Claims (1)
Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich, mit einem Transistor in Kollektorschaltung, in dessen Basiskreis ein in zwei Frequenzbereiche umschaltbarer Parallelresonanzkreis angeordnet ist und als abstimmbare Kapazität zwei gegeneinander geschaltete Kapazitätsdioden enthält, gekennzeichnet dadurch, daß der gemeinsame Verbindungspunkt der Kapazitätsdioden (14; 15) über einen Koppelkondensator (13) mit der Basis des Transistors (1) über jeweils einen Koppelkondensator (3; 5) mit unterschiedlichen, nachfolgenden Stufen (4; 6) verbunden sind.Oscillator stage with a large frequency variation range, with a transistor in collector circuit, in the base circuit a switchable in two frequency ranges parallel resonant circuit and contains as tunable capacitance two capacitance diodes connected against each other, characterized in that the common connection point of the capacitance diodes (14, 15) via a coupling capacitor ( 13) are connected to the base of the transistor (1) via respective one coupling capacitor (3; 5) with different subsequent stages (4; 6).
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Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention
Die Erfindung betrifft eine Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich und findet in Abstimmstufen von Funkempfangsgeräten Anwendung, beispielsweise In Fernsehempfängern mit Kabeltuner.The invention relates to an oscillator stage with a large frequency variation range and is used in tuning stages of radio receivers application, for example in television receivers with cable tuner.
Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art
Eine bekannte Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich ist im Schaltbild eines Khbeltuners (9/1986) der Fa. Thomson- Brandt dargestellt, in der ein bipolarer Transistor in Basisschaltung Anwendung findet. Nachteilig an dieser Stufe ist neben dem hohen Bauelementeaufwand die Tatsache, daß keine Möglichkeit der Ansteuerung eines Abstimmsystems aus der Oszillatorstufe besteht. Eine Oszillatorstufe mit einem Transistor in Kollektorschaltung besitzt gegenüber anderen Oszillatorschaltungen den Vorteil, daß die Amplitude der Ausgangsspannung über den möglichen Frequenzvariationsbereich nahezu ko .stant ist. Nachteilig ist allerdings der eingeschränkte Bereich der Frequenzvariation. Zur Erzielung eines großen Frequenzvariationsbereiches müssen daher besondere Maßnahmen getroffen werden. Eine bekannte derartige Schaltung wird in der DE-PS 3316881 beschrieben, in der zwei zusätzliche Kapazitätsdioden derart in die Schaltung eingesetzt werden, daß die kapazitive Belastung des Schwingkreises bei jeder Frequenz transformiert wird und eine Vergrößerung des Frequenzvariationsbereiches eintritt. Nachteilig an dieser Schaltungsanordnung ist der relativ hohe Bauelementeaufwand.A known oscillator stage with a large frequency variation range is shown in the diagram of a Khbeltuners (9/1986) of the Fa. Thomson-Brandt, in which a bipolar transistor in the base circuit is applied. A disadvantage of this stage, in addition to the high component cost, the fact that there is no possibility of driving a tuning system from the oscillator stage. An oscillator stage with a transistor in collector circuit has the advantage over other oscillator circuits that the amplitude of the output voltage over the possible frequency variation range is almost ko .stant. However, a disadvantage is the limited range of frequency variation. To achieve a large frequency variation range, therefore, special measures must be taken. A known such circuit is described in DE-PS 3316881, in which two additional capacitance diodes are inserted into the circuit such that the capacitive load of the resonant circuit is transformed at each frequency and an increase in the frequency variation range occurs. A disadvantage of this circuit arrangement is the relatively high component cost.
Ziel der ErfindungObject of the invention
Ziel der Erfindung ist eine Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich, die mit möglichst geringem Bauelementeaufwand realisierbar ist und eine erweiterte und verbesserte Funktionsfähigkeit aufweist.The aim of the invention is an oscillator stage with a large frequency variation range, which can be realized with the least possible expenditure on components and which has an extended and improved functionality.
Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich, mit einem Transistor in Kollektorschaltung, in dessen Basiskreis ein in zwei Frequenzbereiche umschaltbarer Parallelresonanzkreis angeordnet ist und als abstimmbare Kapazität zwei gegeneinander geschaltete Kapazitätsdioden enthält, derart auszubilden, daß der Frequenzvariationsbereich für einen Kabeltuner groß genug ist und mit dem Oszillatorsignal eine rückwirkungsfreie Ansteuerung mehrerer nachfolgender Stufen möglich ist.The invention is based on the object, an oscillator stage with a large frequency variation range, with a transistor in collector circuit, in the base circuit a switchable in two frequency ranges parallel resonant circuit and as a tunable capacitance contains two capacitance diodes connected against each other, such that the frequency variation range for a cable tuner large is enough and with the oscillator signal a feedback-free control of several subsequent stages is possible.
Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß der gemeinsame Verbindungspunkt der Kapazitätsdioden über einen Koppelkondensator mit der Basis des Transistors verbunden ist und der Emitter und Kollektor des Transistors über jeweils einen Koppelkondensator mit unterschiedlichen, nachfolgenden Stufen verbunden sind. Durch die Verbindung der Basis des Transistors mit dem Verbindungspunkt der Kapzitätsdioden wird die von den übrigen Schaltungs- und Bauelementekapazitäten bedingte Einengung des Frequenzvariationsbereiches infolge der kapazitiven Belastung des Schwingkreises gemindert und dadurch der Frequenzvariationsbereich vergrößert. Da die Oszillatorsignale für die nachfolgenden Stufen am Emitter und Kollektor des Transistors entnommen werden, sind sie gegenseitig entkoppelt und stehen auch nicht in unmittelbarer Verbindung mit dem frequenzbestimmenden Teil der Oszillatorstufe.According to the invention this is achieved in that the common connection point of the capacitance diodes is connected via a coupling capacitor to the base of the transistor and the emitter and collector of the transistor via a coupling capacitor with different, subsequent stages are connected. By connecting the base of the transistor to the junction of the capacitance diodes, the constriction of the frequency variation range due to the capacitive loading of the resonant circuit caused by the remaining circuit and component capacitances is reduced, thereby increasing the frequency variation range. Since the oscillator signals are taken for the subsequent stages at the emitter and collector of the transistor, they are mutually decoupled and are not in direct communication with the frequency-determining part of the oscillator stage.
Ausführungsbeispielembodiment
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigtThe invention will be explained in more detail below using an exemplary embodiment. In the accompanying drawing shows
Fig. 1: das Schaltbild der erfindungsgemäßen Oszillatorstufe mit großem Frequenzvariationsbereich.Fig. 1: the circuit diagram of the oscillator stage according to the invention with a large frequency variation range.
In Figur 1 ist der Kollektor des Transistors 1 über den Widerstand 2mit der Schaltungsmasse und über den Koppelkondensator 3 mit der Mischstufe 4 verbunden. Der Emitter des Transistors 1 ist über den Koppelkondensator 5 mit der Frequenzteilerschaltung 6, über den Kondensator 7 mit der Schaltungsmasse und über den Kondensator 8 mit der Basis des Transistors 1 verbunden. Der die Betriebsspannung führende Anschluß 9 ist über den Widerstand 10 an den Emitter und über den Widerstand 11 an die Basis des Transistors 1 angeschlossen, die auch über den Widerstand 12 mit der SchaltungsmasseIn FIG. 1, the collector of the transistor 1 is connected to the circuit ground via the resistor 2 and to the mixer 4 via the coupling capacitor 3. The emitter of the transistor 1 is connected via the coupling capacitor 5 to the frequency divider circuit 6, via the capacitor 7 to the circuit ground and via the capacitor 8 to the base of the transistor 1. The operating voltage leading terminal 9 is connected via the resistor 10 to the emitter and via the resistor 11 to the base of the transistor 1, which also via the resistor 12 to the circuit ground