DE10141709A1

DE10141709A1 - Process for structuring a covering material for applying on a support substrate comprises preparing a planar plate as covering material and forming grooves on the material so that the grooves are arranged along dissection lines

Info

Publication number: DE10141709A1
Application number: DE2001141709
Authority: DE
Inventors: Florian Bieck
Original assignee: Schott Glaswerke AG
Current assignee: Schott AG
Priority date: 2001-08-25
Filing date: 2001-08-25
Publication date: 2003-03-06

Abstract

Process for structuring a covering material for applying on a support substrate (5) comprises preparing a planar plate as covering material; and forming grooves (3) on the material so that the grooves are arranged along dissection lines (2) corresponding to a chip having an integrated component. Independent claims are also included for: (1) a process for assembling a component integrated in a support substrate; (2) a wafer or glass-silicon wafer composite having the above produced structure; and (3) a device for covering the component integrated in the support substrate. The covering material is made from a transparent material, preferably coated or structured glass, or plastic. The grooves are 200-500 microns wide and have a length which is shorter than the length of the corresponding dissection lines.

Description

Die Erfindung betrifft im allgemeinen ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen einer Struktur in einem Werkstück, insbesondere in einem Siliziumwafer und zum Erzeugen einer Struktur mittels Läppen im speziellen. The invention relates generally to a method and Device for creating a structure in a workpiece, especially in a silicon wafer and to produce one Structure by means of lapping in particular.

Elektronische Halbleiterchips haben in den letzten Jahrzehnten die Technik in großem Maße bereichert und verändert, wobei die Halbleiterindustrie weltweit zu einem der wichtigsten Industriezweige aufgestiegen ist. Electronic semiconductor chips have in recent years Decades of technology enriched and greatly changed, with the semiconductor industry becoming one worldwide of the main industries has risen.

Trotzdem oder vielleicht auch gerade wegen der damit verbundenen Vielfalt existieren im Bereich der Halbleiterchip-Herstellung noch immer eine Vielzahl von technischen Schwierigkeiten, insbesondere im Bereich der mechanischen Bearbeitung der Wafer. Anyway or maybe because of it related diversity exist in the field of Semiconductor chip manufacturing still a variety of technical difficulties, especially in the area of mechanical processing of the wafers.

So wird zum Beispiel ein Siliziumwafer nach der Bestückung mit Halbleiterelementen in einzelne zumeist quadratische Chips zerteilt (sogenanntes "Dicing"). Typischerweise wird das Zerteilen mit einer Säge Schnitt für Schnitt mit einem Vorschub von etwa 2 bis 3 mm/min durchgeführt. Daher kann die Dauer des vollständigen Zerteilens eines Wafers in der Größenordnung eines ganzen Tages liegen und verursacht entsprechend hohe Kosten. Ferner können die durch das Sägen erzeugten Schnittkanten unter Umständen von relativ großer Rauhigkeit sein. For example, a silicon wafer is made after assembly with semiconductor elements in individual mostly square Chips divided (so-called "dicing"). Typically cutting with a saw cut by cut with a Feed of about 2 to 3 mm / min carried out. Therefore, the Duration of the complete dicing of a wafer in the Order of magnitude of a whole day correspondingly high costs. Furthermore, the sawing generated cutting edges may be relatively large Be roughness.

Es ist ferner bekannt, den Siliziumwafer sandwichartig zwischen zwei isolierenden Packschichten einzupacken. Die mechanischen Eigenschaften der Packschichten können je nach Material das Zersägen in Chips zusätzlich erschweren und verlangsamen. It is also known to sandwich the silicon wafer wrap between two insulating packing layers. The mechanical properties of the packing layers can vary depending on Material make sawing chips even more difficult and slow it down.

Ferner ist es aus der U.S.-Patentschrift US-A-6,022,758 bekannt, die Packschicht mit Schlitzen zu versehen, um derart eingepackte Wafer zu kontaktieren. In der U.S.-Patentschrift US-A-6,022,758 wird zu diesem Zweck vorgeschlagen, die Schlitze in die Packschicht zu schleifen. Das Schleifen kann aber je nach Material der Packschichten ebenfalls langwierig sein und erfordert typischerweise hochpräzise und kostenintensive Schleifwerkzeuge. Hierbei hat sich gezeigt, dass besonders eine großflächige und gleichzeitige präzise Strukturierung insbesondere eines eingepackten Wafers Schwierigkeiten bereitet. It is also known from U.S. Patent No. 6,022,758 known to provide the packing layer with slots to such to contact packaged wafers. In the U.S. patent US-A-6,022,758 is proposed for this purpose Grind slots in the packing layer. Grinding can but also lengthy depending on the material of the packing layers and typically requires high precision and costly grinding tools. It has been shown that particularly a large-scale and at the same time precise Structuring in particular of a packaged wafer Creates difficulties.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur effizienten, schnellen und kostengünstigen mechanischen Bearbeitung von Werkstücken insbesondere von beschichteten oder eingepackten Siliziumwafern zur Verfügung zu stellen. It is therefore an object of the present invention to provide a Method and device for efficient, fast and inexpensive mechanical processing of workpieces especially coated or wrapped ones To provide silicon wafers.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung verfügbar zu machen, mit welchen die Erzeugung verschiedener auch komplexer Strukturen in einem Werkstück, insbesondere in einem beschichteten oder eingepackten Siliziumwafer ermöglicht wird. Another object of the invention is a method and to make available a device with which the Generation of various, even complex, structures in one Workpiece, especially in a coated or wrapped silicon wafer is made possible.

Noch eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erzeugen einer Struktur in einem Werkstück zur Verfügung zu stellen, welche die Nachteile bekannter Verfahren bzw. Vorrichtungen vermeiden oder zumindest mindern. Another object of the invention is a method and a device for creating a structure in one To provide workpiece which have the disadvantages avoid known methods or devices or at least mitigate.

Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen Wafer oder einen Halbleiterchip mit verbesserten Eigenschaften, insbesondere mit hoher Oberflächengüte verfügbar zu machen. Yet another object of the invention is a wafer or a semiconductor chip with improved properties, to make it available in particular with a high surface quality.

Die Aufgabe der Erfindung wird in überraschend einfacher Weise bereits durch den Gegenstand der Ansprüche 1, 19, 20 und 21 gelöst. The object of the invention becomes surprisingly simple Way already through the subject matter of claims 1, 19, 20 and 21 solved.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Erzeugung einer Struktur, z. B. einer oder mehrerer Vertiefungen in einem Werkstück, vorzugsweise in einem Halbleiterwafer und insbesondere in einem beschichteten oder verpackten Wafer. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Bearbeitung des Werkstücks verwendet sogenanntes Läppen, insbesondere Ultraschallschwingläppen, wobei neben einer Bereitstellung des Werkstücks, eines Werkzeugs und eines Abrasivmittels das Werkzeug mit mechanischen Schwingungen beaufschlagt wird. Das Werkzeug umfasst vorzugsweise ein Läppformzeug oder einen Läppstempel, welche unter einem vordefinierten Läppdruck gegen das Werkstück gepresst werden, wobei sich zwischen dem Werkzeug und dem Werkstück das Abrasivmittel mit Schleifkörnern in Pulverform oder in einer wässrigen Dispersion oder Paste befindet. Das Werkzeug, genauer der Läppstempel überträgt die, bevorzugt piezoelektrisch erzeugten Schwingungen auf die Schleifkörner, z. B. Borkarbid, Siliziumkarbid oder Diamant enthaltend, wobei die Schleifkörner gegen das Werkstück geschleudert oder gepresst werden und dabei einen Materialabtrag bewirken. Das Werkzeug und das Werkstück bleiben dabei insbesondere im wesentlichen berührungslos. The method according to the invention enables the generation of a Structure, e.g. B. one or more wells in one Workpiece, preferably in a semiconductor wafer and especially in a coated or packaged wafer. The inventive method for machining the workpiece uses so-called lapping, in particular Ultrasonic vibratory lapping, being next to a deployment of the workpiece, a tool and an abrasive Mechanical vibration is applied to the tool. The Tool preferably comprises a lapping mold or a Lapping stamp, which under a predefined lapping pressure be pressed against the workpiece, whereby between the Tool and the workpiece with the abrasive Abrasive grains in powder form or in an aqueous Dispersion or paste. The tool, more precisely the one Lapping stamps transmit them, preferably piezoelectrically generated vibrations on the abrasive grains, e.g. B. boron carbide, Containing silicon carbide or diamond, the Abrasive grains flung or pressed against the workpiece and thereby cause material removal. The tool and the workpiece remains in particular essentially without contact.

Der Läppstempel schwingt bevorzugt linear senkrecht zu der Oberfläche mit einer Frequenz von 19 kHz bis 23 kHz. Die Schwingungsamplitude beträgt bevorzugt zwischen etwa 2 µm und 50 µm, zwischen etwa 5 µm und 20 µm oder besonders bevorzugt im Bereich von etwa 10 µm. Ferner entspricht die Schwingungsamplitude im wesentlichen etwa der halben mittleren Größe der Schleifkörner. The lapping die preferably swings linearly perpendicular to the Surface with a frequency of 19 kHz to 23 kHz. The Vibration amplitude is preferably between about 2 microns and 50 µm, between about 5 µm and 20 µm or particularly preferred in the range of about 10 µm. Furthermore, the Vibration amplitude essentially about half medium size of the abrasive grains.

Die, insbesondere längliche Struktur umfasst z. B. eine Reihe oder Gruppe von, insbesondere runden, rechteckigen oder quadratischen linear angeordneten Löchern. Alternativ oder ergänzend umfasst die Struktur vorzugsweise ein oder mehrere längliche Öffnungen, Gräben oder Schlitze. The, in particular elongated structure includes z. B. a number or group of, in particular round, rectangular or square linear holes. Alternatively or in addition, the structure preferably comprises one or more elongated openings, trenches or slots.

Der Läppstempel erstreckt sich insbesondere länglich und/oder linienförmig ausgedehnt in einer Dimension entlang einer ersten Oberfläche des Werkstücks, so dass mittels des Läppverfahrens eine, sich zumindest entlang der ersten Dimension erstreckende Struktur in dem Werkstück oder in dessen, insbesondere planarer erster Oberfläche erzeugbar ist. Ein Vorteil des sich eindimensional erstreckenden Läppstempels liegt darin begründet, dass dieser bezüglich einer gleichmäßigen Schwingung am Kopfende einfacher zu konzeptionieren ist, als ein zweidimensional flächiger Stempel. Ferner ist gegenüber dem erfindungsgemäßen Läppstempel ein bezüglich der ersten Oberfläche oder Oberflächenebene des Werkstücks im wesentlichen punktförmiger Stempel, z. B. eine Läppnadel unökonomisch in der Anwendung. The lapping stamp extends in particular elongated and / or extended linearly in one dimension along one first surface of the workpiece, so that by means of Lapping process one, at least along the first Dimension extending structure in the workpiece or in whose, in particular planar, first surface can be produced is. An advantage of the one-dimensionally extending Läppstempels is that this regarding a uniform vibration at the head end easier concept is as a two-dimensional area Stamp. Furthermore, compared to the invention Lapping stamp on the first surface or Surface plane of the workpiece is essentially point-shaped Stamp, e.g. B. a lapping needle uneconomical to use.

Der Läppstempel und/oder die längliche Struktur weisen vorzugsweise ein Längen-zu-Breiten-Verhältnis von größer als 2 : 1, insbesondere größer als 5 : 1, besonders bevorzugt größer als 10 : 1 auf, so dass in einem Arbeitsschritt schnell und effizient die längliche Struktur, z. B. ein oder mehrere Schlitze, insbesondere umfassend längliche und/oder linienartige Schlitze, welche im wesentlichen parallel zu der ersten Oberfläche des Werkstücks verlaufen und/oder eine Gruppe von entlang einer Linie angeordnete Löcher oder Öffnungen, herstellbar sind. The lapping stamp and / or the elongated structure point preferably a length to width ratio greater than 2: 1, in particular larger than 5: 1, particularly preferably larger than 10: 1, so that in one step quickly and efficiently the elongated structure, e.g. B. one or more Slots, in particular comprising elongated and / or line-like slots which are substantially parallel to the first surface of the workpiece and / or a Group of holes or arranged along a line Openings that can be produced.

Bevorzugt werden nicht lediglich mit einem runden Werkzeug oder Bohrer einzelne runde Löcher gebohrt oder ein Schlitz über ein Vorschieben des runden Werkzeugs erzeugt. Insbesondere kann durch das erfindungsgemäße Verfahren ein Vorschub des Werkzeugs entlang der ersten Dimension im wesentlichen vermieden werden, da gleichzeitig entlang der gesamten Längsausdehnung des Läppstempels entlang der ersten Dimension strukturiert wird. Are preferred not only with a round tool or drill individual round holes drilled or a slot generated by advancing the round tool. In particular, by the method according to the invention Tool feed along the first dimension in be substantially avoided since at the same time along the total length of the lapping die along the first Dimension is structured.

Als besonders langlebig und einfach in der Herstellung hat sich ein einstückiger Läppstempel erwiesen, da mechanisch instabile und verschleißanfällige Verbindungsstellen, z. B. Kleb- oder Lötverbindungen zumindest weitgehend vermieden werden können. Being particularly durable and easy to manufacture a one-piece lapping die proved to be mechanical unstable and wear-prone connection points, e.g. B. Adhesive or soldered connections at least largely avoided can be.

Vorteilhafterweise wird der Läppstempel auf einfache Art aus dem Vollen hergestellt und/oder mittels strukturierter Schleifscheiben abgerichtet. Als Material für den Läppstempel haben sich Messing, Stahl, Titan oder eine titanhaltige Legierung besonders bewährt. The lapping stamp is advantageously removed in a simple manner manufactured in full and / or by means of structured Grinding wheels dressed. As material for the lapping stamp have brass, steel, titanium or a titanium-containing Alloy especially proven.

Gemäß einer besonders bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein formgebender Läppstempel verwendet. Hierbei besitzt der Läppstempel in einer oder zwei Dimensionen senkrecht zur Oberfläche des Werkstücks eine Positivform, welche an die zu erzeugende Negativform der Struktur in dem Werkstück angepasst ist. According to a particularly preferred development of the The inventive method is a shaping Lapping stamp used. The lapping stamp in one or two dimensions perpendicular to the surface of the Workpiece a positive shape, which to the to be generated Negative shape of the structure in the workpiece is adjusted.

Insbesondere besitzt der Stempel entlang der ersten Dimension einen zumindest abschnittweise gleichbleibenden formgebenden Querschnitt. Besonders bevorzugt ist der Querschnitt zum Werkstück hin verjüngend, insbesondere dreieckig oder trapezförmig oder alternativ rechteckig ausgebildet. In particular, the stamp has along the first dimension a shaping that remains constant at least in sections Cross-section. The cross section to is particularly preferred Tapering workpiece, in particular triangular or trapezoidal or alternatively rectangular.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist der längliche Läppstempel insbesondere regelmäßig abwechselnd materialabtragende Abschnitte, z. B. mit den vorgenannten Querschnittsformen und Ausschnitte oder Aussparungen auf, so dass gleichzeitig eine Mehrzahl von Vertiefungen und/oder Öffnungen in dem Werkstück erzeugbar ist. Mit dieser Ausführungsform werden besonders vorteilhaft gleichzeitig oder in einem Arbeitsschritt mehrere insbesondere linienförmige und/oder fluchtende Öffnungen oder Schlitze erzeugt. According to a further preferred embodiment, the elongated lapping stamps, especially alternating regularly material-removing sections, e.g. B. with the aforementioned Cross-sectional shapes and cutouts or cutouts, so that a plurality of wells and / or Openings can be created in the workpiece. With this Embodiment are particularly advantageous at the same time or several in one step in particular linear and / or aligned openings or slots generated.

Besonders vorteilhaft bei der Verwendung des erfindungsgemäßen Läppstempels ist es, dass eine Mehrzahl von universellen oder gleichen Läppstempeln, z. B. ohne Aussparungen vorgehalten werden kann und ein universeller Läppstempel kurzfristig vor Ort, z. B. mittels einer Präzisionsschleifmaschine mit den benötigten Aussparungen versehen oder entsprechend abgerichtet werden kann. Somit können kostengünstig insbesondere auch verschiedene längliche und/oder linienförmige Strukturen erzeugt werden. Particularly advantageous when using the Lapping stamp according to the invention is that a plurality of universal or identical lapping dies, e.g. Bean Cutouts can be kept and a universal Lapping stamp on site at short notice, e.g. B. by means of a Precision grinding machine with the necessary recesses provided or can be dressed accordingly. Consequently can be inexpensive in particular also different elongated and / or linear structures are generated.

Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich, insbesondere in Kombination mit den vorgenannten Querschnittsformen des Läppstempels als besonders geeignet erwiesen, um Halbleiter- oder Siliziumwafer zu bearbeiten, welche ein- oder beidseitig insbesondere mit einer bzw. zwei Glasscheiben, Glasträgern oder anderen spröden Packschichten beschichtet oder verbunden sind. The method according to the invention has, in particular in Combination with the aforementioned cross-sectional shapes of the Lapping die has proven to be particularly suitable for or to process silicon wafers, which on one or both sides especially with one or two glass panes, glass supports or other brittle packing layers coated or connected are.

Das Aufbringen des Siliziumwafers auf einem Glasträger, z. B. durch Kleben mit Epoxidharz wird typischerweise für die Herstellung von optischen Chips, z. B. von CCDs verwendet. Eine Schwierigkeit, welche durch dieses Verbinden, Beschichten oder Packen insbesondere mit Glasträgern entsteht, ist, dass Kontaktstellen oder sogenannte Bondpads auf dem Wafer abgedeckt werden. The application of the silicon wafer on a glass substrate, for. B. by gluing with epoxy is typically used for the Manufacture of optical chips, e.g. B. used by CCDs. A difficulty caused by this connection, Coating or packing especially with glass supports arises is that contact points or so-called bond pads be covered on the wafer.

Insbesondere für dieses Anwendungsfeld der eingepackten Wafer bietet die Erfindung eine einfache und zugleich effiziente Lösung zum Freilegen der Kontaktstellen, welche bislang typischerweise aufwendig und langsam freigeschliffen wurden. Especially for this field of application of the packed wafers the invention offers a simple and at the same time efficient Solution to expose the contact points, which so far typically have to be sanded down in a complex and slow manner.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Kontaktstellen, welche sich auf einer zweiten Oberfläche, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt, durch den Siliziumwafer hindurch mittels des Läppens freigelegt. Hierbei kann auch sukzessive zunächst eine Öffnung in eine auf der, der Oberfläche des Wafers mit den Kontaktstellen abgewandten Seite angebrachten Glasscheibe und danach in dem Wafer oder umgekehrt erzeugt werden. According to a particularly preferred embodiment of the Invention are the contact points, which are on a second surface opposite to the first surface through the silicon wafer by means of lapping exposed. Here, one can also be started successively Opening in one on the surface of the wafer with the Glass pane and side facing away from the contact points then be generated in the wafer or vice versa.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel wird eine auf der Oberfläche des Wafers mit den Kontaktstellen angebrachten Glasscheibe mit Öffnungen versehen, so dass keine Durchkontaktierung durch den Wafer notwendig ist. According to a further exemplary embodiment, one on the Attach the surface of the wafer with the contact points Open the glass pane so that none Plating through the wafer is necessary.

Für die Freilegung der Kontaktstellen auf dem Wafer werden vorzugsweise Gräben mit einem trapezförmigen oder dreieckigen Querschnitt oder sogenannte V-Gräben oder V-Grooves in den Wafer oder den Glas-Siliziumwafer-Verbund geläppt. For the exposure of the contact points on the wafer preferably trenches with a trapezoidal or triangular Cross-section or so-called V-trenches or V-grooves in the Wafers or the glass-silicon wafer composite lapped.

Alternativ zur Strukturierung eines Glas-Siliziumwafer- Verbundes wird vorzugsweise eine Glasscheibe oder ein Glasträger vor der Verbindung mit dem Wafer strukturiert. As an alternative to structuring a glass-silicon wafer Composite is preferably a sheet of glass or a Glass carrier structured before connection to the wafer.

Die letztgenannte beispielhafte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist besonders in Verbindung mit einem Verfahren vorteilhaft, das unter dem Titel "Mechanische Strukturierung von Abdeckungsmaterialien zur Verwendung in der elektrischen Aufbau- und Verbindungstechnik" von demselben Anmelder beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht wurde. Der Inhalt der genannten anderen Anmeldung ist hiermit durch Bezugnahme vollumfänglich zum Gegenstand dieser Offenbarung gemacht. The latter exemplary embodiment of the The inventive method is particularly in connection with a process advantageous under the title "Mechanical Structuring cover materials for use in of electrical assembly and connection technology "from same applicant with the German Patent and Trademark Office was submitted. The content of the other registration mentioned is hereby fully covered by reference made this revelation.

Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt auch zum Durchtrennen oder Zerteilen des Wafers oder des Glas- Siliziumwafer-Verbunds in einzelne Chips, dem sogenannten Dicing verwendet. Es ist von Vorteil, dass ein Schnitt entlang des gesamten Wafers gleichzeitig und daher sehr schnell in einem Arbeitsschritt erfolgen kann. Hierfür wird z. B. ein einfach herstellbarer rechteckiger langer Stempel, insbesondere ohne Aussparungen verwendet. The method according to the invention is also preferably used for Cutting or cutting the wafer or the glass Silicon wafer composite in individual chips, the so-called Dicing used. It is beneficial to have a cut along the entire wafer at the same time and therefore very much can be done quickly in one step. For this will z. B. an easily manufactured rectangular long stamp, especially used without recesses.

Die Abtraggeschwindigkeit beträgt vorzugsweise etwa 0,1 mm/min bis 5 mm/min. so dass die Erzeugung der erfindungsgemäßen Struktur, insbesondere entlang des gesamten Wafers weniger als 40 min. als 20 min oder als 10 min. besonders bevorzugt weniger als 5 min oder als 1 min in Anspruch nimmt. The removal rate is preferably approximately 0.1 mm / min to 5 mm / min. so the generation of the structure according to the invention, in particular along the entire Wafers less than 40 min. than 20 min or as 10 min. particularly preferably less than 5 min or as 1 min in Takes up.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung wird ein Werkzeug mit mehreren Läppstempeln oder ein Läppstempel mit mehreren z. B. parallel verlaufenden materialabtragenden länglichen Abschnitten vorgesehen, so dass insbesondere gleichzeitig mehrere parallele Strukturen oder Schnitte in dem Wafer erzeugt werden. Somit kann sogar gleichzeitig die Bearbeitung oder Strukturierung, z. B. die Zerteilung oder die Versehung mit Gräben des gesamten Wafers vorgenommen werden. According to a preferred development of the invention, a Tool with multiple lapping dies or a lapping die with several z. B. parallel material removal elongated sections provided so that in particular several parallel structures or cuts in the wafer are generated. Thus even the Editing or structuring, e.g. B. the division or the Trenches of the entire wafer can be made.

Bevorzugt weist die Struktur, insbesondere die beim Zerteilen entstehenden Schnittkanten und/oder die erzeugten Gräben eine arithmetische Rauheit von kleiner als 10 µm, bevorzugt kleiner als 5 µm, besonders bevorzugt im Bereich von 1 µm bis 2 µm auf. The structure preferably has, in particular that when cutting resulting cut edges and / or the trenches generated arithmetic roughness of less than 10 μm, preferred smaller than 5 µm, particularly preferably in the range from 1 µm to 2 µm.

Vorzugsweise weisen die Struktur, Öffnungen oder Gräben eine Breite quer zur ersten Dimension von kleiner als 2 mm, als 1 mm, als 800 µm, als 500 µm, als 300 µm, als 200 µm oder als 100 µm. Besonders bevorzugt beträgt die Breite zwischen 180 µm und 500 µm, insbesondere zwischen 200 µm und 300 µm. Ferner wird vorzugsweise eine Positioniergenauigkeit für die die Struktur, Öffnungen oder Gräben von kleiner als 50 µm oder kleiner als 20 µm erreicht. The structure, openings or trenches preferably have one Width across the first dimension of less than 2 mm, than 1 mm, as 800 µm, as 500 µm, as 300 µm, as 200 µm or as 100 µm. The width is particularly preferably between 180 µm and 500 µm, especially between 200 µm and 300 µm. Furthermore, a positioning accuracy for the the structure, openings or trenches of less than 50 µm or less than 20 µm.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche oder ähnliche Elemente bezeichnen. In the following, the invention is based on preferred Embodiments and with reference to the figures explained in more detail, the same reference numerals being the same or denote similar elements.

Brief description of the figures

Es zeigen: Show it:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform eines Siliziumwafers, Fig. 1 is a plan view of a first embodiment of a silicon wafer,

Fig. 2 einen vergrößerten Ausschnitt des Wafers aus Fig. 1 mit zusätzlichen Details, Fig. 2 shows an enlarged section of the wafer of Fig. 1 with additional details,

Fig. 3 eine Schnittzeichnung entlang der Schnittlinie A-A in Fig. 2, Fig. 3 is a sectional view taken along the section line AA in Fig. 2,

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels, Fig. 4 is a perspective view of a first embodiment of the present invention Läppstempels,

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Ausschnitts einer zweiten Ausführungsform eines Siliziumwafers, Fig. 5 is a perspective view of a section of a second embodiment of a silicon wafer,

Fig. 6 eine Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Glasscheibe zum Aufkleben auf einen Wafer, Fig. 6 is a plan view of a section of a glass sheet for sticking on to a wafer,

Fig. 7 eine Schnittzeichnung entlang der Schnittlinie B-B in Fig. 6, Fig. 7 is a sectional view taken along the section line BB in Fig. 6,

Fig. 8 eine Schnittzeichnung entlang der Schnittlinie C-C in Fig. 6, Fig. 8 is a sectional view taken along the section line CC in Fig. 6,

Fig. 9 eine perspektivische, ausschnittsweise Darstellung eines Ausschnitts einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels, Fig. 9 is a perspective, fragmentary view of a section of a second embodiment of the present invention Läppstempels,

Fig. 10 eine ausschnittsweise Seitenansicht des Läppstempels aus Fig. 9, Fig. 10 is a fragmentary side view of the Läppstempels from Fig. 9,

Fig. 11 eine perspektivische, ausschnittsweise Darstellung einer dritten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels, Fig. 11 is a perspective, fragmentary view of a third embodiment of the present invention Läppstempels,

Fig. 12 eine ausschnittsweise Seitenansicht des Läppstempels aus Fig. 11, Fig. 12 is a fragmentary side view of the Läppstempels from Fig. 11,

Fig. 13 eine perspektivische, ausschnittsweise Darstellung einer vierten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels und Fig. 13 is a perspective, fragmentary view of a fourth embodiment of the present invention and Läppstempels

Fig. 14 eine ausschnittsweise Seitenansicht des Läppstempels aus Fig. 13. Fig. 14 is a fragmentary side view of the Läppstempels from FIG. 13.

Detailed description of the invention

Fig. 1 zeigt einen Wafer 2, welcher zum Ende des Fertigungsprozesses entlang horizontaler und vertikaler Schnittlinien 4, 6 in eine Vielzahl von quadratischen Chips zerteilt wird. Das Zerteilen wird typischerweise als "Dicing" bezeichnet und ist als solches grundsätzlich bekannt. Fig. 1 shows a wafer 2, which at the end of the manufacturing process along the horizontal and vertical lines of intersection 4, is divided into a plurality of square chips 6. The division is typically referred to as "dicing" and is generally known as such.

Fig. 2 zeigt in einem Ausschnitt des Wafers aus Fig. 1 exemplarisch zwei gleiche Chips oder Halbleiterchips 12, 22. Der erste Chip 12 weist eine Vielzahl von im wesentlichen rechteckigen oder genauer quadratischen Öffnungen 14 auf. Die Öffnungen 14 sind entlang der Seiten oder Kanten eines inneren Quadrats 30 angeordnet, wobei die Öffnungen 14 in vier Gruppen 32, 34, 36, 38 erzeugt werden bzw. angeordnet sind, wobei jede der vier Gruppen eine längliche Struktur bildet. Die vier Gruppen 32, 34, 36, 38 von Öffnungen erstrecken sich jeweils linienförmig entlang einer geraden, parallel einer der Kanten des Quadrats 30 verlaufenden Linie. Entlang einer Grenzlinie zwischen dem ersten Chip 12 und dem zweiten Chip 22 erstreckt sich ein länglicher, linienförmiger, gerader Graben 40, welcher ebenfalls eine längliche Struktur im Sinne der Erfindung ist. FIG. 2 shows an example of two identical chips or semiconductor chips 12 , 22 in a section of the wafer from FIG. 1. The first chip 12 has a plurality of essentially rectangular or more precisely square openings 14 . The openings 14 are arranged along the sides or edges of an inner square 30 , the openings 14 being created or arranged in four groups 32 , 34 , 36 , 38 , each of the four groups forming an elongated structure. The four groups 32 , 34 , 36 , 38 of openings each extend linearly along a straight line running parallel to one of the edges of the square 30 . An elongated, linear, straight trench 40 extends along a boundary line between the first chip 12 and the second chip 22 , which is also an elongated structure in the sense of the invention.

Fig. 3 zeigt in einer Schnittzeichnung durch die beiden in Fig. 2 dargestellten noch im ungeteilten Waferverbund befindlichen Chips 12, 22. Der Wafer 2 weist an seiner Unterseite eine Passivations- oder Passivierungsschicht 50 auf und ist mit einer Epoxidharzschicht 52 auf einen Glasträger 60 aufgeklebt. Auf der Unterseite des Wafers 2 innerhalb der Passivationsschicht 50 befinden sich Kontaktstellen oder Bondpads 16. Die Bondpads 16 sind mittels Läppen über die Öffnungen 14 durch den Wafer hindurch freigelegt und von oben kontaktierbar. Ferner weisen der erste und zweite optische Chip 12, 22 je einen lichtsensitiven Bereich, z. B. einen CCD 18 bzw. 28 auf. FIG. 3 shows a sectional drawing through the two chips 12 , 22 shown in FIG. 2 and still located in the undivided wafer composite. The wafer 2 has a passivation or passivation layer 50 on its underside and is glued to a glass carrier 60 with an epoxy resin layer 52 . Contact points or bond pads 16 are located on the underside of the wafer 2 within the passivation layer 50 . The bond pads 16 are exposed by lapping through the openings 14 through the wafer and can be contacted from above. Furthermore, the first and second optical chips 12 , 22 each have a light-sensitive area, for. B. a CCD 18 or 28 .

In der Herstellung wird zunächst der mit den Bondpads 16 und den lichtempfindlichen Bereichen 18, 28 versehene Wafer 2 mittels des Epoxidharzes 52 mit dem Glasträger 60 verklebt. Danach werden mittels des erfindungsgemäßen Läppverfahrens mit einem Läppstempel sukzessive oder zumindest teilweise gleichzeitig der Graben 40, die erste, zweite, dritte und vierte linienförmige Gruppe 32, 34, 36, 38 von Öffnungen 14 in den Wafer 2 eingeläppt. In production, the wafer 2 provided with the bond pads 16 and the light-sensitive areas 18 , 28 is first glued to the glass carrier 60 by means of the epoxy resin 52 . Thereafter, by means of the lapping method according to the invention, the trench 40 , the first, second, third and fourth line-shaped groups 32 , 34 , 36 , 38 of openings 14 are lapped into the wafer 2 successively or at least partially at the same time.

Wie in Fig. 3 zu sehen ist, weisen sowohl die Öffnungen 14, zumindest in einer Dimension, als auch der Graben 40 einen sich nach unten verjüngenden trapezförmigen Querschnitt auf. Die Öffnungen 14 erstrecken sich von einer ersten Oberfläche 2a des Wafers 2 bis zu den zugehörigen Bondpads 16 an einer zweiten Oberfläche 2b des Wafers 2. Der Graben 40 erstreckt sich von der ersten Oberfläche 2a bis in die Passivierungsschicht 50. As can be seen in FIG. 3, both the openings 14 , at least in one dimension, and the trench 40 have a trapezoidal cross section which tapers downwards. The openings 14 extend from a first surface 2 a of the wafer 2 to the associated bond pads 16 on a second surface 2 b of the wafer 2 . The trench 40 extends from the first surface 2 a to the passivation layer 50 .

Fig. 4 zeigt eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Stempels oder Läppstempels 70 mit einer Längsachse 72. Der Läppstempel 70 weist senkrecht zu der Längsachse 72 einen trapezförmigen Querschnitt 74 auf und schwingt linear entlang des Pfeils 76. FIG. 4 shows a first embodiment of a stamp or lapping stamp 70 according to the invention with a longitudinal axis 72 . The lapping die 70 has a trapezoidal cross section 74 perpendicular to the longitudinal axis 72 and swings linearly along the arrow 76 .

Weiter zeigt Fig. 5 eine alternative Ausführungsform eines Wafers 2', welcher beidseitig mittels Epoxidschichten 52', 52" mit einem ersten und zweiten Glasträger 60', 60" zu einem sandwichartigen Verbund beidseitig verklebt ist. Ein Graben oder V-Groove 40', welcher mittels des Läppstempels 70 erzeugt wird, erstreckt sich von einer ersten Oberfläche 60a' des ersten Glasträgers 60' vollständig durch den ersten Glasträger 60', die erste Epoxidschicht 52', den Siliziumwafer 2' und die zweite Epoxidschicht 52", so dass innerhalb des Grabens 40' der Siliziumwafer 2' über seine gesamte Dicke freiliegt. Hiernach kann sich ein Verfüllen des Grabens 40' mit isolierendem Material zur Versiegelung der Waferstirnseiten oder ein stirnseitiges Kontaktieren des Wafers 2' innerhalb des Grabens 40' anschließen. Danach wird mit einem Läppstempel, welcher schmaler als der Läppstempel 70 ist, ein verbleibender Verbindungssteg 62" des unteren Glasträgers 60" durchtrennt, um einzelne, insbesondere allseitig versiegelte Chips zu erhalten. Next, FIG. 5, an alternative embodiment of a wafer 2 'which on both sides by means of epoxy layers 52' '', with a first and second glass substrate 60 60 "bonded 52 to a sandwich-like composite on both sides. A trench or V-groove 40 ', which is produced by means of the lapping die 70 , extends from a first surface 60 a' of the first glass carrier 60 'completely through the first glass carrier 60 ', the first epoxy layer 52 ', the silicon wafer 2 ' and the second epoxy layer 52 ″, so that the silicon wafer 2 ′ is exposed over its entire thickness within the trench 40 ′. Thereafter, a filling of the trench 40 ′ with insulating material for sealing the front sides of the wafers or a contacting of the front side of the wafer 2 ′ inside the trench may occur 40 'connect. Then, a remaining connecting web is provided with a Läppstempel, which is narrower than the Läppstempel 70, 62' of the lower glass substrate 60 "cut through in order to obtain individual, in particular on all sides sealed chips.

Fig. 6 zeigt eine alternative Verwendungsmöglichkeit des erfindungsgemäßen Läppverfahrens an einem Glasträger 160, welcher noch nicht mit einem Wafer verbunden ist. Der in Fig. 6 dargestellte Ausschnitt des Glasträgers 160 unterteilt sich in vier Abschnitte 112, 122, 132 und 142, welche von Begrenzungskanten 104, 106 horizontal bzw. vertikal voneinander abgegrenzt und einzelnen Chips auf einem Wafer zugeordnet sind. Entlang der Begrenzungskanten 104, 106 der vier quadratischen Bereiche 112, 122, 132, 142 werden jeweils länglich rechteckige Öffnungen 140 eingebracht oder eingeläppt. Zwischen aneinander anschließenden Öffnungen 140 wird jeweils ein Steg 141 stehengelassen, so dass der Glasträger 160 als ein Stück bestehen bleibt. Die Begrenzungskanten 104, 106 bilden jeweils die Längsachsen einer sich linienförmig erstreckenden Struktur, umfassend eine oder mehrere der Öffnungen 140. Fig. 6 shows an alternative possible use of the lapping process according to the invention on a glass substrate 160 which is not yet connected to a wafer. The section of the glass carrier 160 shown in FIG. 6 is divided into four sections 112 , 122 , 132 and 142 , which are delimited horizontally or vertically from one another by boundary edges 104 , 106 and are assigned to individual chips on a wafer. Along the boundary edges 104 , 106 of the four square areas 112 , 122 , 132 , 142 , elongated rectangular openings 140 are introduced or lapped. A web 141 is left between adjacent openings 140 , so that the glass carrier 160 remains as one piece. The boundary edges 104 , 106 each form the longitudinal axes of a line-extending structure, comprising one or more of the openings 140 .

Fig. 7 zeigt zwei der Öffnungen 140 in einer Schnittzeichnung entlang der Linie B-B in Fig. 6, d. h. entlang der Längsachse der Öffnungen 140. Die Öffnungen 140 durchdringen den Glasträger 160 vollständig von einer ersten Oberfläche 160a bis zu einer zweiten Oberfläche 160b. FIG. 7 shows two of the openings 140 in a sectional drawing along the line BB in FIG. 6, ie along the longitudinal axis of the openings 140 . The openings 140 penetrate the glass carrier 160 completely from a first surface 160 a to a second surface 160 b.

Fig. 8 zeigt drei Öffnungen 140 in einem Schnitt entlang der Linie C-C in Fig. 6, d. h. quer oder senkrecht zur Längsachse der Öffnungen 140. Die Öffnungen 140 haben gemäß diesem Ausführungsbeispiel quer zu ihrer Längsachse einen quadratischen Querschnitt, können aber in anderen Ausführungsformen auch z. B. einen trapez- oder dreiecksförmigen Querschnitt aufweisen. Nach dem Einbringen der Öffnungen 140 in den Glasträger 160 wird dieser genau positioniert auf einem Wafer aufgeklebt, so dass die Begrenzungslinien 104, 106 auf den späteren Schnittkanten der Chips, wie z. B. in Fig. 1 zu sehen ist, zu liegen kommen. Dadurch entsteht eine Anordnung ähnlich wie die in Fig. 3 gezeigte. Hierbei sind durch die Öffnungen 140 der Wafer, insbesondere auf dem Wafer angeordnete Bondpads freiliegend erreichbar. FIG. 8 shows three openings 140 in a section along the line CC in FIG. 6, that is to say transversely or perpendicular to the longitudinal axis of the openings 140 . According to this exemplary embodiment, the openings 140 have a square cross section transversely to their longitudinal axis, but in other embodiments they can also have a z. B. have a trapezoidal or triangular cross-section. After the openings 140 have been introduced into the glass carrier 160 , the latter is adhered to a precisely positioned position on a wafer, so that the boundary lines 104 , 106 on the later cut edges of the chips, such as, for. B. can be seen in Fig. 1 come to rest. This creates an arrangement similar to that shown in FIG. 3. Here, through the openings 140 of the wafers, in particular bond pads arranged on the wafer, are exposed.

Die Fig. 6 bis 8 sind ferner aus Gründen der besseren Darstellung nicht maßstabsgetreu. Die Länge der Öffnungen 140beträgt etwa 1 mm bis 40 mm und die Breite etwa 40 µm bis 100 µm, 100 µm bis 100 µm oder 300 µm bis 800 µm. FIGS. 6 to 8 are also not drawn to scale for the sake of better representation. The length of the openings 140 is approximately 1 mm to 40 mm and the width is approximately 40 μm to 100 μm, 100 μm to 100 μm or 300 μm to 800 μm.

Der Glasträger 160 umfasst z. B. alkalifreies Glas, insbesondere AF45 oder Glas der Sorte D263 der Firma Schott Glas, welche einen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 4,5 × 10^-6 aufweisen, welcher ähnlich dem des Siliziums mit 3,6 × 10^-6 ist. The glass support 160 comprises e.g. B. alkali-free glass, in particular AF45 or D263 glass from Schott Glas, which have an expansion coefficient of about 4.5 × 10 ^-6 , which is similar to that of silicon with 3.6 × 10 ^-6 .

Fig. 9 zeigt eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels 170 mit einem Kopfabschnitt 171 mit einem rechteckigen Querschnitt 172 und einem unteren Abschnitt 173 mit einem dreieckigen Querschnitt 174. Der untere Abschnitt 173 weist materialabtragende Abschnitte 175, 176 und eine dazwischen angeordnete Aussparung 177 auf. Zwei Stirnflächen 177a, 177b der rechteckigen Aussparung 177 erstrecken sich parallel zueinander und senkrecht zur Längsachse des Läppstempels. Mit dem Läppstempel 170 wird ein geschlitztes Werkstück mit schrägen Seitenflächen erzeugt. Fig. 9 shows a second embodiment of the present invention Läppstempels 170 having a head portion 171 having a rectangular cross-section 172 and a lower portion 173 having a triangular cross-section 174th The lower section 173 has material-removing sections 175 , 176 and a recess 177 arranged between them. Two end faces 177 a, 177 b of the rectangular recess 177 extend parallel to one another and perpendicular to the longitudinal axis of the lapping die. The lapping punch 170 creates a slotted workpiece with sloping side surfaces.

Fig. 10 zeigt den Läppstempel aus Fig. 9 in einer Seitenansicht, wobei noch eine zweite Aussparung 178 dargestellt ist. FIG. 10 shows the lapping stamp from FIG. 9 in a side view, with a second recess 178 being shown.

Fig. 11 zeigt eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Läppstempels 180 mit rechteckigem Querschnitt 182 und Aussparungen 187, 188. Mit dem Läppstempel 180 wird ein geschlitztes Werkstück, z. B. der geschlitzte Glasträger 160 in Fig. 6 mit Schlitz- Seitenflächen, welche im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche verlaufen, erzeugt. Fig. 11 shows a third embodiment of the Läppstempels 180 according to the invention with rectangular cross-section 182 and recesses 187, 188. With the lapping die 180 a slotted workpiece, z. B. the slotted glass support 160 in Fig. 6 with slotted side surfaces which are substantially perpendicular to the surface generated.

Fig. 12 zeigt eine Seitenansicht des Läppstempels 180. Fig. 12 shows a side view of the Läppstempels 180th

Fig. 13 zeigt eine vierte Ausführungsform des Läppstempels 190 zur Erzeugung einer linienförmigen oder länglichen Struktur umfassend eine Mehrzahl von entlang einer geraden Linie angeordneten Löchern. Fig. 13 shows a fourth embodiment of the lapping die 190 for producing a linear or elongated structure comprising a plurality of holes arranged along a straight line.

Der Läppstempel 190 umfasst eine Mehrzahl von sich verjüngenden materialabtragenden Abschnitten 193, 194, 195, 196 mit jeweils konkaven Seitenflächen und sich nach unten verjüngendem Querschnitt 192. Mit dem Läppstempel 190 ist z. B. in einem Arbeitsgang je eine der Gruppen 32, 34, 36, 38 von Öffnungen 14, wie in Fig. 2 dargestellt, herstellbar. The lapping die 190 comprises a plurality of tapered material-removing sections 193 , 194 , 195 , 196 , each with concave side surfaces and a cross section 192 tapering downwards. With the lapping stamp 190 z. B. in one operation one of the groups 32 , 34 , 36 , 38 of openings 14 , as shown in Fig. 2, can be produced.

Die Erzeugung der Öffnungen 14 erfolgt insbesondere gruppenweise und/oder chipweise, so dass pro Chip vier Läppvorgänge durchgeführt werden. Es ist aber auch möglich, die Erzeugung der Öffnungen 14 waferweise durchzuführen, so dass mehrere entlang einer geraden Linie auf dem Wafer angeordnete Chips gleichzeitig mit Öffnungen versehen werden. The openings 14 are produced in particular in groups and / or chips, so that four lapping processes are carried out per chip. However, it is also possible to produce the openings 14 as wafers, so that several chips arranged along a straight line on the wafer are provided with openings at the same time.

Fig. 14 zeigt eine Seitenansicht des Läppstempels 190. Fig. 14 shows a side view of the Läppstempels 190th

In einer besonders vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung werden mehrere der Läppstempel nebeneinander angeordnet, so dass sogar mehrere Reihen von Öffnungen oder ein zweidimensionales Array von Öffnungen gleichzeitig erzeugbar sind. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform werden in einem Arbeitsschritt alle Öffnungen 14 auf dem gesamten Wafer 2 gleichzeitig erzeugt. In a particularly advantageous development of the invention, a plurality of the lapping dies are arranged next to one another, so that even a number of rows of openings or a two-dimensional array of openings can be produced simultaneously. According to a particularly preferred embodiment, all openings 14 on the entire wafer 2 are produced simultaneously in one work step.

Alternativ zu den gezeigten Ausführungsformen kann das Läppwerkzeug eine Platte mit einem zweidimensionalen Array aus nadelartigen Spitzen oder Stempeln umfassen, so dass ebenfalls ein zweidimensionales Array von Öffnungen gleichzeitig erzeugbar ist. As an alternative to the embodiments shown, the Lapping tool a plate with a two-dimensional array from needle-like tips or stamps, so that also a two-dimensional array of openings can be generated simultaneously.

Es ist dem Fachmann ersichtlich, dass die Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist, sondern vielfältig, insbesondere in Bezug auf die Form des Läppstempels und der damit erzeugbaren Struktur variiert werden kann, ohne den Geist der Erfindung zu verlassen. It will be apparent to those skilled in the art that the invention is not based on the above-described embodiments are limited is, but diverse, especially in terms of shape of the lapping die and the structure that can be produced with it can be made without departing from the spirit of the invention.

Claims

1. A method for producing a structure ( 32 , 40 , 40 ', 140 ) in a workpiece with a first surface ( 2 a, 160 a), the method comprising
Providing the workpiece ( 2 , 160 ),
Providing a tool
Providing an abrasive
Lapping, in particular ultrasonic vibratory lapping, the workpiece ( 2 , 160 ) by means of the tool and the abrasive,
wherein the tool comprises a lapping stamp ( 70 , 170 , 180 , 190 ) which extends at least in a first dimension along the first surface ( 2 a, 160 a) of the workpiece and with which by means of lapping one extends at least along the first dimension extending structure ( 32 , 40 , 40 ', 140 ) is generated in the workpiece.

2. The method according to claim 1, wherein the first. Surface ( 160 ) extends in a first plane and the structure a slot ( 40 , 40 ', 140 ), in particular an elongated and / or linear slot ( 40 , 40 ', 140 ) which extends substantially parallel to the first plane , includes.

3. The method according to claim 1 or 2, wherein a one-piece lapping stamp ( 70 , 170 , 180 , 190 ) is used.

4. The method according to any one of the preceding claims, wherein a shaping lapping stamp ( 70 , 170 , 180 , 190 ) is used.

5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ) is elongated along the first dimension and a cross section ( 74 , 174 , 182 , 192 ) at least in sections in a plane perpendicular to the first dimension. which essentially corresponds to the negative shape of the cross section of the structure to be produced ( 32 , 40 , 40 ', 140 ).

6. The method according to any one of the preceding claims, wherein the lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ) is elongated along the first dimension and has a cross section at least in sections in a plane perpendicular to the first dimension, which tapers in the direction of the workpiece ( 74 , 174 , 192 ), triangular ( 174 ), trapezoidal ( 74 ) or rectangular ( 182 ).

7. The method according to any one of the preceding claims, wherein the lapping die has recesses ( 177 , 178 , 187 , 188 ) and material-removing sections ( 175 , 176 , 185 , 186 ), in particular alternating regularly, with the material-removing sections ( 175 , 176 , 185 , 186 ) a plurality of depressions ( 40 , 40 ') and / or openings ( 14 , 140 ) are simultaneously produced in the workpiece.

8. The method according to any one of the preceding claims, wherein by means of lapping a plurality ( 32 , 34 , 36 , 38 ) of recesses ( 40 , 40 ') and / or openings ( 14 , 140 ) aligned along a line are produced, which in particular include line-shaped depressions ( 40 , 40 ') or openings ( 140 ) aligned along the line.

9. The method according to any one of the preceding claims, wherein the workpiece comprises a semiconductor or silicon wafer ( 2 ).

10. The method according to any one of the preceding claims, wherein the workpiece is a composite material, in particular one Includes glass-silicon wafer composite.

11. The method according to any one of the preceding claims, wherein the workpiece, in particular the wafer ( 2 ) or glass-silicon wafer composite contact points ( 16 ) on a second surface ( 2 b), which is arranged opposite the first surface ( 2 a), and by means of lapping at least one opening ( 14 ) is produced, which extends from the first to the second surface ( 2 a, 2 b) through the workpiece, the wafer ( 2 ) or the glass-silicon wafer composite, wherein the contact points ( 16 ) are exposed and can be contacted from the first surface ( 2 a).

12. The method according to any one of the preceding claims, wherein trenches ( 40 , 40 ') are produced by means of lapping in the workpiece, in particular in the wafer ( 2 ) or glass-silicon wafer composite.

13. The method according to any one of the preceding claims, wherein tapering trenches ( 40 , 40 '), in particular V-trenches, are produced in the workpiece, in particular in the wafer ( 2 ) or glass-silicon wafer composite, by means of the lapping.

14. The method according to any one of the preceding claims, wherein by means of lapping the workpiece, in particular the wafer ( 2 ) or glass-silicon wafer composite is divided or cut into chips ( 12 , 22 ).

15. The method according to any one of the preceding claims, wherein the structure ( 32 , 40 , 40 ', 140 ) in the workpiece with an arithmetic roughness of less than 10 µm, preferably less than 5 µm, particularly preferably in the range from 1 µm to 2 µm is generated.

16. Use of the method according to one of the preceding Process claims for processing a glass Silicon wafer composite.

17. Use of the method according to one of the preceding method claims for dicing or cutting a wafer ( 2 ), in particular comprising a glass-silicon wafer composite.

18. Use of the method according to one of the preceding method claims for producing V-trenches ( 40 , 40 ') in a wafer ( 2 ), in particular in a glass-silicon wafer composite.

19. Wafer ( 2 ) or glass-silicon wafer composite or a chip ( 12 , 22 ) that can be produced therefrom with a structure ( 32 , 40 , 40 ', 140 ) that can be produced by a method according to one of the preceding claims.

20. lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ), which extends at least in a first dimension along a surface ( 2 a, 160 a) of a workpiece ( 2 ) to be machined, and wherein the lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ) by means of a lapping process, in particular according to one of the preceding claims, a structure ( 32 , 40 , 40 ', 140 ) which extends at least along the first dimension can be produced in the workpiece ( 2 ).

21. Lapping device, in particular for structuring, dividing and / or cutting wafers ( 2 ) or glass-silicon composite wafers, comprising
a receptacle for the wafer ( 2 ) or glass-silicon composite wafer,
the lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ) according to claim 20 and
a device for generating vibrations and for applying the vibrations to the lapping die ( 70 , 170 , 180 , 190 ).