DE1001427B

DE1001427B - Electrical discharge vessel for storing electrical signals

Info

Publication number: DE1001427B
Application number: DES47021A
Authority: DE
Inventors: Dr Werner Veith
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1956-01-10
Filing date: 1956-01-10
Publication date: 1957-01-24

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung betrifft ein, elektrisches Entladungsgefäß zur Speicherung elektrisclier Signale mit einem Strahlerzeugungssystem für einen modulierten Abtaststrahl schneller Elektronen zum Aufzeichnen der zu speichernden elektrischen Signale und, einem weiteren, dazu koaxial angeordneten, Strahlerzeugungssystem für einen. Elektronenstrahl langsamer Elektronen zum Ablesen der gespeicherten Signale sowie einer zwischen dien Strahlerzeugiungssystemen vorzugsweise in der Symmetrieebene liegenden Speicherelektrode.The invention relates to an electrical discharge vessel for storing electrical signals with a Beam generating system for a modulated scanning beam of fast electrons for recording the to storing electrical signals and, a further, coaxially arranged beam generating system for one. Electron beam of slow electrons for reading the stored signals as well as one between the beam generation systems preferably in the storage electrode lying on the plane of symmetry.

Es ist bereits eine Speicher röhre mit zwei auf ge·- trennten Seiten der Speicherelektrode angeordneten Elektronenkanonen. bekannt, bei dier die innere Sekundäremission einer Isolatorscbicht ausgenutzt wird. Ihre Speicherelektrode besteht aus einer sehr dünnen Tsolatoirplatte (Glimmer), die auf der Schreibstrahlseite mit einer ebenfalls sehr dünnen, aufgedampften Metallschicht belegt ist. Die schnellen Elektronen; des modulierten Schreibstrahls, dringen durch die Metallfolie in das Innere des Isolators, wo durch die Energie der Elektronen, verhältnismäßig viele Sekundärelektrcnen, ausgelöst werden·, so daß die innere Leitfähigkeit örtlich erhöht wird, Entsprechend dieses gegebenenfalls unterschiedlichen Leitfähigkeitszustandes können, durch, den, Lesestrahl auf den Isolator aufgebrachte Ladungen infolge des sich ausbildenden Verschiebungsstromes auf den Metallbelag ab- und von dort einem Verstärker zufließen, Diese Röhre besitzt zwar einen erheblich einfacheren Aufbau als eine weitere, nachfolgend beschriebene Speicherröhre, hat: aber den erheblichen Nachteil, daß sie sehr hohe, technisch unbequeme Strahilspannungen erfordert und. außerdem gewisse Trägheitserscheinungen zeigt,There is already a storage tube with two open electron guns arranged on separate sides of the storage electrode. known, at dier the internal secondary emission an isolator layer is used. Your storage electrode consists of a very thin Tsolatoirplatte (mica), which is on the write beam side is also covered with a very thin, vapor-deposited metal layer. The fast electrons; of modulated writing beam, penetrate through the metal foil into the interior of the insulator, where through the energy of electrons, relatively many secondary electrons, be triggered · so that the internal conductivity is locally increased, corresponding to this possibly different conductivity state can, by, the, reading beam applied to the insulator charges as a result of the developing displacement current on the metal coating and from there to an amplifier, this tube has has a considerably simpler structure than another storage tube described below, but the significant disadvantage that it requires very high, technically inconvenient Strahilspannungen and. aside from that shows certain indolence,

Die Arbeitsweise der zweiten bekannten Speicherröhre lehnt sich sehr stark an, den, Mechanismus einer bereits sehr geläufigen, Fernsehaufnahmeröhre an. Ihre Speicherelektrode besteht ebenfalls aus einer sehr dünnen, Isolatorplatte, beispielsweise einer Glasplatte, die auf der Lesestrahl sei te mit einem sehr feinmaschigen Drahtnetz belegt, ist. Vom Schreibstrahl auf der Vorderseite des Isolators ausgelöste positive Ladungen wirken rein elektrostatisch durch den Isolator hindurch und steuern somit die langsamen,, magnetisch fokussierten. und. abgelenkten Elektronen des Lesestrahls, die normalerweise bei Nichtvorhandensein von positiven Ladungen umgelenkt einem besonderen Sekundäremissionsvervielfacher zugeführt werden, um von, dort aus in, einen Videoverstärker zu gelangen. Der Lesestrahlstrom kann dabei so klein, gewählt werden, daß das Ladungsbild des Schreibstrabls beim Abtasten nur unwesentlich beeinflußt wird und. damit das Bild mehr oder weniger beliebig oft gelesen, werden kann. Eine solche Anordnung stellt zwar eine hochwertige Speicherröhre dar, deren technische Herstel-Elektrisches Entladungsgefäß
zur Speicherung elektrischer SignaleThe method of operation of the second known storage tube is very much based on the mechanism of an already very familiar television recording tube. Your storage electrode also consists of a very thin, insulator plate, for example a glass plate, which is covered with a very fine-meshed wire mesh on the reading beam. Positive charges released by the writing beam on the front of the isolator act purely electrostatically through the isolator and thus control the slow, magnetically focused ones. and. deflected electrons of the reading beam, which are normally diverted in the absence of positive charges and fed to a special secondary emission multiplier in order to get from there into a video amplifier. The reading beam current can be selected to be so small that the charge image of the writing beam is only insignificantly influenced during scanning and. so that the picture can be read more or less as often as you like. Such an arrangement represents a high-quality storage tube, the technical manufacture of which is electrical discharge vessel
for storing electrical signals

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,Applicant:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 4Berlin and Munich,
Munich 2, Wittelsbacherplatz 4

Dr. Werner Veith, München,
ist als Erfinder genannt wordenDr. Werner Veith, Munich,
has been named as the inventor

lung aber wegen des komplizierten Aufbaus und der an,- die Einzelelemente, wie Isolator, feinmaschige Drahtgitter und Sekundäremissionsvervielfacher, gestellten, hohen Anforderungen erhebliche Schwierigkeiten, bereitet,because of the complicated structure and the - the individual elements, such as the insulator, fine-mesh wire grids and secondary emission multipliers, are provided, high requirements, causes considerable difficulties,

Ziel der Erfindung ist deshalb eine Speicherröhre, deren einfache, physikalische Wirkungsweise an die Herstellung und Beschaffenheit der einzelnen Systemteile des Enitladungsgefäßes sowie die Betriebsmittel keine hohen, über das Normale hinausgehenden Anforderungen stellt. Die dafür vorgesehene Speicherelektrode besteht gemäß der Erfindung derart aus einem feinmaschigen, zur Signalableitung geeigneten, metallischen Draht- oder Maschengitter sowie einer daran auf der dem Schreibstrahl zugewandten Seite angebrachten, mit einer Vielzahl von Speicberelementen! versehenen oder selbst eine zusammenhängende S pe icher schicht darstellenden Isolator schicht, daß die tatsächlichen! Ladungsträgergebiete der Ladung speichernden Elemente von beiden Abtiaststrahlen direkt (ohne Durchdringung von Material) erreichbar sind.The aim of the invention is therefore a storage tube whose simple, physical mode of operation to the Manufacture and condition of the individual system parts of the discharge vessel as well as the equipment do not have high requirements that go beyond the normal represents. According to the invention, the storage electrode provided for this purpose consists of this a fine-meshed metallic wire or mesh grid suitable for signal derivation, as well as a attached to it on the side facing the writing beam, with a multitude of storage elements! insulator layer provided or itself constituting a cohesive protective layer, that actual! Charge-carrier areas of the charge-storing elements from both scanning beams can be reached directly (without the penetration of material).

Die Wirkungsweise der Speicherröhre wird, am einfachsten an Hand einer Zeichnung erläutert. In dier Fig. 1 ist das System des elektrischen Entladungsgefäßes ohne das Gefäß selber in rein, schematischer Weise dargestellt. Die zugehörige Speicherelektrode besteht aus einer Isolatorschicht. 1, in der eine Vielzahl feiner Löcher vorgesehen ist, die derart mit Metall ausgefüllt sind, daß durchgehende Metallstifte 2 entstehen. An dieser Isolatorschicht 1 ist aufThe easiest way to explain how the storage tube works is by means of a drawing. In dier 1 is the system of the electrical discharge vessel without the vessel itself in a purely schematic manner Way presented. The associated storage electrode consists of an insulator layer. 1 in which a variety fine holes is provided, which are filled with metal that continuous metal pins 2 arise. At this insulator layer 1 is on

609 767Ώ5Ε609 767Ώ5Ε

diesem abfließen kann. Dabei wirkt dann- die Aufladung der Speicherelemente 2 etwa nach Art eines Steuergitters einer Triode, indem es den Lesestrahl je nach, Größe der negativen. Aufladung mehr oder weniger sperrt. Dabei, übernehmen die Speicherelemente 2 keinerlei Strom, so daß das Ladungsbild unbeeinflußt beliebig oft gelesen werden kann.this can flow away. The charge then takes effect of the storage elements 2 roughly in the manner of a control grid of a triode, by the reading beam depending on, size of the negative. Charging more or less blocks. The storage elements take over 2 no current whatsoever, so that the charge image can be read as often as required without being influenced.

Die bei den beiden- Anwendungsarten der Röhre herrschenden elektrischen Verhältnisse sind nochmalsThe electrical conditions prevailing in the two types of application of the tube are again

der dem Lesestrahl zugewandten Seilte unmittelbar an
ihr ein Metallgitter 3 befestigt, über das die Signale
einem Videoverstärker 4 zugeführt werden können.
Eine Elektronenkanone 5 liefert für den Schreibvorgang den Elektronenstrahl, der durch die Anode 6
auf 500 bis 1000 Volt beschleunigt wird und anschließend ein. Ablenksystem 7 durchläuft. Eine Elektrode 8
dient je nach der an sie angelegten, entsprechend dem
verschiedenartigen Verwendungszweck der Röhre
negativen, oder positiven Spannung als Kollektor. Der ίο in einer besonderen Fig. 2 a, 2b schematisch d.ar-Lesestrahl entstammt einer auf der entgegengesetzten gestellt. In dieser Figur ist. der Isolator 1 beispiels-Seite der Speicherelektrode angeordneten Elektronen- weise aus 20 μ starkem Glimmer nach irgendeinem kanone 9, deren Elektronen von den Anoden 10 be- ζ. B. photochemischen Ätzverfahren mit einer Vielschleunigt, vom Ablenksystem 11 beeinflußt und mit zahl von. Löchern, versehen, die durch Metallstifte 2, Hilfe der Elektrode 12 derart vor der Speicherelek- 15 beispielsweise aus Aluminium, ausgefüllt sind. Nach trode 1 abgebremst und auf diese fokussiert werden, einem, gleichen Verfahren kann das Draht- oder daß sie mit sehr geringer Geschwindigkeit das Gitter3 Maschengitter 3 durch Anbringen von entsprechend erreichen. ^fl hergestellten Hohlräumen, auf deim Isolator angebrachtthe rope facing the reading beam directly
you attached a metal grid 3, over which the signals
a video amplifier 4 can be fed.
An electron gun 5 supplies the electron beam for the writing process, which passes through the anode 6
is accelerated to 500 to 1000 volts and then a. Deflection system 7 passes through. One electrode 8
serves depending on the applied to them, according to the
various uses of the tube
negative or positive voltage as a collector. The ίο in a special Fig. 2a, 2b schematically d.ar reading beam comes from one placed on the opposite. In this figure is. the insulator 1 example-side of the storage electrode arranged electron-wise from 20 μ thick mica after any cannon 9, the electrons of which are from the anodes 10. B. photochemical etching process with a much accelerated, influenced by the deflection system 11 and with number of. Holes, provided, which are filled by metal pins 2, with the aid of the electrode 12, in front of the storage electrode 15, for example made of aluminum. After trode 1 braked and focused on it, using the same method, the wire mesh or that you can reach the grid 3 mesh grid 3 at a very low speed by attaching accordingly. ^fl cavities made, attached to the insulator

Der Betrieb der Speicherröhre kann auf zwei ver- werden. Die dargestellten Profile 3 können, ähnlich schiedene Weisen erfolgen, entweder so·, daß der Lese- 20 wie bei einem normalen Steuergitter entweder nur strahl das geschriebene Bildilöscht, oder aber auch so, als- parallele Drähte oder aber auch als sich kreuzende daß das geschriebene· Bild ohne nennenswerte Löschung Drähte, entsprechend einem Kreuzgitter, angeordnet durch den Lesestrahl mehr oder weniger beliebig oft sein. Der Abstand zweier benachbarter Drähte, oder gelesen werden kann. Für den letzteren Fall ist zum auch Speicherelemente wird praktisch zu etwa 50 μ Löschen des Ladungsbildes eine besondere steuerbare 25 gewählt, damit bei einem allgemein üblichen. Elek-Elektrcnenquelle 13 vorgesehen. tronenstrahldurchmesser von. etwa 0,1 mm gleich -The storage tube can be operated in two ways. The profiles 3 shown can be similar different ways are done, either so · that the reading 20 as with a normal control grid either only beam deletes the written image, or else as - parallel wires or also as intersecting wires that the written image is arranged without any noteworthy erasure be more or less as often as you like through the reading beam. The distance between two adjacent wires, or can be read. In the latter case, storage elements are also practically about 50 μ Deletion of the charge image a special controllable 25 selected, thus with a generally common. Elec-Electrcnenquelle 13 provided. electron beam diameter of. about 0.1 mm equal -

Für den. Fall der ersten. Betriebsart wird der KoI- zeitig zwei Elemente vom Strahl getroffen werden. lektor'8 mit einer positiven Spannung von beispiels- Die Elektronenbahnen des Lesestrahls sind, durch weise 50 bis 100 Volt gegenüber dem Gitter 3 vor- Pfeile in der Fig. 2 a für den Fall einer positiven und gespannt. Dadurch können die beim. Auf treffen dies 30 in Fig. 2 b für den, Fall einer negativen Aufladung der Schreibstrahls auf der Speicherschicht der Speicher- Speicherelemente dargestellt. Die Speicherelemente 2 elektrode ausgelösten Sekundärelektronen vom KoI- können zur Erhöhung des Wirkungsgrades, auch mit lektor 8 abgesaugt werden, ohne daß diese auf irgend- einem intensiv Sekundärelektronen emittierenden welche Speicherelemente zurückfallen und dadurch Überzug versehen werden und dazu aus einem gedie Güte des Signialbildes verschlechtern. Die vom 35 eigneten Material, z. B. Silber, bestehen. Schreibstrahl getroffenen metallischen Speicher- Die Arbeitsweise der beschriebenen Anordnung, dieFor the. Fall of the first. Operating mode is the KoI- timely two elements are hit by the beam. lektor'8 with a positive voltage of example- The electron trajectories of the reading beam are through as 50 to 100 volts compared to the grid 3 before arrows in Fig. 2a for the case of a positive and tense. This allows the. To meet this 30 in Fig. 2b for the case of negative charging of the Write beam shown on the storage layer of the storage storage elements. The storage elements 2 Electrode triggered secondary electrons from the KoI can to increase the efficiency, also with Lektor 8 are sucked off without them emitting intensely secondary electrons which storage elements fall back and are thus provided with a coating and for this purpose from one Deteriorate the quality of the signal image. The material suitable for 35, e.g. B. silver exist. Write beam hit metallic memory- The operation of the described arrangement, the

elemente 2 laden sich infolge der fortgehenden Sekun- in der Hauptsache darin besteht, daß die vom Schreibdärelektronen positiv auf und besitzen somit auf strahl aufgebrachten Ladungen infolge dsr metal-Grund. der Ladungsbeweglichkeit in metallischen Lei- lischen Leitung der Speicherelemente praktisch untern auch auf der dem. Lesestrahl zugewandten. Seite 40 mittelbar vom Eiitsteliungsort ohne Zwischenfügen gegenüber den; Gitterstäben 3 eine gleich große posi- eines, besonderen Mediums den:Lesestrahl beeinflussen, tive Ladung. Man stellt nun das Potential der Lese- hat gegenüber anderen bekannten Einrichtungen den strahlkathode so ein, daß ohne eine Aufladung der wesentlichen Vorteil, daß zum Funktionieren keine Speicherelemente 2 keine Elektronen! des Lesestrahls schwierig herstellbare und in ihrer Wirkungsweise das Gitter 3 erreichen können. Werden nun die einzel- 45 von äußeren Faktoren, wie Temperatur usw., erhebnen, Speicherelemente durch den. Scfareibstrahl positiv lieh abhängige Zwischenmedien erforderlich sind, aufgeladen, so- übernehmen diese durch den Lesestrahl Hinzu kommt, daß durch die geschlossene Fläche der einen Elektronenstrom, der als kapazitives Signal die beiden Strahlräume trennenden Speicherelektrode über das Gitter 3 zum Videoverstärker fließt. Das er- eine gegenseitige Beeinflussung der beiden Abtasthaltene Signal ist streng proportional der positiven 50 strahlen ausgeschlossen wird-, so daß für die Auswahl Aufladung, da irgendwelcher störende Sekundär- der Elektronengeschwindigkeiten, und der dazu erforelektronenregen auf die Speicherelemente unterbleibt, derlichen, Elektrodenanordnungen weitgehend Freiheitelements 2 are charged as a result of the passing seconds mainly consists in the fact that the electrons from the writer positive and thus have charges applied to the beam due to the dsr metal base. the charge mobility in the metallic conduction of the storage elements is practically lower also on the dem. Reading beam facing. Page 40 indirectly from the location of the installation without intervening compared to the; Lattice bars 3 an equally large positive, special medium that: affect the reading beam, tive charge. One now sets the potential of reading compared to other known institutions Radiation cathode in such a way that, without a charge, the essential advantage is that none can function Storage elements 2 no electrons! of the reading beam difficult to manufacture and in their mode of operation the grid 3 can reach. If the individual factors such as temperature etc. Storage elements through the. Scfareibstrahl positively borrowed dependent intermediate media are required, charged, they take over through the reading beam. In addition, the closed surface of the a stream of electrons, the capacitive signal separating the two beam spaces storage electrode flows through the grid 3 to the video amplifier. This is a mutual influencing of the two sample holdings Signal is strictly proportional to the positive 50 rays excluded - so that for selection Charging, because there are any disturbing secondary electrons, and the electrons required to do so there is no such, electrode arrangements largely freedom on the memory elements

besteht und außerdem auch das Maschennetz der Speicherelektrode, für die Signalabnahme verwendet die Speicherelemente wird gleichzeitig das Bild ge;- 55 werden kann.and also the mesh network of the storage electrode, used for signal pick-up the memory elements will simultaneously ge the image; - 55 can be.

löscht. Verzichtet man bei der Röhre auf eine solche An-clears. If you do without such an

Bei einer zweiten Anwendungsart der Speicher- Ordnung und Gestaltung der Speicherelektrode, daß röhre wird der Kollektor 8 gegenüber der Elektrode 3 durch dessen, geschlossene Fläche Schreibstrahl- und negativ vorgespannt oder aber langsame Elektronen Lesestrahlraum vollkommen voneinander getrennt zum Schreiben verwendet, um irgendwelche Sekundär- 60 sind, indem man die Löcher der Isolierplatte nichtIn a second type of application of the storage order and design of the storage electrode that tube is the collector 8 opposite the electrode 3 through its closed surface write beam and negatively biased or slow electrons reading beam space completely separated from each other Used for writing to any secondary 60 are by not making the holes in the insulating plate

so daß auch Halbtöne gut wiedergegeben werden. Durch die dabei stattfindende Strctnübernahme aufso that semitones are also reproduced well. Through the takeover of strength that takes place

elektronenemission weitgehend zu vermeiden. Auf diese Weise werden durch den Schreibstrahl ausschließlich negative Ladungen auf die einzelnen Speicherelemente gebracht, die sich, in gleicher Weiselargely to avoid electron emission. In this way, through the write beam exclusively negative charges placed on the individual storage elements, which are, in the same way

mit Metallstiften ausfüllt, sondern die Elektronen, des Lesestrahls unter dem Einfluß des Ladungsbildes auf der Schreibstrahlseite durch die Löcher hindurchgelangen können, so erhält man. ein weiteres Ausfüh-fills in with metal pins, but the electrons, des Read beam pass through the holes under the influence of the charge image on the write beam side can, so you get. another execution

p g g ggp g g gg

auf der Rückseite der Speicherelektrode auswirken. 65 rungsbeispiel, dessen Speicherelektrode sich, technisch D Pi G sehr viel einfacher herstellen läßt. Eine solcheon the back of the storage electrode. 65 example whose storage electrode is, technically D Pi G can be made much easier. Such

Speicherelektrode kann z. B. dadurch, hergestellt werden, daß ein. feines Draht- oder Maschengitter 14 nur auf einer Seite mit einer Isolierschicht 15 überzogenStorage electrode can, for. B. be produced by the existence. fine wire or mesh grid 14 covered with an insulating layer 15 only on one side

Das Potential des Gitters 3 muß in diesem Falle gegenüber der Kathode des Lesestrahls um einige VcIt positiver gewählt werden, damit der Elektronenstrom des Lesestrahls ohne Vorhandensein einesIn this case, the potential of the grid 3 must be a few with respect to the cathode of the reading beam VcIt can be chosen more positively so that the electron flow of the reading beam without the presence of a

Signalladungsbildes das Gitter 3 erreicht umd von 70 wird, was man besonders einfach durch AufdampfenSignal charge image the grid 3 is reached by 70, which is particularly easy by vapor deposition

oder Aufsprühen eines geeigneten Materials, wie z. B. Aluminiumoxyd, Magnesiumoxyd od. dgl., erreichen kann. In, ähnlicher Weise kann. man. durch Aufdampfen zusätzlich auf der dem Schreibstrahl zugewandten Seite des Isolators kleine, nicht zusammenhängende Metallbeläge aufbringen. Dies erreicht man z. B. dadurch, daß man die auf die relativ rauhe Oberfläche der Isolierschicht aufgedampfte Metallschicht anschließend thermisch aufreißt, so daß kleine, voneinander isolierte Speicherelemente entstehen, Diese können, z. B. aus Silber bestehen und außerdem nach einem bekannten Verfahren noch zur Erzielung eines guten Sekundäremissionsvorganges zusätzlich aktiviert werden. Die langsamen Elektronen können dann, wie in der Fig. 3 a angedeutet, in gleicher Weise, wie früher beschrieben, durch die auf die; metallischen Speicherelemente aufgebrachten. Ladungen beeinflußt werden.or spraying on a suitable material, such as. B. Aluminum oxide, magnesium oxide or the like. Can achieve. In, similarly, can. man by vapor deposition in addition, on the side of the insulator facing the write beam, there are small, non-contiguous ones Apply metal coverings. This can be achieved e.g. B. by the fact that the on the relatively rough surface the insulating layer then thermally tears open the vapor-deposited metal layer, so that small, apart isolated storage elements arise. B. consist of silver and also after a known method additionally activated to achieve a good secondary emission process will. The slow electrons can then, as indicated in FIG. 3 a, in the same way as described earlier, by which on the; metallic storage elements applied. Affected charges will.

Es ist aber auch, möglich, anstatt: der metallischen Beläge die Isolierschicht selbst als speichernde Schicht zu benutzen. Die durch Kreuze in der Fig. 3 b angedeuteten Ladungen auf der dem Schreibstrahl zugewandten Seite der Isolierschicht können dann, ebenfalls, wie vorher beschrieben!, die langsamen Elektronen des Lesestrahls beeinflussen;. Durch besondere Auswahl des Isolators bzw. durch zusätzliche Aktivierung kann auch in. diesem Faille der Wirkungsgrad der Speicherung erhöht werden.But it is also possible, instead of: the metallic coverings, the insulating layer itself as a storage layer to use. The charges indicated by crosses in FIG. 3b on the one facing the write beam Side of the insulating layer can then, likewise, as previously described !, affect the slow electrons of the reading beam. By special Selection of the isolator or through additional activation the efficiency of the storage can also be increased in this case.

Da bei der in Fig. 3 angedeuteten Ausführung der Speicherelektrode ein Teil der schnellen Schreibstrahl elektronen durch diese hindurchtritt, wird man in manchen Fällen das Signal nicht unmittelbar an der Drahtnetzelektrode 3 abnehmen, sondern, vielmehr dafür eine besondere Elektrode 19 vorsehen, die vom Schreibstrahl weitgehendst unbeeinflußt bleibt, wie dies in Fig. 4 angedeutet ist. In. dieser Figur ist rein schematisch nur ein Teil, nämlich die Lesestrahlseite einer solchen Röhre dargestellt. Die in dem Bereich, angedeutet durch die beiden Grenzstrahlen 20, zur Speicherelektrode bin gelangenden schnellen Schreib-Strahlelektronen treten zum Teil durch die Maschen-Öffnungen hindurch und gelangen auf eine blendenartige, gleichzeitig für den Leseelektronenstrahl a.ls Zugelektrode dienende Elektrode 21. Die a,us einer nicht näher bezeichneten Elektronenkanone stammenden Lesestrahlelektronen; werden nacheinander durch die Blende 24, die gleichzeitig als Bremselektrode für die an der Anode 21 durch, den Schreibstrahl ausgelösten Sekundärelektronen, dient, sowie die Blende 23 derart auf die Speicherelektrode fokussiert und abgebremst, daß je nach. Ladungsbild der Speicherelektrode ein Teil der Elektronen auf die beispielsweise zylinderförmige Kollektorelektrode 19 zurückkehrt. Vom Kollektor 19 werden, dann die Elektronen als Signal einem Videoverstärker 18 zugeführt.Since in the embodiment indicated in FIG. 3, the storage electrode is a part of the fast write beam electrons passes through them, in some cases the signal will not be immediately available remove the wire mesh electrode 3, but rather provide a special electrode 19 for this purpose, which is from The writing beam remains largely unaffected, as indicated in FIG. In. this figure is pure schematically only a part, namely the reading beam side of such a tube is shown. Those in the area indicated by the two boundary beams 20, fast write beam electrons reaching the storage electrode bin partly pass through the mesh openings and reach a panel-like, at the same time for the reading electron beam serving as a pulling electrode electrode 21. The a, us one unspecified electron gun originating reading beam electrons; are going through one after the other the aperture 24, which also acts as a braking electrode for which triggered the write beam at the anode 21 Secondary electrons are used, as well as the diaphragm 23 so focused and decelerated on the storage electrode, that depending on. Charge pattern of the storage electrode a part of the electrons on the example cylindrical collector electrode 19 returns. From the collector 19 are then the electrons fed as a signal to a video amplifier 18.

Zum besseren Verständnis werden nachfolgend typische Potentiale einiger Elektroden, bezogen auf das Lesestirahlkathodenpotential, angegeben. Das Potential der nacheinander bezeichneten Elektroden· 3, 23, 19, 24 und 21 beträgt z. B. 0, 100, 1000, 900 und 1000 Volt.For a better understanding, typical potentials of some electrodes are referred to below the read steel cathode potential. The potential of the successively designated electrodes 3, 23, 19, 24 and 21 is e.g. B. 0, 100, 1000, 900 and 1000 volts.

Die vorangehend beschriebene Anordnung stellt nur ein, spezielles Ausführungsbeispiel dar, bei dem Gestalt und Anordnung der Elektroden variiert werden, können. S01 können; z. B. anstatt des für die Elektrode3 vorgesehenen Draht- oder Maschengitters einzelne Drähte oder auch ein einziger Draht verwendet werden und dabei die räumliche Anordnung wiederum den, verschiedenen Verwendungszwecken entsprechend angepaßt werden.The arrangement described above represents only a special embodiment in which Shape and arrangement of the electrodes can be varied. S01 can; z. B. instead of the one for the electrode 3 provided wire or mesh grid, single wires or a single wire are used and the spatial arrangement in turn corresponds to the various uses be adjusted.

Claims

Patent claims:

1. Electrical discharge vessel for storing electrical signals with a beam generating system for a modulated scanning beam of fast electrons to record the to storing electrical. Signals and. a further, coaxially arranged beam generation system for one. Electron beam of slow electrons to read the stored signals and one between the beam generating systems, preferably in the plane of symmetry Storage electrode, characterized by such a design of the storage electrode, consisting from a fine-meshed, suitable for signal derivation, metallic wire or mesh grids and one on it on the writing beam facing side, provided with a large number of storage elements, or even a contiguous storage layer representing insulating layer that the actual Charge-carrier areas of the charge-storing elements from both scanning beams, directly (without Penetration of matter) are achievable,

2. Discharge vessel after. Claim 1, characterized in that the insulator layer consists of just one of, a multitude of. Holes, filled in: with the actual storage elements representing metal pins, interspersed area, so that on one side of the storage electrode charges applied by the write beam to the storage elements, to the other, the side of the storage electrode facing the reading beam can be transported through metallic lines.

3. Discharge vessel according to claim 1 and 2, characterized in that the the. actual Insulator layer of the storage electrode that represents the carrier and consists of a thin insulator plate, in particular made of about 20 μ thick mica, in the sieve-like arranged, through holes are introduced and filled with metal in such a way that continuous metal pins are created, those between the suitably profiled wires of the one facing the reading beam Side of the insulator plate attached metal grid are arranged.

4. Discharge vessel according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that that for the deletion of the signal charge image an additional, controllable electron source in front of the Storage electrode is provided on the write beam side.

5. Discharge vessel according to claim 1 to 3, characterized in that the metallic Procure storage elements themselves from a material that emits secondary electrons well or on the face facing the write beam with a suitable base metal, e.g. B. silver, with are provided with an intensive secondary electron-emitting coating.

6. Discharge vessel, in particular according to claim 1, characterized in that the actual mechanical support of the storage electrode Representing wire or mesh grids from the write beam side with an insulating layer, for example made of aluminum or magnesium oxide, on which non-contiguous, small metal deposits are arranged as storage elements in such a way that on this metallic coverings from the writing beam

brought positive charges through the mesh, can be reached by the electrons of the reading beam.

7. discharge vessel, in particular according to claim 1, characterized in that the on the Write beam side of the wire or mesh grid

attached insulating layer, for example made of a material of high secondary emission, the represents the actual storage layer and that vcni writing electron beam applied to it electrical charges can be reached by the reading beam through the mesh.

1 sheet of drawings