DE10139681A1 - Electronic component used in MOSFETs comprises a plate-like support element having a contact zone and a semiconductor body applied on the contact zone of the support element - Google Patents

Electronic component used in MOSFETs comprises a plate-like support element having a contact zone and a semiconductor body applied on the contact zone of the support element

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Abstract

Electronic component comprises a plate-like support element (2) having a contact zone and a semiconductor body (4) applied on the contact zone of the support element. The support element has a structure having alternating protrusions (22) and recesses (21) in the region of the contact zone. An Independent claim is also included for a process for the production of the electronic component. Preferred Features: The support element has strip-like protrusions in the region of the contact zone. The protrusions are surrounded by ring-like recesses. The semiconductor body is connected to the support element by a connecting layer, preferably made from gold, a gold compound, silver, a silver compound, tin, a tin compound, copper or a copper compound.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einem auf einem plattenförmigen Träger angeordneten Halbleiterkörper. The present invention relates to an electronic Component with a on a plate-shaped carrier arranged semiconductor body.

Es ist hinlänglich bekannt, Halbleiterchips fest auf einem plattenförmigen Träger, dem sogenannten Leadframe, zu montieren. Der Leadframe trägt zur mechanischen Stabilität des Bauelements bei und kann auch zur Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip an einen an dem Leadframe anliegenden Kühlkörper und auch als Kontaktanschluss dienen. It is well known to have semiconductor chips firmly on one plate-shaped carrier, the so-called lead frame assemble. The leadframe contributes to the mechanical stability of the Component at and can also dissipate heat the semiconductor chip to one adjacent to the leadframe Heat sink and also serve as a contact connection.

Der Leadframe besteht üblicherweise aus einem Metall, beispielsweise Kupfer oder einer Kupferlegierung. Der thermische Ausdehnungskoeffizient des Leadframe und der des aufgebrachten Halbleiterchips unterscheiden sich üblicherweise erheblich, so beträgt die thermische Ausdehnung von Kupfer etwa das 5-fache der thermischen Ausdehnung von Silizium. The lead frame is usually made of a metal, for example copper or a copper alloy. The coefficient of thermal expansion of the leadframe and that of the applied semiconductor chips usually differ considerable, so is the thermal expansion of copper about 5 times the thermal expansion of silicon.

Da Halbleiterbauelemente während des Betriebs und auch während des Herstellungsverfahrens, nachdem der Chip bereits auf dem Leadframe montiert ist, Temperaturschwankungen von 100°C und mehr unterliegen können, sind Maßnahmen erforderlich, die verhindern, dass die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Leadframe und des Halbleiterkörpers zu Verspannungen in dem Halbleiterkörper führen, die dessen Funktionsfähigkeit beeinträchtigen oder diesen beschädigen. Hierzu ist es bekannt, eine Verbindungsschicht, die den Halbleiterkörper auf dem Leadframe befestigt, so zu wählen und auszubilden, dass sie die temperaturbedingt auftretenden mechanischen Spannungen zwischen dem Leadframe und dem Halbleiterkörper aufnimmt. Diese Verbindungsschicht besteht beispielsweise aus einem Klebstoff, der aufgrund seiner Elastizität in der Lage ist, die Verspannungen aufzunehmen, wobei die Kleberschicht um so dicker ist, je größer die erwarteten mechanischen Verspannungen sind. Because semiconductor devices during operation and also during the manufacturing process after the chip already mounted on the leadframe, temperature fluctuations of Measures can be subject to 100 ° C and more required that prevent the different Expansion coefficients of the lead frame and the semiconductor body lead to tension in the semiconductor body, the Impair functionality or damage it. For this purpose, it is known to provide a connection layer that Semiconductor body attached to the lead frame, so choose and train them to take the temperature-related ones mechanical stresses between the leadframe and the Takes up semiconductor body. This connection layer exists for example from an adhesive that due to its Elasticity is able to absorb the tension, whereby the larger the expected layer, the thicker the adhesive layer mechanical tension.

Die Verwendung eines Klebers ist insbesondere bei Halbleiterbauelementen nachteilig, bei denen der Leadframe einen Kontaktanschluss des Bauelements bildet, wie beispielsweise bei vertikalen Leistungs-MOSFET, bei denen eine Rückseite des Halbleiterchips den Drain-Anschluss oder den Source- Anschluss des Bauelements bildet. Für den den Halbleiterchip und den Leadframe verbindenden Kleber ist dabei ein elektrisch leitender Kleber gewählt. Dieser die mechanischen Spannungen aufnehmende Kleber, der neben einer Rückseitenmetallisierung des Halbleiterchips vorhanden ist und der die mechanischen Spannungen aufnimmt, erhöht dabei den elektrischen Widerstand des Bauelements. The use of an adhesive is particularly important for Semiconductor components disadvantageous, in which the leadframe one Contact connection of the component forms, such as for vertical power mosfets where a back of the semiconductor chip the drain connection or the source Connection of the component forms. For the semiconductor chip and the leadframe adhesive is included electroconductive adhesive selected. This the mechanical Tension-absorbing adhesive that next to one Backside metallization of the semiconductor chip is present and that absorbs mechanical stresses, increases the electrical resistance of the component.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit einem Trägerelement und einem fest auf dem Trägerelement montierten Halbleiterkörper zur Verfügung zu stellen, das über einen weiten Temperaturbereich einsetzbar ist und das gegenüber bekannten derartigen Bauelementen einen geringeren Widerstand aufweist. The aim of the present invention is a Semiconductor component with a carrier element and a fixed on the Carrier element mounted semiconductor body available provide that can be used over a wide temperature range is and compared to known such components has a lower resistance.

Dieses Ziel wird durch ein Bauelement gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. This goal is achieved by a component according to the characteristics of claim 1 solved.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche. Advantageous embodiments of the invention are the subject of subclaims.

Bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Bauelement weist das Trägerelement eine Kontaktzone zum Aufbringen eines Halbleiterkörpers auf, wobei die Kontaktzone eine Struktur mit sich abwechselnden Erhebungen und Vertiefungen aufweist. In the electronic component according to the invention the carrier element has a contact zone for applying a Semiconductor body, the contact zone having a structure with alternating elevations and depressions.

Der Halbleiterkörper liegt dabei auf den Erhebungen auf, wobei die einzelnen Erhebungen jeweils durch die Vertiefungen voneinander getrennt sind. Die Erhebungen, die insbesondere wandförmig oder säulen- oder borstenförmig ausgebildet sind, weisen eine von den Materialeigenschaften des Trägerelements bzw. des Leadframes abhängige Flexibilität quer zu der Richtung, in der der Halbleiterkörper auf das Trägerelement aufgebracht ist, auf. Die Erhebungen sind dadurch in der Lage, Spannungen, die aufgrund unterschiedlicher temperaturbedingter Ausdehnungen des Halbleiterkörpers und des Leadframes auftreten, aufzunehmen. The semiconductor body rests on the elevations, the individual surveys each through the depressions are separated from each other. The surveys, in particular are wall-shaped or columnar or bristle-shaped, have one of the material properties of the carrier element or the leadframe-dependent flexibility across the Direction in which the semiconductor body on the carrier element is applied to. As a result, the surveys are able Tensions due to different temperature-related expansions of the semiconductor body and the leadframe occur to record.

Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement, bei welchem die besondere, Erhebungen und Vertiefungen aufweisende Struktur des Leadframes in der Lage ist, thermisch bedingte Spannungen zwischen dem Leadframe und dem Halbleiterkörper aufzunehmen, kann der Halbleiterkörper mittels einer gut elektrisch leitenden metallischen Verbindungsschicht auf der Kontaktzone des Leadframes, d. h. auf den Erhebungen der Kontaktzone des Leadframes, aufgebracht werden. Diese elektrisch leitende Verbindungsschicht kann - da sie keine thermisch bedingten mechanischen Spannungen aufnehmen muss - sehr dünn sein und erhöht dementsprechend den durch Anschlüsse bedingten Anteil am elektrischen Widerstand des Bauelements nur wenig. In the semiconductor component according to the invention, in which the special one, with surveys and in-depths Structure of the leadframe is able to be thermal Tensions between the leadframe and the semiconductor body can record the semiconductor body by means of a well electrically conductive metallic connection layer on the Leadframe contact zone, d. H. on the surveys of the Contact zone of the lead frame. This electrically conductive connection layer can - since it does not must absorb thermal mechanical stresses - very much be thin and accordingly increase the through connections contingent part of the electrical resistance of the component only a little.

Diese Verbindungsschicht besteht vorzugsweise aus Gold, Silber, Zinn, Kupfer oder aus Legierungen dieser Metalle. Bei einem Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Bauelements wird zuerst eine erste Verbindungsschicht, beispielsweise Gold oder eine Goldlegierung, auf eine Seite, insbesondere die Rückseite, des Halbleiterkörpers aufgebracht. Entsprechend wird eine zweite Verbindungsschicht, beispielsweise Silber oder eine Silberlegierung, auf die Erhebungen der Kontaktzone des Leadframe aufgebracht. Anschließend wird der Halbleiterkörper mit der Seite der ersten Verbindungsschicht auf die zweite Verbindungsschicht auf der Kontaktzone gelegt und die Anordnung mit dem Trägerelement und dem Halbleiterkörper wird erwärmt, um die beiden Verbindungsschichten miteinander zu verschmelzen, und dadurch den Halbleiterkörper auf den Erhebungen des Leadframe zu befestigen. This connection layer is preferably made of gold, Silver, tin, copper or from alloys of these metals. at a method for producing the invention Component is first a first connection layer, for example gold or a gold alloy, on one side, in particular the back of the semiconductor body applied. Accordingly, a second connection layer, for example silver or a silver alloy on which Elevations of the contact zone of the leadframe applied. Then the semiconductor body with the side of the first connection layer on the second connection layer the contact zone and the arrangement with the Carrier element and the semiconductor body is heated to the two To merge tie layers, and thereby the semiconductor body on the elevations of the lead frame to fix.

Die während dieses Temperaturschrittes auftretenden mechanischen Spannungen, die sich aufgrund unterschiedlicher temperaturbedingter Ausdehnungen des Leadframe und des Halbleiterkörpers ergeben, werden durch die Struktur des Leadframe mit den Erhebungen und den Vertiefungen aufgenommen. Auch während des Einsatzes des Halbleiterbauelements bei unterschiedlichen Umgebungsbedingungen, bei welchen je nach Einsatzort des Halbleiterbauelements Temperaturen zwischen -40°C und 150°C auftreten können, werden temperaturbedingte mechanische Spannungen von der Struktur des Leadframe mit den Erhebungen und Vertiefungen aufgenommen. The occurring during this temperature step mechanical stresses that arise due to different temperature-related expansions of the leadframe and the Semiconductor body result from the structure of the Leadframe with the surveys and the deepening added. Even while using the semiconductor component with different environmental conditions, with which ever temperatures depending on the location of the semiconductor component between -40 ° C and 150 ° C can occur temperature-related mechanical stresses from the structure of the leadframe recorded with the surveys and in-depths.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. The present invention is hereinafter described in Embodiments explained in more detail with reference to figures.

In den Figuren zeigt In the figures shows

Fig. 1 ein erfindungsgemäßes Bauelement mit einem auf einem Trägerelement aufgebrachten Halbleiterkörper in Seitenansicht im Querschnitt (Fig. 1a) und in Draufsicht auf das Trägerelement (Fig. 1b), Fig. 1 shows an inventive device with an applied on a carrier element semiconductor body in a side view in cross-section (Fig. 1a) and in plan view of the carrier element (Fig. 1b),

Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Trägerelement gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Fig. 2 is a plan view of a carrier element according to a further embodiment of the invention.

In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung. In the figures, unless otherwise stated, same reference numerals same parts with the same meaning.

Fig. 1a zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. Das Bauelement weist einen plattenförmigen Leadframe 2 und einen auf den Leadframe aufgebrachten Halbleiterchip 4 auf, wobei der Halbleiterchip 4 die aktiven Bereiche des Halbleiterbauelements umfasst, die mittels nicht näher dargestellter Verbindungen, üblicherweise mittels Bonddrähten, mit ebenfalls nicht näher dargestellten Anschlussbeinen verbunden sind. Die Anordnung mit dem Halbleiterchip 4 und dem Leadframe 2 ist üblicherweise zum Schutz des Halbleiterchips vor äußeren mechanischen Einflüssen von einer Kunststoffummantelung umgeben, wobei bei Leistungsbauelementen eine Rückseite 200 des Leadframe zur Montage auf einem nicht näher dargestellten Kühlkörper frei bleibt. Fig. 1a shows an inventive semiconductor device in side view in cross-section. The component comprises a plate-shaped lead frame 2 and a force applied to the leadframe semiconductor chip 4, wherein the semiconductor chip 4 includes the active regions of the semiconductor device, which are connected by a non-illustrated compounds, usually by means of bonding wires, also with not shown connection legs. The arrangement with the semiconductor chip 4 and the leadframe 2 is usually surrounded by a plastic sheath to protect the semiconductor chip from external mechanical influences, with a rear side 200 of the leadframe remaining free for mounting on a heat sink (not shown in more detail) in the case of power components.

Der dargestellte Leadframe 2 weist eine Kontaktzone oder Kontaktinsel 20 auf, die den Bereich des Leadframe 2 darstellt, auf welchem der Halbleiterkörper 4 aufgebracht ist. Erfindungsgemäß ist die Kontaktzone 20 strukturiert ausgebildet, wobei die Struktur abwechselnd Erhebungen 22 und Vertiefungen 21 aufweist. The lead frame 2 shown has a contact zone or contact island 20 which represents the region of the lead frame 2 on which the semiconductor body 4 is applied. According to the invention, the contact zone 20 is structured, the structure alternately having elevations 22 and depressions 21 .

Fig. 1b zeigt eine Draufsicht auf einen Leadframe gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, wobei in Fig. 1b der auf der Kontaktzone 20 angeordnete Halbleiterkörper gestrichelt dargestellt ist. In den Leadframe 2 sind bei diesem Ausführungsbeispiel im Bereich der Kontaktzone 20 grabenförmige Vertiefungen 21 eingebracht, zwischen denen die Erhebungen 22 ausgebildet sind. Diese Erhebungen 22 besitzen eine wandförmige oder streifenförmige Kontur, wobei der Halbleiterkörper 4 auf diesen Erhebungen 22 aufliegt. FIG. 1b shows a top view of a leadframe according to a first embodiment of the invention, the semiconductor body arranged on the contact zone 20 being shown in dashed lines in FIG. 1b. In this exemplary embodiment, trench-shaped depressions 21 are made in the leadframe 2 in the region of the contact zone 20 , between which the elevations 22 are formed. These elevations 22 have a wall-shaped or strip-shaped contour, the semiconductor body 4 resting on these elevations 22 .

Der Halbleiterkörper 4 ist dabei mittels einer Verbindungsschicht 6, die insbesondere aus einem gut elektrisch leitenden Metall, besteht auf den Erhebungen 22 im Bereich der Kontaktzone 20 des Leadframe befestigt. The semiconductor body 4 is fastened to the elevations 22 in the region of the contact zone 20 of the leadframe by means of a connection layer 6 , which consists in particular of a good electrically conductive metal.

Aufgabe der aus den grabenförmigen Erhebungen resultierenden streifenförmigen Erhebungen, auf welchen der Halbleiterkörper 4 aufgebracht ist, ist es, temperaturbedingte mechanische Spannungen zwischen dem Leadframe 2 und dem Halbleiterkörper 4, die bei sich ändernden Einsatztemperaturen des Bauelements auftreten können, aufzunehmen. Die durch die Vertiefungen 21 voneinander getrennten Erhebungen 22 besitzen eine von den Materialeigenschaften des Leadframe 2 abhängige Flexibilität in einer Richtung Q quer zu der Richtung, in der der Halbleiterkörper 4 auf den Leadframe 2 aufgebracht ist. Diese Flexibilität ermöglicht es, dass die Erhebungen die zwischen dem Leadframe 2 und dem Halbleiterkörper 4 auftretenden mechanischen Spannungen aufnehmen, wodurch mechanische Spannungen des Leadframe 2, der üblicherweise einer wesentlich größeren mechanischen Ausdehnung als der Halbleiterkörper 4 unterliegt, nicht auf den Halbleiterkörper 4 übertragen werden. The task of the strip-shaped elevations resulting from the trench-shaped elevations, on which the semiconductor body 4 is applied, is to absorb temperature-related mechanical stresses between the leadframe 2 and the semiconductor body 4 , which can occur when the operating temperatures of the component change. The elevations 22 which are separated from one another by the depressions 21 have a flexibility which is dependent on the material properties of the lead frame 2 in a direction Q transverse to the direction in which the semiconductor body 4 is applied to the lead frame 2 . This flexibility enables the elevations to absorb the mechanical stresses occurring between the leadframe 2 and the semiconductor body 4 , as a result of which mechanical stresses of the leadframe 2 , which is usually subject to a much greater mechanical expansion than the semiconductor body 4, are not transmitted to the semiconductor body 4 .

Um die Flexibilität der streifenförmigen Erhebungen 22 zu erhöhen, ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1b ein ringförmiger Graben bzw. eine ringförmige Vertiefung 23 um die streifenförmigen Erhebungen 22 angeordnet, um freistehende Erhebungen 22 zu erhalten. In order to increase the flexibility of the strip-shaped elevations 22 , an annular trench or an annular recess 23 is arranged around the strip-shaped elevations 22 in the exemplary embodiment according to FIG. 1 b in order to obtain free-standing elevations 22 .

Fig. 2 zeigt in Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, bei welchem die Kontaktzone 20 des Leadframe 2 eine Vielzahl von säulenförmigen oder borstenförmigen Erhebungen 22 aufweist, die durch Einbringen einer gitterartigen Vertiefungsstruktur in dem Leadframe 20 ausgebildet sind. Wie auch die in Fig. 1b dargestellten streifenförmigen Erhebungen 22 weisen die säulenförmigen oder borstenförmigen Erhebungen 22 ebenfalls eine Flexibilität quer zur Aufbringrichtung des Halbleiterkörpers 4 auf, wodurch diese Erhebungen 22 in der Lage sind, temperaturbedingte mechanische Spannungen zwischen dem Leadframe 2 und dem Halbleiterkörper 4 aufzunehmen. Auch bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 ist um die Struktur mit den säulenförmigen Erhebungen 22 ein ringförmiger Graben bzw. eine ringförmige Vertiefung 23 ausgebildet. Fig. 2 shows a further embodiment shows a top view of a semiconductor device according to the invention, in which the contact zone 20 of the lead frame 2 has a plurality of columnar or bristle-like protrusions 22 which are formed by placing a grid-like groove structure in the lead frame 20. Like the strip-shaped elevations 22 shown in FIG. 1b, the columnar or bristle-shaped elevations 22 likewise have flexibility transversely to the application direction of the semiconductor body 4 , as a result of which these elevations 22 are able to absorb temperature-related mechanical stresses between the leadframe 2 and the semiconductor body 4 , In the exemplary embodiment according to FIG. 2, an annular trench or an annular recess 23 is formed around the structure with the columnar elevations 22 .

Die Abmessungen der streifenförmigen oder säulenförmigen Erhebungen sind so gewählt, dass die Erhebungen eine möglichst hohe Flexibilität aufweisen, um die auftretenden mechanischen Spannungen bestmöglich aufzunehmen. The dimensions of the strip-shaped or columnar Surveys are chosen so that the surveys are as possible have great flexibility to handle the occurring absorb mechanical stresses as best as possible.

Während des Herstellungsprozesses unterliegt das Bauelement erheblichen Temperaturschwankungen. Zur Befestigung des Halbleiterkörpers mittels der Verbindungsschicht auf dem Leadframe wird das Bauelement auf Temperaturen zwischen 350°C bis 450°C aufgeheizt und anschließend auf Raumtemperatur, oder etwas darüber, abgekühlt. Hierbei hat sich gezeigt, dass bei einer Dicke des Leadframe von 125 µm Erhebungen mit einer Höhe von h = 50 µm, einer Breite von d = 50 µm und einem Abstand von a = 50 µm in der Lage waren, den Halbleiterchip 4 vor Beschädigungen in Folge mechanischer Spannungen bei diesen Temperaturschwankungen zu schützen. During the manufacturing process, the component is subject to considerable temperature fluctuations. To fasten the semiconductor body by means of the connection layer on the leadframe, the component is heated to temperatures between 350 ° C. to 450 ° C. and then cooled to room temperature or slightly above. It has been shown here that with a lead frame thickness of 125 μm, bumps with a height of h = 50 μm, a width of d = 50 μm and a distance of a = 50 μm were able to prevent the semiconductor chip 4 from being damaged Protect the result of mechanical stresses during these temperature fluctuations.

Die säulenförmige Erhebungen 22 gemäß Fig. 2 weisen in Draufsicht vorzugsweise einen quadratischen Querschnitt auf, können jedoch auch einen beliebigen anderen Querschnitt, der eine Verformung der Säulen zulässt, aufweisen. The pillar-shaped elevations 22 according to FIG. 2 preferably have a square cross section in plan view, but can also have any other cross section that allows the pillars to be deformed.

Fig. 3 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, wobei zunächst eine erste Verbindungsschicht 6 A auf eine Rückseite 4 des Halbleiterkörpers aufgebracht wird. In entsprechender Weise wird eine zweite Verbindungsschicht 6B auf die Erhebungen 22 der Kontaktzone 20 aufgebracht. Anschließend wird der Halbleiterkörper 4 mit der ersten Verbindungsschicht 6A auf die zweite Verbindungsschicht 6B der Erhebungen 22 aufgebracht. FIG. 3 illustrates a method for producing a semiconductor component according to the invention, wherein first a first connection layer 6 A is applied to a rear side 4 of the semiconductor body. In a corresponding manner, a second connection layer 6 B is applied to the elevations 22 of the contact zone 20 . The semiconductor body 4 with the first connection layer 6 A is then applied to the second connection layer 6 B of the elevations 22 .

Anschließend wird die Anordnung mit dem Halbleiterkörper 4 und dem Leadframe 2 erwärmt, bis die Verbindungsschichten 6A, 6B miteinander verschmelzen, um dadurch den Halbleiterkörper 4 fest auf dem Leadframe 2 zu befestigen, wie dies in Fig. 1A dargestellt ist. Subsequently, the arrangement with the semiconductor body 4 and the lead frame 2 is heated until the connecting layers 6 A, 6 B fuse together, in order to thereby firmly fix the semiconductor body 4 on the lead frame 2 , as shown in FIG. 1A.

Die erste und/oder zweite Verbindungsschicht 6A, 6B besteht vorzugsweise aus Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Legierungen dieser Metalle oder anderen geeigneten Metallen oder Legierungen. The first and / or second connecting layer 6 A, 6 B preferably consists of gold, silver, copper, tin, alloys of these metals or other suitable metals or alloys.

Als Halbleiterkörper 4 dient insbesondere ein Halbleiterkörper aus Silizium, der Leadframe 2 besteht vorzugsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, insbesondere einer Kupfer-Eisen-Legierung. Bezugszeichenliste 2 Trägerelement
4 Halbleiterkörper
6 Verbindungsschicht
6A erste Verbindungsschicht
6B zweite Verbindungsschicht
22 Erhebung
21 Vertiefung
23 grabenförmige Vertiefung
200 Unterseite des Leadframe
A semiconductor body made of silicon serves in particular as the semiconductor body 4 , the leadframe 2 preferably consists of copper or a copper alloy, in particular a copper-iron alloy. Reference symbol list 2 carrier element
4 semiconductor bodies
6 connection layer
6 A first connection layer
6 B second connection layer
22 survey
21 deepening
23 trench-shaped depression
200 underside of the leadframe

Claims (12)

1. Elektronisches Bauelement das ein plattenförmiges Trägerelement (2) mit einer Kontaktzone (24) und einen Halbleiterkörper (4), der auf die Kontaktzone (24) des Trägerelements (2) aufgebracht ist, aufweist dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (2) wenigstens im Bereich der Kontaktzone (24) eine Struktur mit sich abwechselnden Erhebungen (22) und Vertiefungen (21) aufweist. 1. Electronic component which has a plate-shaped carrier element ( 2 ) with a contact zone ( 24 ) and a semiconductor body ( 4 ) which is applied to the contact zone ( 24 ) of the carrier element ( 2 ), characterized in that the carrier element ( 2 ) at least in the area of the contact zone ( 24 ) has a structure with alternating elevations ( 22 ) and depressions ( 21 ). 2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Trägerelement (2) im Bereich der Kontaktzone (24) streifenförmige Erhebungen (22) aufweist. 2. Component according to claim 1, wherein the carrier element ( 2 ) in the region of the contact zone ( 24 ) has strip-shaped elevations ( 22 ). 3. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Trägerelement im Bereich der Kontaktzone (24) borstenförmige Erhebungen (22) aufweist. 3. The component according to claim 1, wherein the carrier element in the region of the contact zone ( 24 ) has bristle-shaped elevations ( 22 ). 4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Erhebungen (22) von einer ringförmigen Vertiefung (23) umgeben sind. 4. Component according to one of claims 1 to 3, wherein the elevations ( 22 ) are surrounded by an annular recess ( 23 ). 5. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der Halbleiterkörper (4) mittels einer Verbindungsschicht (6) an dem Trägerelement (2) befestigt ist. 5. The component according to claim 1, in which the semiconductor body ( 4 ) is fastened to the carrier element ( 2 ) by means of a connecting layer ( 6 ). 6. Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Trägerelement (2) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht. 6. Component according to one of the preceding claims, wherein the carrier element ( 2 ) consists of copper or a copper alloy. 7. Bauelement nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei dem die Verbindungsschicht (6) wenigstens eine der folgenden Metalle enthält: Gold, eine Goldverbindung, Silber, eine Silberverbindung, Zinn, eine Zinnverbindung, Kupfer oder eine Kupferverbindung. 7. The component according to claim 4 or 5, wherein the connecting layer ( 6 ) contains at least one of the following metals: gold, a gold compound, silver, a silver compound, tin, a tin compound, copper or a copper compound. 8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Vertiefungen zwischen 25% und 75% der Dicke des plattenförmigen Trägerelements ausmachen. 8. The component according to one of claims 1 to 6, wherein the Wells between 25% and 75% of the thickness of the Make out plate-shaped carrier element. 9. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, das folgende Merkmale aufweist: - Bereitstellen eines plattenförmigen Trägerelements (2) mit einer Kontaktzone (24), die eine Struktur mit sich abwechselnden Erhebungen (22) und Vertiefungen (21) aufweist, - Bereitstellen eines die aktiven Bereiche des Bauelements aufweisenden Halbleiterkörpers (4), - Aufbringen einer ersten Verbindungsschicht (6A) auf eine Rückseite (41) des Halbleiterkörpers (4), - Aufbringen einer zweiten Verbindungsschicht (6B) auf die Kontaktzone (24) des Trägerelements (2), - Aufbringen des Halbleiterkörpers (4) mit der Rückseite (41) auf die Kontaktzone (24), - Erwärmen der Anordnung mit dem Halbleiterkörper (4) und dem Trägerelement (2), um die erste und zweite Verbindungsschicht (6A, 6B) miteinander zu verbinden. 9. A method for producing an electronic component, which has the following features: Providing a plate-shaped carrier element ( 2 ) with a contact zone ( 24 ) which has a structure with alternating elevations ( 22 ) and depressions ( 21 ), - Providing a semiconductor body ( 4 ) having the active areas of the component, - application of a first connection layer ( 6 A) to a rear side ( 41 ) of the semiconductor body ( 4 ), - Applying a second connection layer ( 6 B) to the contact zone ( 24 ) of the carrier element ( 2 ), - Application of the semiconductor body ( 4 ) with the back ( 41 ) onto the contact zone ( 24 ), - Heating the arrangement with the semiconductor body ( 4 ) and the carrier element ( 2 ) in order to connect the first and second connection layers ( 6 A, 6 B) to one another. 10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die erste Verbindungsschicht (6 A) aus Gold, einer Goldlegierung, Zinn oder einer Zinnlegierung besteht. 10. The method of claim 9, wherein the first Connection layer (6 A) made of gold, a gold alloy, tin or one There is tin alloy. 11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die zweite Verbindungsschicht (6B) aus Silber, einer Silberlegierung, Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht. 11. The method according to claim 9 or 10, wherein the second connecting layer ( 6 B) consists of silver, a silver alloy, copper or a copper alloy. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem die Anordnung zum Verbinden der ersten und zweiten Verbindungsschichten auf eine Temperatur zwischen 350°C und 450°C erwärmt wird. 12. The method according to any one of claims 9 to 11, wherein the Arrangement for connecting the first and second Connection layers to a temperature between 350 ° C and 450 ° C is heated.
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