DD284562A5 - Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen - Google Patents

Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen Download PDF

Info

Publication number
DD284562A5
DD284562A5 DD32890789A DD32890789A DD284562A5 DD 284562 A5 DD284562 A5 DD 284562A5 DD 32890789 A DD32890789 A DD 32890789A DD 32890789 A DD32890789 A DD 32890789A DD 284562 A5 DD284562 A5 DD 284562A5
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
sensor element
monitor
temperature
temperature sensor
laser diode
Prior art date
Application number
DD32890789A
Other languages
English (en)
Inventor
Reinhard Behrendt
Randolf Schliesser
Peter Keppel
Gerhard Spickermann
Peter-Johannes Janietz
Original Assignee
Veb Werk F. Fernsehelektronik,Dd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Veb Werk F. Fernsehelektronik,Dd filed Critical Veb Werk F. Fernsehelektronik,Dd
Priority to DD32890789A priority Critical patent/DD284562A5/de
Publication of DD284562A5 publication Critical patent/DD284562A5/de

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein integriertes Monitorsensorelement zum Nachweis von Strahlungssignalen, sowie zur Temperaturmessung von Lichtemitterdioden- und Laserdiodenmodulen. Sie findet Anwendung bei der Herstellung von Lichtemitter- und Laserdiodenmodulen beliebiger Emissionswellenlaengen. Das Merkmal der Erfindung besteht darin, dasz sich auf dem Chip der Monitorfotodiode neben der fotoelektrisch aktiven Schicht eine weitere Diode, bei der die prinzipiell bekannte Temperaturabhaengigkeit der IU-Kennlinie zur Bestimmung der Temperatur herangezogen wird. Durch ganzflaechige frontseitige Metallisierung des Temperatursensorelementes, Schutz- und Gateringstrukturen gelingt es, eine Beeinflussung des elektrischen Signals des Temperatursensorelementes durch die Strahlung des Emitterbauelementes zu verhindern bzw. minimal zu halten.{integriert; Monitorsensorelement; Monitorfotodiode; fotoelektrisch; aktiv; Schicht; Metallisierung, ganzflaechig, frontseitig; Schutzringe; Gateringstrukturen}

Description

Ausfuhru ng sbeispiel
Die Erfindung soll anhand eines Ausfuhrungsbeispieles naher erläutert werden
Fig 1 zeigt eine typische Vertikalstrukturvanante in Planartechnologie Fig 2 Draufsicht von Fig 1
Ein Keramiktrager 1 mit der Metallisierung fur den äußeren Monitorfotodiodenkontakt 2, der Metallisierung fur den gemeinsamen Chipbasiskontakt 3 sowie der Metallisierung fur den äußeren Temperatursensordiodenkontakt 7 dient als Zwischenträger fur das eigentliche Monitorsensorelement 4 Das Monitorsensorelement 4 besteht aus der monolithischen Integration von Monitorfotodiode 5 und Temperatursensordiode 6 In der Si-Planartechnologie lassen sich beide Dioden besonders einfach realisieren, wobei die Monitorfotodiode 5 und die Temperatursensordiode 6 vom Vertikalstrukturaufbau weitgehend identisch gestaltet sein können Bezüglich der Lateralstruktunerung ist eine ganzflachige Metallisierung 10 der Temperatursensordiode 6, wie sie dank der Isolations- und Passivierungsschicht 9 möglich wird, vorteilhaft Ein diffundierter Channelstopper 11 bietet einen zusätzlichen Schutz gegen fotoelektrisches Übersprechen So wird der Strom durch die Temperatursensordiode 6 nicht durch die Laserstrahlung beeinflußt Bei fester Vorspannung ist der zwischen der Metallisierung fur den äußeren gemeinsamen Chipbasiskontakt 8 und der Metallisierung fur den äußeren Temperatursensordiodenkontakt gemessene Strom eine eindeutige Funktion der Temperatur Die Temperaturmessung kann prinzipiell auch über eine Spannungsmessung ab der mit einem Konstantstrom belasteten Temperatursensordiode 6 erfolgen

Claims (1)

  1. Integriertes Monitor-Sensorelement zum Nachweis von Strahlungssignalen, sowie zur Temperaturmessung von Lichtemitterdioden- und Laserdiodenmodulen, bestehend aus einem geeigneten Halbleitermaterial, gekennzeichnet dadurch, daß auf einem Monitorsensorchip monolithisch eine Fotodiode und ein Temperatursensorelement angeordnet ist, wobei das Temperatursensorelement durch eine Diode gebildet wird, die durch ganzflachige Metallisierung, Schutzringe, Gateelektroden und Channelstopper von fotoelektrisch erzeugten Ladungsträgern abgeschirmt ist
    Hierzu 1 Seite Zeichnungen
    Anwendungsgebiet der Erfindung
    Die Erfindung betrifft eine integrierte Sensoranordnung, speziell zum Nachweis von Strahlungssignalen sowie zur Temperaturmessung
    Hauptanwendungsgebiet ist der Einsatz als Monitorsensorelement in Lichtemitter- und Laserdiodenmodulen
    Charakteristik des bekannten Standes der Technik
    Zur Stabilisierung des Arbeitspunktes von Strahlungsemitterbauelementen werden diese mit Monitorfotodioden sowie mit Peltierkuhlern und Thermistoren komplettiert Fur Anwendungen in der Lichtwellenleiter-Ubertragungstechnik werden diese diskreten Bauelemente mit dem eigentlichen Sendebauelement, der Lichtemitter- oder Laserdiode, in hybridintegrierter Bauform als Sendemodule eingesetzt Der typische Aufbau von Laserdiodenmodulen wird ζ B in der Nachnchtentechnischen Zeitschrift Bd 39(1986) H 5, S 318-323 ausführlich beschrieben Danach ist auf dem Peltierkuhler zunächst ein Zwischenträger aus gut wärmeleitendem Material aufgebracht Auf diesem Zwischenträger sind die Momtorfotodiode, ein Temperatursensor und der Laserdiodenchip montiert Der spektrale Empfindhchkeitsbereich der Monitorfotodiode muß auf die Wellenlange der emittierten Strahlung abgestimmt sein Fur Arbeitswellenlangen um 850nm kommt Silizium als Basismaterial fur die Monitordiode in Anwendung, fur Wellenlangen um 1 300nm bis 1 600nm haben sich Fotodioden aus Ge, InGaAsP oder auch HgCdTe durchgesetzt Alle о g Einzelbestandteile eines Sendemoduls liegen üblicherweise in diskreter Bauform vor und werden nacheinander zum kompletten Laser-oder Lichtemitterdiodenmodul montiert Als diskreter Temperatursensor werden Thermistoren eingesetzt
    Ziel der Erfindung
    Ziel der Erfindung ist ein ökonomisch herstellbares integriertes Monitorsensorelement von hohem Gebrauchswert
    Darlegung des Wesens der Erfindung
    Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Monitorsensorelement, das in Lichtemitter- und Laserdiodensendemodule, sowohl als Monitorfotodetektor als auch als Temperatursensor wirkt, zu realisieren, wobei die Anforderungen von Regelschaltungen fur die Ausgangsleistung und Temperatur von Emitterbauelementen in Sendemodulen angepaßten, monolithisch integrierten Anordnungen berücksichtigt werden
    Erfindungsgemaß wird die Aufgabe dadurch gelost, daß auf dem Monitorfotodiodenchip aus einem der Arbeitswellenlangedes Sendemoduls entsprechenden Halbleitermaterial zusatzlich ein als Temperatursensor wirkendes Bauelement aus dem gleichen oder einem durch epitaktische Abscheidung erzeugten monolithisch verbundenen Material angeordnet ist Erfindungsgemaß befindet sich auf dem Chi ρ der Monitorfotodiode neben der fotoelektrisch aktiven Schicht eine weitere Diode, bei der die prinzipiell bekannte Temperaturabhangigkeit der lU-Kennlime zur Bestimmung der Temperatur herangezogen wird Da in der Mehrzahl der Sendemodulkonstruktionen der Monitorfotodiodenchip und der Lichtemitter- bzw Laserdiodenchip gemeinsam auf einem gut wärmeleitenden Trager angeordnet sind, ist die mittels des integrierten Temperatursensorelementes bestimmte Chiptemperatur des Monitorsensorelementes ein Maß fur die Temperatur des Lichtemitter- bzw Laserdiodenchips Die Anordnung eines weiteren diskreten Temperatursensors, wie ζ B in Form eines Thermistors in den bekannten Sendemodulen, entfallt
    Durch den erfindungsgemaßen konstruktiven technologischen Aufbau, wie ganzflachige frontseitige Metallisierung des Temperatursensorelementes, Schutz- und Gateringstruktur gelingt es, eine Beeinflussung des elektrischen Signals des Temperatursensorelementes durch die Strahlung des Emitterbauelementes zu verhindern bzw minimal zu halten Vorteilhaft ist es, wenn die Monitorfotodiode auf der Basis von Halbleiterheterostrukturen realisiert wird, daß das Temperatursensorelement in einer Halbleiterschicht angeordnet wird deren Energielucke großer als die Photonenenergie der entsprechenden Arbeitswellenlange des monolithisch integrierten Monitorfotodiodenelementes ist Vorteilhaft sind hier die fotoelektrische Unempfindlichkeit und die höhere Temperaturempfmdlichkeit des monolithisch integrierten Temperatursensorelementes
DD32890789A 1989-05-25 1989-05-25 Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen DD284562A5 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32890789A DD284562A5 (de) 1989-05-25 1989-05-25 Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32890789A DD284562A5 (de) 1989-05-25 1989-05-25 Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD284562A5 true DD284562A5 (de) 1990-11-14

Family

ID=5609407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD32890789A DD284562A5 (de) 1989-05-25 1989-05-25 Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD284562A5 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3339888B1 (de) Lichtempfänger mit einer vielzahl von lawinenphotodiodenelementen im geiger-modus und verfahren zur temperaturkompensation
CN113410314B (zh) 静电放电防护结构
US4366377A (en) Dual sensitivity optical sensor
US8598673B2 (en) Low-noise large-area photoreceivers with low capacitance photodiodes
US4213138A (en) Demultiplexing photodetector
DE102017113023A1 (de) Thermopile Infrarot Einzelsensor für Temperaturmessungen oder zur Gasdetektion
DE102006040790A1 (de) Reflexkoppler mit integriertem organischen Lichtemitter
US3229106A (en) Method of modulating light with intrinsic semiconductor device and electrical signal modulator employing such device
US4605943A (en) Composite optical semiconductor device
US5519247A (en) Detector circuit with a semiconductor diode operating as a detector and with an amplifier circuit integrated with the diode
US4323911A (en) Demultiplexing photodetectors
DE102014211905B4 (de) Halbleitervorrichtung geeignet zur Detektion einer Temperatur eines Halbleiterbauelements mit breiter Bandlücke
CN113310576B (zh) 基于半导体光电二极管的高集成度光谱探测系统
DE112019003270T5 (de) Umgebungslichtdetektor, detektoranordnung und verfahren
DE3732626C2 (de)
DD284562A5 (de) Integriertes monitorsensorelement zum nachweis von strahlungssignalen, sowie zur temperaturmessung von lichtemitter- und laserdiodenmodulen
CN100499173C (zh) Pin光电检测器
EP0083986A2 (de) Mehrfarbige Bildaufnahmeeinrichtung
EP0002694B1 (de) Strahlungsdetektor
DE3135945C2 (de)
JPS646547B2 (de)
WO1995020751A1 (de) Temperatursensor
US3809953A (en) Method of and device for controlling optical conversion in semiconductor
EP3171464A1 (de) Vorrichtung zur dämpfung und überwachung von emissionen aus lichtemittierenden vorrichtungen
Brown et al. Monolithically integrated 1× 12 array of planar InGaAs/InP photodiodes

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee