DD244671A1 - FLEXIBLE, HYBRID INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf eine flexible hybridintegrierte Schaltungsanordnung, in der in ueberwiegender Zahl Halbleiter- und/oder Festkoerperschaltungselemente auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat angeordnet sind. Ziel und Aufgabe der Erfindung ist es, fuer hybridintegrierte Schaltungsanordnungen eine durchgaengige Anordnung eines geschmeidigen, biegsamen Traegers zu entwickeln, der hinsichtlich der Biegewechselfestigkeit, der Abwandlungsfaehigkeit der Fuehrung im Raum und der Fuegbarkeitsmoeglichkeiten der Anschlusselektroden auf Klemmen, Kleben, Loeten und Drahtbonden usw. eine hohe Qualitaet und Zuverlaessigkeit waehrend der Fertigung als auch im Betrieb gewaehrleistet. Die erfindungsgemaesse Anordnung ist derart ausgefuehrt, dass auf der unbestueckten Seite des durchgaengigen geschmeidigen Traegers, bestehend aus organischen Kunstharzverbindungen, eine zusaetzliche aeussere mechanische Armierung aus einem zunaechst formbaren, dann aber festen, starren, dehnungsarmen Material unloesbar und enganliegend angebracht ist. Die Armierung hat erfindungsgemaess eine einheitliche gestreckte Gestalt, die sich unter den Kontaktstellen der Feindrahtbruecken der Halbleiterplaettchen und/oder Festkoerperelemente befindet. Anwendungsgebiete der Erfindung sind opto-, foto-, thermo-, piezo- oder reinelektronische Systeme der Mikroelektronik.The invention relates to a flexible hybrid integrated circuit arrangement in which in overwhelming numbers semiconductor and / or Festkoerperschaltungselemente are arranged on a common insulating substrate. The aim and the object of the invention is to develop a continuous arrangement of a flexible, flexible carrier for hybrid integrated circuit arrangements, with respect to the flexural fatigue, the Abwandlungsfaehigkeit the leadership in space and the Fuegbarkeitsmoeglichkeiten the terminal electrodes on terminals, gluing, soldering and wire bonding, etc. a high Ensuring quality and reliability during production as well as during operation. The inventive arrangement is carried out such that on the unpublished side of the continuous supple strainer consisting of organic synthetic resin compounds, an additional external mechanical reinforcement of an initially malleable, but then solid, rigid, low-expansion material is attached unloesbar and tight. According to the invention, the reinforcement has a uniform, elongated shape which is located under the contact points of the fine wire bridges of the semiconductor plaques and / or solid state elements. Fields of application of the invention are opto, photo, thermo, piezo or purely electronic systems of microelectronics.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine flexible, hybridintegrierte Schaltungsanordnung, in der in überwiegender Zahl Halbleiter- und/oder Festkörperschaltungselemente auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat angeordnet sind und das mit Zuleitungen und Anschlüssen für den Betrieb versehen ist*The invention relates to a flexible, hybrid-integrated circuit arrangement in which a predominant number of semiconductor and / or solid-state circuit elements are arranged on a common insulating substrate and which is provided with supply lines and connections for operation.
Objekt der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung aus einer Anzahl von Halbleiterplättchen mit sehr verschiedenen physikalischen Funktionen, die in opto-, foto-, thermo-, piezo- oder reinelektronischen Systemen Anwendung finden. Vorrangig werden Halbleiter- oder Festkörperelemente als reinelektronische Funktionsgruppe mit Halbleiter- oder Festkörperelementen mit nicht reinelektronischer Funktion, wie der Emission oder dem Ansprechen auf Licht, Temperaturdifferenzen, mechanische Spannungsänderung usw. hybridintegriert verknüpft.Object of the invention is a circuit arrangement of a number of semiconductor chip with very different physical functions, which find application in opto, photo, thermo, piezo or purely electronic systems. Primarily semiconductor or solid state elements are linked as a purely electronic functional group with semiconductor or solid state elements with non-purely electronic function, such as the emission or the response to light, temperature differences, mechanical voltage change, etc. hybridintegriert.
Anwendungsgebiete der Schaltungsanordnungen sind Lichtemitteranzeigen aus Lichtemitterplättchen, Flüssigkristallanzeigen mit Lichtemitterplättchenbeleuchtung in vielsteiliger oder ein- bis mehrzelliger Balken- oder Punktmatrixstruktur für kompakte, gutauflösende Informationsdisplaymodule in energiesparenden, beleuchtungsunabhängigen Digital- und Analoganzeigen.Fields of application of the circuit arrangements are light emitter displays of light emitter platelets, liquid crystal displays with light emitter platelet illumination in multi-part or single-cell or multicellular bar or dot matrix structures for compact, high-resolution information display modules in energy-saving, lighting-independent digital and analog displays.
Weitere Anwendungsgebiete sind Wandler-, Detektor- und Sensoranordnungen aller Art für Lichtsignale, Infrarotstrahlung, Schallwellen usw. in Baugruppen der Signalübertragung und -verarbeitung wie der Nachrichtentechnik, in Optokoppler arrays für die Prozeßsteuerung in Maschinen des Werkzeugbaus und der Haushaltselektronik.Further applications are transducer, detector and sensor arrangements of all kinds for light signals, infrared radiation, sound waves, etc. in modules of signal transmission and processing such as telecommunications, in optocoupler arrays for process control in machines of tool making and household electronics.
Allen monolithisch integrierten Schaltungen mit Kombinationen sehr verschiedener Funktionen wie z.B. der Einbau lumineszenzfähiger Halbleiter in integrierte Siliziumschaltkreise nach der US-PS 4069492 und 3935050 oder in LED Matrix CSI-Speicherschaltkreis-Sandwichestruktur nach der US-PS 4039890 bzw. den Ladungsgesteuerten Anzeigen nach den US-PS 3973136 und 4127 792 ist eigen, daß die Ausgangskristalle nicht ohne weiteres bis zu für die Einsatzwecke akzeptablen Dimensionen gezogen werden können.All monolithic integrated circuits with combinations of very different functions, e.g. the incorporation of luminescent semiconductors into integrated silicon circuits according to US Pat. Nos. 4,069,492 and 3,933,050, or to LED matrix CSI memory circuit sandwich structure according to US Pat. No. 4,039,890 or the charge-controlled displays according to US Pat. Nos. 3,973,136 and 4,127,792, is characteristic in that the starting crystals can not be readily drawn up to acceptable dimensions for the purpose.
Werden die in Scheiben vorgefertigten Träger der physikalischen Funktionen in Streifen nach der US-PS 3800177 oder in einzelne Plättchen nach der DE-OS 2 263 645 zerlegt und auf einem Substrat aus Keramik, wie in der Zeitschrift Proceedings of the IEEE Vol.60 (1972) 2, S. 215 angegeben, oder auf einer transparenten Frontglasplatte in Abständen angeordnet, lassen sich größere und matrixartige Anordnungen aufbauen.Are the slices prefabricated carriers of the physical functions in strips according to US-PS 3800177 or into individual platelets according to DE-OS 2 263 645 disassembled and on a substrate made of ceramic, as in the journal Proceedings of the IEEE Vol.60 (1972 ) 2, p. 215, or arranged at intervals on a transparent front glass panel, larger and matrix-like arrangements can be constructed.
Die Vielzahl der Halbleiterplättchen wird auf Bondinseln von Leiterbahnen auf dem starren Substrat angeklebt und unter Anwendung der normalen Drahtbondtechnik hybridintegriert.The plurality of dies are adhered to bond pads of wirings on the rigid substrate and hybrid integrated using the normal wire bonding technique.
Neben den starren ebenen oder profilierten Keramik-Zwischenträgern, die z.B. im Handbook of electronic packaging von C. E. Harper (1969) S. 9/39 beschrieben sind, erscheinen am Anfang der siebziger Jahre als Basismaterialien für flexible Verdrahtungen Polyesterfolien, deren Eigenschaften in der Zeitschrift Fernmeldetechnik 12 (1972) 2, S.57-63 zusammengefaßt sind.Besides the rigid planar or profiled ceramic subcarriers, e.g. in the Handbook of electronic packaging by CE Harper (1969) p. 9/39 described, appear at the beginning of the seventies as base materials for flexible wiring polyester films whose properties in the journal Telecommunications 12 (1972) 2, p.57-63 summarized are.
Zunächst werden diese flexiblen Leiterplatten gemäß den DE-AS 2113613, DE-OS 2831984 und US-PS 4018496 als Verbinder zwischen herkömmlichen, starren Leiterplatten benutzt.First, these flexible printed circuit boards are used according to DE-AS 2113613, DE-OS 2831984 and US-PS 4018496 as a connector between conventional rigid circuit boards.
Aus der DD-PS 155496 ist die Integration von einzelnen umhüllten diskreten oder monolithisch integrierten Bauelementen zu Schaltungen und Systemen auf derartigen flexiblen Leiterplatten bekannt. Hier wie bei der Funktionskombination auf starren Leiterplatten nach der US-PS 4316235 erfolgt die Montage durch Lötprozesse oder durch Kleben und ist für Reparaturen gut zugänglich, erfordert allerdings sehr viel Raum und kann bei der Verbesserung der Packungsdichte kaum Vorteile bringen. Mit der Filmträgerbondtechnik nach den Druckschriften US-PS 3724068, US-PS 3763404, US 3976906, US-PS 4151 543, US-PS 4177519, Electronics (1975) 25.12, S.61-68 Solid state technology (1979) H.3, S.52-55 und (1977) Heft3, S.33-38 wird eine Frontseitenverbindungskonstruktion für Halbleiterplättchen mit Leiterbahnen der flexiblen Leiterplatte geschaffen. Dabei werden die freitragenden Enden einer metallischen Leiterbahn derflexiblen Leiterplatte auf dem Halbleiterplättchen mittels Druck und Wärme befestigt. Der vorteilhaften Simultankontaktierung aller Frontseitenkontakte des Halbleiterplättchens steht der erhöhte Vorbereitungsaufwand der Halbleiterplättchen im Scheibenverband, die exklusive Einlagenleiterbahnstruktur und die Einzelchipkontaktierung nachteilig gegenüber.DD-PS 155496 discloses the integration of individual encased discrete or monolithically integrated components into circuits and systems on such flexible printed circuit boards. Here, as in the combination of functions on rigid printed circuit boards according to US-PS 4316235, the assembly is carried out by soldering or gluing and is easily accessible for repairs, however, requires a lot of space and can bring little advantage in improving the packing density. With the Filmträgerbondtechnik according to the documents US-PS 3724068, US-PS 3763404, US 3976906, US-PS 4151 543, US-PS 4177519, Electronics (1975) 25.12, pp. 61-68 Solid state technology (1979) H.3 , P.52-55 and (1977) Heft3, p.33-38, a front-side connection structure for semiconductor chips with printed circuit board traces is provided. In doing so, the cantilevered ends of a metallic trace of the flexible circuit board are affixed to the die by pressure and heat. The advantageous simultaneous contact of all front contacts of the semiconductor wafer is the increased preparation effort of the semiconductor wafer in the disk assembly, the exclusive Einlagenleiterbahnstruktur and the Einzelchipkontaktierung disadvantageous.
Die äußeren Enden derflexiblen Leiterplatte, an derdieEinzelplättchen hängen, werden wie in den Druckschriften US-PS 4246595, DE-OS 2810054, US-PS 3763404,3724068 und 3683105 ausgeführt wiederum auf starre Leiterplatten, auf Trägerstreifen aus Metall oder auf steife Rahmengerüste, die bis zum Folienrand reichen und in Plättchennähe als Klebstoffauslaufsperre dienen, aufmontiert.The outer ends of the flexible printed circuit board on which the individual platelets are suspended are made, as in US Pat. Nos. 4,244,595, DE-OS 2810054, 3,763,404,372,408 and 3,683,105, again on rigid printed circuit boards, on metal carrier strips or on rigid frameworks up to extend to the edge of the film and serve near the platelet as an adhesive stopper, mounted.
Der hohe Preis der hitzebeständigen Folie, die aufwendige Foliebearbeitung, die ausschließliche Nutzung einseitig kontaktierter Chips und deren Präzisionsjustage machen diese Einsatzvariante derflexiblen Leiterplatte aufwendig und führen wegen der freien Verfügung nur einer einzigen Montageebene bei multifunktionellen Schaltungen zu unerwünschten Beschränkungen. Mit der Überwindung der Beschränkungen der Einlagigkeit der Leiterplatte muß weiterhin die Überwindung der Hemmnisse beim Feindrahtbonden, wie sie aus der Veröffentlichung von W. Scheel und K. D. Lang in der Zeitschrift Schweißtechnik 35 (85) H.3 S. 100-102 hervorgehen, erfolgen.The high price of the heat-resistant film, the elaborate film processing, the exclusive use of one-sided contacted chips and their Präzisionsjustage make this use variant of the flexible circuit board consuming and lead due to the free disposal of only a single mounting level in multi-functional circuits to undesirable limitations. Overcoming the limitations of the Einlagigkeit the circuit board must continue to overcome the barriers in fine wire bonding, as they emerge from the publication of W. Scheel and K. D. Lang in the journal welding technology 35 (85) H.3 S. 100-102 done.
Danach sind Drahtbrücken von jedem einzelnen Halbleiterplättchen zu einer oder zu mehreren Leiterbahnen derflexiblen Leiterplatte das Kernproblem der Hybridintegration. Wenn nicht schon die Vielzahl der Drähte, so macht die Variationsbreite der Bondstellen auf den verschiedenen Halbleitermaterialien und Leiterbahen nach Topographie, Zusammensetzung, Oberflächenunebenheit, unterschiedliche Höhenlage und Verteilung über relativ große Flächen die Drahtbondung für diese Art von Hybridtechnik ohnehin komplizierter als für die Bondung monolithisch integrierter Schaltkreise. Vor Beschädigungen sind die freiliegenden Drähte auch nicht ohne weiteres geschützt, wenn die abrollbaren Trägerbandmaterialien auf Rollen gewickelt werden sollen bzw. das Trägerband bei Temperprozessen schrumpft. Um auf Zangen und andere Biegehilfen für das Biegen der Anschlußelektroden verzichten zu können, muß die Biegsamkeit und Schmiegsamkeit bereits und exklusiv durch die Materialeigenschaften des geschmeidigen Trägers gesichert werden. Der Herabsetzung der Dickendimension ist jedoch wegen der Gefährdung der Drahtbrückenbondung drastische Grenzen gesetzt.After that, wire bridges from each individual die to one or more traces of the flexible circuit board are the core problem of hybrid integration. If not already the multitude of wires, then the variation of the bonding points on the different semiconductor materials and conductor tracks according to topography, composition, surface unevenness, different elevation and distribution over relatively large surfaces complicates the wire bonding for this type of hybrid technique anyway than for the bonding monolithically integrated circuits. The exposed wires are not easily protected from damage if the rollable carrier tape materials are to be wound on rolls or the carrier tape shrinks during annealing processes. In order to dispense with pliers and other bending aids for bending the terminal electrodes, the flexibility and flexibility must already and exclusively be secured by the material properties of the supple wearer. The reduction of the thickness dimension is, however, set drastic limits because of the threat of wire bridging.
Ziel der Erfindung ist es, das Einsatzgebiet flexibler Leiterplatten zu vergrößern und dabei die Qualität integrierter Schaltungsanordnungen hinsichtlich der Biegewechselfestigkeit, der Abwandlungsfähigkeit der Führung im Raum und der Fügbarkeitsmöglichkeiten der Anschlußelektroden auf Klemmen, Kleben, Löten und Drahtbonden usw. zu erhöhen. Die Packungsdichte und der Miniaturisierungsgrad der hybrid integrierten Schaltungsanordnung ist trotz der Differenzen der Eigenschaften der Mehrlagenleiterplatte und der in kleineren Raster gepackten Halbleiterplättchen unterschiedlicher Funktion zu erhöhen, und die Zuverlässigkeit sowohl während der Fertigung als im Betrieb zu gewährleisten.The aim of the invention is to increase the field of application of flexible printed circuit boards and thereby increase the quality of integrated circuit arrangements in terms of bending fatigue, the Abwandlungsfähigkeit the leadership in space and Fügbarkeitsmöglichkeiten the terminal electrodes on terminals, gluing, soldering and wire bonding and so on. The packing density and the degree of miniaturization of the hybrid integrated circuit device are to be increased despite the differences in the properties of the multi-layer printed circuit board and the smaller pitch semiconductor wafers having different functions, and to ensure the reliability both during manufacturing and operation.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für einehybridintegrierte Schaltungsanordnung eine durchgängige Anordnung eines geschmeidigen, biegsamen Trägers zu entwickeln, auf dem die zu integrierenden Halbleiterplättchen und/oder Festkörperelemente differenterfunktioneller Eigenschaften sowohl direkt mechanisch und elektrisch montierbar, als auch durch Feindrahtbrücken und Leiterbahnen elektrisch hybridintegrierbar und schließlich mit äußeren Versorgungseinheiten verbindbar sind und die Anbringung der Feindrahtbrücken auf Plättchen und Leiterbahnen möglich ist, selbst wenn die Bondinseln auf den Plättchen und die Kontaktstellen der Drähte auf den Leiterbahnen in verschiedenen Ebenen liegen.The invention has for its object to develop for a hybrid integrated circuit arrangement, a continuous arrangement of a supple, flexible carrier on which the integrated semiconductor wafers and / or solid state elements of differenterfunktioneller properties both mechanically and electrically mounted directly, as well as by fine wire bridges and interconnects electrically hybridintegrierbar and finally can be connected to external supply units and the attachment of the fine wire bridges on platelets and interconnects is possible, even if the bonding pads on the platelets and the contact points of the wires on the interconnects in different levels.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß auf der unbestückten Seite des durchgängigen geschmeidigen Trägers aus einem bekannten Leiterplattenverbund eine zusätzliche äußere mechanische Armierung aus einem zunächst formbaren, dann aber festen, starren, dehnungsarmen Material unlösbar und enganliegend angebracht ist, diese Armierung sich unter den Kontaktstellen der Feindrahtbrücken von den Halbleiterplättchen und/oder Festkörperelementen, die auf Leiterbahnen des Leiterplattenverbundes angeordnet sind, befindet. Die von der Armierung beanspruchte Fläche ist dabei kleiner als die von dem flexiblen Leiterplattenverbund eingenommene Fläche gehalten.According to the invention, this object is achieved in that on the unpopulated side of the continuous supple carrier of a known printed circuit board composite an additional outer mechanical reinforcement of an initially malleable, but then rigid, rigid, low-expansion material is attached inextricably and tightly fitting, this reinforcement itself under the contact points the fine wire bridges of the semiconductor chip and / or solid state elements, which are arranged on conductor tracks of the printed circuit board assembly is located. The claimed by the reinforcement surface is smaller than the area occupied by the flexible printed circuit board surface held.
Das Material der Armierung des geschmeidigen Trägers bestet erfindungsgemäß vorteilhaft aus organischen Kunstharzverbindungen, aus Glas oder Keramik oder Kombinationen dieser Bestandteile miteinander oder aus Kombinationen mit Metall.According to the invention, the material of the reinforcement of the supple carrier advantageously consists of organic synthetic resin compounds, of glass or ceramic or combinations of these components with one another or of combinations with metal.
Als organische Kunstharzverbindungen kommen heißhärtende oder thermoplastische Verbindungen wie Polyester, Polyimid, Polytetrafluoräthylen, Polyepoxidharz, Silikon oder Kombinationen von zwei oder mehr Harzverbindungen zum Einsatz. Die Armierung des geschmeidigen Trägers ist zweckmäßig mit Einlagen aus Geweben, Netzen, Stäben, Gittern oder ähnlichem Flechtwerk bzw. mit Füllungen von Spänen, Körnern oder Kugeln versehen.As the organic resin compounds are used thermosetting or thermoplastic compounds such as polyester, polyimide, polytetrafluoroethylene, polyepoxide resin, silicone or combinations of two or more resin compounds. The reinforcement of the supple carrier is expediently provided with inserts of woven fabrics, nets, rods, bars or similar wickerwork or with fillings of chips, grains or balls.
Der Körper der Armierung hat erfindungsgemäß eine einheitliche, gestreckte Gestalt und weist eine Dicke von 0,15 bis 5,0 mm, vorzugsweise weniger als 0,5mm auf.The body of the reinforcement according to the invention has a uniform, elongated shape and has a thickness of 0.15 to 5.0 mm, preferably less than 0.5 mm.
Für einige Anwendungsfälle hat sich ein mehrfach zusammenhängender Armierungskörper bewährt. Der mehrfach zusammengesetzte Armierungskörper kann sowohl eine einfache wie mehrfach ineinandergesetzte Rahmenform aufweisen, die aus einer Kette oder Matrix von Kissen unter den Nestern der teilintegrierten Bestandteile der gesamten Schaltungsanordnung bestehen.For some applications, a multi-connected reinforcing body has been proven. The multi-composite reinforcing body can have both a simple and multiple interlocking frame shape consisting of a chain or matrix of pads under the nests of the partially integrated components of the entire circuit arrangement.
Besteht der geschmeidige Träger aus mehreren übereinander angeordneten Lagen einer strukturierten Metallfolie, die durch isotierende Zwischenlagen voneinander getrennt sind, befindet sich unter den Kontaktstellen auf den Leiterbahnen jeder Leiterbahnebene Material des Armierungskörpers.If the supple carrier consists of a plurality of superimposed layers of a structured metal foil which are separated from one another by insulating layers, there is material of the reinforcing body below the contact points on the conductor tracks of each conductor track plane.
Die Erfindung wirdnun an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die dazu gehörigen Zeichnungen zeigen:The invention will now be explained in more detail with reference to exemplary embodiments. The accompanying drawings show:
Figur 1: Führung der Anschlußelektroden als durchgehende Leiterbahn aus dem Chipmontage und Feindrahtintegrationsbereich bis zum Außenanschluß in einer hybridintegrierten SchaltungsanordnungFigure 1: Guiding the terminal electrodes as a continuous conductor track from the chip assembly and fine wire integration area to the external terminal in a hybrid integrated circuit arrangement
a) mit Normallage hängendera) hanging with normal position
b) mit Strecklage gespannter Leiterbahnenden undb) stretched with tensioned conductor ends and
c) mit Überkopfkontaktierung bei durchhängenden Gehäusekörperc) with overhead contact with sagged housing body
Figur 2: Blick auf eine hybridintegrierte Schaltungsanordnung mit einer verzweigten Kette von kissenartigenFigure 2: View of a hybrid integrated circuit arrangement with a branched chain of pillow-like
Armierungskörpern unterteilintegrierten Funktionseinheiten Figur 3: Aufbau eines mehrlagigen Teils einer flexiblen, hybridintegrierten SchaltungsanordnungArmierungskörpern sub-integrated functional units Figure 3: Structure of a multi-layer part of a flexible, hybrid integrated circuit arrangement
a) Integration eines monolithischen Schaltkreisesa) Integration of a monolithic circuit
b) und diskreter Halbleiterplättchen in die Anordnung.b) and discrete semiconductor die in the assembly.
Mit der Figur 1 wird am Beispiel einer Matrixanordnung aus einer Vielzahl von Einzelchips und einem Halbleiterschaltkreis die Hybridintegration und Geschmeidigkeit der Anschlußelektroden der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung demontiert. Die Figuren 2 und 3 zeigen Integrationsvarianten einer größeren Zahl von armierten Funktionseinheiten nach außen bzw. innerhalb eines Teils dieser Funktionseinheit.With the figure 1, the hybrid integration and suppleness of the terminal electrodes of the circuit arrangement according to the invention is disassembled using the example of a matrix arrangement of a plurality of individual chips and a semiconductor circuit. Figures 2 and 3 show integration variants of a larger number of armored functional units to the outside or within a part of this functional unit.
Grundelement der in Figur 1 wiedergegebenen Matrixanordnung ist ein geschmeidigerTräger 101, der unlösbar mit einer ersten Lage einer Metallfolie 102, die strukturiert ist, verbunden wurde. Die organische Kunstharzverbindung des geschmeidigen Trägers besteht aus handelsüblicher Polyesterfolie (Polyethylentherephthalat) von 75μ,ηη Dicke und ist durch eine nicht dargestellte Kleberschicht aus Polyurethan an eine25/nm dicke Kupferfolie angeklebt.The basic element of the matrix arrangement represented in FIG. 1 is a supple carrier 101, which has been permanently connected to a first layer of a metal foil 102 which is structured. The organic resin compound of the supple carrier is made of commercial polyester film (polyethylene terephthalate) of 75μ, ηη thickness and is adhered to a 25 / nm-thick copper foil by an unillustrated adhesive layer of polyurethane.
Die Kupferlage wird durch herkömmliche fotolithpgrafische Prozesse in eine Auflagefläche 103 für einen Halbleiterschaltkreis, eine Reihe von Zeilenleiterbahnen 104 und in Leiterbahnen 105 zur Versorgung des Hälbleiterschaltkreises aufgeteilt. Durch selektive Beschichtungen mit Nickel und Silber entstehen auf den Zeilenleiterbahnen 104 Bondstellen 106 für Halbleiterplättchen. Eine isolierende Zwischenlage 107, die mit Aussparungen 108 zur Aufnahme von Halbleiterplättchen versehen ist, besteht aus einer Polyesterfolie von 200,um Dicke. Auf ihr verläuft die zweite Lage 109 einer aufgeklebten, strukturierten Metallfolie, die in oberflächenversilberte Spaltenleiterbahnen 110... 114 zerlegt wurde. Durch eine Verbindungsschicht 115, die aus Polyurethankleber, einem reib- und schneidfesten Elastomerkleber mit befriedigenden elektrischen Allzweckeigenschaften und einer Wärmebeständigkeit oberhalb 100°C besteht, kommt die Armierung 116 mit dem Armierungskörper 117 in dauerhaften Kontakt mit der Rückseite des geschmeidigen Träger 101.The copper layer is divided by conventional photolithography processes into a contact surface 103 for a semiconductor circuit, a row of row conductors 104 and in conductor tracks 105 for supplying the half-conductor circuit. By selective coatings with nickel and silver 104 bond pads 106 for semiconductor wafers are formed on the row conductors. An insulating interlayer 107 provided with recesses 108 for receiving semiconductor chips consists of a polyester film of 200 in thickness. The second layer 109 of a glued, structured metal foil which has been split into surface-silver-plated column conductor tracks 110. Through a bonding layer 115 consisting of polyurethane adhesive, a friction and cutting resistant elastomer adhesive having satisfactory general electrical properties and a heat resistance above 100 ° C, the reinforcement 116 comes into permanent contact with the reinforcing body 117 with the back of the supple backing 101.
Der Armierungskörper 117 hat eine Dicke von 300/um und besteht aus einer Epoxidharzverbindung, die von der chemischen Reaktion zwischen Epichlorhydrin und Biphenol unter Anwesenheit von Härtern und anderen Zusätzen ausgeht und zu einem Verbindungsmaterial mit erwünschten elektrischen Isolationseigenschaften, hoher chemischer und thermischer Stabilität und guter Dimensionstreue führt. Die überlegenen mechanischen Eigenschaften werden durch die Einlage 118 einzelner Lagen von Glasfasergewebe so gesteigert, daß selbst dünnere Armierungskörper Bestwerte in der Härte, Stoßfestigkeit und Bruchfestigkeit aufweisen und als Hartgewebe bezeichnet werden können.The reinforcing body 117 has a thickness of 300 μm and is composed of an epoxy resin compound starting from the chemical reaction between epichlorohydrin and biphenol in the presence of hardeners and other additives and becoming a joining material having desired electrical insulation properties, high chemical and thermal stability and good dimensional stability leads. The superior mechanical properties are enhanced by the insert 118 of individual layers of glass fiber fabric so that even thinner Armierungskörper have best in hardness, impact resistance and breaking strength and can be referred to as hard tissue.
Ein Siliziumschaltkreis 119 zur Ansteuerung der optoelektronischen Chips 121-125 auf der Zeilenleiterbahn 104, sowie der anderen nicht dargestellten optoelektronischen Chipsauf den übrigen nicht dargestellten Leiterbahnen befindet sich auf der Ebene der ersten Lage 102 der strukturierten Metallfolie. Der Siliziumschaltkreis 119 auf der Auflagefläche 103 und die optoelektronischen Chips 121-125 sind durch aufgetropfte Leitkleber an die Bondstellen 106 für die Halbleiter optoelektronischen Chips montiert. Die Verdrahtung der gesamten Schaltungsanordnung erfolgte durch Feindraht aus Gold in einem ultraschallgestützten Bondprozeß. Dabei bindet die Drahtbrücke 126 den optoelektronischen Chip 121 an die Spaltenleiterbahn 110, während die Drahtbrücken 127 bis 130 die optoelektronischen Chips 122 bis 125 an die Spaltenleiterbahnen 111 bis 114 anschließen. Die Drahtbrücken 131 bis 132 dienen als Beleg für die Ansteuerung der Spaltenleiterbahn 110,111 usw. durch den Siliziumschaltkreis 119. Die Drahtbrücke 133 repräsentiert die Versorgung des Halbleiterschaltkreises 119 über die Leiterbahn 105.A silicon circuit 119 for driving the optoelectronic chips 121-125 on the row conductor 104, and the other not shown optoelectronic chips on the other not shown conductors is located at the level of the first layer 102 of the structured metal foil. The silicon circuit 119 on the support surface 103 and the optoelectronic chips 121-125 are mounted by dripped conductive adhesive to the bonding sites 106 for the semiconductor optoelectronic chips. The wiring of the entire circuit arrangement was made by fine wire made of gold in an ultrasound-supported bonding process. In this case, the wire bridge 126 binds the optoelectronic chip 121 to the column conductor track 110, while the wire bridges 127 to 130 connect the optoelectronic chips 122 to 125 to the column conductor tracks 111 to 114. The wire bridges 131 to 132 serve as proof of the driving of the column conductor track 110, 111, etc., through the silicon circuit 119. The wire bridge 133 represents the supply of the semiconductor circuit 119 via the conductor track 105.
Die flächenhafte Ausdehnung des Armierungskörpers ist so gewählt, daß alle Bondstellen der Drahtbrücken 126 bis 133 zu den optoelektronischen Chips und dem Siliziumschaltkreis an ihren Auf- und Endpunkten räumlich fixiert sind und Biegewechsel an den nur vom geschmeidigen Träger 101 getragenen Zeilenleiterbahnabschnitten zu keiner mechanischen Überdehnung oder Belastung im Integrationsfeld der hybriden Schaltungsanordnung führen.The planar expansion of the reinforcing body is selected so that all bonding points of the jumpers 126 to 133 are spatially fixed to the optoelectronic chips and the silicon circuit at their up and end points and bending changes to the only carried by the supple carrier 101 Zeilenleiterbahnabschnitten to no mechanical overstretching or stress lead in the integration field of the hybrid circuitry.
Die Umhüllung 134 der chipbestückten Seite des geschmeidigen Trägers 101 mit einer der Wellenlänge der Lichtemission oder der maximalen Empfindlichkeit der optoelektronischen Chips angepaßten Farbe im Vergußmaterial und die Ausstattung der Frontseite 135 mit einem jalousieartigen Spaltsystem 136 zur Kontrasterhöhung bzw. Übersprechreduzierung komplettieren die Außendimensionen des Gehäusekörpers. Aus dem Gehäusekörper heraus führen Versorgungsleiterbahnen wie 105 und die Zeilenleiterbahnen 104, sowie weitere Bahnen für den Fall einer 5 χ 7-Punktmatrix.The cladding 134 of the chip-tipped side of the supple carrier 101 having a color matched to the wavelength of light emission or the maximum sensitivity of the optoelectronic chips in the potting material and the equipment of the front 135 with a jalousie-like gap system 136 to increase the contrast or crosstalk reduction complete the outer dimensions of the housing body. From the housing body out lead supply tracks such as 105 and the line conductors 104, as well as other tracks in the case of a 5 χ 7-point matrix.
Die Verlängerung der Leiterbahnen bis zur nächsten gleichzeitig mitgefertigten Punktmatrix ist im Bedarfsfall am Ende des Fertigungsdurchlaufes unterbrochen. Dann gelten die aus dem Gehäuse herausgeführten Enden der Leiterbahnen 105 und 104 als Anschlußelektroden 137 und 138 in Normallage und die Leiterbahnenden hängen bis zum Erreichen einer Auflagefläche herunter und laufen dann auf der nicht dargestellten Auflagefläche in der Ebene der Auflagefläche weiter. Die Strecklage 139 der Anschlußelektrode der Leiterbahn 104 wird durch die leicht gespannten Leiterbahnenden in Richtung der Verlängerung der Führung innerhalb des Gehäusekörpers repräsentiert. Eine weitere in Figur 1 angedeutete Abwandlungsmöglichkeit ist die Führung der Anschlußelektroden zur „Über-Kopf-Kontaktierung" 140 mit durchhängendem Gehäusekörper.The extension of the conductor tracks to the next simultaneously manufactured dot matrix is interrupted if necessary at the end of the production cycle. Then, the lead out of the housing ends of the tracks 105 and 104 apply as terminal electrodes 137 and 138 in normal position and the conductor ends hang down to reach a support surface and then run on the support surface, not shown in the plane of the support surface on. The extended position 139 of the terminal electrode of the conductor 104 is represented by the slightly tensioned conductor ends in the direction of extension of the guide within the housing body. A further modification possibility indicated in FIG. 1 is the guidance of the connection electrodes for "overhead contact" 140 with sagging housing body.
Darüber hinaus sind aufgrund der guten Biegewechselfestigkeit des leitbahnbesetzten, geschmeidigen Trägers 101 aus Polyester Anpassungen an Mantelflächen von Walzen oder Rollen ebenso möglich, wie an spiralförmige oder gewendelte Kontaktflächen. Schließlich lassen sich die Kontaktflächen der Leiterbahnenden durch Falten von oben nach unten verlegen.In addition, due to the good bending fatigue strength of the web-covered, supple carrier 101 made of polyester adjustments to lateral surfaces of rollers or rollers are also possible, as to spiral or coiled contact surfaces. Finally, the contact surfaces of the conductor ends can be laid by folding from top to bottom.
Für den Fall, daß auf der gleichen Seite aus dem Gehäusekörper tretende Leiterbahnenden auf unterschiedliche Kontaktebenen geführt werden sollen, ist es zweckmäßig, die Leiterbahngruppen z.B. mit Normallage von den in Streck-oder durchhängender Lage durch Trennschnitte im geschmeidigen Träger voneinander unabhängig zu machen.In the event that on the same side of the housing body passing conductor ends are to be guided to different contact levels, it is appropriate to the conductor track groups, e.g. With normal position of the stretched or sagging layer by separating cuts in the supple carrier to make each other independent.
Als optoelektronische Chips in der Matrixanordnung nach Figur 1 werden Lichtemitterplättchen aus bi, ter- oder quaternären A|||BV-Verbindungshalbleitem oderÄ|VBvrVerbindungshalbleitern oder Licht/Strahlungsempfängerplättchen aus Elementhalbleitern der 4. Gruppe, der 6. Gruppe oder bi-, ter- oder quaternären A||BV|-Halbleitem verwendet.As optoelectronic chips in the matrix arrangement according to FIG. 1, light-emitting laminae of bi-, or quaternary A ||| B V compound semiconductors or λ | V B vr uses compound semiconductors or light / radiation receiver platelets made of elementary semiconductors of the 4th group, the 6th group or bi-, ter- or quaternary A | B | | V | semiconductors.
Mit dem in Figur 2 gezeigten Draufblick auf eine hybridintegrierte Schaltungsanordnung von der Seite der Kissenartigen Armierungskörper wird die Flexibilität der Einzelabschnitte der Anordnung ausgewiesen.The view of a hybrid integrated circuit arrangement from the side of the cushion-like reinforcing bodies shown in FIG. 2 shows the flexibility of the individual sections of the arrangement.
Der flexible Metall-Isolierfolienverbund 201 wird durch Strukturierung in eine große Zahl von Leiterzügen 202-220 zerlegt.The flexible metal insulating film composite 201 is broken down by structuring into a large number of circuit lines 202-220.
Während die Leiterzüge 206-216 für eine Verbindung innerhalb der Schaltungsanordnung genutzt werden, dienen die Leiterzüge 202-205 und 217-220 mit den Abschlußkanten 221 und 222 der elektronischen Versorgung. Die Isolierfolien des Verbundes 201 sind frei von Einlagen aus Glasfibernetzen, so daß die Leiterzüge 202-205 und 217 bis 220 nahe der Abschlußkanten unbegrenzt flexibel im Raum geführt werden können und Kontaktstellen für sphärisch ausgebildete Anschlußflächen aufweisen.While wirings 206-216 are used for interconnection within the circuitry, wirings 202-205 and 217-220 serve with the termination edges 221 and 222 of the electronic supply. The insulating films of the composite 201 are free of inserts made of fiberglass nets, so that the conductor lines 202-205 and 217 to 220 near the end edges can be performed infinitely flexible in space and have contact points for spherically shaped pads.
Die Armierungskörper 223-226 werden aus einer Hartgewebeplatte von 400μιη Nenndicke ausgeschnitten. Die Fläche jedes dieser einzelnen, kissenartigen Armierungskörper 223-226 ist größer als die der dazugehörigen mit Halbleiterplättchen und/oder Festkörperelementen zu bestückende und mit Metallbrücken zu teilintegrierten Funktionseinheiten auszubauende Teile der Schaltungsanordnung.The Armierungskörper 223-226 are cut out of a hard tissue plate of 400μιη nominal thickness. The area of each of these individual, cushion-like Armierungskörper 223-226 is greater than that of the associated with semiconductor wafers and / or solid state elements to be equipped and with metal bridges to partially integrated functional units to be removed parts of the circuit arrangement.
Die unterschiedlichen kissenartigen Armierungskörper 223-226 werden mit dem Basismaterial des Leiterplattenverbundes durch Elastomerkleber verbunden. Dabei liegen die Armierungskörper 223-225 kettenartig aufgereiht nebeneinander, während andere Armierungskörper z. B. 226 auf einem Nebenzweig der Kette liegen.The different cushion-like Armierungskörper 223-226 are connected to the base material of the printed circuit board assembly by elastomeric adhesive. The Armierungskörper 223-225 are lined up in a chain side by side, while other Armierungskörper z. B. 226 lie on a side branch of the chain.
Nach der Plättchenbestückung, Verdrahtung und Passivierung der Schaltungsbestandteile wird die einzelne flexibel integrierte Schaltungsanordnung 227 aus dem zusammenhängenden Verbund herausgetrennt.After die assembly, wiring and passivation of the circuit components, the single flexibly integrated circuit 227 is separated from the contiguous composite.
Metallaschen 228 und 230 mit Ösen 229 und Schlitzen auf dem Verbund nahe den Armierungskörpern 223-226 dienen als mechanische Befestigung der gesamten Schaltungsanordnung auf Montagegestellen. Dank der erhöhten Flexibilität der bybridintegrierten Schaltungsanordnung sind Anwendungsfälle als Rundumanzeigen oder Rundumsensoren ebenso möglich wie gefaltete oder andersartige zusammengelegte.dichter gepackte Funktionseinheiten.Metal tabs 228 and 230 with eyelets 229 and slots on the composite near the reinforcing bodies 223-226 serve as a mechanical attachment of the entire circuit assembly to mounting racks. Owing to the increased flexibility of the hybrid-integrated circuit arrangement, use cases as wrap-around displays or all-round sensors are just as possible as folded or other types of folded, packed functional units.
Zur weiteren Erhöhung der Packungsdichte in erfindungsgemäßen Schaltungen sind insbesondere Mehrlagenleiterplatten geeignet. Die Handhabung von Mehrlagenleiterplatten z. B. aus Polyesterfolien mit Kupferkaschierungen in mehreren Ebenen wird an Hand der Figur3a erläutert. Derim räumlichen Schnittgezeichnete Leiterbahnträger 301 besitztauf der Trägeroberfläche 302 in der ersten Ebene Leiterbahnzüge für zwei unterschiedliche Kontaktierungsvarianten. Das Ende 303 der Leiterbahn 304, auf deren Oberfläche ein Halbleiterplättchen 306 mit einer monolithisch integrierten Schaltung durch eine Leitkleberschicht 305 befestigt ist, ist durch einen isolierenden Spalt vom Rand 307 der ersten funktionellen, d.h. der Aktivierung der Halbleiter- und/oder Festkörperelemente dienenden Leiterbahn 308, entfernt.To further increase the packing density in circuits according to the invention, in particular multilayer printed circuit boards are suitable. The handling of multilayer printed circuit boards z. Example of polyester films with copper cladding in multiple levels will be explained with reference to Figura 3a. The conductor track carrier 301 drawn in the space cut has on the carrier surface 302 in the first plane conductor tracks for two different contacting variants. The end 303 of the trace 304, on the surface of which a semiconductor die 306 with a monolithic integrated circuit is attached by a conductive adhesive layer 305, is protected by an insulating gap from the edge 307 of the first functional, i. the activation of the semiconductor and / or solid state elements serving conductor 308, removed.
Aus dem Spalt zwischen Leiterbahnzügen 304 und 308 ist die Klebstofflage ebenso wie die Kupferschicht entfernt. Die erste funktioneile Leiterbahn 308 auf dec untersten Ebene auf dem Leiterbahnträger 301 wird so gestaltet, daß unter den Bond- und Kontaktstellen der darüberliegenden Leiterbahnen im Projektionsbereich eben dieser Kontaktstellen eine Freimachung 309 in der Ebene der Leiterbahn 308 geschaffen ist. Der Raum dieser Freimachung 309 der Leiterbahn 308 wird durch Zwischenlagen und vorgestanzte Polyesterabschnitte 310, die auch über nicht als Bond- und Kontaktstelle vorgesehene Bereiche der Leiterbahn 308 gezogen werden, abgedeckt.From the gap between conductor tracks 304 and 308, the adhesive layer as well as the copper layer is removed. The first functional strip conductor 308 on the lowest level on the conductor carrier 301 is designed so that under the bonding and contact points of the overlying conductor tracks in the projection area just these contact points a clearance 309 in the plane of the conductor 308 is created. The space of this franking 309 of the conductor track 308 is covered by intermediate layers and pre-punched polyester sections 310, which are also drawn over not intended as a bonding and contact areas of the conductor track 308.
Der Außenrand 311 einer weiteren funktionellen Leiterbahn 312 befindet sich in einer neuen zweiten Ebene über der ersten Leiterbahnebene. Auch die funktioneile Leiterbahn 312 besitzt eine Freimachung 313. Die Freimachung 313 ist vom Durchmesser kleiner gehalten als die Freimachung 309 der funktionellen Leiterbahn 308 der ersten untersten Leiterbahnebene und befindet sich im Projektionsbereich der Bondstelle der obersten Leiterbahnebene. Polyesterabschnitte 310 füllen die Freimachung 313 der Leiterbahn 312 aus und decken sie bis auf den Bereich der Kontaktstelleder Feindrahtkontaktierung ab. Über dieses Schichtpaket von Leiterbahnen und isolierenden Zwischenlagen 310 ist eine dritte Leiterbahnebene, die durch die dritte funktionell Leiterbahn 314 repräsentiert ist, gezogen. Die oberste Leiterbahnebene ist ebenfalls durch eine Polyesterdeckfolie geschützt. Die Kontaktstellenregion ist wiederum freigehalten und wie in den anderen Ebenen durch eine nicht dargestellte Nickel-Silberbelegung bondfreundlich gestaltet. Der derartig ausgeführte Schaltungsrohling wird mit einem Armierungskörper 315 durch eine Klebeschicht 316 verbunden. Zur Integration mit den durch den Halbleiterchip 306 vertretenen monolithischen Schaltkreisen wird eine Drahtkontaktierung durchgeführt.The outer edge 311 of another functional trace 312 is located in a new second plane above the first trace level. The functional conductor 312 also has a clearance 313. The clearance 313 is kept smaller in diameter than the clearance 309 of the functional conductor track 308 of the first lowermost conductor track plane and is located in the projection region of the bonding point of the uppermost track plane. Polyester sections 310 fill out the indicia 313 of the trace 312 and cover them down to the area of the contact point of the fine wire contacting. About this layer package of interconnects and insulating pads 310, a third interconnect level, which is represented by the third functional interconnect 314 drawn. The topmost conductor level is also protected by a polyester cover foil. The contact point region is in turn kept free and, as in the other levels, designed to be bond-friendly by a nickel-silver occupancy, not shown. The circuit blank thus formed is connected to a reinforcing body 315 through an adhesive layer 316. For integration with the monolithic circuits represented by the semiconductor chip 306, wire bonding is performed.
Die Kontaktperle 317 des Kontaktdrahtes 318 wird auf eine Kontaktinsel auf der freien Oberfläche des Hälbleiterplättchens306 gedruckt und ultraschallgestützt angeschweißt. Der Feindraht wird in leichtem Bogen gegen die Kontaktfläche auf der Leiterbahn 308 geführt und dort eine Keilkontaktstelle 319 gebildet. Die Kontaktperle 320 des Kontaktdrahtes 321 wird auf einer anderen Kontaktinsel auf dem Halbleiterplättchen 306 befestigt. Als Kontaktstelle auf der Leiterbahn 312 dient die Keilkontaktstelle 322. In gleicher Weise sitzt die Kontaktperle 323 des Kontaktdrahtes 324 auf dem Halbleiterplättchen 306 und mit der Keilkontaktstelle 325 auf der obersten Leiterbahnebene der dritten funktionellen Leiterbahn 314.The contact bead 317 of the contact wire 318 is printed on a contact pad on the free surface of the semiconductor chip 306 and welded to be ultrasonically supported. The fine wire is guided in a slight arc against the contact surface on the conductor track 308, where a wedge contact point 319 is formed. The contact bead 320 of the contact wire 321 is mounted on another contact pad on the semiconductor die 306. In the same way, the contact bead 323 of the contact wire 324 is seated on the semiconductor chip 306 and with the wedge contact point 325 on the uppermost interconnect level of the third functional interconnect 314.
In der Figur 3 bist die Verknüpfung der mololithischen, elektronischen Halbleiterschaltung des Halbleiterplättchens 306 über die Leiterbahnen 308,312 + 314 mit den hybridintegrierten nicht reinelektronischen Halbleiterplättchen gezeigt. Der Schaitungsrohling endet auf der allgemein für die Hybridintegration vorgesehenen Seite mit dünnen, abdeckenden Polyesterabschnitten 310, die mehrere Freimachungen 326,327, 328 und weitere nicht gezeichnete aufweisen und den Zugang zu den Kontaktstellen auf den Leiterbahnen 308,312 und 314 usw. ermöglichen, gleichfalls ist diese Oberflächenseite mit einer Reihe zumindestens im Kontaktierungsbereich frei zugänglicher Leiterbahnen 329, die zweckmäßig orthogonal zu den Leiterbahnen der unteren Ebenen verlaufen, besetzt. Auf diesen Leiterbahnen 329 sind Halbleiterplättchen 332,333 und 334 mit vom Schaltkreisplättchen 306 abweichenden funktionellen Eigenschaften untergebracht, Abstufungen der funktionellen z. B. spektralen Eigenschaften der Halbleiterplättchen werden durch Abstufung der Bandabstände des in den Plättchen verwendeten Halbleitermaterials hervorgebracht. Dazu dient der Übergang von binären zu ternären oder quarternären Mischverbindungshalbleitem.FIG. 3 shows the connection of the mololithic, electronic semiconductor circuit of the semiconductor chip 306 via the conductor tracks 308, 312 + 314 with the hybrid-integrated non-purely electronic semiconductor chips. The circuit blank ends on the generally provided for the hybrid integration side with thin, covering polyester sections 310, which have multiple clearances 326, 327, 328 and other not shown and allow access to the contact points on the tracks 308, 312 and 314, etc., also this surface side with a series at least in the contact area freely accessible interconnects 329, which extend expediently orthogonal to the tracks of the lower levels occupied. On these tracks 329 are semiconductor wafers 332.333 and 334 housed with the circuit board 306 different functional properties, gradations of functional z. B. Spectral properties of the semiconductor wafers are produced by grading the band gaps of the semiconductor material used in the platelets. This is done by transitioning from binary to ternary or quaternary mixed compound semiconductors.
Das in Figur 3 b gezeigte Raster der Verbindungen des Plättchens 332 mit der Leiterbahn 308 über den Kontaktdraht 335, sowie der Plättchen 333 und 334 über die zugeordneten Kontaktdrähte 336 und 337 mit den Leiterbahnen 312 und 314 der entsprechend höher liegenden Leiterbahnebenen wiederholt sich sowohl in Richtung längs der Leiterbahn 329 bei Funktionszeilen, als auch parallel zur Leiterbahn 329 bei Funktionsmatrizen. Die Armierung 331 des Matrixfeldes der hybridintegrierten Schaltungsanordnungen ist, anders als in Figur 3b gezeigt, durchgängig unter den parallelen Leiterbahnen 329 ausgeführt. Der Schaltungsrohling wird mit dem Armierungskörper durch eine Klebeschicht 330 verbunden.The grid shown in Figure 3 b of the connections of the plate 332 with the conductor 308 via the contact wire 335, as well as the plates 333 and 334 via the associated contact wires 336 and 337 with the tracks 312 and 314 of the corresponding higher conductor tracks repeated in both direction along the conductor 329 at function lines, as well as parallel to the conductor 329 at function matrices. The reinforcement 331 of the matrix field of the hybrid-integrated circuit arrangements is, in contrast to FIG. 3 b, implemented continuously below the parallel conductor tracks 329. The circuit blank is bonded to the reinforcing body through an adhesive layer 330.
Die Annäherung der Halbleiterchips in Zeilen oder Matrizen vervollkommnen die Schaltungsanordnungen nicht nur im Hinblick auf das Auflösungsvermögen, sondern wirken sich auch günstig auf die Schnelligkeit des Ansprechens und das Leitverhalten schlechthin aus.The approach of the semiconductor chips in rows or matrices not only perfect the circuitry in terms of resolving power, but also have a favorable effect on the speed of response and the conduction performance.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD85284774A DD244671A1 (en) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | FLEXIBLE, HYBRID INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD85284774A DD244671A1 (en) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | FLEXIBLE, HYBRID INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT |
Publications (1)
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|---|---|
| DD244671A1 true DD244671A1 (en) | 1987-04-08 |
Family
ID=5574662
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DD85284774A DD244671A1 (en) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | FLEXIBLE, HYBRID INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD244671A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2692719A1 (en) * | 1992-06-19 | 1993-12-24 | Thomson Composants Militaires | Pyroelectric sensor and manufacturing process. |
| US5986886A (en) * | 1997-11-03 | 1999-11-16 | R-Amtech International, Inc. | Three-dimensional flexible electronic module |
-
1985
- 1985-12-19 DD DD85284774A patent/DD244671A1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |