DE102004010002A1

DE102004010002A1 - Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Maske und Verfahren

Info

Publication number: DE102004010002A1
Application number: DE102004010002A
Authority: DE
Inventors: Frank-Michael Dr. Kamm
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2004-03-01
Filing date: 2004-03-01
Publication date: 2005-09-29
Anticipated expiration: 2024-03-02
Also published as: DE102004010002B4

Abstract

Beschrieben wird ein Maskenhalter (10) zum Halten einer lithografischen Maske (20), wobei der Maskenhalter (10) mindestens eine Auflagefläche (17a) zum Auflegen eienr lithografischen Maske (20) und elektrisch vorspannbare Elektroden (13) aufweist, wobei die Elektroden (13) mithilfe elektrischer Vorspannungen Abstände zwischen einer auf den Maskenhalter (10) aufgelegten lithografischen Maske (20) und den Elektroden (13) durch elektrostatische Anziehung der lithografischen Maske (20) verringern und wobei eine Vielzahl (12) der Elektroden (13) jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar ist. Durch die Vielzahl individuell vorspannbarer Elektroden (13) wird eine Maske (20) so an den Maskenhalter (10) gezogen, dass Höhentoleranzen einer Oberfläche der Maske (20) ausgeglichen werden und eine lagegenauere Abbildung von Maskenstrukturen ermöglicht wird.

Description

Die Erfindung betrifft einen Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Maske sowie ein Verfahren zum Anordnen einer lithografischen Maske auf einem Maskenhalter.

In der Halbleiterfertigung werden Halbleiterprodukte mit einer Vielzahl von Strukturebenen hergestellt, die jeweils durch ganzflächiges Abscheiden eines Schichtmaterials auf dem Halbleiterprodukt und durch lithografisches Strukturieren der abgeschiedenen Schicht hergestellt werden. Dabei wird ein Maskenmuster einer lithografischen Maske, eines sogenannten Reticles, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung auf die Oberfläche des Halbleiterprodukts abgebildet. Durch anschließendes Ätzen werden entweder nur die belichteten oder nur die unbelichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleiterprodukts entfernt.

Eine Maske enthält ein auf ein Halbleiterprodukt zu übertragene Strukturmuster in vergrößertem Maßstab. Das Strukturmuster auf der Maske wird hergestellt, indem eine intransparente Schicht, etwa eine Chromschicht, auf ein Maskensubstrat abgeschieden und mit Hilfe eines Maskenschreibers, beispielsweise eines Elektronenstrahlschreibers oder eines Lasers, strukturiert wird. Die Maske wird als Reflexionsmaske oder Transmissionsmaske in den optischen Strahlengang einer lithografischen Belichtungseinrichtung eingesetzt und das Strukturmuster der Maske wird verkleinert auf eine Vielzahl von Halbleiterprodukte übertragen.

Die hohe Integrationsdichte integrierter Halbleiterprodukte erfordert eine lagegenaue Abbildung der Strukturen der Maske auf die Halbleiterprodukte. Voraussetzung hierfür ist, dass die Strukturen auf der Maske selbst innerhalb der Maskenfläche lagegenau positioniert sind. Doch auch bei lagegenau gefertigten Maskenstrukturen können Höhentoleranzen der Maskenoberfläche zu Lageabweichungen der Bildstrukturen auf den Halbleiterprodukten führen. Eine Maske, die nicht exakt planparallel geformt ist, erzeugt bei einer nicht telezentrischen Abbildung, bei der die elektramagnetische Strahlung schräg auf die Maske fällt, als "in-plane-distortions" bezeichnete unerwünschte Lageabweichungen der Bildstrukturen der belichteten Halbleiterprodukte. Insbesondere bei Abbildungen im EUV-Bereich (extreme ultra-violet) von vorzugsweise 13,4 bis 13,5 nm Wellenlänge, bei der nur Reflexionsmasken verfügbar sind, wird die Maske unter einem Winkel von etwa 5° gegenüber dem Lot auf die Maskenoberfläche belichtet, so dass eine gewölbte Maskenoberfläche zu seitlichen Versetzungen der Bildstrukturen führt.

Um solchen Lagefehlern vorzubeugen, werden an die Ebenheit der Oberflächen von Masken hohe Anforderungen gestellt. Maskenrohlinge dürfen Unebenheiten von höchstens 50 nm besitzen, damit Lagefehler auf den Halbleiterprodukten unterhalb von 2 nm liegen. Die Einhaltung enger Toleranzen hinsichtlich der Ebenheit von Maskensubstraten verteuert die Halbleiterfertigung erheblich. Auch Maskenhalterchucks dürfen keine Unebenheiten größer als typischerweise 50 nm aufweisen.

Aus US 4,666,291 ist ein Substrathalter bekannt, der eine Vielzahl von Stützelementen zum Stützen eines Substrats aufweist. Hierbei werden Piezoelernente eingesetzt, um die Höhe einzelner Stützelemente zu verändern. Wenn solch ein Sub strathalter als Maskenhalter für eine lithografische Maske eingesetzt wird, können durch die Bewegungen der Piezoelemente an der Unterseite einer aufliegenden Maske Kratzspuren entstehen. Dadurch werden Partikel erzeugt, die zwischen den Maskenhalter und die Maske gelangen können und die Maske von dem Maskenhalter abheben.

Die mit Piezoelementen ausgestatteten Maskenhalter sind außerdem nicht geeignet, um eine aufliegende Maske an sich zu ziehen. Stattdessen drücken Piezoelemente lediglich gegen das Gewicht einer aufliegenden Maske.

Maskenhalter, die eine aufliegende Maske an sich ziehen, sind mithilfe von Unterdruck- oder Vakuumleitungen einsetzbar, wenn die Maske in einer Reinraumatmosphäre auf dem Maskenhalter ruht. Im Bereich der EUV-Lithografie (extreme ultraviolet) mit Wellenlängen von etwa 13,4 bis 13,5 nm erfolgt die Belichtung jedoch im Vakuum, weshalb diese Art von Maskenhaltern nicht einsetzbar ist.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Maskenhalter bereitzustellen, mit dem angesichts von Höhentoleranzen einer aufliegenden Maske eine bessere Planlage der Maske erreichbar ist. Der Maskenhalter soll die als "in-planedistortions" bekannten Abbildungsfehler verringern und auch für Belichtungen im EUV-Bereich geeignet sein. Es ist ferner die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem die Planlage lithografischer Masken und die Lagegenauigkeit lithografisch erzeugter Bildstrukturen auf Halbleiterprodukten verbessert wird.

Diese Aufgabe wird durch einen Maskenhalter gemäß Anspruch 1 zum Halten einer lithografischen Maske gelöst,

– wobei der Maskenhalter mindestens eine Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Maske und elektrisch vorspannbare Elektroden aufweist,
– wobei die Elektroden mithilfe elektrischer Vorspannungen Abstände zwischen einer auf den Maskenhalter aufgelegten lithografischen Maske und den Elektroden durch elektrostatische Anziehung der lithografischen Maske verringern und
– wobei eine Vielzahl der Elektroden jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar ist.

Erfindungsgemäß wird ein Maskenhalter bereitgestellt, mit dem Höhentoleranzen einer Maske durch lokale elektrostatische Anziehung zwischen der Maske und dem Maskenhalter kompensiert werden. Die elektrisch vorspannbaren Elektroden des Maskenhalters erzeugen elektrische Felder, die zu lokalen Ladungsverschiebungen in einer leitfähigen Schicht einer aufliegenden Maske führen. Die Ladungsverschiebungen führen zu einer Ansammlung von über den Elektroden konzentrierten Ladungsmengen, deren Ladungstyp zu der Vorspannung der jeweiligen Elektrode entgegengesetzt ist. In der leitfähigen Schicht der Maske werden daher durch die Elektroden Gegenelektroden induziert, die durch die jeweilige Elektrode angezogen werden. Durch die Anziehungskraft zwischen der Elektrode des Maskenhalters und der Maske wird der Abstand zwischen Maske und Maskenhalter lokal geringfügig verringert. Die elektrischen Vorspannungen der Elektroden werden erfindungsgemäß eingesetzt, um eine aufliegende Maske an den Maskenhalter zu ziehen, wobei die Stärke der lokalen Anziehung durch das elektrische Potential der Elektroden einstellbar ist. Das individuelle elektrische Vorspannen der Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters ermöglicht ein gezieltes Ausgleichen lokaler Höhenunterschiede, wodurch eine auf dem Maskenhalter angeordnete Maske so verformt wird, dass fertigungsbedingte Höhentoleranzen der Maskenoberfläche ausgeglichen werden. Dadurch werden Lagefehler (in-plane-distortions), die herkömmlich beim Belichten von Halbleiterprodukten mit einer nicht exakt planparallelen Maske entstehen, verringert.

Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter wird der Abstand einer aufliegenden Maske von den Elektroden mithilfe der elektrisch vorspannbaren Elektroden selbst verringert. Diese Verringerung geschieht nicht etwa in der Weise, dass die Elektroden die Position einer Auflagefläche zum Auflegen einer Maske verändern, sondern dadurch, dass die Maske selbst durch die elektrostatische Anziehung zum Maskenhalter hin gezogen wird, wodurch sich die Maske verformt. Durch die Vielzahl von Elektroden, die jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen anschließbar sind, kann die Stärke der lokal über den jeweiligen Elektroden wirkende Anziehungskraft so dosiert und über die Maskenfläche verteilt werden, dass fertigungsbedingte Höhentoleranzen der Oberfläche der Maske kompensiert werden. Erfindungsgemäß wird eine Oberfläche der Maske, die zunächst uneben ist, so verformt, dass die Unebenheiten vorübergehend ausgeglichen werden. In diesem Zustand wird die Maske zum Belichten eingesetzt, wodurch eine präzisere optische Abbildung erzielt wird.

Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter bewirkt das Anlegen elektrischer Vorspannungen an die Elektroden keine Veränderung der Höhe der Auflagefläche für die Maske wie etwa bei Piezoelementen. Dadurch werden Kratzspuren an der Maskenunterseite vermieden.

Gegenüber Maskenhaltern mit Piezoelementen kann der erfindungsgemäße Maskenhalter die Maske außerdem an sich ziehen, wohingegen ein Piezoelement nur gegen das Gewicht der Maske drückt.

Die elektrischen Vorspannungen der Elektroden sind zum Einstellen lokaler Anziehungskräfte individuell veränderbar. Beispielsweise kann jede Elektrode einzeln mit einem individuell einstellbaren elektrischen Potential vorspannbar sein, um die Stärke der lokal über der jeweiligen Elektrode wirkenden elektrostatischen Anziehungskraft zu vergrößern oder zu verkleinern.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass jede Elektrode einen eigenen Spannungsanschluss aufweist, durch den die jeweilige Elektrode individuell vorspannbar ist.

Insbesondere ist vorgesehen, dass der Maskenhalter eine Vielzahl individuell einstellbarer Spannungsquellen aufweist, wobei jeweils an einen positiven Pol eine erste Elektrode und an einen negativen Pol eine zweite Elektrode angeschlossen ist. Die Spannungen der Spannungsquellen sind unabhängig voneinander einstellbar und steuern die Stärke der lokal wirkenden elektrostatischen Anziehung zwischen Maskenhalter und Maske im Bereich der angeschlossenen zwei Elektroden.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass jeweils eine erste Elektrode und eine unmittelbar neben der ersten Elektrode angeordnete zweite Elektrode an dieselbe Spannungsquelle angeschlossen sind. Da sowohl die an den positiven Polen als auch die an den negativen Polen angeschlossene Elektrode jeweils entgegengesetzte Ladungsmengen in der Maske induzieren, wirken beide Elektroden anziehend. Die Stärke der Anziehungskraft wird unter anderem durch die Spannung zwischen dem positiven und dem negativen Pol der jeweiligen Spannungsquelle eingestellt.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Elektroden in Form eines Musters von abwechselnd positiv und negativ vorspannbaren Elektroden angeordnet sind, wobei jede positiv vorspannbare Elektrode von jeweils vier nächstbenachbarten negativ vorspannbaren Elektroden umgeben ist und die jede negativ vorspannbare Elektrode von jeweils vier nächstbenachbarten positiv vorspannbaren Elektroden umgeben ist. Dadurch entsteht eine beispielsweise schachbrettartige Anordnung alternierend positiv und negativ vorspannbarer Elektroden. Je eine negativ vorspannbare und eine positiv vorspannbare Elektrode können an die entgegengesetzten Pole jeweils einer Spannungsquelle angeschlossen sein. Dadurch sind die elektrischen Potentiale aller negativ vorspannbaren Elektroden unabhängig voneinander einstellbar, insbesondere unterschiedlich hoch. Ebenso sind die elektrischen Vorspannungen der positiv einstellbaren Elektroden unterschiedlich hoch, je nach erforderlicher lokaler Anziehungskraft zum Ausgleichen der bestehenden Maskenunebenheiten.

Alternativ ist vorgesehen, dass jede Elektrode einzeln an einen eigenen Vorspannungsregler angeschlossen ist. Dadurch kann die Vorspannung jeder einzelnen Elektrode unmittelbar gegenüber einer externen Spannungsversorgung eingestellt werden, ohne dass der Maskenhalter eine Vielzahl einzelner Spannungsquellen aufweisen muss, durch welche jeweils zwei oder mehr Elektroden gegeneinander vorgespannt werden.

Beispielsweise können die elektrischen Vorspannungen der Elektroden jeweils einzeln gegenüber einem einheitlichen Referenzpotential einstellbar sein. Das Referenzpotential wieder um kann beispielsweise gegenüber einem Potential einer leitfähigen Schicht eines Maskensubstrats einstellbar sein. Die Spannungen zwischen dem einheitlichen Referenzpotential und dem individuellen Potential einer einzelnen Elektrode reguliert dann die Stärke der lokalen Anziehung zwischen der Elektrode und dem über ihr angeordneten Bereich der Maskenunterseite.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Maskenhalter einen Grundkörper aufweist. Die Elektroden können an einer Unterseite des Grundkörpers angeordnet sein.

Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass der Maskenhalter eine Vielzahl von Stützelementen aufweist, die aus dem Grundkörper herausragen und jeweils eine eigene Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Maske aufweisen.

In den Zwischenräumen zwischen den Stützelementen können von Verunreinigungen stammende Partikel gesammelt werden, damit sie nicht zwischen die Oberseiten der Stützelemente und die Unterseite der Maske gelangen und die Maske abheben. Beim erfindungsgemäßen Maskenhalter ist Länge der Stützelemente nicht durch die Stärke der an die Elektroden angelegten Spannungen veränderlich, so dass eine Partikelbildung durch Reibung an der Maskenunterseite verhindert wird.

Die Stützelemente sind vorzugsweise in einer Oberseite des Grundkörpers angeordnet und besitzen eine jeweils identische, vorzugsweise konstante Länge, die unabhängig von den an den Elektroden angelegten Vorspannungen ist. Zwar können zusätzlich mithilfe weiterer Elektroden verformbare Piezoelemente vorgesehen sein, die die Länge der Stützelemente zusätzlich verändern. Die erfindungsgemäße Anpassung einer zunächst un ebenen Maskenoberfläche erfolgt jedoch mithilfe von solchen Elektroden, die, ohne die Länge der Stützelemente unmittelbar zu beeinflussen, die Maske an den Maskenhalter ziehen. Diese elektrostatischen Zugkräfte wirken in die entgegengesetzte Richtung wie die durch Piezoelemente ausgeübten Druckkräfte.

Vorzugsweise ist jedoch vorgesehen, dass die Auflageflächen der Stützelemente jeweils in konstantem Abstand von den Elektroden angeordnet sind. Bei dieser Ausführungsform, bei der keine Piezoelemente vorgesehen sind, sind alle Elektroden des Maskenhalters ausschließlich nebeneinander angeordnet und wirken jeweils als Einzelelektrode, die in einer darüberliegenden Maske eine Gegenelektrode induziert und elektrostatisch anzieht. Dadurch wird zwar die Maske verformt und bewegt, der Abstand der Auflageflächen auf der Oberseite der Stützelemente von den Elektroden bleibt jedoch konstant. Der Abstand zwischen den Enden der Stützelemente, auf denen die Maske aufliegen soll, und den Elektroden ist insbesondere unabhängig von der Höhe der jeweils eingestellten Vorspannung der Elektrode.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass zentral unter jedem Stützelement genau eine Elektrode angeordnet ist. Sie befindet sich vorzugsweise in der Verlängerung der Mittelachse des Stützelementes, das über ihm angeordnet ist.

Die Stützelemente bestehen vorzugsweise aus einem dielektrischen Material und sind insbesondere stiftförmig ausgebildet.

Eine alternative Ausführungsform sieht vor, dass die Auflagefläche eine Fläche des Grundkörpers ist. Somit dient die Oberseite des Grundkörpers selbst als Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Maske; bei dieser Ausführungsform sind keine Stützelemente vorgesehen. Die Elektroden können an der Unterseite des Grundkörpers angeordnet sein.

Der erfindungsgemäße Maskenhalter ist insbesondere zum Halten einer lithografischen Maske verwendbar, die mindestens eine elektrisch leitfähige Schicht aufweist. In der Regel ist die zu strukturierende Maskenschicht der Maske aus Chrom gefertigt und daher leitfähig. Für eine noch bessere elektrostatische Anziehung durch den Maskenhalter kann auf der Unterseite einer Maske auch noch eine weitere elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht sein.

Der erfindungsgemäße Maskenhalter kann sowohl in einem Maskenschreiber, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung zum Belichten von Halbleiterprodukten als auch in einer Maskenvermessungseinrichtung zum Vermessen der Lagegenauigkeit der Maskenstrukturen oder der Ebenheit der Maske eingesetzt werden.

Durch den erfindungsgemäßen Maskenhalter wird gemeinsam mit einer lithografischen Maske, die eine elektrisch leitfähige Schicht aufweist, eine Anordnung bereitgestellt, die ein lagegenaueres Abbilden von Maskenstrukturen auf Halbleiterprodukte ermöglicht.

Die Anordnung kann ferner eine Messeinrichtung zum Messen von Höhentoleranzen einer Oberfläche der Maske aufweisen. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die elektrischen Vorspannungen der Elektroden durch einen mit der Messeinrichtung verbundenen Rückkopplungsschaltkreis einstellbar sind. Die Messeinrichtung kann ein Interferometer zur interferometrischen Vermessung des Höhenverlaufs der Maskenoberfläche oder einen kapazitiven Sensor aufweisen. Mit Hilfe des Rückkopp lungsschaltkreises lassen sich die elektrischen Vorspannungen der einzelnen Elektroden so einstellen, dass zunächst bestehende Unebenheiten der vermessenen Maskenoberfläche durch leichtes Verspannen der Maske kompensiert werden.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Verfahren zum Anordnen einer lithografischen Maske auf einem Maskenhalter, der mindestens eine Auflagefläche zum Auflegen einer lithografischen Maske und eine Vielzahl elektrisch vorspannbarer Elektroden aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

– Auflegen der lithografischen Maske auf den Maskenhalter,
– Messen von Höhentoleranzen einer Oberfläche der Maske und
– elektrostatisches Anziehen der lithografischen Maske an den Maskenhalter durch Anlegen individuell eingestellter elektrischer Vorspannungen an die Elektroden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden zunächst die bestehenden Höhentoleranzen einer auf den Maskenhalter aufgelegten lithografischen Maske vermessen. Das Messen von Höhentoleranzen kann je nach Messverfahren sowohl eine direkte Höhenmessung oder eine Messung einer anderen Größe sein, aus deren Wert anschließend die Höhentoleranzen errechnet werden. Nachdem die tatsächlich bestehenden Höhentoleranzen bekannt sind, werden an die Elektroden elektrische Vorspannungen angelegt, deren Höhe individuell für jede einzelne Elektrode oder für kleinere Gruppen von Elektroden einstellbar und veränderbar ist. Auf diese Weise wird in unterschiedlichen Flächenbereichen der Maskenfläche die Stärke der lokal wirkenden elektrischen Anziehungskraft durch die elektrische Vorspannung der Elektrode, die unter dem jeweiligen Flächenbereich angeordnet ist, dosiert. Dazu werden die elektrischen Vorspannungen der Elektroden in Abhängigkeit von den gemessenen Höhentoleranzen eingestellt, so dass nach dem Anlegen der Vorspannungen die Höhentoleranzen weitgehend ausgeglichen sind.

Vorzugsweise wird nach dem Anlegen der Vorspannungen an die Elektroden der Höhenverlauf der Maskenoberfläche nochmals vermessen; vorzugsweise kann auch eine wiederholte Rückkopplung zwischen dem gemessenen Höhenverlauf und der Einstellung der individuellen Elektrodenpokentiale erfolgen, bis eine optimale Planlage einer strukturierten Maskenschicht der Maske erreicht ist.

Der Höhenverlauf der Maskenoberfläche wird beispielsweise interferometrisch oder kapazitiv vermessen.

Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die 1 bis 10 beschrieben. Es zeigen:
1 eine Querschnittsansicht eines Maskensubstrats mit einem unebenen Höhenverlauf einer Oberfläche,
2 den Höhenverlauf eines auf einem Maskenhalter angeordneten Maskensubstrats im freischwebenden und im aufliegenden Zustand,
3 eine schematische Darstellung einer Messung von Höhentoleranzen einer Oberfläche einer auf einem Maskenhalter aufliegenden Maske,
4 eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Maskenhalters und einer Maske,
5 eine Draufsicht auf eine Anordnung elektrisch vorspannbarer Elektroden eines erfindungsgemäßen Maskenhalters mit schematischer Darstellung der elektrischen Verschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform,
6 eine schematische Darstellung einer elektrischen Verschaltung der Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters gemäß einer zweiten Ausführungsform,
7 eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter, einem Maskensubstrat und einer Messeinrichtung zum Vermessen einer Substratoberfläche,
8 eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter gemäß einer alternativen Ausführungsform und einer Maske,
9 eine schematische Darstellung von Höhentoleranzen einer auf einem Maskenhalter aufliegenden Maske und
10 eine Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens.
1 zeigt einen Querschnitt durch eine Maske 20, die eine obere Oberfläche 20a und eine untere Oberfläche 20b besitzt. Die Oberflächen besitzen einen wellenförmigen, unebenen Höhenverlauf, wobei in 1 der wellenförmige Höhenverlauf der oberen Oberfläche 20a übertrieben groß dargestellt ist. Der wellenförmige Höhenverlauf entsteht durch fertigungsbedingte Höhentoleranzen h gegenüber einer Ebene 1. Bei einer Reflexion elektromagnetischer Strahlung 2 an der Oberfläche 20a entstehen dadurch laterale Verschiebungen l der reflektierten Strahlung. Dadurch werden Maskenstrukturen der Maske nicht lagegenau, sondern in lateraler Richtung versetzt lithografisch auf die mit der Maske belichteten Halbleiterprodukte übertragen.
2 zeigt den Höhenverlauf einer oberen Oberfläche 20a und einer unteren Oberfläche 20b einer Maske 20, wobei die jeweiligen Oberflächenverläufe durch durchgezogene, dicke Linien dargestellt sind. Die Unebenheiten sind übertrieben groß dargestellt und dienen nur zur Illustration. Durch die unebenen Maskenflächen entstehen insbesondere bei nicht telezentrischer optischer Abbildung seitliche Versetzungen von Bildstrukturen auf den belichteten Halbleitersubstraten. Wird die in 2 dargestellte Maske 20 mit ihrer Unterseite 20b gegen einen Maskenhalter 10 gedrückt oder von diesem angezogen, so kann eine absolute Planlage der Unterseite 20b die Unebenheiten im Verlauf der oberen Maskenfläche 20a noch verstärken. Die obere Maskenfläche einer auf einem Maskenhalter 10 aufliegendem Maske 20 ist in 2 gestrichelt dargestellt und zeigt, dass in der Mitte des dargestellten Maskenausschnitts die Vertiefung der Oberseite der Maske 20 noch größer ist als vor dem Aufsetzen auf den Maskenhalter. Die Verschiebungen der Oberflächenbereiche beim Aufsetzen auf die Oberfläche 11 des Maskenhalters 10 sind in 2 durch Pfeile gekennzeichnet.
3 zeigt eine schematische Darstellung einer Messung von Höhentoleranzen einer Maskenoberfläche 20a einer Maske 20 in Richtung z vertikal zur Flächenausdehnung x, y der Maske 20. Die Maske 20 ist hier auf einem Maskenhalter 10 angeordnet, der mehrere Stützelemente 16 zum Stützen der Maske 20 aufweist. Infolge der Unebenheiten ihrer Unterseite 20b liegt die Maske 20 nicht gleichzeitig auf allen Stützelementen 16 auf. Der Höhenverlauf einer Oberfläche 20a der Maske 20, etwa ihrer Oberseite, kann mit Hilfe einer Messeinrichtung 26, beispielsweise eines Interferometers, vermessen werden. Auf der Unterseite 6 eines Grundkörpers 5 des Maskenhalters 10 sind jeweils die erfindungsgemäßen Elektroden angeordnet.
4 zeigt einen erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 sowie eine Maske 20 mit einem Maskensubstrat 15, einer elektrisch leitfähigen Schicht 22 und einer strukturierten Maskenschicht 21. Der erfindungsgemäße Maskenhalter besitzt einen Grundkörper 5, an dem eine Vielzahl von Elektroden 13 angebracht ist, die jeweils elektrisch vorspannbar sind und mit denen elektrische Felder E zum elektrostatischen Anziehen der leitfähigen Schicht 22 der Maske 20 erzeugt werden. Bei der in 4 dargestellten Ausführungsform sind die Elektroden 13 jeweils paarweise an entgegengesetzte Pole p, n individueller Spannungsquellen 14 angeschlossen, wobei jeweils eine erste Elektrode 13a positiv vorgespannt und eine zweite Elektrode 13b negativ vorgespannt wird. In 4 ist jeweils zentral unter jedem Stützelement in Verlängerung von dessen Mittelachse eine einzige Elektrode ohne Gegenelektrode angeordnet. Die Gegenelektrode wird in der leitfähigen Schicht 22 der aufliegenden Maske 20 durch lokale Anhäufung von Gegenladungen erzeugt. Unabhängig davon, ob eine bestimmte Elektrode 13 an einen positiven oder einen negativen Pol einer Spannungsquelle 14 angeschlossen ist, besitzt die in der leitfähigen Schicht 22 induzierte Gegenladung stets den entgegengesetzten Ladungstyp (positive oder negative Ladung) zu der unter ihr angeordneten Elektrode; in beiden Fällen entsteht somit eine elektrostatische Anziehung. von links nach rechts sind die Elektroden in 4 alternierend an einen positiven und einen negativen Pol einer Spannungsquelle 14 angeschlossen.
5 zeigt eine Draufsicht auf die Anordnung 12 der Elektroden 13; 13a, 13b, die in verschiedenen Positionen in lateraler Richtung x, y innerhalb einer Grundfläche des Maskenhalters angeordnet sind. Die Elektroden sind ebenso wie in 4 paarweise an einzelne Spannungsquellen 14 angeschlossen, die individuell einstellbare Vorspannungen Vxy erzeugen und jeweils eine erste Elektrode 13a positiv vorspannen und eine zweite Elektrode 13b negativ vorspannen. Der Höhenverlauf der Oberseite des Maskenhalters, beispielsweise die Höhe einzelner Auflageflächen 17 auf den Oberseiten der Stützelemente 16 in 4, wird durch die elektrischen Vorspannungen der Elektroden nicht verändert. Die Elektroden des erfindungsgemäßen Maskenhalters dienen somit ausschließlich zum Influenzieren elektrischer Ladungen in einer leitfähigen Schicht eines aufliegenden Maskensubstrats, um eine elektrostatische Anziehung zu bewirken. In 5 ist erkennbar, dass beispielsweise die psoitiv vorspannbare Elektrode 13c der Position x = 3 und y = 3 von vier nächstbenachbarten negativ vorspannbaren Elektroden 13d umgeben ist. Umgekehrt ist beispielsweise negativ vorspannbare die Elektrode 13d an der Position x = 2 und y = 3 von vier nächstbenachbarten positiv vorspannbaren Elektroden 13c umgeben. Das in 5 abgebildete Muster aus abwechselnd positiv und negativ vorspannbaren Elektroden setzt sich außerhalb der sechszehn abgebildeten Elektroden fort, so dass eine schachbrettartige Anordnung alternierend positiv und negativ vorspannbarer Elektroden entsteht, die eine sehr kompakte Bauweise ermöglicht. Die in der Draufsicht der 5 quadratisch dargestellten Elektroden 13 sind im Querschnitt vorzugsweise stiftförmig ausgebildet, wobei die Länge der Elektroden vorzugsweise wesentlich größer ist als ihre Breite, die in 5 übertrieben groß dargestellt ist. Jede Elektrode 13 ist mit einem positiven oder negativen Pol einer Spannungsquelle 14 verbunden. Dadurch ist an jeder einzelnen Elektrode ein jeweils unterschiedliches elektrisches Potential anlegbar, das von den elektrischen Potentialen aller übrigen Elektroden abweichen kann. In 5 sind exemplarisch die elektrischen Vorspannungen von vier Elektroden dargestellt. Die Elektrode mit den (x, y)-Koordinaten (1, 1) besitzt ein positives Potential von 1100 Volt, wohingegen die an dieselbe Spannungsquelle 14 angeschlossene Elektrode unter ihr (mit den Koordinaten x = 1 und y = 2) eine Vorspannung von –1100 Volt besitzt. Die beiden Elektroden rechts davon in 5 mit den Koordinaten (x, y) (2,1) und (2,2) besitzen elektrische Vorspannungen von 1150 Volt und –1150 Volt. Somit erzeugen die Elektroden mit den Koordinaten (2, 1) und (2, 2) jeweils eine stärkere elektrostatische Anziehung als die Elektroden mit den Koordinaten (1, 1) und (1, 2). Die vier Elektroden bilden zwei Elektrodenpaare, die jeweils an die Pole zweier Spannungsquellen 14 angeschlossen sind. Durch eine einzelne Spannungsquelle ist jeweils eine Elektrode positiv und eine weitere Elektrode negativ gegenüber einem (nicht dargestellten) Referenzpotential vorspannbar. Die Höhe der durch die Spannungsquellen 14 erzeugten Spannungen zwischen benachbarten Elektroden beträgt beispielsweise jeweils zwischen 1 und 3 kV. Die Maske ist vorzugsweise nicht elektrisch vorgespannt.
6 zeigt eine schematische Darstellung der elektrischen Verschaltung von Elektroden eines erfindungsgemäßen Maskenhalters gemäß einer anderen Ausführungsform. Gemäß 6 sind die Elektroden 13 jeweils einzeln mit individuellen Vorspannungen Vxy elektrisch vorspannbar, die relativ zu einem einheitlichen Referenzpotential V0 einstellbar und variierbar sind. Die Vorspannungen Vxy können individuell so eingestellt werden, dass bestehende oder durch das Auflegen auf den Maskenhalter entstehende Unebenheiten einer Maskenoberfläche 20a kompensiert werden. Die Kompensation geschieht dadurch, dass eine leitfähige Schicht der Maske lokal über den Elektroden jeweils mehr oder weniger stark elektrostatisch angezogen wird, je nach Stärke des angelegten individuellen Elektrodenpotentials Vxy. Bei der Ausführungsform der 6 sind die Elektroden 13 nicht paarweise gegeneinander, sondern einzeln gegenüber einem einheitlichen Referenzpotential V0 vorgespannt. Zur Einstellung der individuellen Elektrodenpotentiale sind Vorspannungsregler Rxy vorgesehen, mit denen die Vorspannung Vxy der jeweiligen Elektrode 13 individuell einstellbar ist, wie durch die Pfeile gekennzeichnet. Beispielsweise sind die obersten vier Elektroden in 6 mit regelbaren Spannungen von +1150 Volt, –1100 Volt, 800 Volt und –850 Volt gegenüber einem Referenzpotential V0 (von vorzugsweise 0 Volt) vorgespannt.
7 zeigt eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 und einer aufliegenden lithografischen Maske 20, die ein Maskensubstrat 15, eine elektrisch leitfähige Schicht 22 sowie eine weitere, noch unstrukturierte Maskenschicht 21 aufweist. Ferner ist eine Messeinrichtung 26 vorgesehen, um eine Oberfläche 20a der Maske 20 interferometrisch zu vermessen.
Der Maskenhalter 10 besitzt unterhalb eines Maskenkörpers 5 paarweise gegeneinander vorspannbare Elektroden 13, über denen jeweils Stützelemente 16 angeordnet sind. Die Maske 20 ist auf den erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 aufgesetzt. Der Grundkörper 5 und die Stützelemente 16 des erfindungsgemäßen Maskenhalters bestehen vorzugsweise aus einem Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Solche ULE-Materialien (ultralow expansion) sind beispielsweise hochdotierte Gläser, beispielsweise Quarzgläser oder kerami sche Materialien, etwa Zerodur. Innerhalb der elektrisch leitfähigen Schicht 22 der Maske 20 werden Ladungen 19 influenziert, wobei in 7 die Höhe der induzierten Ladungsverteilung 19 die Dichte der induzierten Ladungen andeutet.
Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Maskenhalters wird somit eine lokale Gegenelektrode in der aufliegenden Maske induziert. Dieser Effekt wird bei herkömmlich eingesetzten Maskenhaltern nicht technisch ausgenutzt und ist allenfalls als Effekt untergeordneter Größenordnung vorhanden. Die mit dem erfindungsgemäßen Maskenhalter zu haltenden Maskensubstrate können auf ihrer Unterseite mit einer leitfähigen Schicht 22 beschichtet sein. Die leitfähige Schicht kann ganzflächig auf ein Maskensubstrat 15 einer Maske 20 aufgebracht sein oder nur dort, wo der Maskenhalter 10 die Elektroden 13 aufweist, 10 auf der Maske 20 ausgebildet sein. Im Gegensatz zu Maskenhaltern mit Piezoelementen wird die Vorspannung der Elektroden 13 des erfindungsgemäßen Maskenhalters nicht durch eine weitere Elektrode des Maskenhalters über ihr, sondern durch die induzierte Gegenladung in der Maske kompensiert.
7 zeigt ferner einen Rückkopplungsschaltkreis 27, durch den die Elektroden 13 mit einer Messeinrichtung 26 zum Vermessen eines Höhenverlaufs einer Maskenoberfläche 20a verbunden sind. Mit Hilfe des Rückkopplungsschaltkreises 27 lassen sich die Elektrodenpotentiale Vxy ihrer Stärke nach variieren, um eine möglichst ebene Form der Oberfläche 20a der Maske 20 zu erzielen. Ist die Oberfläche 20a in einem Teilbereich beispielsweise zu hoch, kann die Vorspannung der unter ihr angeordneten Elektrode verstärkt werden, bis die entstehende Anziehungskraft einen kleineren Abstand der Oberfläche 20a zur Elektrode erzwingt.
Der erfindungsgemäße Maskenhalter ist beispielsweise in einem Maskenschreiber 23, in einer lithografischen Belichtungseinrichtung 24 zum Belichten von Halbleiterprodukten oder in einer Maskenvermessungseinrichtung 25 einsetzbar.
8 zeigt eine Maske und einen erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 gemäß einer anderen Ausführungsform, bei der anstelle von Stützelementen der Grundkörper 5 die Auflagefläche 17b zum Auflegen der lithografischen Maske 20 bildet. Die Maske 20 wird mit ihrer Unterseite, auf der sich vorzugsweise eine leitfähige Schicht 22 befindet, unmittelbar auf die Auflagefläche 17b aufgelegt, wobei jedoch aufgrund von Unebenheiten der Maskenunterseite die Maske 20 nur in Teilbereichen der Auflagefläche 17b auf dieser aufliegt. Insbesondere ist auch die Oberseite der Maske, auf der sich die strukturierte Schicht 21 befindet, nicht plan, sondern besitzt Höhentoleranzen, die durch die erfindungsgemäß angeordneten Elektroden 13 zumindest während der lithografischen Belichtung kompensiert werden. Die in 8 dargestellte Ausführungsform hat den Vorteil, dass die Elektroden 13 näher an der Maskenunterseite angeordnet sind. Jedoch können Partikel zwischen den aufeinanderliegenden Flächen des Maskenhalters 10 und der Maske 20 die Maske abheben. Außerdem sind die elektrischen Felder, die durch die Elektroden erzeugt werden, in vertikaler Richtung nicht so stark gebündelt wie mithilfe der aus einem dielektrischen Material bestehenden Stützelemente der Ausführungsformen der 4 und 7.
9 zeigt eine vergrößerte Darstellung der auftretenden Abstände zwischen der Maskenunterseite und der Auflagefläche, wobei zur einfacheren Darstellung diskreter Messwerte der Maskenhalter 10 in der Ausführungsform gemäß 4, d.h. mit Stützelementen 16 dargestellt ist. Zusätzlich sind auf der Unterseite der Elektroden 13 Spannungsanschlüsse 3 dargestellt, durch welche jede Elektrode einzeln von der Unterseite des Maskenhalters 10 her einzeln elektrisch kontaktierbar ist. Die dargestellten fünf Stützelemente 16 besitzen auf ihrer Oberseite jeweils eine Auflagefläche, die in einem konstanten Abstand D0 zur zentral unter dem jeweiligen Stützelement 16 angeordneten Elektrode 13 angeordnet ist. Die Oberseiten der Stützelemente 16 sind somit nicht höhenbeweglich. Der dargestellte Verlauf der Maskenunterseite der Maske 20 jedoch besitzt einen Abstand D von den Elektroden 13, der aufgrund fertigungsbedingter Unebenheiten teilweise größer ist, wodurch ein freier Zwischenraum d über den meisten der Elektroden entsteht. In 9 liegt die Maske 20 auf dem Stützelement 16 unmittelbar auf, wohingegen über dem zweiten Stützelement von links ein Zwischenraum d2 von 500 nm und über weiteren drei Stützelementen ein Zwischenraum von 350, von 50 und 450 nm verbleibt. Eine Anpassung an einen möglichst einheitlichen Abstand von den Elektroden erfolgt erfindungsgemäß durch eine geeignete Einstellung der individuellen Elektrodenpotentiale über die Anschlussleitungen 3, um die Maske 20 so zu deformieren, dass die auf ihrer Oberseite angeordnete strukturierte Schicht 21 möglichst eben ist. In 9 sind die dargestellten Unebenheiten der Oberseite und der Unterseite der Maske 20 übertrieben dargestellt, um die Funktionsweise des erfindungsgemäßen Maskenhalters besser zu verdeutlichen. Die derzeit erforderlichen Toleranzen von Maskensubstraten liegen unterhalb von 50 nm. Mit dem erfindungsgemäßen Maskenhalter können jedoch auch weitaus höhere Höhentoleranzen von bis zu beispielsweise 500 nm kompensiert werden. Dazu ist der erfindungsgemäße Maskenhalter vorzugsweise mit bis zu 1.000 Elektroden ausgestattet.
10 zeigt einen schematischen Ablauf eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Gemäß 10 wird zunächst eine Maske 20 auf den erfindungsgemäßen Maskenhalter 10 aufgelegt, wobei die Maske in der Regel keine exakte plane Oberfläche 20a, sondern einen unebenen Oberflächenverlauf H aufweist, der Höhentoleranzen h von etwa 50 bis 500 nm aufweisen kann. Bei herkömmlichen Maskenhaltern dürfen die Höhentoleranzen höchstens 50 nm betragen. Bei dem erfindungsgemäßen Maskenhalter jedoch können Höhenschwankungen durch gezielt veränderbare Elektrodenpotentiale ausgeglichen werden. Hierzu wird zunächst der Höhenverlauf einer Oberfläche 20a der Maske 20 vermessen, beispielsweise mit Hilfe der interferometrischen Messeinrichtung 26 aus 7, Dabei wird ein zweidimensionales Höhenprofil erstellt, dessen Messpunkte den lateralen Positionen der Elektroden 13 des Maskenhalters 10 entsprechen. Über diesen Messpunkten besitzt die Oberfläche 20a Höhenpositionen, die nach oben oder unten korrigiert werden müssen. Dazu werden die Elektrodenpotentiale Vxy so verändert, dass die lokal über der jeweiligen Elektrode 13 entstehende elektrostatische Anziehung zwischen der Elektrode und der in der leitfähigen Schicht 22 influenzierten Ladungsmenge die Höhenabweichung unmittelbar über der jeweiligen Elektrode ausgleicht. Nach dieser Korrektur wird die Vermessung der Maskenfläche wiederholt, vorzugeweise auch mehrfach, wobei nach jeder Vermessung eine weitere Feinkorrektur der Elektrodenpotentiale erfolgen kann. Dabei werden die elektrischen Vorspannungen der Elektroden jeweils individuell in Abhängigkeit von dem gemessenen Höhenverlauf verändert.
Durch die lokale Veränderung der Stärke der elektrostatischen Chuck-Kräfte, die die Maske 20 an den Maskenhalter 10 ziehen, sind Masken mit größeren Toleranzen hinsichtlich der Oberflächenplanarität einsetzbar, ohne dass eine Erhöhung von Lage fehlern (in-plane-distortions) der Bildstrukturen auf den belichteten Halbleitersubstraten entsteht. Dies senkt die Kosten der Maskenfertigung.

1: Ebene
2: elektromagnetische Strahlung
3: Spannungsanschluss
5: Grundkörper
6: Unterseite
10: Maskenhalter
11: Oberseite
12: Anordnung
13: Elektrode
13a: erste Elektrode
13b: zweite Elektrode
13c: positiv vorspannbare Elektrode
13d: negativ vorspannbare Elektrode
14: Spannungsquelle
15: Maskensubstrat
16: Stützelement
17a; 17b: Auflagefläche
19: induzierte Ladung
20: Maske
20a, 20b: Oberfläche der Maske
21: Maskenschicht
22: elektrisch leitfähige Schicht
23: Maskenschreiber
24: lithografische Belichtungseinrichtung
25: Maskenvermessungseinrichtung
26: Messeinrichtung
27: Rückkopplungsschaltkreis
d: Zwischenraum
D: Abstand
D0: konstanter Abstand
E: elektrisches Feld
H: Höhenverlauf
h: Höhentoleranzen
l: laterale Verschiebung
n: negativer Pol
p: positiver Pol
Rxy: Vorspannungsregler
Vxy: elektrische Vorspannung
V0: Referenzpotential
Vn: negative Vorspannung
Vp: positive Vorspannung
x, y: laterale Position
z: Höhenposition

Claims

Maskenhalter (10) zum Halten einer lithografischen Maske (20), – wobei der Maskenhalter (10) mindestens eine Auflagefläche (17a; 17b) zum Auflegen einer lithografischen Maske (20) und elektrisch vorspannbare Elektroden (13) aufweist, – wobei die Elektroden (13) mithilfe elektrischer Vorspannungen (Vxy) Abstände (D) zwischen einer auf den Maskenhalter (10) aufgelegten lithografischen Maske (20) und den Elektroden (13) durch elektrostatische Anziehung der lithografischen Maske (20) verringern und – wobei eine Vielzahl (12) der Elektroden (13) jeweils an individuell einstellbare elektrische Vorspannungen (Vxy) anschließbar ist.
Maskenhalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede Elektrode (13) einen eigenen Spannungsanschluss (3) aufweist, durch den die jeweilige Elektrode (13) individuell vorspannbar ist.
Maskenhalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Maskenhalter (10) eine Vielzahl individuell einstellbarer Spannungsquellen (14) aufweist, wobei jeweils an einen positiven Pol (p) eine erste Elektrode (13a) und an einen negativen Pol (n) eine zweite Elektrode (13b) angeschlossen ist.
Maskenhalter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils eine erste Elektrode (13a) und eine unmittelbar neben der ersten Elektrode (13a) angeordnete zweite Elektrode (13b) an dieselbe Spannungsquelle (14) angeschlossen sind.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (13) in Form eines Musters von abwechselnd positiv und negativ vorspannbaren Elektroden (13c, 13d) angeordnet sind, wobei jede positiv vorspannbare Elektrode (13c) von jeweils vier nächstbenachbarten negativ vorspannbaren Elektroden (13d) umgeben ist und die jede negativ vorspannbare Elektrode (13d) von jeweils vier nächstbenachbarten positiv vorspannbaren Elektroden (13c) umgeben ist.
Maskenhalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jede Elektrode (13) einzeln an einen eigenen Vorspannungsregler (Rxy) angeschlossen ist.
Maskenhalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Vorspannungen (Vxy) der Elektroden (13) jeweils einzeln gegenüber einem einheitlichen Referenzpotential (V0) einstellbar sind.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Maskenhalter (10) einen Grundkörper (5) aufweist.
Maskenhalter nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (13) an einer Unterseite (6) des Grundkörpers (5) angeordnet sind.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Maskenhalter (10) eine Vielzahl von Stützelementen (16) aufweist, die aus dem Grundkörper (5) herausragen und jeweils eine eigene Auflagefläche (17a) zum Auflegen einer lithografischen Maske (20) aufweisen.
Maskenhalter nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflageflächen (17a) der Stützelemente (16) jeweils in konstantem Abstand (D0) von den Elektroden (13) angeordnet sind.
Maskenhalter nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass zentral unter jedem Stützelement (16) genau eine Elektrode (13) angeordnet ist.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützelemente (16) aus einem dielektrischen Material bestehen.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützelemente (16) stiftförmig ausgebildet sind.
Maskenhalter nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagefläche (17b) eine Fläche des Grundkörpers (5) ist.
Verwendung eines Maskenhalters (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 15 zum Halten einer lithografischen Maske (20).
Verwendung eines Maskenhalters nach einem der Ansprüche 1 bis 15 in einem Maskenschreiber (23), in einer lithografischen Belichtungseinrichtung (24) oder in einer Maskenvermessungseinrichtung (25).
Anordnung mit einem Maskenhalter (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 und mit einer lithografischen Maske (20), wobei die lithografische Maske (20) eine elektrisch leitfähige Schicht (22) aufweist.
Anordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung ferner eine Messeinrichtung (26) zum Messen von Höhentoleranzen (h) einer Oberfläche (20a) der Maske (20) aufweist.
Anordnung nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Vorspannungen (Vxy) der Elektroden (13) durch einen mit der Messeinrichtung (26) verbundenen Rückkopplungsschaltkreis (27) einstellbar sind.
Verfahren zum Anordnen einer lithografischen Maske (20) auf einem Maskenhalter (10), der mindestens eine Auflagefläche (17a; 17b) zum Auflegen einer lithografischen Maske (20) und eine Vielzahl elektrisch vorspannbarer Elektroden (13) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Auflegen der lithografischen Maske (20) auf den Maskenhalter (10), – Messen von Höhentoleranzen (h) einer Oberfläche (20a) der Maske (2 0) und – elektrostatisches Anziehen der lithografischen Maske (20) an den Maskenhalter (10) durch Anlegen individuell eingestellter elektrischer Vorspannungen (Vxy) an die Elektroden (13).
Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Vorspannungen (Vxy) der Elektroden (13) in Abhängigkeit von den gemessenen Höhentoleranzen (h) eingestellt werden.
Verfahren nach Anspruch 21 oder 22, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt – nochmaliges Messen von Höhentoleranzen (h) der Oberfläche (20a) der Maske (20) nach dem Anlegen der Vorspannungen (Vxy) an die Elektroden (13).
Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhentoleranzen (h) der Oberfläche (20a) der Maske (20) interferometrisch oder kapazitiv vermessen werden.