteranschluss über jeweils einen Dämpfungswiderstand, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T1, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T2 sowie mit dem jeweiligen internen Wechselspannungsknoten verbunden ist. Auf diese Weise lassen sich dreiphasige Wechselspannungsnetze erzeugen oder verarbeiten.Preferably indicates the AC side for parallel processing of three alternating voltage phases three parallel alternating voltage branches on, each comprising a filter connection and one each AC voltage connection, each with the respective filter connection via each a damping resistor, with the respective power semiconductor switch T1, with the respective Power semiconductor switch T2 and with the respective internal AC node is connected. In this way can be three-phase Generate or process AC voltage grids.

Bevorzugt ist zwischen den wenigstens einen Wechselspannungsknoten und den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss jeweils ein Messwiderstand geschaltet und der Wechselspannungsknoten mit dem jeweiligen Filteranschluss über den jeweiligen Dämpfungswiderstand, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T1 sowie mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T2 verbunden.Prefers is between the at least one AC node and the at least one AC voltage terminal in each case a measuring resistor switched and the AC node with the respective filter connection via the respective damping resistance, with the respective power semiconductor switch T1 and with the respective Power semiconductor switch T2 connected.

In einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist zwischen den wenigstens einen Wechselspannungsknoten und den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss jeweils ein Messwiderstand geschaltet, und der jeweilige Wechselspannungsknoten mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T1, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T2 und der jeweilige Wechselspannungsanschluss mit dem jeweiligen Filteranschluss über den jeweiligen Dämpfungswiderstand verbunden. Die Verbindungstechnik vereinfacht sich durch den integrierten Aufbau, da durch die Integration des wenigstens einen Dämpfungswiderstandes und/oder des wenigstens einen Messwiderstands in das Halbleitermodul für jede Wechselspannungsphase auch wenigstens ein kompletter Knoten der Schaltung in das Halbleitermodul integriert wird.In another preferred embodiment is between the at least one AC node and the at least one AC voltage terminal each connected a measuring resistor, and the respective AC voltage node with the respective power semiconductor switch T1, with the respective power semiconductor switch T2 and the respective AC voltage connection with the respective filter connection via the respective damping resistance connected. The connection technology is simplified by the integrated structure, because of the integration of the at least one damping resistor and / or the at least one sense resistor into the semiconductor module for each AC phase also at least one complete node of the circuit in the semiconductor module is integrated.

Das Material für die Dämpfungs- und/oder Messwiderstände umfasst beispielsweise Manganin, die Dämpfungswiderstände können auch mit Silizium dotiert sein.The Material for the damping and / or measuring resistors includes, for example, manganin, the damping resistors can also be doped with silicon.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist an den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss ein Motor, ein Netz oder eine sonstige Last angeschlossen. Der Motor oder das Netz kann so frequenz- und/oder amplitudenvariabel angesteuert werden.In A preferred embodiment is connected to the at least one AC voltage terminal Motor, mains or other load connected. The motor or the network can be controlled so frequency and / or amplitude variable.

Vorzugsweise werden als Leistungshalbleiterschalter T1 sowie T2 IGBTs, MOSFETs oder GTOs verwendet. Diese Bauelemente sind gut geeignet für die Anforderungen der Leistungselektronik. Die Leistungshalbleiter können eine chipinterne Freilaufdiodenfunktion beinhalten, die Freilaufdiode, die auch als Inversdiode bezeichnet werden kann, kann jedoch auch separat geschaltet sein.Preferably be as power semiconductor switch T1 and T2 IGBTs, MOSFETs or GTOs used. These components are well suited to the requirements the power electronics. The power semiconductors can have a on-chip freewheeling diode function include the freewheeling diode, which can also be referred to as inverse diode, but can also be switched separately.

Bevorzugt liegt der Wert des wenigstens einen Dämpfungswiderstandes zwischen 10mOhm und 10 Ohm.Prefers is the value of at least one damping resistor between 10mOhm and 10ohms.

Der durch die Integration des wenigstens einen Dämpfungswiderstandes im Halbleitermodul neu entstehende wenigstens eine Filteranschluss kann in Anwendungen, in denen der Spannungsabfall an dem wenigstens einen Dämpfungswiderstand gering ist, räumlich nahe an dem wenigstens einen Wechselspannungs anschluss angeordnet werden, um eine platzsparende Ausführungsform zu ermöglichen.Of the by the integration of the at least one damping resistor in the semiconductor module newly emerging at least one filter port can in applications, in which the voltage drop across the at least one damping resistor is small, spatially arranged close to the at least one AC voltage connection to allow a space-saving embodiment.

Vorzugsweise ist der wenigstens eine Dämpfungswiderstand über den Filteranschluss mit einem Kondensator verbunden. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist jeder der drei Dämpfungswiderstände jeweils über einen Filteranschluss mit einem Kondensator verbunden, wobei die jeweils anderen Anschlüsse des Kondensators miteinander verbunden sind.Preferably is the at least one damping resistor over the Filter connection connected to a capacitor. In a special preferred embodiment each of the three damping resistors is one over each Filter connection connected to a capacitor, with each other connections of the capacitor are connected together.

Durch die Integration des wenigstens einen Dämpfungswiderstandes in das Halbleitermodul wird kein zusätzlicher Platz auf dem Kühlkörper benötigt.By the integration of the at least one damping resistor in the Semiconductor module is no additional Space on the heat sink needed.

Bevorzugt ist dem Halbleitermodul ein Gleichrichter und/oder ein Zwischenkreis vorgeschaltet. Vorzugsweise wird das Halbleitermodul als Frequenzumrichter verwendet. Durch diese Beschaltung lässt sich beispielsweise die Frequenz der Wechselspannung anpassen. Auch ein definierter Strom auf der Lastseite lässt sich erzielen.The semiconductor module is preferably preceded by a rectifier and / or an intermediate circuit. Preferably, the semiconductor module is used as a frequency converter. By this wiring, for example, the frequency of change adjust the voltage. Even a defined current on the load side can be achieved.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist das Halbleitermodul auf einem Kühlkörper montiert. Vorzugsweise umfasst das Halbleitermodul ein Substrat. Dieses kann eine beidseitig metallisierte Keramikplatte umfassen, auf der die Siliziumchips für die Bauelemente über Bonddrähte verbunden sind.In In a preferred embodiment, the semiconductor module is on a Heatsink mounted. Preferably, the semiconductor module comprises a substrate. This can a metallized on both sides ceramic plate on which the Silicon chips for the components over Bond wires are connected.

Vorzugsweise ist der wenigstens ein Filteranschluss räumlich nahe an dem wenigstens einen Wechselspannungsanschluss angeordnet. Diese Anordnung reduziert die Streuinduktivitäten noch weiter.Preferably the at least one filter port is spatially close to the at least one arranged an AC voltage connection. This arrangement reduces the leakage inductances further.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen weiter erläutert. Dabei wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in derenThe The invention will be further explained below with reference to exemplary embodiments. there is referred to the drawing, in whose

1 ein Umrichtermodul in erfindungsgemäßer Ausführungsform 1 an inverter module in accordance with the invention embodiment

2 ein Umrichtermodul in erfindungsgemäßer Ausführungsform mit am Wechselspannungsknoten angeordneten Messwiderständen 2 an inverter module according to the invention with arranged at the AC voltage measuring resistors

3 ein Umrichtermodul in erfindungsgemäßer Ausführungsform mit am Wechselspannungsanschluss angeordneten Messwiderständen
jeweils schematisch dargestellt sind. Einander entsprechende Teile und Größen sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. 3 an inverter module according to the invention with arranged at the AC voltage terminal measuring resistors
are each shown schematically. Corresponding parts and sizes are provided in the figures with the same reference numerals.

1 zeigt ein Umrichtermodul mit einer Gleichspannungsseite G mit zwei Gleichspannungsanschlüssen G1 und G2, drei mit dem positiven Gleichspannungsanschluss G1 verbundenen Leistungshalbleiterschaltern T1 sowie drei mit dem negativen Gleichspannungsanschluss G2 verbundenen Leistungshalbleiterschaltern T2. Jeder der drei Leistungshalbleiterschalter T1 sowie der drei Leistungshalbleiterschalter T2 ist über eine Steuereinheit ansteuerbar. Das Umrichtermodul umfasst weiterhin drei mit dem positiven Gleichspannungsanschluss G1 verbundene Dioden D1, drei mit dem negativen Gleichspannungsanschluss G2 verbundene Dioden D2 sowie drei in einem Filter wirkende Dämpfungswiderstände R. 1 shows an inverter module with a DC side G with two DC terminals G1 and G2, three connected to the positive DC voltage terminal G1 power semiconductor switches T1 and three connected to the negative DC voltage terminal G2 power semiconductor switches T2. Each of the three power semiconductor switch T1 and the three power semiconductor switch T2 can be controlled via a control unit. The converter module further comprises three diodes connected to the positive DC voltage terminal G1 D1, three connected to the negative DC voltage terminal G2 diodes D2 and three acting in a filter damping resistors R.

Auf der Wechselspannungsseite W erfolgt die Verarbeitung der drei Wechselspannungsphasen über die drei Wechselspannungszweige. Diese umfassen jeweils einen Filteranschluss FA sowie jeweils einen Wechselspannungsanschluss WE, der mit dem jeweiligen Filteranschluss FA über den jeweiligen Dämpfungswiderstand R, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T1, mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter T2, mit der jeweiligen Diode D1, mit der jeweiligen Diode D2 sowie mit dem jeweiligen internen Wechselspannungsknoten WI verbunden ist. Die drei Leistungshalbleiterschalter T1, die drei Leistungshalbleiterschalter T2, die drei Dioden D1, die drei Dioden D2 sowie der wenigstens eine Dämpfungswiderstand R sind auf dem Halbleitermodul U integriert.On the AC voltage side W, the processing of the three AC voltage phases via the three alternating voltage branches. These each include a filter connection FA and in each case an AC voltage terminal WE, with the respective Filter connection FA via the respective damping resistor R, with the respective power semiconductor switch T1, with the respective Power semiconductor switch T2, with the respective diode D1, with the respective diode D2 and with the respective internal AC voltage node WI is connected. The three power semiconductor switches T1, the three Power semiconductor switch T2, the three diodes D1, the three diodes D2 and the at least one damping resistor R are integrated on the semiconductor module U.

2 zeigt ein Umrichtermodul mit am Wechselspannungsknoten angeordneten Messwiderständen RM. Die Messwiderstände RM sind zwischen Wechselspannungsknoten und Wechselspannungsanschluss angeordnet, wobei die Anbindung der Dämpfungswiderstände R direkt am Wechselspannungsknoten WI erfolgt. 2 shows an inverter module arranged at the AC node measuring resistors RM. The measuring resistors RM are arranged between AC voltage node and AC voltage terminal, wherein the connection of the damping resistors R takes place directly at the AC voltage node WI.

3 zeigt ein Umrichtermodul mit am Wechselspannungsanschluss angeordneten Messwiderständen RM. Die Messwiderstände RM sind wiederum zwischen Wechselspannungsknoten und Wechselspannungsanschluss angeordnet, wobei die Anbindung der Dämpfungswiderstände R nun direkt am Wechselspannungsanschluss WE erfolgt. 3 shows an inverter module arranged at the AC terminal measuring resistors RM. The measuring resistors RM are in turn arranged between the alternating voltage node and the AC voltage connection, wherein the connection of the damping resistors R now takes place directly at the AC voltage connection WE.

Claims (14)

Halbleitermodul, vorzugsweise Umrichterschaltung, umfassend a) eine Gleichspannungsseite (G) mit zwei Gleichspannungsanschlüssen G1 und G2, b) wenigstens einen mit dem positiven Gleichspannungsanschluss (G1) verbundenen Leistungshalbleiterschalter (T1) sowie wenigstens einen mit dem negativen Gleichspannungsanschluss (G2) verbundenen Leistungshalbleiterschalter (T2), wobei der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter (T1) sowie der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter (T2) jeweils über eine Steuereinheit ansteuerbar sind, c) wenigstens einen in einem Filter wirkenden Dämpfungswiderstand (R), d) eine Wechselspannungsseite (W) zur Verarbeitung wenigstens einer Wechselspannungsphase mit wenigstens einem Wechselspannungszweig, umfassend jeweils einen Filteranschluss (FA) sowie jeweils einen Wechselspannungsanschluss (WE), der mit dem jeweiligen Filteranschluss (FA) über den jeweiligen Dämpfungswiderstand (R), mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T1), mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T2), sowie mit dem jeweiligen internen Wechselspannungsknoten (WI) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass e) der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter (T1), der wenigstens eine Leistungshalbleiterschalter (T2) sowie der wenigstens eine Dämpfungswiderstand (R) auf dem Halbleitermodul (U) integriert sind.Semiconductor module, preferably a converter circuit, comprising a) a DC side (G) with two DC voltage terminals G1 and G2, b) at least one connected to the positive DC voltage terminal (G1) power semiconductor switch (T1) and at least one connected to the negative DC voltage terminal (G2) power semiconductor switch (T2 ), wherein the at least one power semiconductor switch (T1) and the at least one power semiconductor switch (T2) are each controlled via a control unit, c) at least one damping resistor (R) acting in a filter, d) an alternating voltage side (W) for processing at least one alternating voltage phase with at least one AC voltage branch, each comprising a filter terminal (FA) and in each case an AC voltage terminal (WE), with the respective filter terminal (FA) via the respective damping resistor (R), with the respective power semiconductor switch (T1), with the jewei , then power semiconductor switch (T2) and is connected to the respective internal AC voltage node (WI) characterized in that e) the at least one power semiconductor switch (T1), the at least one power semiconductor switch (T2) and the at least one damping resistor (R) on the semiconductor module (U) are integrated. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem die Wechselspannungsseite zur parallelen Verarbeitung von drei Wechselspannungsphasen drei parallele Wechselspannungszweige aufweist, umfassend jeweils einen Filteranschluss (FA) sowie jeweils einen Wechselspannungsanschluss (WE), der jeweils mit dem jeweiligen Filteranschluss (FA) über jeweils einen Dämpfungswi derstand (R), mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T1), mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T2), sowie mit dem jeweiligen internen Wechselspannungsknoten (WI) verbunden ist.A semiconductor module according to claim 1, wherein said AC side is three parallel for processing three AC phases in parallel AC voltage branches having, in each case a filter terminal (FA) and in each case an AC voltage terminal (WE), each with the respective filter terminal (FA) via each Dämpfungswi resistance (R), with the respective power semiconductor switch (T1), with the respective power semiconductor switch (T2 ), and to the respective internal AC node (WI) is connected. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem zwischen den wenigstens einen Wechselspannungsknoten (WI) und den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss (WE) jeweils ein Messwiderstand (RM) geschaltet ist und der Wechselspannungsknoten (WI) mit dem jeweiligen Filteranschluss (FA) über den jeweiligen Dämpfungswiderstand (R), mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T1) sowie mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T2) verbunden ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein between the at least one AC voltage node (WI) and the at least one alternating voltage connection (WE) one measuring resistor each (RM) is switched and the AC node (WI) with the respective Filter connection (FA) via the respective damping resistance (R), with the respective power semiconductor switch (T1) and with the respective power semiconductor switch (T2) is connected. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem zwischen den wenigstens einen Wechselspannungsknoten (WI) und den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss (WE) jeweils ein Messwiderstand (RM) geschaltet ist, und der jeweilige Wechselspannungsknoten (WI) mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T1) sowie mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterschalter (T2) verbunden ist, und der jeweilige Wechselspannungsanschluss (WE) mit dem jeweiligen Filteranschluss (FA) über den jeweiligen Dämpfungswiderstand (R) verbunden ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein between the at least one AC voltage node (WI) and the at least one alternating voltage connection (WE) one measuring resistor each (RM) is switched, and the respective AC voltage node (WI) with the respective power semiconductor switch (T1) and with the respective Power semiconductor switch (T2) is connected, and the respective AC voltage connection (WE) with the respective filter connection (FA) about the respective damping resistor (R) is connected. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem an den wenigstens einen Wechselspannungsanschluss (WE) ein Motor, ein Netz oder eine sonstige Last angeschlossen ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein the at least an AC connection (WE) a motor, a network or a other load is connected. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem als Leistungshalbleiterschalter (T1) sowie (T2) IGBTs, MOSFETs oder GTOs verwendet werden.Semiconductor module according to claim 1, wherein as a power semiconductor switch (T1) and (T2) IGBTs, MOSFETs or GTOs are used. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem der Wert des wenigstens einen Dämpfungswiderstandes (R) zwischen 10mOhm und 10 Ohm liegt.Semiconductor module according to claim 1, wherein the value of the at least one damping resistor (R) between 10mOhm and 10ohms. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem der wenigstens eine Dämpfungswiderstand (R) über den Filteranschluss (FA) mit einem Kondensator verbunden ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein the at least a damping resistor (Over the filter terminal (FA) is connected to a capacitor. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem jeder der drei Dämpfungswiderstände jeweils über einen Filteranschluss (FA) mit einem Kondensator verbunden ist, wobei die jeweils anderen Anschlüsse des Kondensators miteinander verbunden sind.A semiconductor module according to claim 1, wherein each of the three damping resistors each over one Filter connection (FA) is connected to a capacitor, wherein the other connections of the Capacitor are connected together. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem dem Halbleitermodul ein Gleichrichter und/oder ein Zwischenkreis vorgeschaltet ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module a rectifier and / or an intermediate circuit is connected upstream. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem das Halbleitermodul auf einem Kühlkörper montiert ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module is mounted on a heat sink. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem das Halbleitermodul ein Substrat umfasst.Semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module a substrate. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem de das Halbleitermodul als Frequenzumrichter verwendet wird.Semiconductor module according to claim 1, wherein the de Semiconductor module is used as a frequency converter. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem der wenigstens ein Filteranschluss räumlich nahe an dem wenigstens einen Wechselspannungsanschluss angeordnet ist.Semiconductor module according to claim 1, wherein the at least a filter connection spatially arranged close to the at least one AC voltage terminal is.
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