DE10137569A1 - Production of a deep trench in a DRAM comprises forming a reactive substance outside the reaction chamber in a reaction space from a precursor - Google Patents

Production of a deep trench in a DRAM comprises forming a reactive substance outside the reaction chamber in a reaction space from a precursor

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Abstract

Production of a trench (10) in a semiconductor material comprises forming a reactive substance outside the reaction chamber (1) in a reaction space (3) from a precursor. An Independent claim is also included for a device for carrying out the process. Preferred Features: The reactive substance is produced by a plasma source. A precursor of the reactive substance is fed to the reaction chamber. The reactive substance is a reactive radical, especially an atomic halogen or halogen-containing radical. The trench is formed by reactive ion etching.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer Vertiefung, insbesondere einem Deep-Trench, in einem Halbleitermaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 8. The invention relates to a method for manufacturing at least one depression, in particular a deep trench, in a semiconductor material according to the preamble of claim 1 and an apparatus for performing the method according to Claim 8.

Ein wesentlicher Schritt bei der Herstellung von DRAMs ist das Einbringen von Vertiefungen als Mikrostrukturen, insbesondere das Einbringen von Deep-Trenches in die Oberfläche des Halbleitermaterials. Das Einbringen der Vertiefungen erfolgt dabei mit unterschiedlichen Ätzverfahren. An essential step in the manufacture of DRAMs is the introduction of depressions as microstructures, especially the introduction of deep trenches into the surface of the semiconductor material. The introduction of the wells takes place with different etching processes.

Eine wichtige Form der Vertiefungen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, sind Deep-Trenches. Die Seitenwände des Deep-Trenches fungieren in einem DRAM als Kondensator. Da die Strukturen auf einem DRAM ständig kleiner werden, ist es zur Aufrechterhaltung der Kapazität des Kondensators notwendig, Deep-Trenches mit immer größeren Tiefen zu fertigen. Das Aspektverhältnis (Tiefe/Durchmesser) des Deep-Trenches wird somit immer größer. Typischerweise weisen Deep-Trenches einen Durchmesser von unter 0,1 bis 1 µm und eine Tiefe von 2 bis 5 µm auf. Allerdings sind Tiefen bei Mikrostrukturen von 10 µm bis 100 µm erzeugt worden. An important form of the recesses that are in a Semiconductor materials are deep trenches. The Side walls of the deep trench function as a capacitor in a DRAM. Because the structures on a DRAM are constantly getting smaller it to maintain the capacitance of the capacitor necessary to manufacture deep trenches with ever greater depths. The aspect ratio (depth / diameter) of the deep trench is getting bigger and bigger. Typically, deep trenches a diameter of less than 0.1 to 1 µm and a depth of 2 up to 5 µm. However, microstructure depths are of 10 µm to 100 µm have been generated.

Ein Problem ist dabei, dass es bei den gängigen Ätzverfahren mit zunehmenden Aspektverhältnis der Vertiefung schwieriger wird, die Vertiefungen schnell und sauber herzustellen. Die Zugänglichkeit der größeren Tiefen macht es den Ätzmedien schwer, effektiv zu ätzen. One problem with this is that it is common in etching processes with increasing aspect ratio of the deepening more difficult will produce the wells quickly and cleanly. The The etching media make it accessible to the greater depths difficult to etch effectively.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, mit der Vertiefungen in Halbleitermaterialien, insbesondere mit großem Aspektverhältnis effizient herzustellen sind. The present invention is based on the object Method and to create an apparatus with which Wells in semiconductor materials, especially large ones Aspect ratio can be produced efficiently.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. This object is achieved by a method with solved the features of claim 1.

Mindestens eine reaktive Substanz zur Herstellung der Vertiefung wird aus mindestens einem Precursor außerhalb der Reaktionskammer in einem Reaktionsraum erzeugt. Dadurch kann der Partialdruck der reaktiven Substanz erhöht werden, ohne die Leistung oder den Druck in der Reaktionskammer zu erhöhen. Dies führt zu einer gesteigerten Konzentration der reaktiven Substanz an der Öffnung der Vertiefung. Da die Ätzrate am Boden der Vertiefung proportional zur Konzentration am Eingang der Vertiefung ist, wird damit eine Verbesserung der Herstellung der Vertiefung, wie z. B. einem Deep-Trench eines DRAM erreicht. At least one reactive substance to manufacture the Recess is made from at least one precursor outside the Reaction chamber generated in a reaction space. This allows the Partial pressure of the reactive substance can be increased without the Performance or increase the pressure in the reaction chamber. This leads to an increased concentration of the reactive Substance at the opening of the depression. Since the etching rate on Bottom of the depression proportional to the concentration at the entrance the deepening is an improvement of the Production of the recess, such as. B. a deep trench of a DRAM reached.

Vorteilhafterweise wird mindestens eine reaktive Substanz im externen Reaktionsraum durch eine Plasmaquelle erzeugt. At least one reactive substance is advantageously used in the external reaction space generated by a plasma source.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn der Reaktionskammer über mindestens eine Precursor-Zuleitung mindestens ein Precursor einer aktiven Substanz zugeleitet wird, wobei die Erzeugung der reaktiven Substanz aus dem mindestens einen Precursor in der Reaktionskammer erfolgt. Somit kann eine Mischung von in der Reaktionskammer erzeugten und extern erzeugten reaktiven Substanzen vorgenommen werden. It is also advantageous if the reaction chamber over at least one precursor feed line at least one precursor an active substance is supplied, the generation the reactive substance from the at least one precursor in the reaction chamber. Thus a mixture of in the reaction chamber generated and externally generated reactive Substances are made.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, wird als reaktive Substanz ein reaktives Radikal, insbesondere ein atomares Halogen oder ein halogenhaltiges Radikal verwendet. Diese Substanzen haben sich bei der Ätzung von Vertiefungen bewährt. Auch ist vorteilhaft, wenn in der Reaktionskammer die Herstellung mindestens einer Vertiefung mittels reaktiven Ionenätzen erfolgt. In a further advantageous embodiment of the inventive method, is a reactive substance reactive radical, especially an atomic halogen or a halogen-containing radical used. Have these substances has proven itself in the etching of depressions. Is too advantageous if the production in the reaction chamber at least one recess is made by means of reactive ion etching.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt vor, wenn das Verhältnis der in dem externen Reaktionsraum erzeugten reaktiven Substanz und der in der Reaktionskammer erzeugten reaktiven Substanz durch eine Steuerungsvorrichtung auf einen vorgebbaren Wert eingestellt wird. Damit hat man einen weiteren zusätzlichen Prozessparameter geschaffen, wobei der vorgebbare Wert vorteilhafter so gewählt werden kann, daß gerade eine vollständige Zerlegung mindestens eines Precursors einer der reaktiven Substanzen vorliegt. A particularly advantageous embodiment of the The inventive method is present when the ratio of the in external reaction space generated reactive substance and in the reaction chamber generated by a reactive substance Control device set to a predetermined value becomes. This gives you another one Process parameters created, the predeterminable value being advantageous can be chosen that just a complete decomposition at least one precursor of one of the reactive substances is present.

Die Aufgabe wird auch durch eine Vorrichtung mit dem Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. The task is also achieved by a device with the Features of claim 8 solved.

Durch den Einsatz mindestens eines Reaktionsraums zur Erzeugung mindestens einer reaktiven Substanz aus mindestens einem Precursor außerhalb der Reaktionskammer ist es möglich, die Konzentration der reaktiven Substanz im Reaktionsraum besser einzustellen. By using at least one reaction space for Generation of at least one reactive substance from at least one It is possible to precursor outside the reaction chamber Concentration of the reactive substance in the reaction space better adjust.

Dabei ist es vorteilhaft, eine Plasmaquelle zur Erzeugung mindestens einer reaktiven Substanz im externen Reaktionsraum anzuordnen. It is advantageous to generate a plasma source at least one reactive substance in the external reaction space to arrange.

Zur Verhinderung einer unerwünschten Rekombination der reaktiven Substanzen ist es vorteilhaft den externen Reaktionsraum in unmittelbarer Nähe der Reaktionskammer anzuordnen. To prevent unwanted recombination of the reactive substances it is advantageous to the external Place the reaction chamber in the immediate vicinity of the reaction chamber.

In vorteilhafter Weise dient mindestens eine Precursor- Zuleitung der Einleitung mindestens eines Precursors einer aktiven Substanz in die Reaktionskammer, wobei die Erzeugung der reaktiven Substanz aus dem mindestens einen Precursor in der Reaktionskammer erfolgt. At least one precursor is advantageously used Supply of the introduction of at least one precursor active substance in the reaction chamber, the generation the reactive substance from the at least one precursor in the reaction chamber.

Ebenfalls ist es vorteilhaft, wenn ein Mittel zum reaktiven Ionenätzen in der Reaktionskammer zur Herstellung mindestens einer Vertiefung eingesetzt wird. It is also advantageous if a means of reactive Ion etching in the reaction chamber for manufacture at least one depression is used.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn eine Steuerungsvorrichtung zur Einstellung des Verhältnisses der in dem externen Reaktionsraum erzeugten reaktiven Substanz und der in der Reaktionskammer erzeugten reaktiven Substanz vorgesehen ist. Damit lässt sich ein gewünschter vorgegebener Wert der Konzentration der reaktiven Substanz einstellen. It is particularly advantageous if one Control device for adjusting the ratio of those in the external Reactive substance generated in the reaction chamber and in the Reaction chamber generated reactive substance is provided. A desired predetermined value of the Adjust the concentration of the reactive substance.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen: The invention is described below with reference to the Figures of the drawings in several embodiments explained. Show it:

Fig. 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung zur Herstellung von Deep-Trenches mittels reaktiven Ionenätzens (RIE); Fig. 1 is a schematic view of an apparatus for the production of deep trenches using reactive ion etching (RIE);

Fig. 2 eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung; Fig. 2 is a schematic view of an embodiment of a device according to the invention;

Fig. 3 eine graphische Darstellung der Konzentration einer reaktiven Substanz (Br-Radikal) in einer Reaktionskammer in Abhängigkeit von einem extern zerlegten Precursor. Fig. 3 is a graphical representation of the concentration of a reactive substance (Br radical) in a reaction chamber in response to an externally decomposed precursor.

Im folgenden wird als Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung das Ätzen eines Deep-Trenches mittels reaktiven Ionenätzen (RIE) dargestellt. Grundsätzlich eignen sich das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung auch zur effizienten Herstellung anderer Vertiefungen in Halbleitermaterial oder für andere Ätzverfahren. The following is an embodiment of the invention Method and the device according to the invention the etching a deep trench using reactive ion etching (RIE) shown. Basically, the invention is suitable Method and the device according to the invention also for efficient manufacture of other recesses in semiconductor material or for other etching processes.

Ein Problem beim reaktiven Ionenätzen von Deep-Trenches ist, dass die Ätzrate mit zunehmender Tiefe abnimmt (RIE-lag), so dass die Ätzzeit zunimmt. Dies wird bei großen Aspektverhältnissen (20-30 und größer) ein immer bedeutenderes Problem. One problem with reactive ion etching from deep trenches is that the etching rate decreases with increasing depth (RIE-lag), so that the etching time increases. This will be great with Aspect ratios (20-30 and up) are an increasingly important problem.

In Fig. 1 ist das grundsätzliche Prinzip einer an sich bekannten Vorrichtung zur Herstellung eines Deep-Trenches 10 mittels RIE dargestellt. Das Ätzen in einem Siliziumwafer 2 als Halbleitermaterial erfolgt dabei mit halogenhaltigen Niedertemperaturplasmen mittlerer Dichte. In Fig. 1, the basic principle of a known device for producing a deep trench 10 by means of RIE is shown. The etching in a silicon wafer 2 as a semiconductor material is carried out using halogen-containing low-temperature plasmas of medium density.

Zur Erläuterung wird hier eine Ätzung eines schematisch angedeuteten Deep-Trenches 10 mit einem Plasma beschrieben, das durch eine Einspeisung von HBr/Br2 in einer Reaktionskammer 1 erzeugt wird. In der Reaktionskammer 1 wird das Plasma durch eine Hochfrequenzvorrichtung erzeugt, wobei hier als reaktive Substanz ein Br-Radikal durch die Spaltung von HBr oder Br2 entsteht. Weiterhin entstehen ionisierte Moleküle I+. Üblicherweise sind noch andere Gase, wie z. B. Cl2 oder Gemische z. B. mit NF3 und O2 vorhanden. To explain this, an etching of a schematically indicated deep trench 10 with a plasma is described, which is generated by feeding HBr / Br 2 into a reaction chamber 1 . In the reaction chamber 1 , the plasma is generated by a high-frequency device, a Br radical being formed as a reactive substance by the cleavage of HBr or Br 2 . Ionized molecules I + are also formed. Other gases, such as e.g. B. Cl 2 or mixtures z. B. with NF 3 and O 2 available.

Im einem ersten Schritt reagieren die Br-Radikale mit dem Silizium des Wafers 2, so dass eine bromierte Oberfläche entsteht. In a first step, the Br radicals react with the silicon of the wafer 2 , so that a brominated surface is created.

Die schwächer gebundene Brom-Siliziumverbindung kann durch Aufprall eines genügend energiereichen Ions I+ aus einer Oberfläche des Wafers 2 herausgelöst werden. Beide Schritte lassen sich durch folgenden Reaktionsschemata angeben:

Si (s) + 4 Br (g) → SiBr4 (s)

I+ + SiBr4 (s) → SiBr4 (g)
The weakly bound bromine-silicon compound can be detached from a surface of the wafer 2 by impacting a sufficiently high-energy ion I + . Both steps can be specified using the following reaction schemes:

Si (s) + 4 Br (g) → SiBr 4 (s)

I + + SiBr 4 (s) → SiBr 4 (g)

Eine Verbesserung der Ätzrate durch Erhöhung der HF-Leistung oder eine Erhöhung des Drucks in der Reaktionskammer 1 weist aufgrund von Nebeneffekten (z. B. Energieverlust der Ionen im Plasma bei höheren Drücken) Nachteile auf. Improving the etching rate by increasing the HF power or increasing the pressure in the reaction chamber 1 has disadvantages due to side effects (e.g. energy loss of the ions in the plasma at higher pressures).

Grundsätzlich können für das erfindungsgemäße Verfahren als reaktive Substanz z. B. andere atomare Halogene oder halogenhaltige Verbindung, wie z. B. Tertiärbutylchlorid (TBCl) verwendet werden. Basically, for the method according to the invention reactive substance z. B. other atomic halogens or halogen-containing compound, such as. B. Tertiary Butyl Chloride (TBCl) be used.

Die erfindungsgemäß vorgeschlagene Erwärmung des Halbleitermaterials führt dabei zu wesentlich besseren Ergebnissen bei der Herstellung der Deep-Trenches 10. The heating of the semiconductor material proposed according to the invention leads to significantly better results in the production of the deep trenches 10 .

In Fig. 2 ist eine ähnliche Reaktionskammer 1 wie in Fig. 1 dargestellt, wobei die Reaktionskammer 1 hier zwei Zugänge aufweist. Über eine Precursor-Zuleitung 6 werden Precursor HBr und Br2 direkt in den die Reaktionskammer 1 geführt. Über eine Zuleitung 5 ist die Reaktionskammer 1 mit einem externen Reaktionsraum 3 verbunden. FIG. 2 shows a reaction chamber 1 similar to that in FIG. 1, the reaction chamber 1 here having two accesses. Precursor HBr and Br 2 are fed directly into the reaction chamber 1 via a precursor feed line 6 . The reaction chamber 1 is connected to an external reaction space 3 via a feed line 5 .

Über die Precursor-Zuleitung 6 werden HBr und Br2 als Precursor für die reaktive Substanz (Br) in die Reaktionskammer 1 geleitet. Die Precursor werden dann in der Reaktionskammer 1, wie oben beschrieben, aufgespalten. HBr and Br 2 are fed into the reaction chamber 1 as a precursor for the reactive substance (Br) via the precursor feed line 6 . The precursors are then split up in the reaction chamber 1 , as described above.

Erfindungsgemäß werden in dem externen Reaktionsraum 3 durch eine weitere, hier nicht dargestellte, Plasmaquelle Precursor in reaktive Substanzen zerlegt. Diese reaktiven Substanzen werden dann ebenfalls in die Reaktionskammer 1 geleitet, wo eine Mischung mit den in der Reaktionskammer 1 erzeugten reaktiven Substanzen erfolgt. According to the invention, precursors are broken down into reactive substances in the external reaction space 3 by a further plasma source, not shown here. These reactive substances are then also passed into the reaction chamber 1 , where they are mixed with the reactive substances generated in the reaction chamber 1 .

Dabei ist der externe Reaktionsraum 3 möglichst dicht an der Reaktionskammer 1 angeordnet, um eine Rekombination der reaktiven Substanzen zu vermeiden. The external reaction space 3 is arranged as close as possible to the reaction chamber 1 in order to avoid recombination of the reactive substances.

Durch die externe Erzeugung der reaktiven Substanzen kann der Partialdruck der reaktiven Substanz in der Reaktionskammer 1 erhöht werden, ohne die Leistung der Plasmaquelle der Reaktionskammer 1 oder den Druck in der Reaktionskammer 1 zu erhöhen. Auch erhält man durch eine Einstellung des Verhältnisses zwischen den außerhalb und innerhalb der Reaktionskammer erzeugten reaktiven Substanzen eine weitere Prozessvariable, die durch einen Rechner als Steuerungsvorrichtung 4 steuerbar ist. Die Steuerungsvorrichtung 4 weist dabei Meßmittel 43 auf, die die Konzentrationen der beteiligten Substanzen in der Reaktionskammer 1 bestimmen können. Über Stellmittel 41, 42 kann die Erzeugung von reaktiven Substanzen und/oder der Zufluß an Substanzen in die Reaktionskammer 1 gesteuert werden. Due to the external generation of the reactive substances, the partial pressure of the reactive substance in the reaction chamber 1 can be increased without increasing the power of the plasma source of the reaction chamber 1 or the pressure in the reaction chamber 1 . By adjusting the ratio between the reactive substances generated outside and inside the reaction chamber, a further process variable is obtained which can be controlled by a computer as a control device 4 . The control device 4 has measuring means 43 which can determine the concentrations of the substances involved in the reaction chamber 1 . The generation of reactive substances and / or the inflow of substances into the reaction chamber 1 can be controlled via adjusting means 41 , 42 .

Ein funktioneller Zusammenhang zwischen der Vorzerlegung von Precursorn in dem externen Reaktionsraum ist in Fig. 3 dargestellt. Auf der Abzisse ist dabei die Konzentration des Precursors HBr aufgetragen, der in dem externen Reaktionsraum 3 zerlegt wird. A functional relationship between the pre-decomposition of precursors in the external reaction space is shown in FIG. 3. The concentration of the precursor HBr, which is broken down in the external reaction space 3 , is plotted on the abscissa.

Auf der Ordinate ist in Abhängigkeit davon die Konzentration der reaktiven Substanz Br als Prozentsatz der maximal möglichen Konzentration in der Reaktionskammer 1 aufgetragen. The concentration of the reactive substance Br is plotted on the ordinate as a percentage of the maximum possible concentration in the reaction chamber 1 .

Dabei ist erkennbar, dass ohne eine Vorzerlegung im Reaktionsraum in der Reaktionskammer 1 eine Br-Konzentration von ca. 45% herrscht. Diese Konzentration wird durch die Zerlegung innerhalb der Reaktionskammer 1 erzeugt. It can be seen that there is a Br concentration of approximately 45% in the reaction chamber 1 without pre-disassembly. This concentration is generated by the decomposition within the reaction chamber 1 .

Wird nun zusätzlich extern Precursor im Reaktionsraum 3 zerlegt, so steigt die Konzentration im wesentlichen linear an. Bei einer Vorzerlegung von ca. 50% ist eine maximale Konzentration der reaktiven Substanz in der Reaktionskammer 1 erreicht. Eine weitere Vorzerlegung kann demnach keine weitere Steigerung bringen. Dies wäre ein bevorzugter Betriebspunkt für das erfindungsgemäße Verfahren. If the external precursor in reaction chamber 3 is now additionally disassembled, the concentration increases essentially linearly. With a pre-decomposition of approximately 50%, a maximum concentration of the reactive substance in the reaction chamber 1 is reached. A further pre-decomposition can therefore bring no further increase. This would be a preferred operating point for the method according to the invention.

Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen. Bezugszeichenliste 1 Reaktionskammer
2 Wafer
3 Reaktionsraum
4 Steuerungsvorrichtung
5 Zuleitung
6 Precursor-Zuleitung
10 Deep-Trench
41 Stellmittel
42 Stellmittel
43 Messmittel
The embodiment of the invention is not limited to the preferred exemplary embodiments specified above. Rather, a number of variants are conceivable which make use of the method and the device according to the invention even in the case of fundamentally different types. Reference Signs List 1 Reaction chamber
2 wafers
3 reaction space
4 control device
5 supply line
6 Precursor feed line
10 deep trench
41 positioning means
42 adjusting means
43 measuring equipment

Claims (13)

1. Verfahren zur Herstellung mindestens einer Vertiefung in einem Halbleitermaterial, insbesondere eines Deep-Trenches in einem DRAM, mittels mindestens einer reaktiven Substanz in einer Reaktionskammer, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine reaktive Substanz außerhalb der Reaktionskammer (1) in einem Reaktionsraum (3) aus mindestens einem Precursor erzeugt wird. 1. A method for producing at least one recess in a semiconductor material, in particular a deep trench in a DRAM, by means of at least one reactive substance in a reaction chamber, characterized in that at least one reactive substance outside the reaction chamber ( 1 ) in a reaction space ( 3 ) is generated from at least one precursor. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine reaktive Substanz im externen Reaktionsraum (3) durch eine Plasmaquelle erzeugt werden. 2. The method according to claim 1, characterized in that at least one reactive substance in the external reaction space ( 3 ) are generated by a plasma source. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Reaktionskammer (1) über mindestens eine Precursor-Zuleitung (5) mindestens ein Precursor einer aktiven Substanz zugeleitet wird, wobei die Erzeugung der reaktiven Substanz aus dem mindestens einen Precursor in der Reaktionskammer (1) erfolgt. 3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that at least one precursor of an active substance is fed to the reaction chamber ( 1 ) via at least one precursor feed line ( 5 ), the generation of the reactive substance from the at least one precursor in the reaction chamber ( 1 ) is done. 4. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine reaktive Substanz ein reaktives Radikal, insbesondere ein atomares Halogen oder ein halogenhaltiges Radikal ist. 4. Process according to at least one of the preceding Claims, characterized in that at least one reactive substance a reactive radical, especially a is atomic halogen or a halogen-containing radical. 5. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der Reaktionskammer (1) die Herstellung mindestens einer Vertiefung (10) mittels reaktiven Ionenätzens erfolgt. 5. The method according to at least one of the preceding claims, characterized in that in the reaction chamber ( 1 ) at least one recess ( 10 ) is produced by means of reactive ion etching. 6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der in dem externen Reaktionsraum (3) erzeugten reaktiven Substanz und der in der Reaktionskammer (1) erzeugten reaktiven Substanz durch eine Steuerungsvorrichtung (4) auf einen vorgebbaren Wert eingestellt wird. 6. The method according to at least one of the preceding claims, characterized in that the ratio of the reactive substance generated in the external reaction space ( 3 ) and the reactive substance generated in the reaction chamber ( 1 ) is set to a predeterminable value by a control device ( 4 ) , 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Menge der in dem externen Reaktionsraum (3) erzeugten reaktiven Substanz durch die Steuerungsvorrichtung (4) gerade so eingestellt wird, dass in der Reaktionskammer (1) eine vollständige Zerlegung mindestens eines Precursors einer der reaktiven Substanzen vorliegt. einem Reaktionsraum (3) außerhalb der Reaktionskammer (1) erfolgt. 7. The method according to claim 6, characterized in that the amount of reactive substance generated in the external reaction space ( 3 ) is adjusted by the control device ( 4 ) so that in the reaction chamber ( 1 ) a complete decomposition of at least one precursor one of the reactive substances is present. a reaction space ( 3 ) outside the reaction chamber ( 1 ). 8. Vorrichtung zur Herstellung mindestens einer Vertiefung in einem Halbleitermaterial, insbesondere eines Deep-Trenches in einem DRAM, mittels mindestens einer reaktiven Substanz in einer Reaktionskammer, gekennzeichnet durch mindestens einen Reaktionsraum (3) zur Erzeugung mindestens einer reaktiven Substanz aus mindestens einem Precursor, wobei der Reaktionsraum (3) außerhalb der Reaktionskammer (1) angeordnet ist. 8. Device for producing at least one recess in a semiconductor material, in particular a deep trench in a DRAM, by means of at least one reactive substance in a reaction chamber, characterized by at least one reaction space ( 3 ) for producing at least one reactive substance from at least one precursor, wherein the reaction space ( 3 ) is arranged outside the reaction chamber ( 1 ). 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Plasmaquelle zur Erzeugung mindestens einer reaktiven Substanz im externen Reaktionsraum (3). 9. The device according to claim 8, characterized by a plasma source for generating at least one reactive substance in the external reaction space ( 3 ). 10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der externe Reaktionsraum (3) in unmittelbarer Nähe der Reaktionskammer(1) angeordnet ist. 10. The device according to claim 8 or 9, characterized in that the external reaction chamber ( 3 ) is arranged in the immediate vicinity of the reaction chamber ( 1 ). 11. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 10, gekennzeichnet durch mindestens eine Precursor- Zuleitung (5) für die Einleitung mindestens eines Precursors einer aktiven Substanz in die Reaktionskammer (1), wobei die Erzeugung der reaktiven Substanz aus dem mindestens einen Precursor in der Reaktionskammer (1) erfolgt. 11. The device according to at least one of claims 8 to 10, characterized by at least one precursor feed line ( 5 ) for the introduction of at least one precursor of an active substance into the reaction chamber ( 1 ), wherein the generation of the reactive substance from the at least one precursor in the reaction chamber ( 1 ). 12. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 11, gekennzeichnet durch ein Mittel zum reaktiven Ionenätzen in der Reaktionskammer (1) zur Herstellung mindestens einer Vertiefung (10). 12. The device according to at least one of claims 8 to 11, characterized by a means for reactive ion etching in the reaction chamber ( 1 ) for producing at least one recess ( 10 ). 13. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 12, gekennzeichnet durch, eine Steuerungsvorrichtung (4) zur Einstellung des Verhältnisses der in dem externen Reaktionsraum (3) erzeugten reaktiven Substanz und der in der Reaktionskammer (1) erzeugten reaktiven Substanz durch auf einen vorgebbaren Wert. 13. The device according to at least one of claims 8 to 12, characterized by a control device ( 4 ) for adjusting the ratio of the reactive substance generated in the external reaction space ( 3 ) and the reactive substance generated in the reaction chamber ( 1 ) by a predefinable Value.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248206B1 (en) * 1996-10-01 2001-06-19 Applied Materials Inc. Apparatus for sidewall profile control during an etch process

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