DE10128678A1 - Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden Wandlern - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden WandlernInfo
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Abstract
Sanfte Schaltvorgänge können bei einem herkömmlichen Wandler durch Hinzufügen zweier Dioden D1 und D2 erzielt werden. DOLLAR A Die Halbleiter T1 bis T4 werden mittels Phasenschiebung Pulsweiten-moduliert. Ub ist die Zwischenkreisspannung. Die Leitphase mit T1 und T4 wird beendet, indem T4 sperrt. Der Strom 11, dessen Quelle L1 ist, schließt sich über D1 und T1. Die Streuinduktivität des Transformators Tr1 ist Quelle für den Strom is der seinerseits C4 auf- und C3 entladet. Damit wird T4 bei quasi Null-Volt gesperrt und T3 bei Null-Volt leitend geschaltet. Als nächster wird T1 gesperrt. Der Strom i1 ladet C1 auf und C2 wird entladen. T1 sperrt bei quasi Null-Volt und T2 wird bei Null-Volt leitend geschaltet. DOLLAR A Besondere Merkmale der Schaltungsanordnung sind die Einfachheit, kein zusätzlicher Strom muss speziell für die Schaltvorgänge aufgebaut werden, weiter Einsatzbereich und weiter Last- und Netzspannungs-abhängiger Bereich innerhalb dessen sanft geschaltet wird.
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Erzielen
sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-moduliert (PWM) geregel
ten, und somit mit fester Schaltfrequenz betriebenen Wandlern,
die zu Halb- oder Vollbrücken geschaltet sind.
Bei getakteten Wandlern war es noch bis vor einigen Jahrzehnten
gang und gäbe die Halbleiter mit hohen Verlusten (hart) zu
Schalten. Dies verursachte zusätzlich hohe elektromagnetische
Störungen. Mit mehr oder weniger verlustreichen Entlastungsnetz
werken bemühte man sich den Stress von den Halbleitern abzuwen
den.
Diese Topologien haben jedoch den Vorteil, dass die Schaltfre
quenz konstant ist (erleichtert die Entstörung) und es wird
nur soviel Strom als nötig und soviel Spannung als unumgänglich
in der Schaltung aufgebaut.
Ein Umdenken auf diesem Gebiet kam mit den Resonanzwandlern.
Diese verstanden einerseits die Streuparameter wie die Streuin
duktivität in dem Transformator oder die Streukapazität der
Schaltung oder einer Wicklung in die Funktion der Schaltung ge
schickt einzubauen, und anderseits führten sie das spannungslose
Schalten (Zero-Voltage-Switch kurz ZVS) und das stromlose Schal
ten (Zero-Current-Switch kurz ZCS) ein. Geregelt werden diese
Wandler indem man die Schaltfrequenz ändert.
Sie hatten jedoch, trotz höherem Wirkungsgrad gegenüber den
"hart" geschalteten Vorgängern, den Nachteil einer, teils erheb
lich, höheren Strom- und/oder Spannungsbelastung der Halbleiter
und, wegen der sich verändernden Schaltfrequenz, mussten die
Netzentstörfilter aufwendiger gestaltet werden.
Letztendlich laufen seit den letzten Jahren die Bemühungen da
hingehend, dass man versucht die ursprüngliche Topologien, deren
Halbleiter "hart" geschaltet werden, zu verbessern.
Die Verbesserungen sind hauptsächlich rund um das Schalten der
Halbleiter angebracht worden. In diesem Zusammenhang hat sich
die Bezeichnung "Sanftes Schalten" (Soft-Switch) und für ein
quasi spannungsloses Schalten der Begriff "Zero-Voltage-Transi
tion" kurz ZVT und für ein quasi stromloses Schalten der Begriff
"Zero-Current-Transition" kurz ZCT eingebürgert.
Y. J. Kim und M. Nakaoka beschreiben in ihren Vortrag mit dem Titel
"Advanced Development of 50 KW Multi-Resonant Soft-Switching PWM
DC-DC Converter with Resonant-Pole and Resonant AC Tank Topolo
gies Using Internal Parasitic Circuit Components", nachzulesen
in der Begleitdokumentation zur PCIM '93/Nürnberg, Herausgeber:
ZM Communications GmbH/Nürnberg, einen Wandler für Hochspan
nung dessen geschaltete Leistungsstufe in Brücken-Schaltung aus
geführt ist (Fig. 1). Die Steuerung der Leistungsstufe erfolgt
durch Phasenschiebung d. h. die Schalter 1 und 3 werden mit vol
lem Tastverhältnis, zeitlich lediglich durch eine Todzeit ge
trennt, aufeinander folgend geschaltet. Das gleiche gilt für die
Schalter 2 und 4. Die Steuerpulse der Schalter 2 und 4 werden,
mit dem Ziel die Ausgangsparameter der Schaltungsanordnung zu
beeinflussen, in der Phase zu den Steuerpulsen der Schalter 1
und 3 verschoben. Eine Ergänzung der Brücke mit den Induktivitä
ten 5 und 6 sowie mit den Hilfsquellen 7, 8, 9 und 10 sorgen da
für, dass die Schalter 1 bis 4 spannungslos (ZVS) schalten.
Der Transformator 16 ist mit der Streuinduktivität Lr und der
Streukapazität Cp dargestellt (die magnetisierende Induktivität
spielt eine untergeordnete Rolle und ist deshalb nicht darge
stellt).
Angenommen Schalter 1 ist leitend. Der aus dem vorherigen Vor
gang stammende Strom in der Induktivität 5 wird abgebaut und in
der Richtung wie in Fig. 1 (i5) angegeben aufgebaut. Die Kapazi
tät 11 ist auf Null entladen und an der Kapazität 12 liegt die
volle Zwischenkreisspannung Ub an. Öffnet nun Schalter 1, so
lädt der Strom i5 die Kapazität 11 auf und gleichzeitig wird die
Kapazität 12 entladen. Da dieser Vorgang Zeit benötigt, kann der
Schalter 1 quasi spannungslos seinen Strom abbauen. Der Strom
der vom Knotenpunkt 13 nach 14 fließt kommutiert vom Schalter 1
auf die Kapazitäten 11 und 12 und bewirkt dadurch ebenfalls das
Aufladen der Kapazität 11 bzw das Entladen der Kapazität 12. Da
dieser Strom aber bei kleinen Werten unter Umständen nicht aus
reicht um die Kapazität 11 auf Ub zu Laden und die Kapazität 12
völlig zu Entladen, wird mit dem Strom i5 dieser Vorgang durch
gezogen. Die Induktivität 5, Quelle für diesen Strom, muss auch
ohne Zuhilfenahme eines anderen Stroms im Stande sein die ge
nannten Kapazitäten umzuladen. Zum Zeitpunkt da die Kapazität 12
Null-Volt erreicht, wird Schalter 3 geschlossen. Ein Umpolen der
Kapazität 12 auf mehr als eine Flussspannung einer Diode, wird
durch die Diode 15 verhindert. Auf die geschilderte Art und Wei
se arbeiten alle Schalter der Brücke.
Der Vorteil alle Schalter sanft zu Schalten wird in dieser
Schaltungsanordnung durch einen beträchtlichen Materialaufwand
erkauft.
Andere Schaltungsanordnungen die zum Ziel sanfter Schaltvorgänge
in Wandlern mit Brücken-Topologie erdacht wurden, sind in der
Begleitdokumentation zum Kurs "Resonant and Soft-Switching Con
verters" von F. C. Lee und M. M. Jovanovic, erschienen im Verlag
des "Verginia Power Electronics Center" 1995 geschildert.
Die auf Seite 6.75 angeführte, und in Fig. 2 wiedergegebene
Schaltungsanordnung, wird in den Brückenzweigen mit um 180° pha
senverschobenen Pulsen angesteuert, wobei die Halbleiter 18 und
19 für die Zeit tp1 = D.T/2 und die Halbleiter 20 und 21 für die
Zeit tp2 = (1-D).T/2-(th + tt) leiten, wobei T die Schaltperiode, D
das Tastverhältnis bezogen auf die halbe Schaltperiode, th die
Leitzeit der Hilfshalbleiter 22 und 23 und tt die Todzeit bedeu
ten. Die Halbleiter 20 und 21 schalten jeweils den Laststrom der
zwischen den Knoten 24 und 25 fließt ab.
Angenommen die Halbleiter 18 und 21 leiten. Der Halbleiter 21
wird als nächster gesperrt. Der vom Knoten 24 zum Knoten 25
fließende Strom kommutiert auf die Kapazitäten 26 und 27 wobei
die Kapazität 26 auf- und die Kapazität 27 entladen wird. Bei
dieser Umladeaktion ist die Speicherdrossel 28 aktiv beteiligt.
Der Halbleiter 19 wird anschließend, bei Spannung null an der
Kapazität 27, leitend geschaltet. Die Primärwicklung des Trans
formators 29 ist nun kurzgeschlossen. Der Strom in der Speicher
drossel 28 nimmt ab und beim sperren des Halbleiters 18 trennt
er sich von der Verkoppelung mit der Primärwicklung, so dass im
Primärkreis nur mehr eine geringe Energie, die in der Streuin
duktivität des Transformators 29 (nicht dargestellt) gespeicher
te, zum Umladen der Kapazitäten 30 und 31 zur Verfügung steht.
Um das Umladen sicher durchzuführen wird der Hilfshalbleiter 22,
zeitgleich zum Sperrzeitpunkt des Halbleiters 18, für die Zeit
th leitend geschaltet. Dadurch kommt in der Induktivität 32 der
Strom i32 zustande und dieser ladet die Kapazität 30 auf und die
Kapazität 31 wird entladen. Auf diese Weise wurden die Halblei
ter 18 und 21 mit ZVT gesperrt und die Halbleiter 19 und 20
spannungslos eingeschaltet.
Weitere Schaltungsanordnungen in Brückentopologie die in der
oben angeführten Dokumentation beschrieben werden, bedienen
sich, beim Abschalten des Laststroms der zwischen den Knoten 24
und 25 fließt, zum Umladen der Kapazitäten die parallel zu den
Halbleitern liegen der Energie in der Speicherdrossel 28. Die
diversen Schaltungsanordnungen unterscheiden sich nur durch die
unterstützenden Maßnahmen die zum Umladen der Kapazitäten ge
troffen werden nachdem der Kurzschluss der Primärseite des
Transformators 29, durch sperren eines Halbleiters, aufgehoben
wird.
All diese Schaltungsanordnungen sind, wegen der am Ausgang der
Schaltungsanordnung benötigten Speicherdrossel, für Wandler mit
hoher Ausgangsspannung nicht geeignet. In den meisten Fällen be
sitzen diese Wandler am Ausgang ein R-C-Filter. Sollte am Aus
gang eine Speicherdrossel doch mal zur Anwendung kommen so ist
es fraglich ob der Strom dieser Drossel, z. B. wenn eine Hoch
spannungskaskade davor geschaltet ist, noch sinnvoll über die
Sekundärwicklung des Hochspannungstransformators in die Primär
wicklung induziert werden kann um ein ZVT beim abschaltenden
Halbleiter zu unterstützen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, auf ökonomisch ver
tretbare Weise bei pulsweiten-modulierten Wandlern die auf Brüc
kentopologie basieren und in deren Aufbau sich jeweils zu einem
elektronischen Leistungsschalter eine parallel zu diesem ange
schlossene Kapazität und eine antiparallel geschaltete Diode be
findet, und im gemeinsamen Teil der Kreise die sich beim Schal
ten bilden, mindestens eine einzelne diskrete Induktivität oder
eine aus mehreren diskreten Induktivitäten zu einer diskreten
Ersatzinduktivität zusammengeschalteten ersten diskreten Induk
tivität, das leitend schalten der elektronischen Leistungsschal
ter mit ZVS und das und das Sperren mit ZVT zu gestalten und den
Kreis möglicher Anwendungen zu erweitern.
Erfindungsgemäß wird bei einem Wandler der genannten Art, die
Aufgabe dadurch gelöst, dass die Verbindungsleitung die den er
sten Anschluss einer ersten Diode mit dem ersten Anschluss einer
zweiten Diode verbindet, mit dem ersten Wicklungsanschluss der
ersten diskreten Induktivität verbunden ist, und der zweite An
schluss der ersten Diode so in die Schaltungsanordnung ange
schlossen ist, dass die erste Diode mit dem ersten elektroni
schen Leistungsschalter und der ersten diskreten Induktivität in
einem ersten Stromkreis liegen, und der zweite Anschluss der
zweiten Diode so in die Schaltungsanordnung angeschlossen ist,
dass die zweite Diode mit dem zweiten elektronischen Leistungs
schalter und der ersten diskreten Induktivität in einem zweiten
Stromkreis liegen.
Die Erfindung erzielt mit nur 2 zusätzlichen Dioden den Vorteil
einer breiten Anwendung, da für die Art der Auskopplung der Ener
gie aus der Brücke keine Vorschriften bestehen. Weitere Vorteile
der Erfindung bestehen darin, dass alle vier elektronischen Lei
stungsschalter mit ZVT beim Aus- und mit ZVS beim Einschalten
geschaltet werden und dafür kein zusätzlicher Strom aufgebracht
werden muss. Der Last und Zwischenkreisspannung abhängige Be
reich für dieses Schaltverhalten ist größtmöglich, da nahezu die
gesamte gespeicherte Energie in den Wickelelementen des geschal
teten Kreises zum Umladen der zu den elektronischen Leistungs
schaltern parallel geschalteten Kapazitäten zur Verfügung steht.
Von Vorteil ist auch, dass herkömmliche Puls-Weiten-Modulations
verfahren angewandt, und damit bestehende ICs benutzt werden
können.
Eine weitere Verbesserung des Schaltverhaltens, insbesondere wenn
die elektronischen Leistungsschalter IGBTs sind, wird dadurch er
reicht, dass parallel zur ersten diskreten Induktivität ein er
ster Kreis der aus einer dritten Diode und einem, in Reihe zu
dieser, ersten elektronischen Hilfsschalter besteht und ein
zweiter Kreis der aus einer vierten Diode und einem, in Reihe zu
dieser, zweiten elektronischen Hilfsschalter gebildet ist und
dessen, durch die Halbleiter bestimmte, Stromrichtung der Strom
richtung des ersten Kreises entgegengesetzt ist, geschaltet ist
wobei zu Beginn einer Leitphase jener erste oder zweite elektro
nische Hilfsschalter leitend geschaltet wird, dessen Kreis die
erste diskrete Induktivität in der gerade herrschenden Leitphase
nicht kurzschließt und gesperrt wird der gerade leitende erste
oder zweite elektronische Hilfsschalter zu Beginn der nächsten
Leitphase.
Des weiteren kann eine Verbesserung des Schaltverhaltens insbe
sondere wenn die elektronischen Leistungsschalter IGBTs sind da
durch erreicht werden, dass parallel zur ersten diskreten Induk
tivität die Wechsel-Eingänge eines ersten Brückengleichrichters
angeschlossen sind, und dessen Gleichspannungs-Ausgänge an einen
dritten elektronischen Hilfsschalter derart angeschlossen sind,
so dass beim leitend schalten des dritten elektronischen Hilfs
schalters der Strom vom positiven zum negativen Anschluss des
ersten Brückengleichrichters fließt wobei der dritte elektroni
sche Hilfsschalter nach Beenden der Leitphase, leitend geschal
tet und zu Beginn der nächsten Leitphase gesperrt wird.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der beige
fügten Zeichnungen erläutert.
Fig. 4 zeigt eine Ausführung der Erfindung mit einem Vollbrüc
ken-Wandler
Fig. 5 zeigt die Steuerpulse für den Wandler nach Fig. 5
Fig. 6 zeigt eine Ausführung der Erfindung mit einem Halbbrüc
ken-Wandler
Fig. 7 zeigt die Steuerpulse für den Wandler nach Fig. 6
Der in Fig. 4 angeführte Wandler benutzt zur Auskopplung der
Energie aus der Brücke einen Transformator 101. Sein Ersatzbild
zeigt die Streuinduktivität 102, die, in die Primärwicklung re
flektierte, Wickelkapazität 103 und einen idealen Transformator
104.
In den angeführten Beispielen sind die elektronischen Lei
stungsschalter Halbleiter.
Im gemeinsamen Teil der Kreise die sich beim Schalten bilden,
d. h. der Kreisabschnitt zwischen den Knoten 105 und 106 befindet
sich die diskrete Induktivität 107 und an diese angeschlossen
die Dioden 108 und 109.
Die Brücke wird mit Phasenschiebung angesteuert (Fig. 5), d. h.
die Halbleiter 110 und 111 vom ersten Brückenzweig werden mit
einem geringen zeitlichen Abstand, der Todzeit tt, nacheinander,
mit vollem Tastverhältnis (bezogen auf die halbe Schaltperiode
Ts), geschaltet. Das Gleiche geschieht mit den Halbleitern 112
und 113 vom zweiten Brückenzweig.
Die Regelung der Ausgangsparameter oder die Ausregelung von
Störgrößen geschieht nun über die Verschiebung des Phasenwinkels
(phi) zwischen den Pulspaketen des ersten und zweiten Brücken
zweiges.
Mit steigendem Winkel phi, wird die Zeit in der die Halbleiter
110 und 113 bzw. 111 und 112 gemeinsam leiten länger was einem
größeren Tastverhältnis gleichkommt.
Angenommen die Halbleiter (Fig. 4) 110 und 113 leiten gerade (t0
bis t1 / Fig. 5). Als nächster wird der Halbleiter 113 gesperrt
(t1 / Fig. 5). Am Ende der Leitphase hat die diskrete Induktivi
tät 107 eine gewisse Energie gespeichert. Der in der diskreten
Induktivität 107 fließende Strom zum Zeitpunkt t1 114, wird auf
die Diode 109 kommutieren und über den noch leitenden Halbleiter
110 zur diskreten Induktivität 107 zurück fließen.
In einem zweiten Kreis wird ein Strom, dessen Wert bei t1 gleich
dem Strom 114 ist, und dessen treibende Quelle die Streuindukti
vität 102 ist, vom Halbleiter 113 zu den Kapazitäten 116 und 117
kommutieren. Die Kapazität 116 lädt sich dabei auf und die Kapa
zität 117 wird entladen. Bei genügender Energie in der Streuin
duktivität 102 (diese muss für das untere Ende des gewünschten
Bereichs für ZVT entsprechend dimensioniert sein) erreicht die
Spannung an der Kapazität 117 Null-Volt. Der Halbleiter 112 wird
leitend geschaltet (t2/Fig. 5).
Ein weiterer Vorteil dieser Schaltungsanordnung besteht darin,
dass die Energie der Streuinduktivität sofort zum Umladen der
Kapazitäten 116 und 117 benutzt wird. Verstreicht nämlich Zeit,
so baut sich die in der Streuinduktivität 102 gespeicherte Ener
gie über den Transformator 104 an die Last 118 ab, abgesehen
davon, dass mit der Streukapazität 103 und den Kapazitäten 116
und 117 ein Schwingprozess einsetzt und somit, wegen der Phasen
lage des Stroms, nur gewisse Zeiten für das Umladen in Frage kä
men.
Im Zeitpunkt t3 (Fig. 5) wird der Halbleiter 110 gesperrt. Der
Strom 114 kommutiert auf die Kapazitäten 119 und 120 wobei er
stere aufgeladen und die zweite entladen wird. Im Zeitpunkt t4
(Fig. 5) kann nun der Halbleiter 111 bei Null-Volt leitend ge
schaltet werden.
Für die Halbleiter 111 und 112 läuft im folgenden der Gleiche,
wie für die Halbleiter 110 und 113 geschilderte, Prozess ab.
Die zu den Halbleitern antiparallelen Dioden stoppen das Umladen
der zu ihnen parallel geschalteten Kapazitäten bei Erreichen der
Dioden-Flussspannung.
Die zum Halbleiter antiparallelen Dioden und parallel geschalte
ten Kapazitäten können auch, in manchen Applikationen, die dem
Halbleiter innewohnenden parasitären Elemente sein.
Anhand der Fig. 6 und 7 soll nun die Funktion eines Wandlers
in Halbbrücken-Topologie beschrieben werden.
Die Auskopplung der Energie aus der Brücke erfolgt über den
Transformator 201 der als idealer Transformator 202, der Streu
induktivität 203 und der, in die Primärseite reflektierten,
Streukapazität 204 dargestellt ist.
Parallel zur diskreten Induktivität 205 wurden zwei zueinander
antiparallele, schaltbare Kreise angeschlossen.
Angenommen die Halbleiter 206 und 207 leiten. Die Diode 208 ver
hindert ein Kurzschließen der diskreten Induktivität 205 und da
her kann sich in dieser Energie sammeln.
Der Halbleiter 206 wird gesperrt und dies hat zur Folge, dass
sich sofort, von der diskreten Induktivität 205 ausgehend, der
in dieser Induktivität fließende Strom über die Diode 208 und
dem Halbleiter 207 schließt. Der Knoten 209 wird, angetrieben
durch die Energie in der Streuinduktivität 203 und in der Kapa
zität 204 gedämpfte Schwingungen um das Potential des Knoten 210
ausführen. Bei kleinem Tastverhältnis wird der Knoten 209 das
Potential des Knotens 210 erreichen. Dies ist vorteilhaft, weil
dadurch die Kapazitäten 211 und 212 bereits zur Hälfte auf- bzw.
entladen sind, und damit die benötigte Energie in der diskreten
Induktivität 205 geringer sein kann als wenn sie den gesamten
Spannungshub leisten müsste. Tatsächlich nimmt die Energie in
der diskreten Induktivität 205 mit fallenden Tastverhältnis ab
und der geschilderte Sachverhalt kommt gelegen.
Nun wird der Halbleiter 207 gesperrt und der Strom in der dis
kreten Induktivität 205 kommutiert auf die Diode 213 um an
schließend die Kapazitäten 211 und 212 vollends umzuladen. Im
Kreis über den Transformator 201 kommt allmählich auch Strom
auf. Einen schnellen Stromanstieg verhindert die Streuinduktivi
tät 203.
Der Halbleiter 214 wird, unter Null-Volt, leitend geschaltet.
Gleichzeitig wird der Halbleiter 215 ebenfalls leitend geschal
tet und das für die Halbleiter 206 und 207 geschilderte Spiel
wiederholt sich, diesmal für die Halbleiter 214 und 215.
Ein weiterer Vorteil dieser Schaltungsanordnung besteht darin,
dass die Spannung am Knoten 9, nach sperren eines der beiden
Halbleiter 206 oder 214, nicht sofort einen Sprung um Ub macht,
sondern bloß um Ub/2. Da dadurch die zu erwartende Schaltver
lustleistung bei einem Halbleiter desen Sperrvorgang eine gewis
se Verzögerung aufweist gering ist, können die Halbleiter 206
und 214 IGBTs sein.
Die diskrete Induktivität, sei abschließend erwähnt, stellt in
vielen Fällen ein Bauteil dar, das zur Stammtopologie gehört und
nicht erst speziell für das Null-Volt Schalten eingeführt werden
muss.
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei
pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden Wand
lern, in deren Aufbau sich jeweils zu einem elektronischen Leis
tungsschalter eine parallel zu diesem angeschlossene Kapazität
und eine antiparallel geschaltete Diode befindet und im gemein
samen Teil der sich beim Schalten der elektronische Leistungs
schalter bildenden Kreise, mindestens eine einzelne diskrete In
duktivität oder eine aus mehreren diskreten Induktivitäten zu
einer diskreten Ersatzinduktivität zusammengeschalteten ersten
diskreten Induktivität vorhanden ist, dadurch gekennzeichnet,
dass die Verbindungsleitung die den ersten Anschluss einer er
sten Diode mit dem ersten Anschluss einer zweiten Diode verbin
det, mit dem ersten Wicklungsanschluss der ersten diskreten In
duktivität verbunden ist, und der zweite Anschluss der ersten
Diode so in die Schaltungsanordnung angeschlossen ist, dass die
erste Diode mit dem ersten elektronischen Leistungsschalter und
der ersten diskreten Induktivität in einem ersten Stromkreis
liegen, und der zweite Anschluss der zweiten Diode so in die
Schaltungsanordnung angeschlossen ist, dass die zweite Diode mit
dem zweiten elektronischen Leistungsschalter und der ersten
diskreten Induktivität in einem zweiten Stromkreis liegen.
2. Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge nach
Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass parallel zur ersten dis
kreten Induktivität ein dritter Stromkreis, der aus einer drit
ten Diode und einem, in Reihe zu dieser, ersten elektronischen
Hilfsschalter besteht und ein vierten Stromkreis, der aus einer
vierten Diode und einem, in Reihe zu dieser, zweiten elektroni
schen Hilfsschalter gebildet ist und dessen, durch die Halblei
ter bestimmte, Stromrichtung der Stromrichtung des dritten
Stromkreises entgegengesetzt ist, geschaltet ist wobei zu Beginn
einer Leitphase jener erste oder zweite elektronische Hilfsschal
ter leitend geschaltet wird, dessen Stromkreis die erste diskre
te Induktivität in der gerade herrschenden Leitphase nicht kurz
schließt und gesperrt wird der gerade leitende erste oder zweite
elektronische Hilfsschalter zu Beginn der nächsten Leitphase.
3. Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge nach
Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass parallel zur ersten dis
kreten Induktivität die Wechsel-Eingänge eines ersten Brücken
gleichrichters angeschlossen sind, und dessen Gleichspannungs-
Ausgänge an einen dritten elektronischen Hilfsschalter derart
angeschlossen sind, so dass beim leitend schalten des dritten
elektronischen Hilfsschalters der Strom vom positiven zum nega
tiven Anschluss des ersten Brückengleichrichters fließt wobei
der dritte elektronische Hilfsschalter nach Beenden der Leitpha
se, leitend geschaltet und zu Beginn der nächsten Leitphase ge
sperrt wird.
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DE10128678A DE10128678A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden Wandlern |
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DE10128678A DE10128678A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden Wandlern |
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ID=7688147
Family Applications (1)
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DE10128678A Withdrawn DE10128678A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Schaltungsanordnung zum Erzielen sanfter Schaltvorgänge bei pulsweiten-modulierten, auf Brücken-Topologie basierenden Wandlern |
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