DE102004047697A1 - Circuit arrangement for driving a flyback converter - Google Patents

Circuit arrangement for driving a flyback converter Download PDF

Info

Publication number
DE102004047697A1
DE102004047697A1 DE200410047697 DE102004047697A DE102004047697A1 DE 102004047697 A1 DE102004047697 A1 DE 102004047697A1 DE 200410047697 DE200410047697 DE 200410047697 DE 102004047697 A DE102004047697 A DE 102004047697A DE 102004047697 A1 DE102004047697 A1 DE 102004047697A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
circuit
signal
switching element
semiconductor switching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200410047697
Other languages
German (de)
Inventor
Eberhard Dr. Drechsler
Thomas Komma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE200410047697 priority Critical patent/DE102004047697A1/en
Priority to PCT/EP2005/053766 priority patent/WO2006034908A2/en
Publication of DE102004047697A1 publication Critical patent/DE102004047697A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/13—Modifications for switching at zero crossing
    • H03K17/133—Modifications for switching at zero crossing in field-effect transistor switches

Abstract

Es wird eine Schaltungsanordnung (1) zum Ansteuern eines Hochsetzstellers oder eines Sperrwandlers (10) beschrieben, der ein steuerbares Halbleiterschaltelement (11) aufweist, dessen Steueranschluss von einer Steuerschaltung (20) mit einem von dieser erzeugten Steuersignal beaufschlagbar ist. Es ist eine mit der Steuerschaltung (20) gekoppelte Signalerzeugungsschaltung (30) vorgesehen, die das von der Steuerschaltung (20) erzeugte Steuersignal derart beeinflusst, dass ein Schaltvorgang des Halbleiterschaltelements (11) des Sperrwandlers (10) erfolgt, wenn über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt. Dazu ist die Signalerzeugungsschaltung (30) direkt mit dem Halbleiterschaltelement (11) verbunden.A circuit arrangement (1) for driving a boost converter or a flyback converter (10) is described which has a controllable semiconductor switching element (11) whose control terminal can be acted upon by a control circuit (20) with a control signal generated by the latter. A signal generating circuit (30) coupled to the control circuit (20) is provided, which influences the control signal generated by the control circuit (20) in such a way that a switching operation of the semiconductor switching element (11) of the flyback converter (10) takes place if no voltage is present across its load path is applied. For this purpose, the signal generating circuit (30) is connected directly to the semiconductor switching element (11).

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Hochsetzstellers oder eines Sperrwandlers, der ein steuerbares Halbleiterschaltelement aufweist, dessen Steueranschluss von einer Steuerschaltung mit einem von dieser erzeugten Steuersignal beaufschlagbar ist.The The invention relates to a circuit arrangement for driving a Hochsetzstellers or a flyback converter, which is a controllable semiconductor switching element whose control terminal of a control circuit with a can be acted upon by this generated control signal.

Aus dem Stand der Technik bekannte Spannungswandler wie z.B. Hochsetzsteller (Boost Converter) oder Flyback-Konverter, die in Stromversorgungsanordnungen (Schaltnetzteile) eingesetzt werden, werden häufig hart schaltetd betrieben. Dies hat zur Folge, dass die Spannungswandler Schaltverluste aufweisen. Schaltverluste resultieren daher, dass das in dem Spannungswandler vorgesehene Halbleiterschaltelement zu einem Zeitpunkt leitend geschaltet wird, zu dem über seiner Laststrecke noch oder bereits wieder eine Spannung anliegt.Out voltage converters known in the art, e.g. Boost converter (Boost Converter) or flyback converters used in power supply arrangements (Switching power supplies) are used, often operated hard switched. This has the consequence that the voltage transformers have switching losses. Switching losses therefore result in that in the voltage converter provided semiconductor switching element turned on at a time conductive becomes, about that its load path is still or already again a voltage applied.

Um Stromversorgungsanordnungen mit möglichst geringen Abmaßen realisieren zu können, muss deren Betriebsfrequenz erhöht werden. Bei einem Sperrwandler, der mit fester Frequenz betrieben wird, führt dies zu erhöhten Schaltverlusten. Die Schaltverluste können nur durch so genanntes "weiches Schaltet" vermieden werden, wobei die Schaltungsanordnung derart ausgestaltet ist, dass das (Ein-)Schaltet des Halbleiterschaltelements des Sperrwandlers im Spannungsnulldurchgang folgt. Als Spannungsnulldurchgang wird dabei derjenige Betriebszustand des Halbleiterschaltelements bezeichnet, bei dem über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt.Around Realize power supply arrangements with the smallest possible dimensions to be able to increases their operating frequency become. In a flyback converter, which is operated at a fixed frequency, does this to increased Switching losses. The switching losses can only be avoided by so-called "soft switching", wherein the circuit arrangement is designed such that the (on) switches of the semiconductor switching element of the flyback converter in the voltage zero crossing follows. The voltage zero crossing is the operating state of the semiconductor switching element, in which over the Load line no voltage is applied.

Aus dem Stand der Technik sind hierzu Steuerschaltungen bekannt, die über einen separaten Messeingang verfügen, mit welchem eine Hilfswicklung auf der Drossel des Sperrwandlers verbunden ist. Mit der Hilfswicklung kann der Stromnulldurchgang detektiert werden. Zu diesem Zeitpunkt kann der Schalt transistor wieder eingeschaltet werden. Die Betriebsart derartiger Steuerschaltungen wird in der Fachliteratur als "critical conduction mode" bezeichnet.Out For this purpose, control circuits are known in the prior art, which have a have separate measuring input, with which an auxiliary winding on the choke of the flyback converter connected is. With the auxiliary winding, the current zero crossing be detected. At this time, the switching transistor be turned on again. The mode of operation of such control circuits is referred to in the literature as "critical conduction mode ".

Das Vorsehen einer zusätzlichen Hilfswicklung – sei es auf der Drossel eines Hochsetzstellers oder auf dem Transformator eines Sperrwandlers – ermöglicht zwar das Erhöhen der Betriebsfrequenz des Sperrwandlers und damit die Reduktion der Größe der Stromversorgungs-Schaltungsanordnung. Andererseits wird ein Teil des eingesparten Bau-Volumens durch den benötigten Platz der Hilfswicklung wieder aufgezehrt. Darüber hinaus schlägt sich das Vorsehen einer Hilfswicklung auf die Kosten des Wickelguts negativ nieder.The Provide an additional Auxiliary winding - be it on the choke of a boost converter or on the transformer a flyback converter - allows indeed increasing the operating frequency of the flyback converter and thus the reduction of Size of power supply circuitry. on the other hand becomes part of the saved construction volume by the required space the auxiliary winding consumed again. In addition, it beats the provision of an auxiliary winding on the cost of the winding negative low.

Es wäre deshalb wünschenswert, eine Schaltungsanordnung anzugeben, welche ein verlustarmes bzw. verlustfreies Schaltet des Halbleiterschaltelements eines Spannungswandlers ermöglicht und die gleichzeitig den Verzicht auf eine Hilfswicklung möglich macht.It That would be why desirable, specify a circuit arrangement which has a low-loss or Lossless switching of the semiconductor switching element of a voltage converter allows and at the same time makes it possible to do without an auxiliary winding.

Diese Aufgabe wird mit einer Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.These Task is with a circuit arrangement with the characteristics of Claim 1 solved. Advantageous embodiments will be apparent from the dependent claims.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Hochsetzstellers oder eines Sperrwandlers, der ein steuerbares Halbleiterschaltelement aufweist, dessen Steueranschluss von einer Steuerschaltung mit einem von dieser erzeugten Steuersignal beaufschlagbar ist, enthält eine mit der Steuerschaltung gekoppelte Signalerzeugungsschaltung, die das von der Steuerschaltung erzeugte Steuersignal derart beeinflusst, dass ein Schaltvorgang des Halbleiterschaltelements des Sperrwandlers erfolgt, wenn über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt. Hierbei ist die Signalerzeugungsschaltung direkt mit dem Halbleiterschaltelement verbunden.The inventive circuit arrangement for driving a boost converter or a flyback converter, the a controllable semiconductor switching element having its control terminal from a control circuit with a control signal generated thereby can be acted upon contains a signal generating circuit coupled to the control circuit, which influences the control signal generated by the control circuit in such a way, That is, a switching operation of the semiconductor switching element of the flyback converter done when over whose load path bears no voltage. Here is the signal generation circuit directly connected to the semiconductor switching element.

Gegenüber bekannten Anordnungen weist die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung den Vorteil auf, dass diese ein verlustfreies Betreiben des Sperrwandlers ermöglicht, dabei jedoch einen lediglich geringen Platzbedarf benötigt, da sämtliche hierzu notwendigen Bauelemente in integrierter Form vorgesehen werden können. Diese sind in der Signalerzeugungsschaltung vorgesehen, welche zusammen oder getrennt mit der Steuerschaltung in einem einzigen Chip oder auf einer Leiterplatte angeordnet sein kann. Der Verzicht auf eine Hilfswicklung als externes Bauelement wird dadurch möglich, dass die erfindungsgemäße Signalerzeugungsschaltung nicht mehr den in der Drossel bzw. dem Transformator des Spannungswandlers fließenden Strom überwacht, sondern eine direkte Verbindung mit dem Halbleiterschaltelement des Sperrwandlers aufweist, um dessen Spannung zu überwachen.Opposite known Arrangements, the circuit arrangement according to the invention has the advantage on that this allows a lossless operation of the flyback converter, However, it requires only a small footprint because all For this purpose, necessary components are provided in an integrated form can. These are provided in the signal generating circuit, which together or separated with the control circuit in a single chip or can be arranged on a circuit board. The abandonment of one Auxiliary winding as an external device is made possible by the fact that the Not according to the invention signal generating circuit more in the choke or the transformer of the voltage converter flowing Monitored electricity, but a direct connection to the semiconductor switching element of the flyback converter to monitor its voltage.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die Signalerzeugungsschaltung Detektions-Mittel zum Detektieren einer an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements anliegenden Spannung auf. Um den Spannungs-Nulldurchgang der über der Laststrecke des Halbleiterschaltelements anliegenden Spannung zu detektieren, wird nunmehr gemäß dem Vorschlag der Erfindung eine Spannungsflanke direkt am Halbleiterschaltelement detektiert. Die Detektion eines Stromnulldurchgangs mit einer separaten Hilfswicklung kann dadurch entfallen.In an advantageous embodiment, the signal generating circuit Detection means for detecting a at the load path of the semiconductor switching element applied voltage on. To the voltage zero crossing of the over Load line of the semiconductor switching element voltage applied to will now, according to the proposal of Invention a voltage edge directly on the semiconductor switching element detected. The detection of a current zero crossing with a separate Auxiliary winding can be omitted.

Gemäß einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung weist die Signalerzeugungsschaltung Addier-Mittel zum Erzeugen eines Additions-Signals auf, die dieses in Abhängigkeit eines detektierten Spannungs-Nulldurchgangs an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements erzeugen.According to one further expedient embodiment The signal generating circuit includes adding means for generating a Addition signal, this in response to a detected voltage zero crossing generate at the load path of the semiconductor switching element.

In einer Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Signalerzeugungsschaltung Überlagerungs-Mittel aufweist, die das Additions-Signal dem von der Steuerschaltung erzeugten Steuersignal überlagern. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass bei Detektion eines Spannungs-Nulldurchgangs das Einschaltet des Halbleiterschaltelements durch ein entsprechendes Steuersignal der Steuerschaltung bewerkstelligt werden kann.In a development is provided that the signal generating circuit overlay means having the addition signal generated by the control circuit Superimpose control signal. hereby can be ensured that upon detection of a voltage zero crossing the switching of the semiconductor switching element by a corresponding Control signal of the control circuit can be accomplished.

Das von der Steuerschaltung erzeugte Steuersignal ist ein Sägezahnsignal und das von der Signalerzeugungsschaltung erzeugte Additions-Signal eine Spannungsflanke. Dies bedeutet mit anderen Worten, dass die Steuerschaltung herkömmlicher Art ist, wobei durch einen Vergleich des Sägezahnsignals mit einem Referenzsignal ein Steuersignal für das Halbleiterschaltelement erzeugt wird. Das Ansprechen des Halbleiterschaltelements kann dann durch eine Beeinflussung des Sägezahnsignals variiert werden. Durch geeignetes Überlagern des Additions-Signals kann somit das Schaltverhalten des Halbleiterschaltelements derart beeinflusst werden, dass ein Einschaltet im Spannungs-Nulldurchgang erfolgt.The control signal generated by the control circuit is a sawtooth signal and the addition signal generated by the signal generating circuit a Voltage edge. In other words, that means the control circuit conventional Art is, wherein by comparing the sawtooth signal with a reference signal a control signal for the Semiconductor switching element is generated. The response of the semiconductor switching element can then be varied by influencing the sawtooth signal. By suitable overlaying of the addition signal can thus the switching behavior of the semiconductor switching element be influenced so that a turn on in the voltage zero crossing occurs.

In einer Weiterbildung weist die Steuerschaltung einen Eingang auf, an dem eine Referenzspannung zur Einstellung der Frequenz des Sägezahnsignals anliegt, wobei der Eingang mit dem Ausgang der Signalerzeugungsschaltung verbunden ist, an dem das Additions-Signal abgreifbar ist. Eine Überlagerung, d.h. eine Addition, des Additions-Signals mit der Referenzspannung zur Generierung des (modifizierten) Sägezahnsignals findet somit unmittelbar am Eingang einer konventionellen Steuerschaltung statt. Der Vorteil dieses Vorgehens besteht darin, dass herkömmliche Steuerschaltungen verwendet werden können, da sämtliche zur Beeinflussung des Schaltverhaltens des Halbleiterschaltelements des Sperrwandlers notwendigen Bauelemente in einer davon separaten Schaltung, der Signalerzeugungsschaltung integriert werden können. Das Zusammenschaltet zu einer Schaltungsanordnung kann dabei durch Aufbringen der Steuerschaltung, der Signalerzeugungsschaltung sowie gegebenenfalls weiterer notwendiger externer Bauelemente auf einer Leiterplatte erfolgen. Hierdurch lässt sich auf besonders einfache und kostengünstige Weise ein Verzicht auf eine separate Hilfswicklung realisieren.In In a further development, the control circuit has an input, at which a reference voltage for adjusting the frequency of the sawtooth signal is applied, wherein the input to the output of the signal generating circuit is connected, on which the addition signal can be tapped. An overlay, i.e. an addition, the addition signal with the reference voltage for generating the (modified) sawtooth signal thus finds directly at the entrance of a conventional control circuit. Of the Advantage of this procedure is that conventional Control circuits can be used, since all to influence the Switching behavior of the semiconductor switching element of the flyback converter necessary components in a separate circuit, the Signal generating circuit can be integrated. The interconnects to a circuit arrangement can thereby by applying the control circuit, the signal generating circuit and possibly further necessary external components on a circuit board done. hereby let yourself in a particularly simple and cost-effective way a waiver realize a separate auxiliary winding.

In einer Weiterbildung der Erfindung ist das Addier-Mittel mit einem Widerstand gekoppelt, der den Spannungshub des von dem Addier-Mittel erzeugten Additions-Signals bewirkt.In a development of the invention is the adding means with a Resistor coupled to the voltage swing of the of the adding means generated addition signal causes.

In einer anderen Weiterbildung ist der Ausgang der Signalerzeugungsschaltung mit einem Widerstand gekoppelt, um eine Addition des von der Signalerzeugungsschaltung erzeugten Additions-Signals und dem von der Steuerschaltung erzeugten Signal zu bewirken.In Another development is the output of the signal generation circuit coupled to a resistor to add the signal generated by the signal generating circuit generated addition signal and the generated by the control circuit Signal to effect.

In einer nächsten Weiterbildung ist das Addier-Mittel mit dem Detektions-Mittel über eine Serienschaltung mit einer Schottky-Diode und eines Widerstands miteinander gekoppelt. Der sich hieraus ergebende Vorteil besteht in der Beschleunigung des Abschaltvorganges des Addier-Mittels.In one next Training is the adding means with the detection means over a Series connection with a Schottky diode and a resistor together coupled. The resulting advantage is the acceleration the shutdown of the adding means.

Bevorzugt bewirkt das von der Steuerschaltung erzeugte Steuersignal ein Einschaltet des Halbleiterschaltelements des Sperrwandlers, wenn über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt. Hierdurch ist sichergestellt, dass das Halbleiterschaltelement verlustfrei schaltet, unabhängig von der gewählten Betriebsfrequenz des Sperrwandlers.Prefers causes the control signal generated by the control circuit turns on of the semiconductor switching element of the flyback converter, if over the Load line no voltage is applied. This ensures that the semiconductor switching element switches lossless, regardless of the chosen one Operating frequency of the flyback converter.

In einer Weiterbildung ist das Detektions-Mittel zum Detektieren der Spannung an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements derart ausgebildet, dass dieses die Spannung auf eine abfallende Spannungsflanke hin überwacht. Hierdurch ist sichergestellt, dass ohne zeitliche Verzögerung ein Einschaltet des Halbleiterschaltelements erfolgen kann, wodurch die Verluste minimiert sind.In a development is the detection means for detecting the Voltage at the load path of the semiconductor switching element in such a way designed that this voltage on a falling voltage edge monitored. This ensures that without a delay Turns on the semiconductor switching element can be done, thereby the losses are minimized.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung lässt sich in Verbindung mit sämtlichen Hochsetzsteller- und Sperrwandler-Topologien einsetzen. Insbesondere kann der Sperrwandler als Hochsetzsteller (Boost Converter), als Flyback-Converter mit angezapfter Drossel oder als Flyback-Converter mit auf Be triebsspannung aufgesetzter Sekundärwicklung ausgebildet sein.The inventive circuit arrangement let yourself in connection with all Use boost converter and flyback converter topologies. In particular, can the flyback converter as a boost converter (Boost Converter), as a flyback converter with tapped choke or flyback converter with operating voltage attached secondary winding be educated.

Die Erfindung und deren Vorteile werden nachfolgend anhand der Figuren näher beschrieben. Es zeigen:The Invention and its advantages will be described below with reference to FIGS described in more detail. It demonstrate:

1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, welche einen als Hochsetzsteller ausgebildeten Spannungswandler ansteuert, 1 An embodiment of a circuit arrangement according to the invention, which drives a designed as a boost converter voltage converter,

2 ein Spannungszeitdiagramm, in welches die Spannungsverläufe verschiedener Bauelemente der Schaltungsanordnung zum besseren Verständnis dargestellt sind, und 2 a voltage timing diagram, in which the voltage waveforms of various components of the circuit arrangement are shown for clarity, and

3a-3d verschiedene Sperrwandler-Topologien, welche mit der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung betrieben werden können. 3a - 3d different barrier wall ler topologies, which can be operated with the circuit arrangement according to the invention.

1 zeigt eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung 1 zum Ansteuern eines Hochsetzstellers 10. Dieser weist ein Halbleiterschaltelement 11 auf, dessen Laststrecke eine Reihenschaltung aus einer Diode 13 und einem Ladungsspeicher 14 parallel geschaltet ist. Über dem Ladungsspeicher 14 liegt eine Ausgangsspannung Vout an. Ein weiterer Ladungsspeicher 15 ist der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 parallel geschaltet. Über einem mit Versorgungspotentialanschlüssen 24, 27 verbundenen Ladungsspeicher 16 liegt eine Eingangsspannung Vin an. Dem Ladungsspeicher 16 ist eine Serienschaltung aus einer Drossel 12 und der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 parallel geschaltet. 1 shows a circuit arrangement according to the invention 1 for driving a boost converter 10 , This has a semiconductor switching element 11 on, whose load path is a series connection of a diode 13 and a charge storage 14 is connected in parallel. Over the charge storage 14 is an output voltage Vout. Another charge storage 15 is the load path of the semiconductor switching element 11 connected in parallel. Above one with supply potential connections 24 . 27 connected charge storage 16 an input voltage Vin is applied. The charge storage 16 is a series circuit of a choke 12 and the load path of the semiconductor switching element 11 connected in parallel.

Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Energieversorgung des Hochsetzstellers 10 durch eine Stromversorgungseinheit 18 und die Ansteuerung des Halbleiterschaltelementes 11 durch eine Steuerschaltung 20 vorgenommen. Während an dem Versorgungspotentialanschluss 24 ein Versorgungspotential anliegt, liegt der Versorgungspotentialanschluss 27 auf einem Bezugspotential. Ein Eingang 23 der Steuerschaltung 20 ist mit einem Knotenpunkt aus einer Reihenschaltung aus einem Widerstand 21 und einem Ladungsspeicher 22 verbunden. Der Eingang 23, der auch als "Timing-Eingang" bezeichnet wird, dient dazu, die Frequenz einzustellen, mit welcher das Halbleiterschaltelement 11 des Hochsetzstellers betrieben werden soll. Der andere Anschluss des Widerstandes 21 ist mit einem Referenzspannungsanschluss 26 verbunden, an welchem eine Referenzspannung Vref anlegbar ist. Eine Steuerschaltung 20 mit einem derart beschalteten Eingang 23 ist dazu ausgelegt, den Hochsetzsteller 10 mit fester Frequenz, d.h. unter Inkaufnahme von Schaltverlusten, zu betreiben.In the present embodiment, the power supply of the boost converter 10 through a power supply unit 18 and the control of the semiconductor switching element 11 by a control circuit 20 performed. While at the supply potential connection 24 a supply potential is present, is the supply potential connection 27 on a reference potential. An entrance 23 the control circuit 20 is with a node of a series connection of a resistor 21 and a charge storage 22 connected. The entrance 23 , also referred to as the "timing input", serves to adjust the frequency at which the semiconductor switching element 11 of the boost converter to be operated. The other connection of the resistor 21 is with a reference voltage connection 26 connected to which a reference voltage Vref can be applied. A control circuit 20 with such a connected input 23 is designed to be the boost converter 10 to operate at a fixed frequency, ie at the expense of switching losses.

Im Rahmen der weiteren Beschreibung wird davon ausgegangen, dass von der Steuerschaltung 20 ein Sägezahnsignal erzeugt wird. Dieses wird in der Steuerschaltung 20 mit einer Referenzspannung verglichen, wodurch der Einschaltzeitpunkt des Halbleiterschaltelementes 11 festgelegt wird. Das Schaltverhalten des Halbleiterschaltelements 11 wird somit im wesentlichen durch die Höhe der Referenzspannung (im Inneren der Steuerschaltung 20) sowie die Form, insbesondere die Anstiegsgeschwindigkeit, des Sägezahnsignals festgelegt.In the further description it is assumed that by the control circuit 20 a sawtooth signal is generated. This will be in the control circuit 20 compared with a reference voltage, whereby the turn-on of the semiconductor switching element 11 is determined. The switching behavior of the semiconductor switching element 11 is thus essentially by the height of the reference voltage (in the interior of the control circuit 20 ) as well as the shape, in particular the rate of rise, of the sawtooth signal.

Um den Hochsetzsteller 10 ohne Schaltverluste betreiben zu können, ist eine Signalerzeugungsschaltung 30 vorgesehen, die eingangsseitig mit dem Drain-Anschluss des Halbleiterschaltelements 11 des Hochsetzstellers und ausgangsseitig mit dem Ladungsspeicher 22 verbunden ist. Die Signalerzeugungsschaltung 30 überwacht die über der Laststrecke anliegende Spannung VDS des Halbleiterschaltelementes 11 auf eine fallende Spannungsflanke, um bei Detektion derselben einen Spannungsimpuls zu erzeugen und an ihrem Ausgang 46 zur Verfügung zu stellen. Dieser als Additions-Signal bezeichnete Spannungsimpuls wird dem am Eingang 23 anliegenden Referenzsignal überlagert. Im Ergebnis hat dies zur Folge, dass auf die aufstei gende Flanke des Sägezahnsignals eine Spannungsflanke mit wesentlich größerer Steigung aufaddiert wird, so dass die Schwelle zum Einschaltet des Halbleiterschaltelements 11 genau in dem Moment erreicht wird, wenn der Spannungs-Nulldurchgang über der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 gegeben ist.To the boost converter 10 to be able to operate without switching losses, is a signal generating circuit 30 provided on the input side with the drain terminal of the semiconductor switching element 11 the boost converter and the output side with the charge storage 22 connected is. The signal generation circuit 30 monitors the applied over the load path voltage VDS of the semiconductor switching element 11 on a falling voltage edge to generate a voltage pulse upon detection and at its output 46 to provide. This voltage pulse, called the addition signal, becomes the input 23 superimposed adjacent reference signal. As a result, this has the consequence that a voltage edge is added to the rising edge of the sawtooth signal with a much larger slope, so that the threshold for switching on the semiconductor switching element 11 is reached at the moment when the voltage zero crossing across the load path of the semiconductor switching element 11 given is.

Der Aufbau und die Funktionsweise der Signalerzeugungsschaltung 30 wird nachfolgend näher erläutert.The structure and operation of the signal generating circuit 30 will be explained in more detail below.

Zwischen einem Versorgungspotentialanschluss 25, an dem eine Versorgungsspannung Vcc anliegt und dem Ausgang 46 der Signalerzeugungsschaltung 30 ist ein Addier-Mittel 31 verschaltet. Dieses weist ein Halbleiterschaltelement 42, vorliegend ein Bipolar-Transistor, sowie einen Widerstand 43 und einen damit in Reihe verschalteten Ladungsspeicher 44 auf. Der Emitter des Bipolar-Transistors 42 ist mit dem Versorgungspotentialanschluss 25 verschaltet. Die Reihenschaltung aus dem Widerstand 43 und dem Ladungsspeicher 44 ist zwischen dem Kollektor des Bipolar-Transistors 42 und dem Ausgang 46 der Signalerzeugungsschaltung 30 verschaltet. Ein zwischen dem Addier-Mittel 31 und dem Bezugspotentialanschluss 27 verschalteter Widerstand 41 sorgt für einen Spannungshub der von dem Addier-Mittel erzeugten Spannungsflanke. Die Spannungsflanke wird dabei genauer durch den Ladungsspeicher 44 hervorgerufen.Between a supply potential connection 25 to which a supply voltage Vcc is applied and the output 46 the signal generation circuit 30 is an adding agent 31 connected. This has a semiconductor switching element 42 , in this case a bipolar transistor, as well as a resistor 43 and a charge storage connected in series therewith 44 on. The emitter of the bipolar transistor 42 is with the supply potential connection 25 connected. The series connection of the resistor 43 and the charge storage 44 is between the collector of the bipolar transistor 42 and the exit 46 the signal generation circuit 30 connected. One between the adding means 31 and the reference potential terminal 27 connected resistor 41 provides a voltage swing of the voltage ramp generated by the adding means. The voltage edge becomes more accurate through the charge storage 44 caused.

Das Addier-Mittel 31, genauer der Knotenpunkt zwischen dem Kollektor des Bipolar-Transistors 42 und dem Widerstand 43, ist über eine Serienschaltung aus einer Diode 32 und einem Widerstand 33 mit einem Detektions-Mittel 35 verbunden. Das Detektions-Mittel 35 weist einen als Differenzierglied wirkenden Ladungsspeicher 38 und einen damit verbundenen Widerstand 36 auf. Die durch eine fallende Spannungsflanke an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 hervorgerufenen Spannungsverhältnisse am Ladungsspeicher 38 bewirken ein Einschaltet des Addier-Mittels, genauer des Bipolar-Transistors 42, um dadurch bedingt am Ausgang 46 ein Signal bereitstellen zu können, welches dem am Eingang 23 der Steuerschaltung 20 anliegenden Signal überlagert wird. Der Widerstand 36 bildet in Verbindung mit einem dazu in Serie verschalteten Ladungsspeicher 37 einen Tiefpass. Dieser wird mit der über der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 abfallenden Spannung VDS beaufschlagt. Der Tiefpass aus dem Widerstand 36 und dem Ladungsspeicher 37 wird auch als "Klingel-Dämpfung" bezeichnet.The adding means 31 More specifically, the node between the collector of the bipolar transistor 42 and the resistance 43 , is a series connection of a diode 32 and a resistance 33 with a detection means 35 connected. The detection means 35 has a charge storage acting as a differentiating element 38 and an associated resistance 36 on. The by a falling voltage edge on the load path of the semiconductor switching element 11 caused voltage conditions at the charge storage 38 cause an on of the adding means, more precisely of the bipolar transistor 42 , thereby conditionally at the exit 46 to provide a signal which at the input 23 the control circuit 20 adjacent signal is superimposed. The resistance 36 forms in conjunction with a series-connected charge storage device 37 a low pass. This is with the over the load path of the semiconductor switching element 11 decreasing voltage VDS applied. The low pass from the resistor 36 and the charge storage 37 is also called "bell damping".

Der Knotenpunkt zwischen der Diode 32 und dem Widerstand 33 ist mit dem Basis-Anschluss des Bipolar-Transistors 42 verbunden. Die Anode der Diode 32 ist mit dem Kollektor des Bipolar-Transistors verbunden. Die Diode stellt eine Entsättigungsdiode dar, um den Ausschaltvorgang des Bipolar-Transistors zu beschleunigen. Der Widerstand 33 dient zur Einstellung des Basisstroms des Bipolar-Transistors im Falle des Leitendschaltets desselben. Zwischen dem Basis-Anschluss und dem Emitter-Anschluss des Bipolar-Transistors 42 ist weiterhin ein Widerstand 34 vorgesehen, welcher eine Dämpfung bewirkt, um ein Ansprechen des Bipolar-Transistors 42 bei kleinen Spannungsänderungen zu verhindern.The node between the diode 32 and the resistance 33 is connected to the base terminal of the bipolar transistor 42 connected. The anode of the diode 32 is connected to the collector of the bipolar transistor. The diode is a desaturation diode to accelerate the turn-off of the bipolar transistor. The resistance 33 serves to adjust the base current of the bipolar transistor in the case of Leitendschaltets the same. Between the base terminal and the emitter terminal of the bipolar transistor 42 is still a resistance 34 provided, which causes an attenuation to a response of the bipolar transistor 42 to prevent small voltage changes.

Während der als Differenzier-Glied wirkende Ladungsspeicher 38 zum Einschaltet des Bipolar-Transistors 42 dient, ist eine zwischen dem Bezugspotentialanschluss 27 und dem Ladungsspeicher 38 verschaltete Zenerdiode 39 für das Ausschaltet des Addier-Mittels, insbesondere des Bipolar-Transistors 42, verantwortlich. Das Ausschalten des Transistors 42 erfolgt zum Zeitpunkt t1 durch Aufladung des Ladungsspeichers 38 während des Spannungsanstieges an der Laststrecke des Halbleiterschaltelementes 11, infolgedessen die Spannung V39 über der Zenerdiode 39 über den Wert der Betriebsspannung Vcc an dem Knoten 25 steigt. Aufgrund der zwischen Basis und Kollektor verschalteten Diode 32 wird ein schnelleres Sperren des Transistors 42 erreicht.While acting as a differentiating element charge storage 38 for turning on the bipolar transistor 42 is one, between the reference potential terminal 27 and the charge storage 38 switched zener diode 39 for switching off the adding means, in particular the bipolar transistor 42 , responsible. Turning off the transistor 42 occurs at time t1 by charging the charge storage 38 during the voltage increase at the load path of the semiconductor switching element 11 , as a result, the voltage V39 across the Zener diode 39 about the value of the operating voltage Vcc at the node 25 increases. Due to the diode connected between base and collector 32 will lock the transistor faster 42 reached.

Eine zwischen dem Ausgang des Addier-Mittels 31 und dem Bezugspotentialanschluss 27 verschaltete Diode 45 stellt eine Schutzdiode dar, deren Dimensionierung von der Ausgestaltung der Steuerschaltung 20 abhängt. Um eine Überlagerung bzw. Addition der von dem Addier-Mittel erzeugten Spannungsflanke mit dem in der Steuerschaltung 20 erzeugten Sägezahnsignals zu erzielen ist ferner ein zwischen dem Ausgang 46 und dem Bezugspotentialanschluss 27 verschalteter Widerstand 40 vorgesehen.One between the output of the adder 31 and the reference potential terminal 27 switched diode 45 represents a protection diode whose dimensioning of the design of the control circuit 20 depends. To a superposition or addition of the voltage edge generated by the adding means with that in the control circuit 20 to achieve generated sawtooth signal is also a between the output 46 and the reference potential terminal 27 connected resistor 40 intended.

Zum sicheren Sperren des Transistors 42 nach Abschalten der Zenerdiode 39 kann optional ein zwischen dem Versorgungsanschluss 25 und dem Ladungsspeicher 38 verschalteter Widerstand 47 angeschlossen sein.For safe locking of the transistor 42 after switching off the zener diode 39 Optionally, a between the supply connection 25 and the charge storage 38 connected resistor 47 be connected.

Das Verhalten der Signalerzeugungsschaltung 30 wird besser anhand des Spannungs-Zeit-Diagramms aus 2 ersichtlich. In diesem Diagramm sind der über der Laststrecke des Halbleiterschaltelements 11 anliegende Spannungsverlauf VDS, der über der Zenerdiode 39 anliegende Spannungsverlauf V39, der über dem Widerstand 41 anliegende Spannungsverlauf V41 sowie der am Eingang 23 der Steuerschaltung 20 anliegende Spannungsverlauf V20 dargestellt. Anhand des Spannungsverlaufs von VDS kann ersehen werden, dass das Halbleiterschaltelement zum Zeitpunkt t1 von einem leitenden in einen nicht-leitenden Zustand geschaltet wird. Bis zum Zeitpunkt t1 wird somit die Drossel 12 geladen. Nach dem Ausschaltet des Halbleiterschaltelements 11 zum Zeitpunkt t1 beginnt die über der Laststrecke anliegende Spannung VDS zu steigen. In dieser Phase wird der der Laststrecke des Halbleiterschaltelements parallel geschaltete Ladungsspeicher 15 geladen. Nachdem zum Zeitpunkt t2 über der Laststrecke die Ausgangsspannung Vout anliegt, beginnt sich die Drossel 12 über die Diode 13 langsam zu entladen, wodurch der durch die Drossel fließende Strom abnimmt. Im Stromnulldurchgang zum Zeitpunkt t3 wird die Dio de 13 gesperrt, so dass sich nunmehr der der Laststrecke parallel geschaltete Ladungsspeicher 15 zu entladen beginnt, wobei gleichzeitig die über der Laststrecke anliegende Spannung abnimmt.The behavior of the signal generation circuit 30 is better based on the voltage-time diagram 2 seen. In this diagram, the over the load path of the semiconductor switching element 11 adjacent voltage waveform VDS, which is above the Zener diode 39 applied voltage curve V39, which is above the resistor 41 voltage curve V41 as well as the voltage at the input 23 the control circuit 20 adjacent voltage waveform V20 shown. From the voltage waveform of VDS, it can be seen that the semiconductor switching element is switched from a conducting to a non-conducting state at time t1. Until the time t1 thus becomes the throttle 12 loaded. After switching off the semiconductor switching element 11 At time t1, the voltage VDS applied across the load path begins to increase. In this phase, the load memory of the semiconductor switching element connected in parallel charge storage 15 loaded. After the output voltage Vout is present at the time t2 over the load path, the throttle begins 12 over the diode 13 slowly discharge, whereby the current flowing through the throttle decreases. In the current zero crossing at time t3, the Dio de 13 locked, so that now the charge path connected in parallel to the load path 15 begins to discharge, at the same time decreases the voltage applied across the load path.

Während bis zu diesem Zeitpunkt t3 ein statischer Spannungszustand an dem Ladungsspeicher 38 herrschte, beginnt sich dieser nun aufgrund der abfallenden Spannung am Drain-Anschluss des Halbleiterschaltelementes 11 zu entladen. Damit geht ein Spannungsabfall über der Zenerdiode 39 einher. Schließlich findet ein allmähliches Auf steuern des Bipolar-Transistors 42 über dessen Emitter zur Basis über den Widerstand 33 statt. Infolgedessen fängt am Knotenpunkt zwischen dem Widerstand 41 und dem Kollektor des Bipolar-Transistors 42 die Spannung zu steigen an, bis der Knotenpunkt in etwa die Versorgungsspannung Vcc erreicht hat. Der in dem Addier-Mittel 31 vorgesehene Ladungsspeicher 44 sorgt schließlich dafür, dass am Ausgang 46 der Signalerzeugungsschaltung 30 eine (steile) Spannungsflanke anliegt. Bedingt durch den Widerstand 40 wird diese Spannungsflanke dem am Eingang 23 zugeführten Signal überlagert, wodurch der in 2 gezeigte, am Eingang 23 anliegende, Spannungsverlauf V20 entsteht, der einem überlagerten Sägezahnsignal entspricht. Der Schwellenwert zum Einschaltet des Halbleiterschaltelementes 11 wird aufgrund der überlagerten Spannungsflanke zu einem sehr viel früheren Zeitpunkt erreicht, als dies ohne die überlagerte Spannungsflanke der Fall wäre. Im Ergebnis wird ein Einschaltet des Halbleiterschaltelements 11 zum Zeitpunkt des Spannungs-Nulldurchganges erzielt.During this time t3 a static voltage state at the charge storage 38 prevails, this now starts due to the falling voltage at the drain terminal of the semiconductor switching element 11 to unload. This is a voltage drop across the zener diode 39 associated. Finally, there is a gradual on control of the bipolar transistor 42 via its emitter to the base via the resistor 33 instead of. As a result, at the junction between the resistance begins 41 and the collector of the bipolar transistor 42 to increase the voltage until the node has reached approximately the supply voltage Vcc. The one in the adding means 31 provided charge storage 44 Finally, make sure that at the exit 46 the signal generation circuit 30 a (steep) voltage edge is applied. Due to the resistance 40 this voltage edge is at the input 23 superimposed signal supplied, causing the in 2 shown at the entrance 23 adjacent voltage waveform V20 is formed, which corresponds to a superimposed sawtooth signal. The threshold for turning on the semiconductor switching element 11 Due to the superimposed voltage edge, it is reached at a much earlier point in time than would be the case without the superimposed voltage edge. As a result, an on-state of the semiconductor switching element becomes 11 achieved at the time of voltage zero crossing.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung lässt sich mit allen Sperrwandler- und Hochsetzsteller-Topologien kombinieren. Die am häufigsten eingesetzten Topologien sind in den 3a bis 3d dargestellt, wobei 3a den in Verbindung mit 1 bereits beschriebenen Hochsetzsteller darstellt. In 3b ist ein Flyback-Converter dargestellt, welcher eine weitere Drossel 17 aufweist, die mit der Drossel 12 in Wirkverbindung steht. Die 3c und 3d zeigen ebenfalls Flyback-Converter, wobei 3c einen Hochsetzsteller mit angezapfter Wicklung und 3d einen Flyback-Converter mit auf Betriebsspannung aufgesetzter Sekundärwicklung offenbart. Da diese Topologien einem Fachmann grundsätzlich geläufig sind, wird auf eine nähere Beschreibung verzichtet.The circuit arrangement according to the invention can be combined with all flyback converter and boost converter topologies. The most commonly used topologies are in the 3a to 3d shown, where 3a in conjunction with 1 already described boost converter provides. In 3b is shown a flyback converter, which is another throttle 17 that has the throttle 12 is in active connection. The 3c and 3d also show flyback converter, where 3c a boost converter with tapped winding and 3d discloses a flyback converter with attached to operating secondary winding. Since these topologies are generally familiar to a person skilled in the art, a more detailed description is dispensed with.

Claims (12)

Schaltungsanordnung (1) zum Ansteuern eines Hochsetzstellers oder eines Sperrwandlers (10), der ein steuerbares Halbleiterschaltelement (11) aufweist, dessen Steueranschluss von einer Steuerschaltung (20) mit einem von dieser erzeugten Steuersignal beaufschlagbar ist, wobei – eine mit der Steuerschaltung (20) gekoppelte Signalerzeugungsschaltung (30) vorgesehen ist, die das von der Steuerschaltung (20) erzeugte Steuersignal derart beeinflusst, dass ein Schaltvorgang des Halbleiterschaltelements (11) des Sperrwandlers (10) erfolgt, wenn über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt, und – die Signalerzeugungsschaltung (30) direkt mit dem Halbleiterschaltelement (11) verbunden ist.Circuit arrangement ( 1 ) for driving a boost converter or a flyback converter ( 10 ) comprising a controllable semiconductor switching element ( 11 ) whose control terminal is controlled by a control circuit ( 20 ) can be acted upon by a control signal generated by this, wherein - one with the control circuit ( 20 ) coupled signal generating circuit ( 30 ) provided by the control circuit ( 20 ) is influenced such that a switching operation of the semiconductor switching element ( 11 ) of the flyback converter ( 10 ) takes place when there is no voltage across its load path, and - the signal generating circuit ( 30 ) directly to the semiconductor switching element ( 11 ) connected is. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalerzeugungsschaltung (30) Detektions-Mittel (35) zum Detektieren einer an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements (11) anliegenden Spannung aufweist.Circuit arrangement according to Claim 1, characterized in that the signal-generating circuit ( 30 ) Detection means ( 35 ) for detecting a at the load path of the semiconductor switching element ( 11 ) has applied voltage. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalerzeugungsschaltung (30) Addier-Mittel (31) zum Erzeugen eines Additions-Signals aufweist, die dieses in Abhängigkeit eines detektierten Spannungs-Nulldurchgangs an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements (11) erzeugen.Circuit arrangement according to Claim 1 or 2, characterized in that the signal generation circuit ( 30 ) Adding means ( 31 ) for generating an addition signal which this in dependence of a detected voltage zero crossing at the load path of the semiconductor switching element ( 11 ) produce. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalerzeugungsschaltung (30) Überlagerungs-Mittel (40,41) aufweist, die das Additions-Signal dem von der Steuerschaltung (20) erzeugten Steuersignal überlagern.Circuit arrangement according to Claim 3, characterized in that the signal generating circuit ( 30 ) Overlay means ( 40 . 41 ), which receives the addition signal from the control circuit ( 20 ) superimposed control signal generated. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das von der Steuerschaltung (20) erzeugte Steuersignal ein Sägezahnsignal ist und das von der Signalerzeugungsschaltung (30) erzeugte Additions-Signal eine Spannungsflanke ist.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the control circuit ( 20 ) is a sawtooth signal and that of the signal generating circuit ( 30 ) is a voltage edge. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (20) einen Eingang (23) aufweist, an dem eine Referenzspannung zur Einstellung der Frequenz des Sägezahnsignals anliegt, wobei der Eingang (23) mit dem Ausgang (46) der Signalerzeugungsschaltung (30) verbunden ist, an dem das Additions-Signal abgreifbar ist.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the control circuit ( 20 ) an entrance ( 23 ) to which a reference voltage is applied for setting the frequency of the sawtooth signal, the input ( 23 ) with the output ( 46 ) of the signal generation circuit ( 30 ), to which the addition signal can be tapped. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Addier-Mittel (31) mit einem Widerstand (41) gekoppelt ist, der einen Spannungshub des von dem Addier-Mittel erzeugten Additions-Signals bewirkt.Circuit arrangement according to one of Claims 3 to 6, characterized in that the adding means ( 31 ) with a resistor ( 41 ) which causes a voltage swing of the addition signal generated by the adding means. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang (46) der Signalerzeugungsschaltung (30) mit einem Widerstand (40) gekoppelt ist, um eine Addition des von der Signalerzeugungsschaltung (30) erzeugten Additions-Signals und dem von der Steuerschaltung (20) erzeugten Signal zu bewirken.Circuit arrangement according to one of Claims 3 to 7, characterized in that the output ( 46 ) of the signal generation circuit ( 30 ) with a resistor ( 40 ) is coupled to an addition of the signal generated by the signal generating circuit ( 30 ) and the addition of the control circuit ( 20 ) to cause generated signal. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Addier-Mittel (31) mit dem Detektions-Mittel (35) über eine Serienschaltung einer Zenerdiode und eines Widerstand miteinander gekoppelt ist.Circuit arrangement according to one of Claims 3 to 8, characterized in that the adding means ( 31 ) with the detection means ( 35 ) is coupled to each other via a series connection of a Zener diode and a resistor. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das von der Steuerschaltung (20) erzeugte Steuersignal ein Einschaltet des Halbleiterschaltelements (11) des Sperrwandlers (10) bewirkt, wenn über dessen Laststrecke keine Spannung anliegt.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the control circuit ( 20 ) generates an activation of the semiconductor switching element ( 11 ) of the flyback converter ( 10 ) causes when there is no voltage across the load path. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Detektions-Mittel (35) zum Detektieren der Spannung an der Laststrecke des Halbleiterschaltelements (11) die Spannung auf eine abfallende Spannungsflanke hin überwacht.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the detection means ( 35 ) for detecting the voltage at the load path of the semiconductor switching element ( 11 ) monitors the voltage for a falling voltage edge. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sperrwandler ein Hochsetzsteller (Boost Converter), ein Flyback-Converter, ein Flyback-Converter mit angezapfter Drossel oder ein Flyback-Converter mit auf Betriebsspannung aufgesetzter Sekundärwicklung ist.Circuit arrangement according to one of the preceding Claims, characterized in that the flyback converter is a boost converter (Boost Converter), a flyback converter, a flyback converter with tapped throttle or a flyback converter with on operating voltage attached secondary winding is.
DE200410047697 2004-09-30 2004-09-30 Circuit arrangement for driving a flyback converter Ceased DE102004047697A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410047697 DE102004047697A1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Circuit arrangement for driving a flyback converter
PCT/EP2005/053766 WO2006034908A2 (en) 2004-09-30 2005-08-02 Circuit arrangement for controlling a blocking oscillator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410047697 DE102004047697A1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Circuit arrangement for driving a flyback converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004047697A1 true DE102004047697A1 (en) 2006-05-11

Family

ID=35927505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200410047697 Ceased DE102004047697A1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Circuit arrangement for driving a flyback converter

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102004047697A1 (en)
WO (1) WO2006034908A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2173026A3 (en) * 2008-10-02 2017-02-22 Siemens Aktiengesellschaft Converter and method for operating the converter

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3199423B2 (en) * 1991-11-01 2001-08-20 オリジン電気株式会社 Resonant type forward converter
US6614288B1 (en) * 1998-05-20 2003-09-02 Astec International Limited Adaptive drive circuit for zero-voltage and low-voltage switches
US6583994B2 (en) * 2001-06-19 2003-06-24 Space Systems/Loral Method and apparatus for soft switched AC power distribution

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2173026A3 (en) * 2008-10-02 2017-02-22 Siemens Aktiengesellschaft Converter and method for operating the converter

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006034908A3 (en) 2006-08-03
WO2006034908A2 (en) 2006-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011087368B4 (en) Driver circuit, arrangement and method for bootstrapping a switch driver
DE19636753C2 (en) Semiconductor device
DE102011087434B4 (en) Circuit and three methods of driving a switch
EP1710898B1 (en) Switchable voltage converter
AT516601B1 (en) Flyback Converter circuit
DE102015114373A1 (en) SYSTEM AND METHOD FOR A SWITCH WITH A SELF-LEADING TRANSISTOR AND A TRANSISTOR LOCKING TRANSISTOR
DE102015114371A1 (en) SYSTEM AND METHOD FOR A SWITCH WITH A SELF-LEADING TRANSISTOR AND A TRANSISTOR LOCKING TRANSISTOR
DE102009024159A1 (en) Electronic device and method for DC-DC conversion with variable working current
DE4334386A1 (en) Overcurrent protection for power semiconductor module - includes current detection electrode, transmitting detector signal w.r.t. main current flow over main current path
DE102019206970A1 (en) Multi-stage power converter with regulation of the voltage of the floating capacitor at low load
DE102015226526B4 (en) High-efficiency DC-to-DC converter with adaptive output stage
DE112005000026T5 (en) DC-DC converter and converter device
DE102018126780A1 (en) Circuit arrangement of gate driver circuits and circuit breakers with negative reverse voltage
DE112018002324T5 (en) DEAD ZONE FREE CONTROL
DE102011087431A1 (en) Arrangement and method for driving a cascode switch
DE102014202643B4 (en) Semiconductor device drive circuit and semiconductor device drive unit
EP1146630A2 (en) Method for regulating the output current and/or the output voltage of a switched mode power supply
DE69730581T2 (en) DC-DC converter for mobile application
DE112017005404T5 (en) DC-DC converter
DE102009049615B4 (en) Electronic device for controlling a circuit breaker
DE112018007757T5 (en) SWITCHING POWER SUPPLY, INTEGRATED SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT AND DIFFERENTIAL INPUT CIRCUIT
DE10030795B4 (en) DC converter circuit
DE102008061129B4 (en) Apparatus and method for controlling a transistor
DE4421249A1 (en) Switched-mode power supply device having a snubber circuit
DE4325899C2 (en) MOS switching stage

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection