DD216258A1 - Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process - Google Patents

Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process Download PDF

Info

Publication number
DD216258A1
DD216258A1 DD25248983A DD25248983A DD216258A1 DD 216258 A1 DD216258 A1 DD 216258A1 DD 25248983 A DD25248983 A DD 25248983A DD 25248983 A DD25248983 A DD 25248983A DD 216258 A1 DD216258 A1 DD 216258A1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
target
surface acoustic
item
acoustic wave
arrangement
Prior art date
Application number
DD25248983A
Other languages
German (de)
Inventor
Andreas Mohnke
Reinhard Tischmeier
Klaus Roth
Original Assignee
Elektronische Bauelemente Veb
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elektronische Bauelemente Veb filed Critical Elektronische Bauelemente Veb
Priority to DD25248983A priority Critical patent/DD216258A1/en
Publication of DD216258A1 publication Critical patent/DD216258A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik, speziell auf die Technologie der Katodenzerstaeubung. Ziel der Erfindung ist es, das Erosionsverhalten eines Targets genau zu ueberwachen, um den Katodenzerstaeubungsprozess entsprechend zu steuern. Die Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zu entwickeln und eine Anordnung zu schaffen, welche den Katodenzerstaeubungsprozess kontrollierbar gestalten. Erfindungsgemaess wird die Ausbreitung akustischer Oberflaechenwellen auf dem Target verwendet, wobei die Erosionstiefe eines Targets ueber die Laufzeit einer akustischen Oberflaechenwelle erfasst und zur Regelung des Katodenzerstaeubungsprozesses gesteuert wird. In der Anordnung zur Durchfuehrung des Verfahrens sind die Wandler auf der Targetoberflaeche eines Targets angeordnet. Die Erfindung dient dem Beschichten von Substraten mit haftfesten Schichten.The invention relates to the field of electrical engineering / electronics, especially on the technology of Katodenzerstaeubung. The aim of the invention is to closely monitor the erosion behavior of a target in order to control the Katodenzerstäubungsprozess accordingly. The object is to develop a method and to provide an arrangement which make the Katodenzerstäubungsprozess controllable. According to the invention, the propagation of acoustic surface waves on the target is used, wherein the depth of erosion of a target is detected over the duration of an acoustic surface wave and controlled to control the cathode sputtering process. In the arrangement for carrying out the method, the transducers are arranged on the target surface of a target. The invention serves for coating substrates with adherent layers.

Description

Verfahren und Anordnung zum Steuern des Katodenzerstäubungsprozesses·Method and arrangement for controlling the sputtering process ·

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elsktroteolinlk/Elektronik, speziell auf die Technologie der Katodenzerstäubung und dient dem Beschichten von Substraten mit haftfesten Schichten.The invention relates to the field of elktroteolinlk / electronics, especially on the technology of sputtering and serves for the coating of substrates with adherent layers.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Aus der DE-OS 2 821 119 ist bekannt, den Entladungsstromwert der Gasentladung bei konstanter Entladungsspannung mit einem Stromsollwert zu vergleichen und den sich ergebenden Differenzwert mit dem Arbeitsdruckistwert in einen Druckregler einzugeben. Der Zerstäubungsdruck wird beim Abweichen des Entladungsstromes vom Sollwert auf solche Werte gebracht, daß der Ent'ladungsstrom dem vorgegebenen Wert entspricht.From DE-OS 2 821 119 it is known to compare the discharge current value of the gas discharge at a constant discharge voltage with a current setpoint and to input the resulting difference value with the working pressure actual value into a pressure regulator. When the discharge current deviates from the desired value, the atomization pressure is brought to such values that the discharge current corresponds to the predetermined value.

Der Regelvorgang erfaßt jedoch nicht den Zustand der Targetoberfläche, der für den Erosionsvorgang entscheidend ist* ' ' . ,However, the control process does not detect the condition of the target surface which is critical to the erosion process * ''. .

Aus der US-PS 4.172.020 ist bekannt, bei einer reaktiven Zerstäubung mit Hilfe eines Massenspektrometers den Gehalt des Sntladungsplasmas an Metall- und Metalloxidianen zu analysieren und aus dem Verhältnis der beiden Stoffe ein Signal zum Regeln des Partialdrucks des Reaktionsgases und zum Einstellen anderer Abscheideparameter zu gewinnen. Der Einsatz eines Massenspektrometers ist aber aufwendig und teuer.From US-PS 4,172,020 it is known to analyze the content of Sntladungsplasmas of metal and Metallloxidianen in a reactive sputtering using a mass spectrometer and from the ratio of the two substances, a signal for controlling the partial pressure of the reaction gas and for setting other Abscheideparameter to win. However, the use of a mass spectrometer is complicated and expensive.

Bekannt ist auch die US-PS 4.312.732, hier wird der Lackablöseprozeß durch Trockenätzung in §iner Reaktionskammer über Beobachtung der elektromagnetisohen Strahlung, die dem Lack zugeordnet 1st, gesteuert. Fehlt der Strahlungsanteil des Lackes, wird der Vorgang abgebrochen. Das Ver- J fahren liefert lediglich eine Abdruckbedingung. Die Verhältnisse an der zerstäubten Fläche werden nur indirekt erfaßt.US Pat. No. 4,312,732 is also known, in which the paint stripping process is controlled by dry etching in a reaction chamber via observation of the electromagnetic radiation associated with the paint. If the radiation component of the paint is missing, the process is aborted. The encryption J drive simply provides a print condition. The conditions at the atomized surface are detected only indirectly.

Ziel der ErfindungObject of the invention

.' ' . .' > . ''. . '>

Das Ziel der Erfindung besteht darin, den Zustand der Targetoberfläche genau zu erfassen, um ein genaues überwachen des Srosionsvorganges eines Targets zu erreichen. Dadurch wird der Katodenzerstäubungsprozeß entsprechend gesteuert und kostengünstig gestaltet. Der Einsatz aufwendiger und teurer Apparaturen entfällt. Durch den gut gesteuerten Prozeß werden die Substrate mit haftfesten Schichten beschichtet.The object of the invention is to accurately detect the state of the target surface in order to accurately monitor the erosion process of a target. As a result, the Katodenzerstäubungsprozeß is controlled accordingly and designed inexpensively. The use of complex and expensive equipment is eliminated. Due to the well-controlled process, the substrates are coated with adherent layers.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Die technischen Ursachen der Mängel liegen darin begründet, daß bei dem bekannten Stand der Technik der Zustand der Targetoberfläche nicht genau erfaßt wird, der jedooh für den Erosionsvorgang entscheidend ist.The technical causes of the defects are due to the fact that in the known state of the art, the state of the target surface is not accurately detected, which is however crucial for the erosion process.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu entwickeln und eine .Anordnung zu schaffen, die eine genaue Analyse des Oberflächenzuständes eines Targets ermöglicht, und dadurch den Katodenzerstäubungsprozeß kontrollierbar gestaltet.It is therefore an object of the invention to develop a method and a .Anordnung to create that allows an accurate analysis of the surface state of a target, and thereby made the Katodenzerstäubungsprozeß controllable.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zum Messen und Steuern, einschließlich Endabschalten des Katodenzerstäubungsprozesses die Ausbreitung akustischer Oberflächenwellen auf dem Target verwendet wird, indem durch die Ausbreitung die Erosionstiefe eines Targets über die Laufzeit der akustischen Oberfläohenwellen erfaßt wird. Es ist vorteilhaft, die Momentantemperatur des Targets mit Hilfe der Temperatur- Frequenzcharakteristik mindestens einer Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwellen zu erfassen und zur Messung und Steuerung des Katodenzerstäübungsprozesses zu verwenden·According to the invention the object is achieved in that for the measurement and control, including Endabschalten the Katodenenzerstäubungsprozesses the propagation of surface acoustic waves is used on the target by the erosion depth of a target over the term of the acoustic Oberfläohenwellen is detected by the propagation. It is advantageous to detect the instantaneous temperature of the target with the aid of the temperature-frequency characteristic of at least one surface acoustic wave delay line and to use it to measure and control the cathode sputtering process.

Es ist zweckmäßig zur Steuerung des Prozesses die am Target eingespeiste HF-Leistung sowie die Targetspannung zu verwenden.It is expedient to use the RF power fed to the target as well as the target voltage to control the process.

Des weiteren können der Druck sowie, die'Zusammensetzung des Arbeitsgasec; verwendet werden. _ .. ' Gemäß der Erfindung besteht die Anordnung zur Durchführung des Verfahrens aus mindestens zwei Wandlern für akustische Oberflächenwellen, welche auf der Targetoberfläche eines Targets für die Katodenzerstäubung angeordnet sind. ,Furthermore, the pressure as well as the composition of the working gas c; be used. According to the invention, the arrangement for carrying out the method consists of at least two surface acoustic wave transducers arranged on the target surface of a cathode sputtering target. .

Des weiteren ist die Verzögerungsleitung thermisch leitend auf dem Target angebracht.Furthermore, the delay line is thermally mounted on the target.

Um Unterschiede des erosiven Abtrages auf der Targetoberfläche zu erfassen, können auch mehrere Wandler, welche eine oder mehrere Verzögerungsleitungen bilden, auf der Targetoberfläche angeordnet sein.In order to detect differences in the erosive discharge on the target surface, a plurality of transducers, which form one or more delay lines, can also be arranged on the target surface.

In einer weiteren Ausführung ist in jedem Gebiet außerhalb der Srosionszone mindestens ein-Wandler für akusti-In another embodiment, in each area outside the erosion zone at least one transducer for acoustic

sehe Oberflächenwelle]! angeordnet. Das trifft speziell für die Magnetron- oder Piasmatronzerstäubung zu. Die Wandler und/oder die Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwellen sind von einem leitenden Gehäuse, welches auf Targetpotential liegt, mindestens teilweise umgeben.see surface wave]! arranged. This is especially true for the magnetron or Piasmatronzerstäubung. The transducers and / or the surface acoustic wave delay line are at least partially surrounded by a conductive housing which is at target potential.

Weiterhin ist es vorteilhaft, daß die akustischen Oberflächeüwellen auf ihrem V/eg zwischen den Wandlern mindestens teilweise durch das Erosionsgebiet des Targets laufen.Furthermore, it is advantageous that the acoustic surface waves on their V / eg between the transducers run at least partially through the erosion region of the target.

Ausführungsbeispielembodiment

Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch eine Anordnung zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses. In der Anordnung trägt ein Target 3 auf seiner überfläche 4 zwei Wandler für akustische Oberflächenwellen 1 und 2. Eine Abschirmung 7 begrenzt das Erosionsgebiet 6 von Target 3. Die Wandler für akustische Qberflächenwellen 1 und 2 und der- Abschnitt der Targetoberfläche 4 zwischen den Wandlern 1 und 2 bilden eine Verzögerungsleitung für akustische Überflächenwellen.Fig. 1 shows a section through an arrangement for controlling the Katodenzerstäubungsprozesses. In the arrangement, a target 3 carries on its surface 4 two surface acoustic wave transducers 1 and 2. A shield 7 defines the erosion region 6 of target 3. The acoustic surface acoustic wave transducers 1 and 2 and the portion of the target surface 4 between the transducers 1 and 2 constitute a surface acoustic wave delay line.

Wandler 1 formt elektrische Energie eines durchstimmbaren HF-Generators in eine akustische Oberflächenwelle um, die sich auf der Targetoberfläche 4 von Wandler 1 zu Wandler fortpflanzt. Die Wellenausbreitungsrichtung kann auch umgekehrt werden. Wandler 2 wandelt die Welle in ein elektisches Ausgangssignal zurück, das auf einem Sichtgerät dargestellt wird. Die Resonanzfrequenz der Verzögerungsleitung ist temperaturabhängig.Transducer 1 converts electrical energy of a tunable RF generator into a surface acoustic wave propagating on transducer surface 1 from transducer 1 to transducer. The wave propagation direction can also be reversed. Transducer 2 converts the shaft back into an electrical output signal that is displayed on a viewing device. The resonant frequency of the delay line is temperature-dependent.

Während des Katodenzerstäubungsprozesses erwärmt sich die Oberfläche 4 des Targets 3 durch den Aufprall von positiven Arbeitsgasionen in der Erosionszone 6. Da ein Großteil der Energie der positiven Ionen an der Targetob erfläche 4 in Wärme umgesetzt wird, ist die Oberflächentemperatur des Targets 3 ein empfindlicher Indikator für den Ionenstrora und das Erosionsverhalten des Targets.During the sputtering process, the surface 4 of the target 3 is heated by the impact of positive working gas ions in the erosion zone 6. Since most of the energy of the positive ions at the target surface 4 is converted into heat, the surface temperature of the target 3 is a sensitive indicator for the ionic current and the erosion behavior of the target.

Die Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwelle]* erlaubt über die Messung ihrer temperaturabhängigen Resonanzfrequenz eine reproduzierbare Einstellung aller Prozeßparameter für den Katodenzerstäubungsprozeß. Für die Wandler 1 und 2 sind alle, bekannten Wandler-Konfiguratipnen für akustische Oberfläohenwellen z.B. Interdigitalwandler, Keilwandler einsetzb&r. Die Abschirmung 7, die ein positiveres Potential als das Target 3 hat, verhindert ein Abstäuben der Wandler 1 und 2. x ' The surface acoustic wave delay line] * permits a reproducible adjustment of all process parameters for the sputtering process by measuring its temperature-dependent resonance frequency. For the transducers 1 and 2, all known transducer configurations for acoustic surface waves, eg interdigital transducers, wedge transducers, are used. The shield 7, which has a more positive potential than the target 3, prevents dusting of the transducers 1 and 2. x '

Fig. 2 stellt eine weitere Anordnung zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses dar· Auf der Oberfläche 4 des Targets 3 ist thermisch leitend eine Oberflächenwellenverzögerungsleitung 5 mit den Wandlern 1 und 2 befestigt. Die Abschirmung 7 begrenzt das Erosionsgebiet 6, von Target 3. <FIG. 2 shows a further arrangement for controlling the sputtering process. On the surface 4 of the target 3, a surface wave delay line 5 with the transducers 1 and 2 is thermally conductively fixed. The shield 7 limits the erosion area 6, of target 3. <

Die Verzögerungsleitung 5 hat einen großen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz. Sie besteht aus einem Material, das eine effektive Anregung und geriiige Laufdämpfung für akustische Oberflacb.enwei3.en besitzt. Über die Messung der temperaturabhängigen Resonanzfrequenz der Verzögerungsleitung 5 kann man den Katodenzerstäubungsproiieß reproduzierbar gestalten. Die .Abschirmung" 7, die auf einem positiveren Potential als das Target 3 liegt, verhindert ein Abstäuben der Verzögerungsleitung 5.The delay line 5 has a large temperature coefficient of the resonance frequency. It consists of a material that has an effective excitation and good running damping for acoustic surfaces. By measuring the temperature-dependent resonance frequency of the delay line 5, it is possible to design the sputtering projection in a reproducible manner. The "shield" 7, which is at a more positive potential than the target 3, prevents dusting of the delay line. 5

Fig. 3 zeigt eine Anordnung zur Steuerung des Katoden-Zerstäubungsprozesses mit elektrisch abgeschirmter Verzögerungsleitung 5. Auf der Oberfläche 4 des Targets 3 ist thermisch leitend eine Oberflächenwellenverzögerungsleitung 5 mit den Wandlern 1 und 2 befestigt. Die Abschirmung 7 beschränkt die Targeterosion auf das Gebiet 6.Fig. 3 shows an arrangement for controlling the cathode sputtering process with electrically shielded delay line 5. On the surface 4 of the target 3, a surface wave delay line 5 is thermally fixed with the transducers 1 and 2. The shield 7 restricts the target erosion to the area 6.

Die Verzögerungsleitung 5 hat einen großen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz. Sie dient zur Messung der Oberflächentemperatur des !Targets 3. Um die Anregung von unerwünschten Volumen- oder Oberfläphenwellen zu vermeiden, ist die VerzögerungsleitungThe delay line 5 has a large temperature coefficient of the resonance frequency. It is used to measure the surface temperature of the target! 3. To avoid the excitation of unwanted volume or surface waves, the delay line is

5 von einem elektrisch leitenden Gehäuse 8 umgeben. Gehäuse 8 hat Targetpotential«5 surrounded by an electrically conductive housing 8. Housing 8 has target potential «

Eventuell vorhandene Massepunkte im Wandlerbereich liegen auch auf Targetpotential.Any existing ground points in the transducer area are also at target potential.

Die Abschirmung 7 liegt auf positiverem Potential als das Target 3 und verhindert ein Abstäuben des Gehäuses 8.The shield 7 is at a more positive potential than the target 3 and prevents dusting of the housing. 8

Fig. 4 stellt eine Anordnung zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses mit einem Target für die Magnetron- oder Piasmatronzerstäubung 3 dar. Auf der Oberfläche 4 des Targets 3 sind zu beiden Seiten der Erosionszone4 illustrates an arrangement for controlling the sputtering process with a target for the magnetron or piasmatron sputtering 3. On the surface 4 of the target 3 are on both sides of the erosion zone

6 je ein Wandler für akustische Oberflächenwellen 1 und 2 angebracht. Die Abschirmung 7 begrenzt die Erosionszone 6.6 each mounted a transducer for surface acoustic waves 1 and 2. The shield 7 limits the erosion zone 6.

Die Wandler für akustische Oberflächenwellen 1 und 2 und die Efosionszone 6 des Targets 3 bilden eine Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwellen. Wandler 1 formt elektrische Energie eines durchstimmbaren HF-Generators in eine akustische Oberflächenwelle um, die sich durch die Erosionszone 6 von Wandler 1 zu Wandler 2 fortpflanzt. Die Wellenausbreitungsrichtung kann auch umgekehrt werden. Wandler 2 wandelt die Welle in ein elektrisches Ausgangssignal zurück, das auf einem Sichtgerät dargestellt wird.The surface acoustic wave transducers 1 and 2 and the efosion zone 6 of the target 3 constitute a surface acoustic wave delay line. Transducer 1 converts electrical energy of a tunable RF generator into a surface acoustic wave propagating through erosion zone 6 from transducer 1 to transducer 2. The wave propagation direction can also be reversed. Transducer 2 converts the shaft into an electrical output signal that is displayed on a viewing device.

Die Laufzeit der Oberflächenwelle ist von den Abmessungen der Erosionszone 6 abhängig.The transit time of the surface wave depends on the dimensions of the erosion zone 6.

Für die Wandler 1 und 2 sind alle bekannten Wandlerkonfiguratioen für akustische Oberflächenwelleη z.B. Interdigitalwandler, Kellwandler einsetzbar. Die Abschirmung 7, die ein positiveres Potential als das , Target 3 hat, verhindert ein Abstäuben der Wandler 1 und 2,For transducers 1 and 2, all known surface acoustic wave transducer configurations, e.g. Interdigital transducer, Kellwandler used. The shield 7, which has a more positive potential than the target 3, prevents dusting of the transducers 1 and 2,

Die Erfassung der Prozesse an der Targetoberfläche mit akustischen Oberflächenwellen ist vorteilhaft, da die Wellen nur etwa eine Wellenlänge in das Ausbreitungsmediura eindringen. Die üblichen Wellenlängen liegen im, Bereich von 1 bis 100 ,um.The detection of the processes at the target surface acoustic wave surface is advantageous because the waves penetrate only about one wavelength in the propagation mediura. The usual wavelengths are in the range of 1 to 100 μm.

Claims (11)

Erfindungsanspruchinvention claim 1. Verfahren und Anordnung zum Steuern des Katodenzerstäubungsprozesses, bei dem in einem Rezipienten gefüllt mit einem Arbeitsgas bestimmter Zusammensetzung und unter definiertem Druck durch Zuführung einer einstellbaren elektrischen Leistung am Target eine Glimmentladung gezündet wird, deren Ionen einen bestimmten Materialabtrag an der Oberfläche des Targets bewirken, wobei am Target ein Teil der Ionenenergie in Wärme umgesetzt wird, gekennzeichnet dadurch, daß zum Messen und Steuern des Katodenzerstäubungsprozesses die Ausbreitung akustischer Oberflächenwellen auf dem Target (3,) verwendet wird, wobei eine oder mehrere sich ausbreitende akustische Oberflächenwellen auf dem Target (3) angeregt werden, durch deren Ausbreitung die Erosionstiefe eines Targets über die Laufzeit der akustischen Oberflächenwellen erfaßt wird.1. Method and arrangement for controlling the sputtering process, in which a glow discharge is ignited in a recipient filled with a working gas of a specific composition and under defined pressure by supplying an adjustable electrical power to the target, whose ions cause a certain removal of material on the surface of the target, wherein a portion of the ion energy is converted to heat at the target, characterized in that the propagation of surface acoustic waves on the target (3, 3) is used to measure and control the sputtering process, wherein one or more propagating surface acoustic waves are applied to the target (3). whose propagation detects the erosion depth of a target over the life of the surface acoustic waves. 2. Verfahren nach Punkt 1 gekennzeichnet dadurch, daß die Momentantemperatur des Targets (3) mit Hilfe der Temperatur-Frequenzcharakteristik mindestens einer Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwellen gemessen wird. ! 2. Method according to item 1, characterized in that the instantaneous temperature of the target (3) is measured by means of the temperature-frequency characteristic of at least one surface acoustic wave delay line. ! 3. Verfahren nach Punkt 2 gekennzeichnet dadurch, daß zur Steuerung des Katodenzerstäübungsprozesses die am Target (3) eingespeiste HF-Leistung verwendet wird. ,3. The method according to item 2, characterized in that for controlling the Katodenzerstäübungsprozesses at the target (3) fed RF power is used. . 4. Verfahren nach Punkt 2 gekennzeichnet dadurch, daß zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses die Targetspannung verwendet wird.4. The method according to item 2, characterized in that the target voltage is used to control the Katodenzerstäubungsprozesses. 5. Verfahren nach Punkt 2 gekennzeichnet dadurch, daß zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses der Druck des Arbeitsgases verwendet wird.5. The method according to item 2, characterized in that is used to control the Katodenzerstäubungsprozesses the pressure of the working gas. 6. Verfahren nach Punkt 2 gekennzeichnet dadurch, daß zur Steuerung des Katodenaei'staubungsprozesses die Zusammensetzung des Arbeitsgases verwendet wird,6. The method according to item 2, characterized in that the composition of the working gas is used to control the Katodenaei'staubungsprozesses, 7. Anordnung zur Steuerung des Katodenzerstäubungsprozesses nach Punkt 1, bestehend aus mindestens zwei Wandlern für akustische Oberflächenwellen (1, 2), die mindestens eine Verzögerungsleitung auf Basis akustischer Oberflächenwellen' bilden, gekennzeichnet dadurch, daß die Wandler für akustische Oberflächenwellen (1, 2) auf der Targetoberfläche (4) eines Targets für die Katodenzerstäubung (3) angeordnet sind. v .Arrangement for controlling the sputtering process according to item 1, comprising at least two surface acoustic wave transducers (1, 2) forming at least one surface acoustic wave delay line, characterized in that the surface acoustic wave transducers (1, 2) on the target surface (4) of a target for the sputtering (3) are arranged. v . 8. Anordnung zur Steuerung des Katodenzerstäübungspro™ aesses nach Punkt 7? gekennzeichnet dadurch, daß die Verzögerungsleitung (5) aus einem Material mit großen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz besteht und thermisch leitend auf dem Target (3) ange-8. Arrangement for controlling the Katodenzerstäübungspro ™ aesses after item 7 ? characterized in that the delay line (5) consists of a material with high temperature coefficients of the resonance frequency and is thermally conductively attached to the target (3). . ordnet ist.,, arranges., 9. Anordnung nach Punkt 7. gekennzeichnet dadurch, daß. die akustischen Oberflächenwellen auf ihrem Weg zwischen den Wandlern (1? 2) mindestens teilweise durch eine Erosionszone (6) des Targets (3) laufen«,9. Arrangement according to item 7, characterized in that. the surface acoustic waves pass at least partially through an erosion zone (6) of the target (3) on their way between the transducers (1 ? 2), 10, Anordnung nach Punkt 9? gekennzeichnet dadurch, daß die Wandler für akustische Oberflächenwellen (1, 2) auf der Targetoberfläche (4) eines Targets (3) so angeordnet sind, daß sich in jedem Gebiet außerhalb der Srosionszone (6) mindestens ein Wandler für akustische Oberflächenwellen (1, 2) befindet.10, arrangement after point 9 ? characterized in that the surface acoustic wave transducers (1, 2) are arranged on the target surface (4) of a target (3) such that at least one surface acoustic wave transducer (1, 2) is located in each region outside the erosion zone (6) ) is located. 11. Unordnung nach Punkt 7, gekennzeichnet dadurch, daß die Wandler für akustische Oberflächenwellen (1, 2) und/oder die Verzögerungsleitung für akustische Oberflächenwellen (5) von einem elektrisch leitenden Gehäuse (8), das auf Targetpotential liegt, mindestens teilweise umgeben sind.11. disorder according to item 7, characterized in that the surface acoustic wave transducers (1, 2) and / or the surface acoustic wave delay line (5) of an electrically conductive housing (8), which is at target potential, are at least partially surrounded , Hierzu zwei Blatt Zeichnungen.For this two sheets of drawings.
DD25248983A 1983-06-29 1983-06-29 Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process DD216258A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD25248983A DD216258A1 (en) 1983-06-29 1983-06-29 Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD25248983A DD216258A1 (en) 1983-06-29 1983-06-29 Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD216258A1 true DD216258A1 (en) 1984-12-05

Family

ID=5548589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD25248983A DD216258A1 (en) 1983-06-29 1983-06-29 Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD216258A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3724937A1 (en) * 1986-12-23 1988-07-07 Balzers Hochvakuum SPRAYING SOURCE FOR CATHODE SPRAYING SYSTEMS
DE4022461A1 (en) * 1990-07-14 1992-01-23 Leybold Ag SPRAYING CATHODE

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3724937A1 (en) * 1986-12-23 1988-07-07 Balzers Hochvakuum SPRAYING SOURCE FOR CATHODE SPRAYING SYSTEMS
DE4022461A1 (en) * 1990-07-14 1992-01-23 Leybold Ag SPRAYING CATHODE

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4445762A1 (en) Method and device for determining absolute plasma parameters
DE3328012C2 (en)
DE60018125T2 (en) Control of the ion dose in an implantation device
DE2600154C2 (en) Method and device for measuring the thickness of flat material by means of sound waves
EP0246576B1 (en) Capacitive-measuring system
DE102007003850A1 (en) Claw detection device for laser beam machine, laser beam processing system and claw detection method for laser beam machine
DE2806769A1 (en) ACOUSTIC PROBE
DE19807402A1 (en) Mass spectrometer with plasma ion source
DE4420951C2 (en) Device for detecting micro-flashovers in atomizing systems
DE19951147A1 (en) Determining surface inclination at electron beam incident point with scanning electron microscope involves deriving angle from measured emissions using calibrated relationship
WO2007110060A2 (en) Apparatus and use of the apparatus for measuring the density of a plasma
DE19609970A1 (en) Device for applying thin layers on a substrate
DD216258A1 (en) Method and arrangement for controlling the cathodic sputtering process
EP2562784A2 (en) Sensor assembly for characterization of plasma coating, plasma etching and plasma treatment processes and method for determining characteristic parameters in these processes
DE69201531T2 (en) Ion implantation device with surface potential measuring system.
EP3887770B1 (en) Thermal flow sensor and method for operating same
EP0285785A1 (en) Process for determining the power delivered by a laser to a work piece
DE102006051577B4 (en) Apparatus and method for detecting electrical properties of a sample of a stimulable material
EP0157397B1 (en) Arrangement to determine the impact point, the velocity and the angle of incidence of a projectile hitting a target at supersonic velocity
DE102009038563B4 (en) Apparatus and method for monitoring a plasma jet
DE3513005C2 (en)
DE102009054060A1 (en) Apparatus and method for coating a substrate
DE1798362A1 (en) Method and device for measuring the moisture content of grainy or pourable bulk goods
DE102013004504B4 (en) Apparatus for evaluating the crystallinity of a semiconductor and method for evaluating the crystallinity of a semiconductor
EP2250481A1 (en) Corrosion detection device and method

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee