DE1012697B - p-s-n and p-i-n rectifiers - Google Patents
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Description
DEUTSCHESGERMAN
Es ist bekannt, für Gleichrichterzwecke kleine Körper aus im wesentlichen einkristallinem Halbleitermaterial, z. B. Germanium, Silizium, Verbindungen von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems od. dgl., zu verwenden. Diese Halbleiterkörper haben, damit eine Richtwirkung zustande kommt, einen überschußleitenden (η-leitenden) und einen mangelleitenden (p-leitenden) Bereich. Bei einer besonderen Art dieser p-n-Gleichrichter sind diese beiden verhältnismäßig hoch dotierten Bereiche entgegengesetzten Leitungstyps nicht unmittelbar einander benachbart, so daß die Breite des p-n-Überganges in der Größenordnung von einigen Mikron liegt, sondern es befindet sich zwischen ihnen eine verhältnismäßig breite Mittelzone von der Größenordnung 100 Mikron, in welcher die Störstellenkonzentration um einige Zehnerpotenzen niedriger ist als in den hoch dotierten Randbereichen, so daß man diese Zone eine s-Zone, d. h. schwach dotierte Zone, nennt, unter Umständen sogar so niedrig, daß die Mittelzone praktisch eigenleitenden (i-) Charakter hat. Demzufolge werden diese Art Gleichrichter als p-s-n-Gleichrichter bzw. p-i-n-Gleichrichter bezeichnet. Das Vorhandensein der erwähnten Mittelzone macht es möglich, daß ein solcher Gleichrichter in sich die einander sonst in gewissem Maße ausschließenden Eigenschaften einer guten Durchlaßkennlinie und einer hohen Sperrfähigkeit vereinigt. Dieses Ergebnis einer besonders günstigen Gleichrichterwirkung wird aber nicht ohne weiteres erzielt, es kann vielmehr bei ungeeigneter Beschaffenheit bzw. Bemessung der einzelnen Bereiche des Gleichrichters gerade das Gegenteil der Fall sein, daß nämlich ein solcher Gleichrichter mit schwach dotierter oder eigenleitender Mittelzone schlechtere Eigenschaften hat als ein Gleichrichter ohne eine solche Mittelzone.It is known to use small bodies of essentially single-crystal semiconductor material for rectification purposes, z. B. germanium, silicon, compounds of elements of III. and V. Group of the Periodic Systems or the like. To use. These semiconductor bodies have a directional effect comes, an excess conductive (η-conductive) and a deficient (p-conductive) area. At a In a special type of p-n rectifier, these two relatively highly doped areas are opposite each other Conductivity type not immediately adjacent to each other, so that the width of the p-n junction on the order of a few microns, but there is one proportionately between them wide central zone of the order of 100 microns in which the impurity concentration is lower by a few powers of ten than in the highly doped edge areas, so that this zone an s-zone, d. H. weakly doped zone, called, under certain circumstances even so low that the central zone is practical has intrinsic (i) character. As a result, these types of rectifiers are called p-s-n rectifiers or p-i-n rectifier. The presence of the mentioned central zone makes it possible that such a rectifier inherently has mutually exclusive properties to a certain extent a good transmission characteristic and a high blocking capability combined. This result is a special one favorable rectifier effect is not achieved without further ado, it can rather be achieved with unsuitable Condition or dimensioning of the individual areas of the rectifier just the opposite be the case, namely, such a rectifier with a weakly doped or intrinsically conductive central zone has poorer properties than a rectifier without such a central zone.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Überlegung, daß die Gleichrichtereigenschaften wesentlich durch die Breite der Mittelzone und durch die Dotierung der verschiedenen Bereiche bestimmt sind, und befaßt sich mit der Lösung der Aufgabe, die genannten Größen in gewissen, mit vertretbarem Aufwand einzuhaltenden Grenzen so festzulegen, daß die Herstellung hochwertiger Gleichrichter ermöglicht wird. Unter hochwertigen Gleichrichtern sind dabei solche zu verstehen, deren Gleichrichtereigenschaften innerhalb des mit bekannten Mitteln der Kühltechnik noch beherrschbaren Bereiches möglichst günstige sind. Als bekannte Mittel der Kühltechnik seien in diesem Zusammenhang beispielsweise erwähnt Kühlelemente aus gut leitendem Material wie Silber oder Kupfer, welche von einem künstlich in Strömung versetzten gasförmigen oder flüssigen Kühlmittel bespült werden.The present invention is based on the consideration that the rectifying properties are essential are determined by the width of the central zone and by the doping of the various areas, and deals with the solution to the problem of adhering to the specified sizes within certain limits with a reasonable amount of effort Set limits so that the manufacture of high quality rectifiers is made possible. High-quality rectifiers are to be understood as those whose rectifier properties are within of the range that can still be controlled with known means of cooling technology are as favorable as possible. as Known means of cooling technology are, for example, cooling elements mentioned in this context Made of highly conductive material such as silver or copper, which are artificially set in a flow gaseous or liquid coolant can be flushed.
Erfindungsgemäß wird die vorerwähnte Aufgabe p-s-n- und p-i-n-GleichrichterAccording to the invention, the aforementioned object becomes p-s-n and p-i-n rectifiers
Anmelder:Applicant:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
ίο Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Siemens-Schuckertwerke
Corporation,
Berlin and Erlangen,
ίο Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. rer. nat. Adolf Herlet, Pretzfeld (Bay.),
ist als Erfinder genannt wordenDr. rer. nat. Adolf Herlet, Pretzfeld (Bay.),
has been named as the inventor
durch geeignete Festlegung der Beschaffenheit undby appropriate definition of the condition and
ao gewisser Abmessungen des Halbleiterkörpers erzielt. Demzufolge bezieht sich die Erfindung auf p-s-n- und p-i-n-Gleichrichter aus Halbleitermaterial, wie z. B. Germanium, Silizium, Verbindungen von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems od. dgl., bei denen sich zwischen einem hoch dotierten, überschußleitenden Bereich (n) und einen hoch dotierten, mangelleitenden Bereich (p) eine schwach dotierte (s), praktisch eigenleitende Mittelzone (i) befindet, und besteht darin, daß die halbe Dicke der Mittelzone (d) nicht mehr als das Zweifache der bei hoher Durchlaßspannung wirksamen Diffusionslänge (L cc) in der Mittelzone beträgt, daß die Störstellenkonzentration in der Mittelzone kleiner als 1015 cm—3 ist und daß die Störstellenkonzentrationen in den hoch dotierten Bereichen unterhalb des durch die kritische Randfeldstärke gegebenen Wertes von 1019 cm—3, jedoch um nicht mehr als zwei Zehnerpotenzen darunter liegen. Dieses Ergebnis kann mit an sich bekannten Mitteln, und zwar teils durch geeignete Auswahl des einkristallinen Halbleitermaterials, teils durch an sich bekannte Behandlungsverfahren insbesondere thermischer Natur, erzielt werden.ao achieved certain dimensions of the semiconductor body. Accordingly, the invention relates to psn and pin rectifiers made of semiconductor material, such as. B. germanium, silicon, compounds of elements of III. and V. Group of the Periodic System or the like, in which there is a weakly doped, practically intrinsic central zone (i) between a highly doped, excess-conducting area (s) and a highly doped, deficiently conducting area (p), and consists in the fact that half the thickness of the central zone (d) is not more than twice the effective diffusion length (L cc) in the central zone at a high forward voltage, that the impurity concentration in the central zone is less than 10 15 cm -3 and that the Impurity concentrations in the highly doped areas are below the value of 10 19 cm- 3 given by the critical edge field strength, but not more than two powers of ten below. This result can be achieved with means known per se, namely partly by suitable selection of the monocrystalline semiconductor material, partly by treatment methods known per se, in particular of a thermal nature.
Die Erfindung soll an Hand der Zeichnung erläutert werden, in der inThe invention will be explained with reference to the drawing, in which in
Fig. 1 die verschiedenen Bereiche eines z. B. aus Germanium bestehenden p-n-Gleichrichters mit breiter Mittelzone schematisch angedeutet sind, während Fig. 2 bis 5 Schaubilder zur Erläuterung seiner Beschaffenheit enthalten;Fig. 1 shows the different areas of a z. B. made of germanium p-n rectifier with wider Central zone are indicated schematically, while Fig. 2 to 5 graphs to explain its Texture included;
Fig. 6 schließlich zeigt ein Ausführungsbeispiel eines fertigen Gleichrichters.Finally, FIG. 6 shows an exemplary embodiment of a finished rectifier.
Nach Fig. 1 sind an dem Halbleiterkörper drei Bereiche zu unterscheiden, ein hoch dotierter p-Bereich,According to Fig. 1, three areas can be distinguished on the semiconductor body, a highly doped p-area,
709 589/229709 589/229
der beispielsweise mit In kontaktiert sein kann, eine praktisch eigenleitende-Mittelzone von der Breite 2 d und ein η-Bereich, z. B. mit Sb-Kontaktierung.which can be contacted with In, for example, a practically intrinsic central zone of width 2 d and an η range, e.g. B. with Sb contact.
In Fig. 2 ist schematisch der örtliche Verlauf der Dotierungskonzentration nA _ und nD + über der Länge des Gleichrichterkörpers aufgetragen. Für die Breite der Mittelzone ist durch die Forderung nach einer guten Durchlaßcharakteristik eine gewisse obere Grenze gegeben. Diese liegt aber nicht absolut fest,In FIG. 2, the local course of the doping concentration n A _ and n D + is plotted schematically over the length of the rectifier body. There is a certain upper limit for the width of the central zone due to the requirement for good transmission characteristics. But this is not absolutely certain
strichelten Linien b und c an, wie sich der Kurvenverlauf ändert, wenn das Randgebiet höher dotiert ist. Die strichpunktierte Linie f dagegen veranschaulicht die Änderung des Kurvenverlaufes bei 5 höherer Dotierung der Mittelzone. Schließlich ist in dem Schaubild noch als waagerechte Gerade k der konstante Wert der sogenannten kritischen Randfeldstärke eingetragen, bei welcher der Zehner-Effekt eintritt, der Gleichrichter also seine SperrfähigkeitDashed lines b and c indicate how the curve changes when the edge area is more highly doped. The dash-dotted line f, on the other hand, illustrates the change in the course of the curve with a higher doping of the central zone. Finally, the constant value of the so-called critical edge field strength at which the tens effect occurs, i.e. the rectifier's blocking capability, is also entered in the diagram as a horizontal straight line k
sondern nur relativ zu der bei hoher Durchlaß- io einbüßt. Aus dem Schaubild ergibt sich, daß die Höhe
beanspruchung wirksamen Diffusionslänge L x. Diese der Dotierungen der Randgebiete auf die Sperr-Größe
ist in Fig. 3 veranschaulicht, welche zeigt, daß
die Diffusionslänge L im allgemeinen von der äußerenbut only loses relative to that with a high transmission rate. The diagram shows that the diffusion length L x that is effective at the height is stressed . This of the doping of the edge regions to the barrier size is illustrated in FIG. 3, which shows that
the diffusion length L generally from the outer
Spannung U abhängig ist. Bei hoher DurchlaßVoltage U is dependent. With high passage
eigenschaften des Gleichrichters keinen Einfluß hat, solange sie unter der durch die kritische Feldstärke k gegebenen Grenze bleibt. Erst wenn die Störstellenspannung strebt L einem Grenzwerte zu, der mit!.«; 1S konzentrationen in den äußeren Bereichen so weit erbezeichnet ist. Der in Fig. 3 dargestellte Verlauf von höht werden, daß sie der durch die erwähnte kritischeproperties of the rectifier has no influence as long as it remains below the limit given by the critical field strength k. Only when the impurity voltage does L strive to reach a limit value marked with !. «; 1 S concentrations in the outer areas is indicated so far. The course shown in Fig. 3 of increased that they are critical by the mentioned
Feldstärke k gegebenen Grenze mindestens stellenweise bedenklich nahe kommen oder diese sogar überschreiten, tritt neben die erwünschte VerbesserungField strength k come close to the given limit at least in places, or even exceed it, occurs in addition to the desired improvement
hältnis d/L ^ <i 2 ist. Am günstigsten ist in dieser Hinsicht der Bereich zwischen den Werten 0,5 und 1. Die vorerwähnten Verhältniswerte sind von der Art des Halbleitermaterials weitgehend unabhängig.ratio d / L ^ <i is 2. The range between the values 0.5 and 1 is most favorable in this regard. The aforementioned ratio values are largely independent of the type of semiconductor material.
Der zuletzt genannte Bereich für die Bemessung der Mittelzone im Verhältnis zur wirksamen Diffusionslänge ist auch noch deswegen besonders günstig, weil in ihm die Werte der Stromdichte nurThe last-mentioned area for the dimensioning of the central zone in relation to the effective Diffusion length is also particularly favorable because in it the values of the current density only
entspricht etwa bekannten Verhältnissen bei Germanium.corresponds roughly to known conditions for germanium.
Den Einfluß der Größe d/L «, auf die Durchlaßstromdichte bei konstant gehaltener äußerer Span- 2° der Durchlaßcharakteristik eine Verschlechterung der nung U zeigt Fig. 4 beispielsweise für U = 0,2 V Sperreigenschaften. Vom Erfinder wurde nun er- bzw. U = 0,4 V. Man sieht, daß für d/Lx >2 die kannt, daß es genügt, die Höhe der Dotierung in den Durchlaßstromdichte stark absinkt, was einer wesent- Randgebieten der kritischen Grenze bis auf einen liehen Verschlechterung der Durchlaßcharakteristik Sicherheitsabstand zu nähern, durch den die Err entspricht. Gleichrichter mit guter Durchlaßkennlinie 25 haltung der guten Sperreigenschaften gewährleistet kann man also nur dann erhalten, wenn das Ver- ist; denn es werden dann mit geringen Durchlaßspannungen schon so hohe Stromdichten erreicht," daß sie kühltechnisch gerade noch beherrscht werden können. Eine Verbesserung der Durchlaßcharakteristik 30 im Bereich noch höherer Stromdichten, beispielsweise durch weitere Erhöhung der Störstellenkonzentration in den Randgebieten, wäre daher praktisch gar nicht ausnutzbar, sie ist vielmehr im Hinblick auf die Gefährdung der Sperrfähigkeit unerwünscht, zumal da wenig voneinander verschieden sind. Da nun bei der 35 wegen der unvermeidlichen Ungleichmäßigkeiten über Herstellung kleine Unterschiede der Zonenbreite über den gesamten Gleichrichterquerschnitt stellenweise ihren Querschnitt unvermeidlich sind, so ist es wich- die kritische Grenze schon überschritten sein kann, tig, daß sich diese Unterschiede auf die Stromdichte während die Störstellenkonzentration an anderen möglichst wenig auswirken, weil sonst der Gleich- Stellen noch eine ungefährliche Höhe hat. Für die richter an verschiedenen Stellen verschieden stark be- 40 Güte des Gleichrichters ist aber jeweils die lastet wird, wodurch die Gefahr örtlicher Überhitzung schwächste Stelle maßgebend. Da nun die erwähnte entsteht. In dem genannten Bereich zwischen den kritische Grenze für die Störstellenkonzentration in Verhältniswerten 0,5 bis 1 kann aber die Mittelzonen- den Randgebieten bei 1019 cm~3 liegt, so ist nach den breite um einen Faktor bis zu 2 variieren, ohne daß vorstehenden Überlegungen der Bereich zwischen 1017 die dadurch bedingten Unterschiede der Stromdichten 45 und 1019 cm~s als der geeignetste zu bezeichnen. Zu ein gefährliches Ausmaß annehmen können. bevorzugen ist eine Störstellenkonzentration in den4 shows the influence of the quantity d / L on the forward current density with the external voltage U kept constant, a deterioration in the voltage U , for example for U = 0.2 V blocking properties. The inventor has now achieved or U = 0.4 V. It can be seen that for d / L x > 2 it is known that it is sufficient for the level of doping in the forward current density to drop sharply, which is one of the essential peripheral areas of the critical Limit up to a borrowed worsening of the transmission characteristic to approach the safety margin through which the Err corresponds. Rectifier with a good transmission characteristic 25 keeping the good blocking properties guaranteed can only be obtained if the ver is; Because current densities are already so high with low forward voltages that they can just about be controlled from a cooling point of view. An improvement in the forward characteristic 30 in the area of even higher current densities, for example by further increasing the concentration of impurities in the edge areas, would therefore practically not be exploitable at all Rather, it is undesirable with regard to the endangerment of the blocking capability, especially since there are few differences from each other. the critical limit may already have been exceeded, so that these differences have as little effect as possible on the current density while the concentration of impurities in others, because otherwise the equal positions still have a safe level However, the quality of the rectifier is always the one that is loaded, whereby the risk of local overheating is decisive in the weakest point. Since now the mentioned arises. In the mentioned range between the critical limit for the impurity concentration in the ratio values 0.5 to 1, but the central zone and the edge areas can be 10 19 cm -3 , so the width varies by a factor of up to 2 without the above considerations the range between 10 17 and the resulting differences in current densities 45 and 10 19 cm ~ s are the most suitable. Too dangerous proportions. preferred is an impurity concentration in the
Die vorstehend erwähnte Festlegung der Mittel- Randbereichen von etwa 1018 cm-3.
zonenbreite allein ist jedoch für eine befriedigende Bekannt ist der aus Fig. 5, Kurve f im VergleichThe above-mentioned definition of the central edge areas of about 10 18 cm -3 .
zone width alone is known for a satisfactory is that of Fig. 5, curve f in comparison
Lösung der erwähnten Aufgabe nicht ausreichend. Es zur Kurve α ersichtliche Zusammenhang, daß nämlich ist dazu weiter erforderlich, daß die Störstellen- 50 die Sperrspannung um so höher ist, je geringer die konzentrationen in den hoch dotierten Gebieten ge- Störstellenkonzentration in der Mittelzone ist. Um nügend hoch sind. Es ist an sich bekannt, daß man also eine möglichst hohe Sperrspannung zu erzielen, zur Verbesserung der Durchlaßcharakteristik die muß man die Störstellenkonzentration in der Mittel-Dotierung in diesen Randgebieten möglichst hoch zone möglichst klein machen, also beispielsweise machen muß. Man darf jedoch, wie vom Erfinder er- 55 mindestens zwei bis drei Zehnerpotenzen niedriger kannt wurde und weiter unten näher begründet wird, als in den hoch dotierten Randgebieten. Gemäß einer die Dotierung nicht beliebig hoch machen. Von dieser weiteren Erkenntnis ist es jedoch nicht zweckmäßig, Erkenntnis ausgehend ergibt sich noch die weitere mit der Störstellenkonzentration in der Mittelzone Frage: Wie weit ist eine Annäherung der praktischen unter eine bestimmte Grenze herunterzugehen. Geht Auslegung an die erkannte obere Grenze überhaupt 60 man nämlich mit der Störstellenkonzentration in der sinnvoll? Die Beantwortung dieser Frage folgt aus Mittelzone bis auf beispielsweise 1014 cm—3 herunter, Überlegungen im Zusammenhang mit Fig. 5. Diese dann wird die Sperrspannung bereits so hoch, daß bei zeigt im logarithmischen Maßstab den Verlauf der ihrer vollen Ausnutzung die Beherrschung der Sperr-Feldstärke eR am Rande der Mittelzone, d. h. an der Verluste mit den verfügbaren Mitteln der Kühltechnik Übergangsstelle von der hohen Dotierung des Rand- 65 schon Schwierigkeiten machen würde. Eine weitere gebietes zu der geringen Dotierung der Mittelzone in Steigerung der Sperrfähigkeit durch Absenkung der Abhängigkeit von der in Sperrichtung angelegten Störstellenkonzentration in der Mittelzone unter Spannung — U. Gilt die ausgezogene Kurve α für ge- 1014cm—3 kann daher im Hinblick auf die kühlgebene Werte der Störstellenkonzentrationen im technischen Möglichkeiten kaum noch ausgenutzt Randgebiet und in der Mittelzone, so geben die ge- 70 werden, zumal damit im allgemeinen eine — wennSolution of the mentioned problem is not sufficient. It can be seen in relation to curve α that for this purpose it is further necessary that the impurity 50 the reverse voltage is higher, the lower the concentration in the highly doped regions is the impurity concentration in the central zone. To be high enough. It is known per se that the highest possible reverse voltage can be achieved, in order to improve the transmission characteristic, the impurity concentration in the medium doping in these edge areas must be made as small as possible, for example, must be made as small as possible. However, as was known by the inventor, at least two to three powers of ten lower and is explained in more detail below, than in the highly doped peripheral areas. According to one, do not make the doping arbitrarily high. However, based on this further knowledge, it is not expedient; on the basis of this knowledge, the further question arises with the concentration of impurities in the central zone: How far should the practical approach go below a certain limit. Does the interpretation of the recognized upper limit make sense at all, namely with the impurity concentration in the? The answer to this question follows from the middle zone down to, for example, 10 14 cm -3 , considerations in connection with Fig. 5. This then the reverse voltage is already so high that it shows on a logarithmic scale the course of its full utilization the mastery of the blocking -Field strength e R at the edge of the central zone, ie at the losses with the available means of cooling technology, the transition point from the high doping of the edge-65 would already cause difficulties. Another area to the low doping of the central zone in increasing the blocking capacity by lowering the dependency on the impurity concentration applied in the blocking direction in the central zone under voltage - U. If the solid curve α applies for ge 10 14 cm -3 can therefore with regard to the Cool values of the impurity concentrations are hardly used any more in the technical possibilities
auch schwache — Zunahme des Sperrstromes verbunden ist. Als praktisch am besten geeignete Werte der Störstellenkonzentration in der Mittelzone ergeben sich aus dem vorstehenden Zusammenhang solche, die zwischen 2 · 1014 und 6 · 1014 cm—3 liegen.also weak - increase in reverse current is connected. The most suitable values for the impurity concentration in the central zone in practice result from the above relationship between 2 · 10 14 and 6 · 10 14 cm −3 .
Fig. 6 zeigt in perspektivischer Darstellung ein Gleichrichterelement G von der Form eines flachen Prismas, an dessen Rückseite ein Kupferklotz K angelötet ist. Der Kupferklotz ist innen hohl oder von Kanälen durchzogen und mit Leitungsstutzen 6* versehen, an welche die Zu- und Ableitungen für ein flüssiges Kühlmittel, z. B. Wasser, flüssige Luft od. dgl., angeschlossen werden können, welches durch eine geeignete Druckvorrichtung mit erhöhter Strömungsgeschwindigkeit durch das Innere des Kühlklotzes K hindurchströmt. Der Kühlklotz ist mit einer Anschlußfahne A versehen, an welche die elektrische Leitung anzuschließen ist. Die andere Anschlußfahne kann auf der in der Zeichnung sichtbaren Vorderseite des Gleichrichters G unmittelbar angelötet sein, statt dessen kann der Gleichrichter G auch auf der Vorderseite mit einem Kühlklotz ähnlich dem dargestellten versehen sein. Die Richtung von der Vorderseite zur Rückseite ist die Längs- · richtung, in welcher die in Fig. 1 nebeneinander dargestellten Bereiche aufeinanderfolgen. Die in dieser Richtung gemessene Gesamtlänge des Gleichrichters möge, wie als Beispiel angenommen sei, etwa 0,5 mm betragen, wovon auf die schwach dotierte Mittelzone etwa 2 d = 0,3 mm entfallen mögen. Die Querschnittsfläche des Gleichrichters, die ihrer Größe nach etwa mit der in Fig. 6 sichtbaren Vorderfläche übereinstimmt, möge 0,5 cm2 betragen. Es sei ferner angenommen, daß der Gleichrichter aus Ge als Grundstoff hergestellt ist. Ein derartiger Gleichrichter könnte z. B. einer maximalen Sperrspannung im Bereich um 260 V ausgesetzt und in Durchlaßrichtung mit ungefähr 40 A maximalem Strom belastet werden.6 shows a perspective illustration of a rectifier element G in the form of a flat prism, on the rear of which a copper block K is soldered. The copper block is hollow on the inside or traversed by channels and provided with line stubs 6 * to which the inlet and outlet lines for a liquid coolant, e.g. Example, water, liquid air od. The like., Can be connected, which passes through a suitable printing apparatus with an increased flow rate through the inside of the cooling pad K. The cooling block is provided with a connection lug A to which the electrical line is to be connected. The other terminal lug can be soldered directly to the front side of the rectifier G that is visible in the drawing; instead, the rectifier G can also be provided on the front side with a cooling block similar to that shown. The direction from the front to the rear is the longitudinal direction in which the areas shown next to one another in FIG. 1 follow one another. The total length of the rectifier measured in this direction may, as assumed as an example, be approximately 0.5 mm, of which approximately 2 d = 0.3 mm may be attributable to the weakly doped central zone. The cross-sectional area of the rectifier, the size of which corresponds approximately to the front area visible in FIG. 6, may be 0.5 cm 2 . It is also assumed that the rectifier is made of Ge as a base. Such a rectifier could e.g. B. exposed to a maximum reverse voltage in the range of 260 V and loaded in the forward direction with about 40 A maximum current.
Claims (4)
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Cited By (3)
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| DE1093021B (en) * | 1959-01-24 | 1960-11-17 | Telefunken Gmbh | Pnip or npin drift transistor for high frequencies |
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Non-Patent Citations (1)
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