DD219618A1 - COAT RESISTANCE, ESPECIALLY FOR MICROWAVE COMPONENTS, AND METHOD FOR ITS ADJUSTMENT - Google Patents
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- DD219618A1 DD219618A1 DD25711783A DD25711783A DD219618A1 DD 219618 A1 DD219618 A1 DD 219618A1 DD 25711783 A DD25711783 A DD 25711783A DD 25711783 A DD25711783 A DD 25711783A DD 219618 A1 DD219618 A1 DD 219618A1
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Abstract
Schichtwiderstand, hergestellt in Dickschichttechnik, vorzugsweise zur Anwendung in Mikrowellenbauteilen, z. B. Daempfungsgliedern, und Verfahren zu seinem hoechstfrequenztechnisch guenstigen Abgleich. Ziel und Aufgabe der Erfindung ist es, fuer in Mikrowellenbauteilen eingesetzte Schichtwiderstaende in Dickschichttechnik hoechstfrequenztechnisch guenstige Ausfuehrung und Abgleich zu finden. Das Wesen der Erfindung besteht darin, dass die an sich bekannten nebeneinander liegenden, voneinander isolierten und damit elektrisch parallelgeschalteten Teilwiderstaende des Schichtwiderstandes so ausgebildet sind, dass ihr Widerstandswert symmetrisch vom Rand des Schichtwiderstandes aus zu dessen Mitte hin zunimmt. Diese Zunahme kann erreicht werden, indem entweder bei konstanten geometrischen Abmessungen der Teilwiderstaende der benutzte Flaechenwiderstandswert ansteigt oder bei konstantem Flaechenwiderstandswert die Breite der Teilwiderstaende verringert und/oder deren Laenge vergroessert wird. Der Abgleich des Schichtwiderstandes beginnt in seiner Mitte und betrifft nur die zentral gelegenen Teilwiderstaende, veraendert also keine der hoechstfrequenztechnisch kritischen Konturpunkte des Schichtwiderstandes. Fig. 2Sheet resistance, produced in thick-film technology, preferably for use in microwave components, for. B. Daempfungsgliedern, and methods for its hochfrequenzfrequently favorable balance. The object and the object of the invention is to find the highest frequency and low-frequency design and matching for thick film resistors used in microwave components. The essence of the invention consists in that the partial resistors of the sheet resistance, which are known to be adjacent to one another and are electrically connected in parallel, are designed such that their resistance value increases symmetrically from the edge of the sheet resistor to its center. This increase can be achieved either by increasing the surface resistivity value used with constant geometric dimensions of the partial resistors, or by reducing the width of the partial resistors and / or by increasing their length with constant surface resistance value. The adjustment of the sheet resistance begins in its center and affects only the centrally located partial resistors, so does not change any of the highest frequency critical contour points of the sheet resistance. Fig. 2
Description
Schichtwiderstand, insbesondere für Mikrowelienbauteile, und Verfahren zu seinem Abgleich'Sheet resistance, in particular for microwave components, and method for its comparison '
Die Erfindung betrifft einen Schichtwiderstand, insbesondere für Mikrowelienbauteile, der in Dickschichttechnik auf einem dielektrischen Substrat ausgeführt ist, und ein Verfahren zu seinem Abgleich. „ 'The invention relates to a sheet resistance, in particular for microwave components, which is carried out in thick-film technology on a dielectric substrate, and a method for its adjustment. ''
Mikrowellenbauteile, insbesondere Dämpfungseinrichtungen, verschiedener Ausführungen, enthalten oft in Dickschichttechnik / auf dielektrischem Substrat ausgeführte Schichtwiderstände.Microwave components, in particular damping devices of various designs, often contain layer resistors designed in thick-film technology / on a dielectric substrate.
Der spezielle Anwendungsfall für Mikrowelienbauteile erfordert für einen solchen Schichtwiderstand definierte geometrische Abmessungen, die gleichzeitig einen wichtigen Parameter bei der Berechnung der Mikrowelleneigenschaften des Mikrowellenbauteils darstellen. Darüber hinaus wird für den Widerstands-, wert dieser Schichtwiderstände ein bestimmter Sollwert gefordert, der sich in Abhängigkeit von der Frequenz möglichst wenig verändern soll.The special application for microwave components requires defined geometric dimensions for such a sheet resistance, which at the same time represent an important parameter in the calculation of the microwave properties of the microwave component. In addition, a certain nominal value is required for the resistance value of these film resistors, which should change as little as possible in dependence on the frequency.
2 5.MQV.-19 3 3 * 131 &2 5.MQV.-19 3 3 * 131 &
Das in der Praxis übliche technologische Verfahren zur Herstellung von Dickschichtwiderständen liefert einen Widerstandswert', der stark" vom- geforderten Sollwert abweichen kann, so daß zur Einstellung dieses Sollwertes unbedingt ein Abgleich erfolgen muß. Dieser Abgleich kann auf bekannte Weise. nach verschiedenen technologischen Verfahren erfolgen, z. B. durch Abtragen der Widerstandsschicht mittels Sandstrahl, Laser oder elektroerosive bzw. chemische Verfahren.The technological method for producing thick-film resistors which is customary in practice provides a resistance value which can deviate greatly from the required nominal value, so that an adjustment must necessarily be made for setting this nominal value, which calibration can be carried out in a known manner by various technological methods , For example, by removing the resistance layer by means of sandblast, laser or electroerosive or chemical methods.
Zur Erreichung günstiger elektrischer Parameter wird bei Anwendung der Dickschichttechnik zur Herstellung derartiger Schichtwiderstände auf bekannte Weise eine für den Einsatzfrequenzbereich geeignete, geometrische Kontur ausgewählt, dabei ist zusätzlich auf Einhaltung'eines bestimmten elektrisch vorteilhaften Verhältnisses zwischen Längen- und Breitenabmessung des Schichtwiderstandes sowie auf Auswahl von r für den Einsatzfrequenzbereich geeigneten Pasten zu achten.In order to achieve favorable electrical parameters, when using the thick-film technique for the production of such sheet resistors, a geometric contour suitable for the frequency range of use is selected, in addition to compliance with a certain electrically advantageous ratio between length and width dimension of the sheet resistance and selection of r pay attention to pastes suitable for the frequency range of use.
Nachteilig an dem erforderlichen Auswahlverfahren zur 3e-Stimmung der geometrischen Kontur ist, daß nur bedingt ein guter Kompromiß zwischen elektrisch optimaler Kontur, vorteilhaftem Längen/Breiten-Verhältnis und für den geforderten Widerstandswert im betrachteten Frequenzbereich geeigneten Dickschichtpasten zu finden ist.A disadvantage of the required selection process for the 3e tuning of the geometric contour is that only a limited compromise between electrically optimal contour, advantageous length / width ratio and for the required resistance value in the considered frequency range suitable thick-film pastes can be found.
Bekannt ist ein Schichtwiderstand und ein Verfahren zu seinem Abgleich, wobei vorzugsweise zur Verbesserung der Verteilung der Stromdichte über die Widerstandsschicht und.damit gute Belastungsaufteilung und zur Verbesserung der Ab-Known is a sheet resistor and a method for its adjustment, preferably to improve the distribution of the current density over the resistor layer and. Thus, good load sharing and to improve the Abstration
.'. '' ·' . * ·. gleichcharakteristik die Widerstandsschicht zwischen den beiden Stromzuführungselektroden in mehrere gegeneinander isolierte und damit, parallelgeschaltete Widerstandsstreifen aufgeteilt ist. Diese Widerstandsstreifen können in Länge und/oder Breite unterschiedlich groß sein, insbesondere. '. '' · '. * ·. same characteristic, the resistance layer between the two power supply electrodes in several mutually insulated and thus, parallel resistor strips is divided. These resistance strips can vary in length and / or width, in particular
derart, daß die Größen der Einzelwiderstände quer zur Verbindungslinie der Strorazuführungselektroden von einer Seite zur anderen zunehmen. Der Abgleich erfolgt nach bekannten Methoden durch Abtragen eines Teiles der Widerstandsschicht bis in das Substratniateriai hinein, beginnend mit dem kleinsten für den Abgleich vorgesehenen Einzelwiderstand von der Außenkante zur Mitte hin. Damit bringt die Durchtrennung des ersten Widerstandsstreifens die größte Änderung und die Durchtrennung - weiterer Widerstandsstreifen eine stetige Abnahme der Änderung des elektrischen Widerstandswertes des Schichtwiderstandes, woraus sich eine hohe Abgleichgenauigkeit ergibt.in such a way that the sizes of the individual resistors increase from one side to the other transversely to the connecting line of the power supply electrodes. The adjustment is carried out by known methods by removing a portion of the resistive layer into the Substratniateriai into it, starting with the smallest provided for balancing individual resistance from the outer edge to the middle. Thus, the severing of the first resistance strip brings about the greatest change and the severance of further resistance strips a steady decrease in the change in the electrical resistance of the layer resistance, resulting in a high level of matching accuracy.
Der Nachteil dieser bekannten Ausführung besteht darin, daß auf Grund der Gestaltung des Schichtwiderstandes der Abgleich auf den Widerstandssollwert von der Seite her durch teilweises oder gänzliches Durchtrennen eines oder mehrerer Abschnitte des aufgeteilten Schichtwiderstandes erfolgt. Durch dieses Ab- gleichverfahren wird also immer die äußere geometrische Kontur des Schichtwiderstandes, die bei in Dickschichttechnik her- gestellten Widerständen zusammen mit der gewählten Dickschichtpaste für die erreichbare obere Einsatzfrequenz solcher VViderstände in erster Linie verantwortlich ist, erheblich be-. . einflußt. Außerdem ist bei dem beschriebenen Ab'gleichverfahren nachteilig, daß durch den Beginn des Abgleiche am kleinsten, also am niederohmigsten Einzelwiderstand eine zum Teil erhebliche Umverteilung des Stromflusses bezüglich der einzelnen Widerstandsstreifen hervorgerufen wird. Daraus ergibt sich eine Verringerung der Belastbarkeit des Gesamtwiderstandes und die Möglichkeit der Überlastung einzelner Widerstandsstreifen.·The disadvantage of this known embodiment is that due to the design of the sheet resistance of the adjustment to the resistance setpoint from the side by partial or total severing of one or more sections of the divided sheet resistance. By means of this compensation method, therefore, the outer geometric contour of the sheet resistance, which in the case of resistors produced in thick-film technology together with the selected thick-film paste is primarily responsible for the achievable upper application frequency of such resistors, will be considerably higher. , influenced. Moreover, it is disadvantageous in the described Ab'gleichverfahren that caused by the beginning of the adjustment of the smallest, so the lowest resistance individual resistance, a sometimes significant redistribution of the current flow with respect to the individual resistance strips. This results in a reduction of the load capacity of the total resistance and the possibility of overloading individual resistance strips.
- Bekannt ,ist weiterhin ein in Schichtschaltungstechnik realisierter, abgleichbarer elektrischer Widerstand, wobei zur Verbesserung der Belastungsverteilung, der Exaktheit des Abgleichs auf den Sollwert und zur Beibehaltung des Hochfre- -quenz-Reflexionsverhaltens die Widerstandsschicht zwischen den- Known, is further realized in a layering technique, tunable electrical resistance, wherein to improve the load distribution, the accuracy of the adjustment to the target value and to maintain the high-frequency reflection behavior, the resistance layer between the
Änschlußelektroden in zwei nebeneinander angeordnete, also , elektrisch parallelgeschaltete, flächenhaft unterschiedlich ausgedehnte mit dadurch unterschiedlichen Widerstandswerten behaftete Flächenabschnitte aufgeteilt ist,' und der Abgleich am kleineren und hochöhmigeren Flächenabschnitt durchgeführt wird. Der Abgleich erfolgt durch einen Einschnitt im genannten Flächenabschnitt quer zur Stromflußrichtung und kann zur Gewährleistung eines Widerstandsfeinabgleiches parallel zur Stromflußrichtung in Richtung auf eine Anschlußelektrode weitergeführt, werden. . .Connection electrodes is divided into two juxtaposed, that is, electrically connected in parallel, areally differently extended with different resistance values thus affected surface sections, 'and the adjustment is carried out at the smaller and hochöhmigeren surface portion. The adjustment is made by an incision in said surface portion transverse to the direction of current flow and can be continued to ensure a resistance fine adjustment parallel to the direction of current flow in the direction of a connection electrode. , ,
Der Nachteil dieser bekannten Ausführung besteht darin, daß der geometrisch kleinere und damit hqchohmigere der beiden vorhandenen TeiXwiderstände, der ausschließlich vom Abgleich betroffen wird, ebenfalls der Außenkontur des Gesamtwiderstandes zugerechnet wesrden muß. Damit verursacht der Abgleich wiederum die Veränderung einer die Hochfrequehz-Kennwerte des Schichtvviderstandes bestiiT.JT.enden Größe und damit die Absenkung der erreichbaren oberen Einsatzfrequenz. Durch die relativ niedrig liegende obere Einsatzfrequenz von Schichtwiderständen der beschriebenen Ausführungen ist deren Einsatz in Mikr,o-The disadvantage of this known embodiment is that the geometrically smaller and thus hqchohmigere of the two existing TeiXwiderstände, which is affected exclusively by the adjustment, also attributed to the outer contour of the total resistance we s rden must. Thus, the adjustment in turn causes a change in the Hochfrequehz characteristic values of the layer resistance bestiiT.JT.enden size and thus the reduction of the achievable upper use frequency. Due to the relatively low upper use frequency of sheet resistors of the described embodiments, their use in microns, o-
, ' wellenbauteilen nur in sehr begrenztem Maße möglich., shaft components only to a very limited extent possible.
Ziel der Erfindung , \ Object of the invention \
Ziel der Erfindung ist ein in Dickschichttechnik auf dielektrischem Substrat realisierter Schichtwiderstand, der durch seinen Aufbau und durch seinen Abgleich auf einen Sollwert für den elektrisch und ökonomisch günstigen Einsatz in Mikrowellenbauteilen geeignet ist. >The aim of the invention is a realized in thick film technology on a dielectric substrate sheet resistance, which is suitable by its construction and by its balance to a target value for the electrical and economical use in microwave components. >
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für in Dickschichttechnik auf dielektrischem Substrat ausgeführte Schichtwider-The invention is based on the object, for layered in thick-film technology on a dielectric substrate Schichtwider-
stände eine geeignete Ausführungsfarm zu schaffen, die einerseits den Einsatz solcher Schichtwiderstähde insbesondere für Frequenzen im Mikrowellenbereich ermöglicht und andererseits eine einfache Abgleichmöglichkeit zur Hinstellung des SoIl-... wertes besitzt, die optimale elektrische, insbesondere höchstfrequenztechnische., Eigenschaften gewährleistet.To provide a suitable Ausführungsf poor , on the one hand allows the use of such Schichtwiderstähde especially for frequencies in the microwave range and on the other hand, a simple adjustment option for setting the SoIl -... value has, the optimal electrical, especially hochfrequenztechnische., Features guaranteed.
Bei Schichtwiderständen, insbesondere für Mikrowellenbauteile, dis in Dickschichttechnik auf dielektrischem Substrat zwischen zwei Kontaktierungsflachen in einer für gute Höchstfrequenzeigenschaften berechneten geometrischen Kontur ausgeführt sind und deren Fläche in mehrere nebeneinanderliegende, voneinander isolierte und damit elektrisch parallelgeschaltete Teilwiderstände aufgeteilt ist, wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Teilwiderstände so ausgeführt sind, daß ihre Widerstandswerte symmetrisch von der äußeren Begrenzung des Schichtwiderstandes aus zur Mitte hin zunehmen . Damit liegen an der äußeren Begrenzung und damit an der geometrischen Kontur des Schichtwiderstandes, die für die Höchstfrequenz-Kennwerte dieses Schichtwiderstandes von entscheidender Be-In the case of sheet resistors, in particular for microwave components, which are implemented in thick-film technology on a dielectric substrate between two contacting surfaces in a geometrical contour calculated for good maximum frequency characteristics and whose surface is divided into a plurality of juxtaposed, mutually insulated and thus electrically connected in parallel resistors, this object is achieved according to the invention, in that the partial resistors are designed so that their resistance values increase symmetrically from the outer boundary of the sheet resistance towards the center. Thus, at the outer boundary and thus at the geometric contour of the sheet resistance, which are of decisive importance for the maximum frequency characteristics of this sheet resistance,
, deutung ist, die niederohmigsten und in der Mitte, auf die Höchstfrequenz-Kennwerte den geringsten Einfluß ausübend, die hochohraigsten Teilwiderstände., meanwhile, the lowest impedance and in the middle, exercising the least influence on the maximum frequency characteristics, the highest-impedance partial resistances.
Der so beschriebene Verlauf des Widerstandswertes der Teilwiderstände symmetrisch von der äußeren Begrenzung zur Mitte des Schichtwiderstandes ι kann entweder so erzielt werden, daß die Teilwiderstände bei untereinander gleichen geometrischen Abmessungen mit unterschiedlichen Dickschichtpasten mit zur Mitte hin zunehmenden Flächenwiderstandswerten'ausgeführt werden, oder daß bei Anwendung einer Dickschichtpaste, also nur eines Flächenwiderstandswertes, die Breiten- und/oder Längen-Abmessungen der Teilwiderstände unterschiedlich ausgeführt sind. ,The course of the resistance value of the partial resistors symmetrically described from the outer boundary to the middle of the sheet resistance ι can either be achieved so that the partial resistors are executed with mutually identical geometric dimensions with different thick-film pastes with surface resistance values increasing toward the center, or if a resistance value is used Thick-film paste, so only a surface resistance value, the width and / or length dimensions of the partial resistors are designed differently. .
- ο —- ο -
Der Abgleich eines derartigen Schichtwiderstandes durch entfernen von Teilen der Widerstandsschicht von Teilwiderständen mittels bekannter technologischer Verfahren beginnend beim hochohmigsten Teilwiderstand wird erfindungsgemäß dadurch,· realisiert, daß von der Mitte zwischen den beiden äußeren Begrenzungen des Schichtwiderstandes ausgehend und bei BedarfThe adjustment of such a sheet resistance by removing parts of the resistive layer of partial resistors by means of known technological processes starting with the highest resistance sub-resistance according to the invention thereby, · realized that starting from the middle between the two outer boundaries of the sheet resistance and, if necessary
'.' nach außen fortschreitend; die Teilwiderstände vollständig . oder '.' progressing outwards; the partial resistors completely. or
teilweise aufgetrennt werden, wobei davon nur die zentral ge-' legenen Teilwiderstände betroffen werden. Dabei wird laufend -in bekannter Weise der aktuelle Widerständswert geraessen.are partially separated, whereby only the centrally placed partial resistors are affected. In the process, the current resistance value is continuously read in a known manner.
Bei Einhaltung des vorausgesetzten zur Mitte hin zunehmenden Verlaufs des Widerstandswertes der Teilwiderstände und der technologischen Parameter werden vom Abgleich immer nur wenige zentral liegende, die äußere Kontur des Schichtwiderstandes nicht berührende Teilwiderstände betroffen.In compliance with the presumed towards the middle increasing course of the resistance value of the partial resistors and the technological parameters of the balance are always affected only a few centrally located, not the outer contour of the sheet resistance partial resistors.
Durch die erfindungsgemäße Lösung bleibt auch nach erfolgtem Abgleich die beim Entwurf des Schichtwiderstandes zugrunde gelegte elektrisch günstige äußere Kontur des Schichtwiderstandes erhalten, damit wird die obere Einsatzfrequenz wesentlich erhöht und ein erheblich erweiterter .Einsatz in Mikrowellenbauteilen, Zi B. als.Teilwiderstand in Dämpfungsgliedern, möglich.The solution according to the invention, even after the alignment has been completed, maintains the electrically favorable outer contour of the sheet resistance on which the sheet resistance is based, thus substantially increasing the upper use frequency and enabling a considerably expanded use in microwave components, eg as partial resistance in attenuators ,
2,5. AusfQhrungsbeispie1 '_ '2.5. Embodiment 1 '_ '
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden . *The invention will be explained in more detail below using an exemplary embodiment. *
Pig· !· Draufsicht eines erfindungsgemäßen ßchichtwiderstandes bei Anwendung eines einheitlichen Flächenwiderstandes für die Teilwiderstände vor dem Abgleich . , . Fig7. 2: Schichtwiderstand nach dem AbgleichPig · ! · Top view of a layer resistance according to the invention when using a uniform sheet resistance for the partial resistances before the adjustment. ,. Fig. 7 . 2: sheet resistance after adjustment
- / - · , .- / - ·,.
Fig. 3: Draufsicht eines erfindungsgemäSen Schiohtwiderstandes bei Anwendung verschiedener Flächenwiderstände vor dem Abgleich , .. \ 3 shows a plan view of a schiohield resistor according to the invention when different surface resistances are used before the adjustment, FIG. , \
In der Ausführung nach FIg. 1 befinden sich auf der Oberseite eines Substrates 1 aus Aluminiumoxid-Keramik zwei in Dickschichttechnik hergestellte Kontaktierungsflachen 2 und dazwischen ein ebenfalls in Dickschichttechnik hergestellter .-Schichtwiderstand 3, bestehend aus den Einzelwiderständen 3,1 bis 3.4, wobei'die Einzelwiderstände 3.1 bis 3.3 jeweils paar- weise vorhanden sind.In the design according to FIg. 1 are located on the top of a substrate 1 made of alumina ceramic two contacting surfaces 2 made in thick-film technology and between them also produced in thick-film technology.-Sheet resistance 3, consisting of the individual resistors 3.1 to 3.4, the '' single resistors 3.1 to 3.3 each pair - are available.
Die beiden an der äußeren Begrenzung des Schichtvviderstandes 3 liegenden Einzelwiderstände 3.1 bestimmen die geometrische Kontur des Schichtwiderstandes 3 und besitzen den niedrigsten Widerstandswert, bei einheitlichem Flächenwiderstand damit die breiteste Abmessung parallel zu den Kontaktierungsflachen . .Mit zunehmender Entferung von der äußeren Begrenzung nimmt der Widerstandswert der Einzelwiderstände 3.1 bis 3.4 zu, in Fig. 1 dargestellt bei Anwendung eines einheitlichen Flächenwiderstandes durch Verringerung der Breite der Einzelwiderstände 3.1 bis 3.4 in Richtung zur Mitte des Schichtwiderstandes 3 hin. 3ei günstiger Wahl aer Abstufung der Widerstandswerte der Einzelwiderstände 3.1 bis 3.4 kann der Abgleich des Schicht Widerstandes 3 durch vollständiges oder teilweises Auftrennen eines oder mehrerer, der zentral gelegenen Einzelwiderstände des Schichtvviderstandes 3, vorzugsweise durch Sandstrahl oder Laser, erfolgen. In Fig. 2 ist ein derart abgeglichener Schicht widerstand 3 nach Fig. 1 mit vollständig aufgetrennten Einzelwiderständen 3.3 und 3.4 dargestellt.The two lying at the outer boundary of the layer resistance 3 individual resistors 3.1 determine the geometric contour of the sheet resistance 3 and have the lowest resistance, with uniform sheet resistance thus the widest dimension parallel to the Kontaktierungsflachen. With increasing distance from the outer boundary, the resistance of the individual resistors 3.1 to 3.4 increases, as shown in FIG. 1, by using a uniform sheet resistance by reducing the width of the individual resistors 3.1 to 3.4 in the direction of the center of the sheet resistor 3. 3EI favorable choice aer graduation of the resistance values of individual resistors 3.1 to 3.4 the balance of the resistance layer 3 can be accomplished by complete or partial severing of one or more of the individual resistances of the Schichtvviderstandes 3 centrally located, preferably by sand blasting or laser. In Fig. 2 such a compensated layer resistor 3 of FIG. 1 with fully separated individual resistors 3.3 and 3.4 is shown.
In der Ausführung nach Fig. 3 sind die Einzelwiderstände 3.1 bis 3.4 mit gleicher geometrischer Breite hergestellt, die erfindungsgemäSe Zunahme des Widerstandsvvertes der Einzelwi-In the embodiment according to FIG. 3, the individual resistors 3.1 to 3.4 are manufactured with the same geometric width, the increase in the resistance value of the individual resistances according to the invention.
ders,tände in Richtung zur Mitte des Schichtwiderstandes 3 hin wird durch die Anwendung von Dickschichtpasten mit verschiedenen Flächenwiderstandswerten realisiert. Der Abgleich erfolgt ähnlich der Darstellung in Fig. 2. In contrast, towards the center of sheet resistance 3, the use of thick-film pastes having different surface resistivity values is realized. The adjustment is similar to the representation in FIG. 2.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD25711783A DD219618A1 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | COAT RESISTANCE, ESPECIALLY FOR MICROWAVE COMPONENTS, AND METHOD FOR ITS ADJUSTMENT |
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| DD25711783A DD219618A1 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | COAT RESISTANCE, ESPECIALLY FOR MICROWAVE COMPONENTS, AND METHOD FOR ITS ADJUSTMENT |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD219618A1 true DD219618A1 (en) | 1985-03-06 |
Family
ID=5552256
Family Applications (1)
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| DD25711783A DD219618A1 (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | COAT RESISTANCE, ESPECIALLY FOR MICROWAVE COMPONENTS, AND METHOD FOR ITS ADJUSTMENT |
Country Status (1)
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|---|---|
| DD (1) | DD219618A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4122331A1 (en) * | 1991-04-22 | 1992-10-29 | Asea Brown Boveri | VOLTAGE CONVERTER FOR A MEDIUM OR HIGH VOLTAGE SYSTEM |
-
1983
- 1983-11-25 DD DD25711783A patent/DD219618A1/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4122331A1 (en) * | 1991-04-22 | 1992-10-29 | Asea Brown Boveri | VOLTAGE CONVERTER FOR A MEDIUM OR HIGH VOLTAGE SYSTEM |
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