DD278041A3 - Arrangement for measuring smallest capacity changes - Google Patents

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DD278041A3
DD278041A3 DD30876487A DD30876487A DD278041A3 DD 278041 A3 DD278041 A3 DD 278041A3 DD 30876487 A DD30876487 A DD 30876487A DD 30876487 A DD30876487 A DD 30876487A DD 278041 A3 DD278041 A3 DD 278041A3
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Otwin Breitenstein
Ekkehard Heinze
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Akad Wissenschaften Ddr
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    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605Measuring capacitance

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  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Messanordnung, mit der kleinste Aenderungen einer Kapzitaet gemessen werden koennen. Bevorzugtes Einsatzgebiet ist die Kapazitaetsspektroskopie tiefer Stoerstellen in Halbleitern (DLTS-Methode), bei der kleine Kapazitaetsaenderungen in Halbleiterproben nach dem Anlegen steilflankiger Vorspannungsimpulse Aufschluss ueber Verunreinigungen im Material geben. Die Anordnung zeichnet sich gegenueber bisherigen hochempfindlichen Anordnungen durch die Moeglichkeit des elektronischen Brueckenabgleichs und durch eine kurze Relaxationszeit nach Vorspannungsimpulsen aus, wodurch eine Erweiterung der Messmoeglichkeiten, Verkuerzung des Messvorganges und Verringerung des Bedienungsaufwandes erreicht wird. Das Messobjekt 3 ist dabei Teil eines LC-Parallelresonanzkreises, wobei erfindungsgemaess am Anschluss des HF-Signalgenerators 1 ein mindestens dreifach-Balun-Uebertrager 2 mit zusammengeschalteten Primaer- und getrennten Sekundaerwicklungen liegt, wobei die erste Sekundaerwicklung mit dem Messobjekt 3, die zweite Sekundaerwicklung mit der Kapazitaetsdiode 5 und die dritte Sekundaerwicklung mit der Kreisinduktivitaet 7 verbunden ist, und die jeweils anderen Anschluesse der Sekundaerwicklungen HF-maessig auf Masse gelegt sind. Figur.The invention relates to a measuring arrangement, with the smallest changes of Kapzitaet can be measured. The preferred field of application is the capacitance spectroscopy of deep perturbations in semiconductors (DLTS method), in which small changes in capacitance in semiconductor samples give rise to impurities in the material after the application of steep edge bias impulses. The arrangement is distinguished from previous highly sensitive arrangements by the possibility of electronic bridge equalization and by a short relaxation time after bias pulses, whereby an extension of the measurement possibilities, shortening of the measuring process and reduction of operating effort is achieved. The measuring object 3 is part of an LC parallel resonant circuit, wherein according to the invention at the connection of the RF signal generator 1 is at least a triple balun transformer 2 with interconnected Primaer- and separate Sekundaerwicklungen, wherein the first secondary development with the measurement object 3, the second secondary development with the capacitance diode 5 and the third secondary winding is connected to the Kreisinduktivitaet 7, and the other terminals of the secondary windings are moderately RF grounded. Figure.

Description

Da die parallel zur Probe liegende Induktivität gleichstrommäßig durch einen Kondensator abgeblockt werden muß, entsteht dadurch ein parasitärer Serien-Resonanzkreis hoher Güte, der von den Vorspannungsimpulsen mit angeregt wird. Da sich dieser Kreis nicht wie der eigentliche Probenkreis durch temporären Kurzschluß am Vorverstärker-Eingang bedampfen läßt, führt dieser Effekt zu einem störenden Signal am Brückenausgang nach dem Anlegen von Vorspannungsimpulsen. Ein weiterer Nachteil besteht in der Schwierigkeit der Realisierung einer elektronischen Brückenabstimmung. Elektronisch regelbare Induktivitäten hoher Güte sind im MHz-Bereich nur schwer realisierbar. Die in der DD-PS 202764 vorgeschlagene Brückenabst'mmung über die Vorspannung der Probe hat nur eine begrenzte Einsatzfähigkeit, da man im allgemeinen die Brücke auch unabhängig von der Probenvorspannung abstimmen will. Die eigentlich naheliegende elektronische Abstimmung durch eine der Probe HF-mäßig parallelgeschaltete Kapazitätsdiode ist ebenfalls nicht uneingeschränkt realisierbar, da Vorspannungsimpulse an der Probe hier auch stets mit ander Kapazitätsdiode liegen würden. Dabei läßt es sich nicht prinzipiell vermeiden, daß während des Impulses Strom über die Kapazitätsdiode fließt, wodurch sich nach dem Impuls deren Vorspannung und damit auch der Brückenabgleich unkontrolliert ändern kann.Since the inductance lying parallel to the sample has to be blocked by a capacitor in terms of DC current, this produces a high-quality parasitic series resonant circuit, which is also excited by the bias pulses. Since this circuit can not be vaporized at the preamplifier input like the actual sample circuit by a temporary short circuit, this effect leads to a disturbing signal at the bridge output after the application of bias pulses. Another disadvantage is the difficulty of realizing electronic bridge tuning. Electronically controllable high-quality inductors are difficult to realize in the MHz range. The proposed in DD-PS 202764 Brückenab Stungsung on the bias of the sample has only a limited use, since you want to tune the bridge in general, regardless of the sample bias. The actually obvious electronic tuning by a sample HF-moderately parallel connected capacitance diode is also not fully feasible, since bias pulses on the sample would always be here with other capacitance diode. It can not be avoided in principle that during the pulse current flows through the capacitance diode, which can change uncontrollably after the pulse whose bias and thus the bridge balance.

Ziel dor ErfindungAim of the invention

Ziel der Erfindung ist es, eine hochempfindliche Anordnung zur Messung kleinster Kapazitätsänderungen von Proben anzugeben, die mit steilflankigen Vorspannungsimpulsen beaufschlagt werden, die im Vergleich zu bekannten Anordnungen eine Erweiterung der Meßmöglichkeiten und eine Verkürzung des Meßvorgange j erlaubt sowie einen geringeren Bauelemente- und Bedienungsaufwand erfordert.The aim of the invention is to provide a highly sensitive arrangement for measuring the smallest capacitance changes of samples which are acted upon by steep-sided bias pulses, which allows in comparison to known arrangements an extension of the measurement possibilities and a shortening of the measurement j and requires a lower component and operating costs.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bewährte Parallelresonanz-Brückenanordnung zu einer Anordnung weiterzuentwickeln, die sich durch kurze Relaxationszeit nach Anlegen steilflankiger Vorspannungsimpulse an die Probe (Meßobjekt) und durch die Möglichkeit des elektronischen Abgleiche unabhängig von der Probenvorspannung auszeichnet. Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung zur Messung kleinster Kapazitätsänderungen, vorzugsweise für den Einsatz in der Kapazitätsspektroskopie von Halbleitern, bei der das mit einer Vorspannung beaufschlagte Meßobjekt, eine Kapazitätsdiode und eine Kreisinduktivität einseitig miteinander verbundene Elemente eines auf die Meßfrequenz abgestimmten Resonanzkreises zwischen dem Anschluß des HF-Signalgenerators und dem Eingang des HF-Vorverstärkers sind, dessen Wirkwiderstand durch eine zur Speisespannung des Resonanzkreises entgegengesetzt gepolte steuerbare HF-Stromquelle kompensiert wird; und bei der die Eingangskapazität des Vorverstärkers und Streukapazitäten gegen Masse mit einer zweiten Induktivität zwischen Eingang des VorverstärKers und Masse kompensiert sind gelöst, wobei erfindungsgemäß am Anschluß des HF-Signalgenerators 1 ein mindestens Dreifach-Balun-Übertrager 2 mit zusammengeschalteten Primär- und getrennten Sekundärwicklungen liegt, wobei die erste Sekundärwicklung mit dem Meßobjekt 3, die zweite Sekundärwicklung mit der Kapazitätsdiode 5 und die dritte Sekundärwicklung mit der Kreisinduktivität 7 verbunden ist, und die jeweils anderen Anschlüsse der Sekundärwicklungen HF-mäßig auf Masse gelegt sind.The invention has for its object to further develop the proven parallel resonant bridge arrangement to an arrangement that is characterized by short relaxation time after applying steep edge bias pulses to the sample (DUT) and the possibility of electronic balancing regardless of the sample bias. This object is achieved by an arrangement for measuring smallest capacity changes, preferably for use in the capacitance spectroscopy of semiconductors, in which the biased voltage, a capacitance diode and a circular inductance one-sided interconnected elements of a tuned to the measuring frequency resonant circuit between the terminal of the HF Signal generator and the input of the RF preamplifier whose effective resistance is compensated by an opposite polarity to the supply voltage of the resonant circuit controlled RF power source; and in which the input capacitance of the preamplifier and stray capacitances to ground are compensated with a second inductance between the input of the preamplifier and ground, according to the invention at the terminal of the RF signal generator 1 is at least a triple balun transformer 2 with interconnected primary and separate secondary windings , Wherein the first secondary winding is connected to the DUT 3, the second secondary winding to the capacitance diode 5 and the third secondary winding to the circular inductance 7, and the respective other terminals of the secondary windings are grounded to ground RF.

Mit Vorteil stellt eine vierte Sekundärwicklung, die in zu den übrigen Wicklungen entgegengesetzter Polung mit einem Anschluß an Masse liegt und mit dem zweiten über einen elektronisch steuerbaren Widerstand 8 mit dem Eingang des HF-Vorverstärkers 9 verbunden ist, die steuerbare HF-Stromquelle dar. Zur Erzielung des gewünschten Effektes ist es nötig, daß die Spannungen für das Meßobjekt und die Kapazitätsdiode niederohmig an die entsorechenden Anschlüsse gelegt sind, so daß HF-mäßig dort ein Kurzschluß gegen Masse realisiert ist. Nur dann können die Sekundäranschlüsse mit den Elementen des Probenkreises HF-mäßig als miteinander kurzgeschlossen angesehen werden und die Anordnung ist HF-mäßig der bekannten Parallelresonanz-Anordnung äquivalent. Durch die Möglichkeit der getrennten Zuführung der Vorspannung für das Meßobjekt und die Kapazitätsdiode und durch den Wegfall des Abblockkondensators an der Kreisinduktivität treten jedoch dieser gegenüber keine Nachteile mehr beim Anlegen steilflankiger Vorspannungsimpulse an das Meßobjekt auf, wenn in bekannter Weise während und eine gewisse Zeit nach dem Impuls der Eingang des HF-Vorverstärkers elektronisch kurzgeschlossen wird. Die Notwendigkeit der Kompensation des Verlustanteils ergibt sich aus der Forderung naoh hoher Empfindlichkeit der Anordnung, die eine hohe Verstärkung des HF-Vorverstärkers zur Voraussetzung hat, mit der dieser übersteuerungsgefährdet ist. Durch die getrennte Kompensation von Grundkapazität und Verlustantci! läßt sich - zumindest für die Meßfrequenz - die HF-Spannung am Eingang des HF-Vorverstärkers auch bei größerer Meßobjektkapazität exakt auf Null abgleichen.Advantageously, a fourth secondary winding, which is connected to the other windings of opposite polarity with one terminal to ground and is connected to the second via an electronically controllable resistor 8 to the input of the RF preamplifier 9, the controllable RF power source Achieving the desired effect, it is necessary that the voltages for the DUT and the capacitance diode are placed low resistance to the entsorechenden connections, so that HF-moderately there is realized a short circuit to ground. Only then can the secondary connections with the elements of the sample circuit be considered to be HF-moderately shorted together and the arrangement is HF-equivalent to the known parallel resonance arrangement. Due to the possibility of separate supply of the bias voltage for the DUT and the capacitance diode and the elimination of Abblockkondensators on the circular inductance but this no longer disadvantages when applying steep-edged bias pulses to the DUT, if in a known manner during and a certain time after the Pulse the input of the RF preamplifier is electronically shorted. The need for compensation of the loss component results from the requirement of high sensitivity of the arrangement, which requires a high gain of the RF preamplifier with which it is overdrive at risk. Due to the separate compensation of basic capacity and loss antic! can be - at least for the measuring frequency - the RF voltage at the input of the RF preamplifier even with larger Meßobjektkapazität exactly equal to zero.

Ausführungsbeispielembodiment

In der Zeichnung ist die erfindungsgemäße Anordnung in einer zweckmäßigen Ausführung dargestellt. Der Vierfach-Balun-Übertrager 2 ist mit parallelgeschalteten, mit dem HF-Signalgenerator 1 verbundenen Primärwicklungen und getrennten Sekundärwicklungen ausgeführt. Die Vorspannung für das Meßobjekt 3 wird über einen Impedanzwandler 4 zugeführt, der ausgangsseitig den erforderlichen HF-Kurzschluß realisiert. Da an die Kapazitätsdiode 5 keine steilflankigen Impulse gelegt wsrden müssen, ist dort der HF-Kurzschluß durch einen Kondensator 6 realisiert. Der entsprechende Anschluß für die Kreisinriuktivität 7 liegt direkt an Masse. Die Sekundärwicklung zur Kompensation des Verlustanteiles ist so beschaltet, daß über einen f lektronisch steuerbaren Widerstand 8 ein 180° phasenverschobener HF-Strom parallel zum Meßobjekt dam Eingang des HF-Vorverstärkers 9 zugeführt wird. Dessen Eingangskapazität und Streukapazitäten gegen Masse werden von einer zweiten Induktivität 10 kompensiert. Um eine kurze Relaxationszeit nach Vorspannungsimpulsen zu erreichen, ist in bekannter Weise ein elektronischer Schalter 11 vorgesehen, der während und eine gewisse Zeit nach dem Impuls den Eingang des HF-Vorverstärkers 9 kurzschließt. Das HF-Ausgangssignal Ua des Vorverstärkers 9 ist dann in üblicher Weise mit einem phasenempfindlichen Gleichrichter verbunden, der das der Kapazitätsänderung des Meßobjekts 3 proportionale Signal liefert.In the drawing, the arrangement according to the invention is shown in an expedient embodiment. The quad balun transformer 2 is designed with parallel-connected, connected to the RF signal generator 1 primary windings and separate secondary windings. The bias voltage for the measurement object 3 is supplied via an impedance converter 4, which implements the required RF short-circuit on the output side. Since no steep-angle pulses need to be applied to the capacitance diode 5, the HF short-circuit is implemented there by a capacitor 6. The corresponding connection for the Kreisinriuktivität 7 is directly connected to ground. The secondary winding to compensate for the loss component is connected so that a 180 ° phase-shifted RF current is fed parallel to the object under test dam input of the RF preamplifier 9 via a f electronically controllable resistor 8. Its input capacitance and stray capacitances to ground are compensated by a second inductor 10. In order to achieve a short relaxation time after bias pulses, an electronic switch 11 is provided in known manner, which shorts the input of the RF preamplifier 9 during and a certain time after the pulse. The RF output signal Ua of the preamplifier 9 is then connected in the usual way with a phase-sensitive rectifier, which provides the capacitance change of the measuring object 3 proportional signal.

Claims (2)

1. Anordnung zur Messung kleinster Kapazitätsänderungen, vorzugsweise für den Einsatz in der Kapazitätsspektroskopie von Halbleitern, bei der das mit einer Vorspannung beaufschlagte Meßobjekt, eine Kapazitätsdiode und eine Kreisinduktivität einseitig miteinander verbundene Elemente eines auf die Meßfrequenz abgestimmten Resonanzkreises zwischen dem Anschluß des HF-Signalgenerators und dem Eingang des HF-Vorverstärkers sind, dessen Wirkwiderstand durch eine zur Speisespannung des Resonanzkreises entgegengesetzt gepolte steuerbare HF-Stromquelle kompensiert wird, und bei der die Eingangskapazität des Vorverstärkers und Streukapazitäten gegen Masse mit eher zweiten Induktivität zwischen Eingang des Vorverstärkers und Masse kompensiert sind, gekennzeichnet dadurch, daß am Anschluß des HF-Signalgenerators (1) ein mindestens Dreifach-Balun-Übertrager (2) mit zusammengeschalteten Primär- und getrennten Sekundärwicklungen liegt, wobei die erste Sekundärwicklung mit dem Meßobjekt (3), die zweite Sekundärwicklung mit der Kapazitätsdiode (5) und die dritte Sekundärwicklung mit der Kreisinduktivität (7) verbunden ist, und die jeweils anderen Anschlüsse der Sekundärwicklungen HF-mäßig auf Masse gelegt sind.1. Arrangement for measuring the smallest capacitance changes, preferably for use in the capacitance spectroscopy of semiconductors, wherein the biased voltage to a test object, a capacitance diode and a circular inductance one-sided interconnected elements of a tuned to the measuring frequency resonant circuit between the terminal of the RF signal generator and the input of the RF preamplifier, the effective resistance of which is compensated by an oppositely poled getrolled to the supply voltage of the resonant circuit controllable RF power source, and in which the input capacitance of the preamplifier and stray capacitances to ground are compensated with rather second inductance between the input of the preamplifier and ground, characterized in that at the terminal of the RF signal generator (1) is at least a triple balun transformer (2) with interconnected primary and separate secondary windings, wherein the first secondary winding with the Me object (3), the second secondary winding with the capacitance diode (5) and the third secondary winding to the circuit inductance (7) is connected, and the respective other terminals of the secondary windings are RF-grounded. 2. Anordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß eine vierte Sekundärwicklung, die in zu den übrigen Wicklungen entgegengesetzter Polung mit einem Anschluß an Masse liegt und mit dem zweiten über einen elektronisch steuerbaren Widerstand (8) mit dem Eingang des HF-Vorverstärkers (9) verbunden ist, die steuerbare HF-Stromquelle darstellt.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that a fourth secondary winding which is in opposite to the other windings of opposite polarity with a terminal to ground and the second via an electronically controllable resistor (8) to the input of the RF preamplifier (9 ), which is controllable RF power source. Hierzu 1 Seite ZeichnungFor this 1 page drawing Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention Die Erfindung betrifft eine Meßanordnung, mit der kleinste Änderungen einer Kapazität gemessen werden können. Bevorzugtes Einsatzgebiet ist die Kapazitätsspektroskopie tiefer Störstellen in Halbleitern (DLTS-Methode), bei der kleine Kapazitätsänderungen in Halbleiterproben nach dem Anlegen steilflankiger Vorspannungsimpulse Aufschluß über Verunreinigungen im Material geben. Sie kann vorteilhaft bei der örtlich auflösenden Raster-Kapazitätsspektroskopie (Scanning-DLTS) und bei der Untersuchung von Störstellen in besonders niedrigen Konzentrationen bzw. in sehr kleinen Probenstrukturen eingesetzt werden.The invention relates to a measuring arrangement with which smallest changes in a capacitance can be measured. The preferred field of application is the capacitance spectroscopy of deep defects in semiconductors (DLTS method), in which small changes in capacitance in semiconductor samples after the application of steep edge bias pulses give information about impurities in the material. It can be used advantageously in the spatially resolving raster capacitance spectroscopy (scanning DLTS) and in the investigation of impurities in particularly low concentrations or in very small sample structures. Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art Zur Umwandlung einer Kapazitätsänderung in ein Spannungssignal können entweder mit einem HF-Signul fester Frequenz gespeiste Meßbrücken verwendet werden, oder die Probe ist Teil einer Oszillatorschaltuiig, deren Ausgangssignal einem Frequenzdiskriminator zugeführt wird. Eine derartige FM-Anordnung wurde z. B. in der DD-PS 200267 beschrieben. Sie hat bei guter Empfindlichkeit insbesondere den Vorteil einer leichten automatischen Abstimmung der Probenkapazität. Sie ist jedoch zur Untersuchung sehr kleiner Kapazitäten nur bedingt geeignet, da sich bei ihr sämtliche Streukapazitäten gegen Masse zur Probenkapazität addieren. Üblicherweise wird jedoch für diese Meßaufgabe, die z. B. bei der Kapazitätsspektroskopie tiefer Störstellen in Halbleitern (DLTS) auftritt, eine mit einem HF-Signal gespeiste zweiarmige Meßbrücke verwandt, wobei der eine Zweig die Probe darstellt und der andere Zweig eine einstellbare Impedanz in der Größenordnung der Probenimpedanz ist. Da beide Zweige um 180' phasenverschoben gespeist weiden, liegt am Kreuzungspunkt im abgeglichenen Zustand keine HF-Spannung an. Kleine Kapazitätsänderungen der Probe führen dort zu einer HF-Spannung, die nach Verstärkung und phasenempfindlicher Gbichrichtung das gewünschte Ausgangssignal darstellt (D.V.Lang, J. Appl. Phys. 45,3023 [1974]). Zur Verringerung der Relaxationszeit nach einem Vorspannungsimpuls ist es nach der DD-PS 226420 für solch eine Anordnung bekannt, den Eingang des Vorverstärkers während und eine gewisse Zeit nach dem Impuls durch einen FET-Schalter kurzzuschließen. Diese Anordnung ist bezüglich der Empfindlichkeit jedoch nicht optimal, da die Probe selbst die Lastimpedanz für die Kapazitätsänderung darstellt, wodurch das HF-Signal am Vorverstärkereingang relativ klein bleibt. Eine gewisse Verbesserung bringt ein Serien-Resonanzkreis zwischen dem Brückenmittelpunkt und Masse, an dessen hochohmigen Punkt der Vorverstärker angeschlossen ist, wie dies z. B. bei kommerziellen C-Meßbrücken für Halbleiteruntersuchungen angewandt wird (Firmenprospekt der C-Meßbrücke Boonton model 72 B). Der Haupteffekt dieser Maßnahme ist jedoch eine Verbesserung der Linearität der Anordnung über einen weiten Kapazitätsbereich.To convert a capacitance change into a voltage signal, either measuring bridges fed with a fixed-frequency RF signal can be used, or the sample is part of an oscillator circuit whose output signal is fed to a frequency discriminator. Such an FM arrangement was z. B. in DD-PS 200267 described. With good sensitivity, it has the particular advantage of easy automatic tuning of the sample capacity. However, it is only conditionally suitable for investigating very small capacities, since all the stray capacitances for mass are added to the sample capacity. Usually, however, for this measurement task, the z. B. in capacitance spectroscopy deep defects in semiconductors (DLTS) occurs, a fed with an RF signal two-arm measuring bridge, wherein one branch is the sample and the other branch is an adjustable impedance on the order of the sample impedance. Since both branches are fed 180 ° out of phase, there is no RF voltage at the crossing point in the balanced state. Small changes in the capacitance of the sample lead to an HF voltage which represents the desired output signal after amplification and phase-sensitive direction (D.V.Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 [1974]). For reducing the relaxation time after a bias pulse, it is known from DD-PS 226420 for such an arrangement to short-circuit the input of the preamplifier during and some time after the pulse through a FET switch. However, this arrangement is not optimal in terms of sensitivity because the sample itself is the load impedance for the capacitance change, leaving the RF signal at the preamplifier input relatively small. A certain improvement brings a series resonant circuit between the bridge center and ground at the high-impedance point of the preamplifier is connected, as z. B. is used in commercial C-bridges for semiconductor investigations (company brochure of C-bridge Boonton model 72 B). However, the main effect of this measure is an improvement in the linearity of the device over a wide capacitance range. Die höchsten Empfindlichkeiten wurden bisher von LC-Brücken erreicht, bei denen die Probenimpedanz Teil eines Parallel-Resonanzkreises ist, an den der Vorverstärker rauschangepaßt angekoppelt ist. Solch eine Lösung, die mit einer Kompensationskapazität und einem HF-Transformator zur 180°-Phasendrehung des Kompensationsstromes arbeitet, wird von Misrachi und Mitarbeitern beschrieben (J. Phys. E13,1055 (198O]). Sie hat jedoch den Nachteil, daß die Probenkapazität an zwei Stellen, an der Kompensationskapazität und der Kreisinduktivität, abgeglichen werden muß. Eine verbesserte Version, die mit einer Kompensationsinduktivität durch die Realisierung eines Systems zweier gekoppelter Parallelschwingkreise arbeitet, ist in der DD-PS 202764 dargelegt. Diese Lösung hat jedoch Nachteile, wenn steilflankige Vorspannungsimpulse an die Probe gelegt werden sollen und Wert auf eine kurze Relaxationszeit der Anordnung gelegt wird, wie das bei der DLTS-Technik gefordert wird.The highest sensitivities have so far been achieved by LC bridges, where the sample impedance is part of a parallel resonant circuit to which the preamplifier is noise-matched. Such a solution using a compensation capacitance and RF transformer for 180 ° phase rotation of the compensation current is described by Misrachi and co-workers (J. Phys., E13, 1055 (198O).) However, it has the disadvantage that the sample capacity An improved version, which works with a compensation inductance through the realization of a system of two coupled parallel resonant circuits, is set out in DD-PS 202764. However, this solution has drawbacks when dealing with steep edges Biasing impulses are to be applied to the sample and emphasis placed on a short relaxation time of the arrangement, as required by the DLTS technique.
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