DD158076A1 - METHOD FOR GLUING SEMICONDUCTOR CHIPS ON CARRIER BOLTS - Google Patents

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Ruediger Uhlmann
Frank Kriebel
Titus Hochauf
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Ruediger Uhlmann
Frank Kriebel
Titus Hochauf
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Kleben von Halbleiterchips auf mit Aussenanschluessen versehenen Kammstreifen oder Keramiksubstraten zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit wenigstens einem Halbleiterchip. Durch die Erfindung soll erreicht werden, dass bei beliebigen Chipabmessungen auf der gesamten Flaeche, auf der das Chip zu montieren ist, eine gleichmaessig dicke Klebstoffschicht hergestellt werden kann. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gute Haftfestigkeit und Waermeableitung zu erreichen und zu verhindern, dass an den zum Kleben verwendeten Werkzeugen Klebstoffreste zurueckbleiben. Erfindungsgemaess wird ueber einem Traegerkoerper eine Klebefolie angeordnet und der Traegerkoerper ueber die Schmelztemperatur der Klebefolie erwaermt. Anschliessend wird die Klebefolie mit einem Stempel mit niedrigerer Temperatur auf den Traegerkoerper gedrueckt u.ein Halbleiterchip nach Entfernen des Stempels und der restlichen Klebefolie mit einem ueber die Schmelztemperatur erwaermten Bondwerkzeug auf den gleichfalls erwaermten Folienteil auf dem Traegerkoerper gedrueckt.The invention relates to a method for bonding semiconductor chips to externally provided comb strips or ceramic substrates for the production of semiconductor devices having at least one semiconductor chip. By the invention is to be achieved that at any chip dimensions on the entire surface on which the chip is to be mounted, a uniformly thick adhesive layer can be produced. The invention has for its object to achieve a good adhesive strength and heat dissipation and to prevent adhesive residues from remaining on the tools used for gluing. According to the invention, an adhesive film is arranged above a carrier body and the carrier body is heated above the melting temperature of the adhesive film. Subsequently, the adhesive film is pressed with a lower temperature stamp on the carrier body u.ein semiconductor chip after removal of the stamp and the remaining adhesive film with a heated above the melting temperature bonding tool on the likewise heated film part pressed on the Traeger body.

Description

Verfahren zum Kleben von Halbleiterchips auf TrägerkörpernMethod for bonding semiconductor chips to carrier bodies

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die"Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Kleben von IJalbleiterchips auf Trägerkörpern, insbesondere auf mit Außenanschlüssen versehenen Kammstreifen· oder Keramiksubstraten, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit wenigstens einem Halbleiterchip..The invention relates to a method for bonding IJalbleiterchips on support bodies, in particular on externally provided comb strip · or ceramic substrates, for the production of semiconductor devices with at least one semiconductor chip.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Zum Kleben von Halbleiterchips auf Trägerkörpern ist es bekannt, flüssige oder pastenförmige Kleber zu verwenden. Bei den üblichen Verfahren wird prinzipiell ein Klebstoff mit einer entsprechenden Dosiereinrichtung auf dem Trägerkörper aufgebracht und nachfolgend das Halbleiterchip aufgesetzt (US-PS 3 933 187)· Das Aushärten des Klebstoffes erfolgt dabei in Abhängigkeit vom verwendeten Klebstoff bei Räumtemperä tür oder, um die 'Aushärtezeit zu verkürzen,. bei einer erhöhten Temperatur, wie es beispielsweise im DD-WP Nr. 116 988 beschrieben worden ist. Der Kleberauftrag wird bei der Verwendung von flüssigen Epoxidharzklebstoffen mit einer Kanüle und einer entsprechenden pneumatischen Dosiereini'ichtung vorgenommen» Diese Lösung wird im Laborklebebonder LKB-61 des VEB Elektromat angewendet·For gluing semiconductor chips on carrier bodies, it is known to use liquid or pasty adhesives. In the conventional method, in principle, an adhesive is applied with a corresponding metering device on the support body and subsequently the semiconductor chip mounted (US-PS 3,933,187) · The curing of the adhesive takes place depending on the adhesive used at Räumemperä door or to the 'curing time To shorten,. at an elevated temperature, as has been described for example in DD-WP No. 116 988. The adhesive application is carried out with the use of liquid epoxy resin adhesives with a cannula and a corresponding pneumatic Dosiereini'ichtung »This solution is used in the laboratory bonding Bonder LKB -61 of VEB Elektromat ·

Eine andere im DD-WP Nr, 133 283 beschriebene Möglichkeit besteht darin, zum Befestigen der Halbleiterchips einen thermoplastischen Schmelzklebstoff in Stäbchen- oder Ringform zu verwenden· Die Klebstoffstäbchen werden kurzzeitig auf einen über die Schmelztemperatur des Schmelzklebstoffes erwärmten Bauelementeträger abgesenkt und eine vorgegebene Klebstoffmenge abgeschmolzen, die auf dem Bauelementeträger zurückbleibt. Anschließend wird das zu befestigende Halbleiterchip mit einem erwärmten Bondwerkzeug auf die vorbeschichtete Position abgesenkt.Another possibility described in DD-WP No. 133,283 is to use a thermoplastic hot melt adhesive in rod or ring form for securing the semiconductor chips. The adhesive rods are briefly lowered to a component carrier heated above the melting temperature of the hot melt adhesive and a predetermined amount of adhesive is melted off. which remains on the component carrier. Subsequently, the semiconductor chip to be fastened is lowered to the precoated position with a heated bonding tool.

line weitere Möglichkeit besteht gemäß DD-WP 134 471 darin, zum Aufbringen eines Klebstoffes ein Siebdruckverfahren anzuwenden und nachfolgend das Halbleiterchip auf die vorgesehene Befestigungsstelle aufzusetzen. Nachteilig ist bei diesen Verfahren der Umstand, daß in Abhängigkeit von den verwendeten Klebstoffen in gewissen Abständen eine Reinigung der zum Aufbringen der Klebstoffe verwendeten Werkzeuge vorzunehmen ist, die außer bei Laborgeräten eine erhebliche Senkung der Arbeitsproduktivität verursacht. Darüberhinaus ist es außer bei dem relativ aufwendigen Siebdrückverfahren nicht möglich, eine über die gesamte Chipfläche gleichmäßig dicke Klebstoffschicht zu erzielen. Das ist bei großen Chipabmessungen öder bei Chips mit großem Längen-Breiten-Verhältnis besonders ungünstig, da sowohl die Haftfestigkeit, als auch die Ableitung der beim Betrieb der Halbleiterbauelemente entstehenden Verlustwärme negativ beeinflußt wird.line further possibility according to DD-WP 134 471 is to apply a screen printing method for applying an adhesive and subsequently set the semiconductor chip on the intended attachment point. A disadvantage of these methods is the fact that, depending on the adhesives used, a cleaning of the tools used for applying the adhesives must be carried out at certain intervals, which causes a considerable reduction in labor productivity, except for laboratory equipment. Moreover, it is not possible, except for the relatively expensive Siebdrückverfahren to achieve a uniform over the entire chip area adhesive layer. This is particularly unfavorable in the case of large chip dimensions or chips with a large length-to-width ratio, since both the adhesive strength and the dissipation of the heat loss arising during operation of the semiconductor components are adversely affected.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Durch die Erfindung soll ereicht werden, daß auch bei großen Chipabmessungen und bei Chips mit großem Längen-Breiten-Verhältnis oder.sonst .unregelmäßiger Form auf der gesamten Fläche, auf der das Chip zu montieren ist, eine gleichmäßig dicke Klebstoffschicht hergestellt werden kann und keine periodische Reinigung der für das Aufbringen desThe invention should be ereicht that even with large chip dimensions and chips with large length-to-width ratio oder.sonst .unregular shape on the entire surface on which the chip is to be mounted, a uniformly thick adhesive layer can be made and none periodic cleaning of the for applying the

2290 16 32290 16 3

Klebstoffes verwendeten Mittel erforderlich wird· Darlegung des Wesens der ErfindungAdhesive used means required · Presentation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren zum Kleben von wenigstens einem Halbleiterchip auf Trägerkörpern zu schaffen, mit dem eine gute Haftfestigkeit, sowie eine gute Wärmeableitung des Halbleiterchips erreicht wird und an den zum Aufbringen der Klebstoffe verwendeten Mitteln keine Klebstoffreste zurückbleiben·The invention has for its object to provide a simple method for bonding at least one semiconductor chip on carrier bodies, with the good adhesion, as well as a good heat dissipation of the semiconductor chip is achieved and remain behind the adhesive used to apply the adhesives no adhesive residues ·

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß über einem Trägerkörper eine Klebefolie angeordnet wird und der Trägerkörper auf eine Temperatur oberhalb der· Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmt wird. Anschließend wird die Klebefolie mit einem Stempel, dessen Temperatur unter der Schmelztemperatur der Klebefolie· liegt, auf den Trägerkörper gedrückt.According to the invention, this object is achieved in that an adhesive film is arranged above a carrier body and the carrier body is heated to a temperature above the melting temperature of the adhesive film. Subsequently, the adhesive film is pressed onto the carrier body with a stamp whose temperature is below the melting temperature of the adhesive film.

Nach Entfernen des Stempels und der restlichen nicht haftenden Klebefolie wird ein Halbleiterchip mit einem über die Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmten Bondwerkzeug auf den gleichfalls erwärmten, auf dem Trägerkörper befestigten.Folienteil gepreßt oder die Klebefolie und das Halbleiterchip werden nach dem Erwärmen des Trägerkörpers mit dem das Halbleiterchip haltenden und auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmten Bondwerkzeug gleichzeitig auf dem Trägerkörper befestigt. Durch dieses Verfahren wird erreicht, daß zwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerkörper eine ganzflächige Verbindung entsteht, die eine hohe Haftfestigkeit und eine gute Wärmeableitung vom Halbleiterchip garantiert· Es ist zweckmäßig, eine Klebefolie in Bändform zu verwenden, deren Breite größer ist, als die Breite des Stempels bzw· des Halbleiterchips. Dadurch können Chips unterschiedlicher oder unregelmäßiger Abmessungen mit der gleichen KlebefolieAfter removing the stamp and the remaining non-adhesive adhesive film, a semiconductor chip with a heated above the melting temperature of the adhesive film bonding tool on the likewise heated, attached to the carrier body.Folieteil pressed or the adhesive film and the semiconductor chip after heating of the carrier body with the semiconductor chip holding and heated to a temperature above the melting temperature of the adhesive bonding tool simultaneously attached to the support body. By this method it is achieved that between the semiconductor chip and the carrier body, a full-surface connection is formed, which guarantees a high adhesive strength and good heat dissipation from the semiconductor chip · It is expedient to use a tape in a tape form whose width is greater than the width of the Stamp or the semiconductor chip. This allows chips of different or irregular dimensions with the same adhesive film

-ν- 2290 16 3-ν- 2290 16 3

verarbeitet werden. Es ist weiterhin vorteilhaft, daß die neben dem Stempel hervorstehenden' Bereiche der Klebefolie während des Befestigens in Richtung- des Stempels vom Trägerkörper weggezogen werden·are processed. It is furthermore advantageous for the regions of the adhesive film which project beyond the stamp to be pulled away from the carrier body during the fastening in the direction of the stamp.

Zur Erhöhung der Produktivität, insbesondere wenn mehrere Halbleiterchips auf einem .Trägerkörper zu befestigen sind, ist es günstig, mehrere Positionen auf dem Trägerkörper entsprechend der vorgesehenen Lage und der Anzahl der Halbleiterchips mit einem mit mehreren erhabenen Gebieten versehenen Stempel gleichzeitig mit Klebefolie zu beschichten· Vorzugsweise wird eine Klebefolie aus einem Polyesterschmelzklebstoff in Ein- oder Mehrschichtaufbau verwendet. Zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung ist es vorteilhaft, eine Klebefolie aus einem noch nicht voll ausgehärteten silbergefüllten Epoxidharz zu verwenden. Das Befestigen der Klebefolie und das Einsetzen des Halbleiterchips erfolgen dabei gleichzeitig, wobei sowohl der Trägerkörper als auch das Werkzeug mit dem daran gehalterten Halbleiterchip auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmt werden.In order to increase the productivity, in particular when a plurality of semiconductor chips are to be mounted on a carrier body, it is favorable to coat a plurality of positions on the carrier body simultaneously with adhesive film in accordance with the intended position and the number of semiconductor chips with a stamp provided with a plurality of raised areas an adhesive film of a polyester hot melt adhesive is used in single or multi-layer construction. To produce an electrically conductive adhesive bond, it is advantageous to use an adhesive film made of a not yet fully cured silver-filled epoxy resin. The fixing of the adhesive film and the insertion of the semiconductor chip are carried out simultaneously, wherein both the carrier body and the tool are heated with the semiconductor chip held thereto to a temperature above the melting temperature of the adhesive film.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werdenThe invention will be explained below with reference to exemplary embodiments

In der zugehörigen Zeichnung zeigen: In the accompanying drawing show:

Fig. 1: die Anordnung einer Klebefolie aus einem Polyesterschmelzklebstoff über einem Trägerkörper;1 shows the arrangement of an adhesive film made of a polyester hot melt adhesive over a carrier body;

Fig. 2; die Verformung der Klebefolie während des Andrückens auf den Trägerkörper;Fig. 2; the deformation of the adhesive film during pressing on the carrier body;

Fig. 3; den Aufschmelzvorgang der Klebefolie;Fig. 3; the melting process of the adhesive film;

und 4 .·.·-.and 4 · · · · -.

Fig· 5>: das Entfernen der restlichen Klebefolie;Fig. 5>: the removal of the remaining adhesive film;

Fig. 6: die Anordnung einer Klebefolie aus einem silbergefüllten Epoxidharz über dem Trägerkörper und ein mit einem Bondwerkzeug gehaltenen Halbleiterchip;6 shows the arrangement of an adhesive film of a silver-filled epoxy resin over the carrier body and a semiconductor chip held with a bonding tool;

-5-2290-5-2290

Fig.FIG. 99 Fig.FIG. 1010 Fig.FIG. 1111 Fig.FIG. 1212

Fig. 7: das mit der Klebefolie nach Fig. 6 auf dem Trägerkörper befestigte Halbleiterchip;FIG. 7 shows the semiconductor chip fastened to the carrier body with the adhesive film according to FIG. 6; FIG.

Fig. 8: die Anordnung einer-bieges.teif en Klebefolie aus. einem Polyesterschmelzklebstoff über dem Trägerkörper;Fig. 8: the arrangement of a bending-resistant adhesive film from. a polyester hot melt adhesive over the carrier body;

den Anschmelzvorgang der biegesteifen Klebefolie; das Entfernen der übrigen biegesteifen Klebefolie; ein Werkzeug mit mehreren erhabenen Gebieten und den Trägerkörper mit mehreren beschichteten Positionen.the melting process of the rigid adhesive film; the removal of the remaining rigid adhesive film; a tool having a plurality of raised areas and the carrier body having a plurality of coated positions.

Wie in Fig. 1 dargestellt, wird über einem Trägerkörper 1 ein Stempel 2 angeordnet, dessen Abmessungen sich nach der zu beschichtenden Fläche richtet* Zwischen dem Stempel 2 und dem'Trägerkörper 1 wird eine Klebefolie 3> beispielsweise aus einem Polyesterschmelzklebstoff mit einer Schmelztemperatur von 250° C gehalten. Anschließend wird der Trägerkörper 1 auf etwa 270... 300 ° C erwärmt und die Klebefolie 3 mit dem Stempel 2, dessen Temperatur bei höchstens 23O0 C liegt, auf den Trägerkörper 1 gedrückt. (Fig. 2) Bei diesem Vorgang werden die neben dem Stempel 2 befindlichen Bereiche der Klebefolie 3 entgegengesetzt zur Werkzeugbewegung vom Trägerkörper 1 weggezogen, so daß nur der Teil der Klebefolie 3 auf dem Trägerkörper 1 aufliegt, der zu befestigen ist. Beim Andrücken der Klebefolie 3 wird diese unter dem Stempel 2 aufgeschmolzen, wobei dieser Vorgang lediglich zwischen dem Trägerkörper 1 und der Klebefolie 3 stattfindet (Fig. 3).As shown in FIG. 1, a stamp 2 is arranged above a carrier body 1, the dimensions of which are determined by the area to be coated. Between the stamp 2 and the carrier body 1, an adhesive film 3 is produced, for example, from a polyester hotmelt adhesive having a melting temperature of 250.degree ° C held. Subsequently, the carrier body 1 is heated to about 270 ... 300 ° C and the adhesive film 3 with the stamp 2, whose temperature is at most 23O 0 C, pressed onto the carrier body 1. (FIG. 2) In this process, the areas of the adhesive sheet 3 adjacent to the punch 2 are pulled away from the support body 1 in the opposite direction to the tool movement, so that only the part of the adhesive sheet 3 rests on the support body 1 to be fastened. When the adhesive film 3 is pressed, it is melted under the die 2, this process taking place only between the carrier body 1 and the adhesive film 3 (FIG. 3).

Die Klebefolie 3 wird so lange angedrückt, bis sich die Schmelzzone 4 ausgedehnt hat und die Klebefolie 3 seitlich neben dem Stempel 2 bis zur vollen Dicke aufgeschmolzen ist (Fig. 4).The adhesive film 3 is pressed until the melt zone 4 has expanded and the adhesive film 3 is melted laterally next to the stamp 2 to the full thickness (FIG. 4).

Dadurch wird erreicht, daß beim senkrechten Wegbewegeh des Stempels 2 und der Klebefolie 3 der ursprünglich unter dem Stempel 2 befindliche Folienteil 5 auf dem Trägerkörper 1 verbleibt.It is thereby achieved that during the vertical Wegbewegeh the punch 2 and the adhesive film 3 of the original located under the punch 2 film part 5 remains on the support body 1.

-6- 22 S O 1 6 3- 6 - 22 SO 1 6 3

Das Einsetzen eines Halbleiterchips 6 kann unmittelbar nach diesen Arbeitsgängen erfolgen (Fig. 5)» wobei das zum Einsetzen des Halbleiterchips 6 verwendete Bondwerkzeug 8 und der Trägerkörper 1 mit dem aufgeklebten Folienteil 5 auf etwa 270 ...300° C zu erwärmen sind. Durch diese Verfahrensweise wird erreicht, daß keine Verschmutzung des Stempels 2 durch Kleberrückstände auftreten kann und daß das Halbleiterchip 6 ganzflächig mit dem Trägerkörper 1 verklebt wird.The insertion of a semiconductor chip 6 can take place immediately after these operations (FIG. 5) »wherein the bonding tool 8 used for inserting the semiconductor chip 6 and the carrier body 1 with the glued-on foil part 5 are to be heated to approximately 270. By this procedure it is achieved that no contamination of the punch 2 can occur due to adhesive residues and that the semiconductor chip 6 is bonded over the entire surface with the carrier body 1.

In Fig, 6 ist eine andere Möglichkeit zum Befestigen des Halbleiterchips 6 unter Verwendung einer Klebefolie 3 aus einem noch nicht voll ausgehärteten silbergefüllten Epoxidharz dargestellt.FIG. 6 shows another possibility for fastening the semiconductor chip 6 using an adhesive film 3 made of a not yet fully cured silver-filled epoxy resin.

Zum Befestigen des Halbleiterchips 6 wird dieses an einem mit einer Bohrung 7 versehenen Bondwerkzeug 8 mit Hilfe von Unterdruck angesaugt' und auf etwa 150? C. efhvärmt. Gleichzeitig wird der Trägerkörper 1 auf die gleiche Temperatur aufgewärmt. . · Das Befestigen der Klebefolie 3 und des Halbleiterchips erfolgen hierbei gleichzeitig, indem die Klebefolie 3 unmittelbar vor dem Anschmelzen zwischen Halbleiterchip 6 und Trägerkörper 1 geführt wird. Die Klebefolie 3 wird hierbei wie bei Fig· 4 angedrückt, bis sie seitlich neben dem Halbleiterchip 6 bis zur vollen Dicke aufgeschmolzen ist und weggezogen werden kann. (Fig. 7) Danach wird der Unterdruck abgeschaltet und das Bondwerkzeug 8 ebenfalls entfernt·For fixing the semiconductor chip 6, this is sucked on a provided with a bore 7 bonding tool 8 by means of negative pressure 'and to about 150? C. efhvärmt. At the same time, the carrier body 1 is heated to the same temperature. , The fastening of the adhesive film 3 and of the semiconductor chip takes place simultaneously here, in that the adhesive film 3 is guided between the semiconductor chip 6 and the carrier body 1 immediately before the melting process. In this case, the adhesive film 3 is pressed on as in FIG. 4 until it has been melted laterally next to the semiconductor chip 6 to the full thickness and can be pulled away. (FIG. 7) Thereafter, the negative pressure is switched off and the bonding tool 8 is also removed.

Bei ungünstigen Platzverhältnissen, z, B· in Keramikgehäusen und zur Verringerung des Verbrauchs an Klebefolie 3 ist es bei größeren Stückzahlen zu befestigender Halbleiterchips 5 möglich, eine biegesteife Klebefolie vor dem Verarbeiten bereits auf eine Breite zuzuschneiden, die einer der Hauptabmessungen des Halbleiterchips 6 entspricht. In diesem Fall wird die Klebefolie 3 von einer Seite unter den Stempel 2 geführt-und analog'Fig· 2 undIn unfavorable space conditions, z, B in ceramic housings and to reduce the consumption of adhesive film 3, it is possible for larger numbers of semiconductor chips to be attached 5 already cut a rigid adhesive film prior to processing to a width corresponding to one of the main dimensions of the semiconductor chip 6. In this case, the adhesive film 3 is guided from one side under the punch 2 -and analog'Fig * 2 and

-7-229016 3-7-229016 3

auf dem Trägerkörper 1 befestigt.. (Fig. 8, 9) Nachfolgend wird die Klebefolie 3 entgegengesetzt der Richtung der Zuführung wegbewegt und das'Halbleiterchip 6 unter Wärmeeinwirkung auf dem Trägerkörper 1 befestigt. .(FIG. 8, 9) Subsequently, the adhesive film 3 is moved away from the direction of the feed and the semiconductor chip 6 is fixed on the carrier body 1 under the action of heat. ,

Sollen auf dem Trägerkörper 1 mehrere Halbleiterchips 6 befestigt werden, so ist es zweckmäßig, zum Befestigen der Klebefolie 3 ein Werkzeug 9 mit mehreren erhabenen Gebieten zu verwenden. (Pig. 11) Die Klebefolie wird .hier entsprechend Fig. 1 bis 5 zwischen das Werkzeug 9 und den auf eine Temperatur über der Schmelztemparatur der Klebefolie 3 erwärmten Trägerkörper 1 geführt (Fig· 12) und durch Anschmelzen an diesem befestigt. Das Andrücken der Klebefolie 3 erfolgt wie nach Fig. 4 so lange, bis die Bereiche der Klebefolie 3* die neben den erhabenen Gebieten des Werkzeuges 9 liegen, bis zur vollen Dicke aufgeschmolzen sind und die übrige Klebefolie nach oben weggezogen werden kann.If a plurality of semiconductor chips 6 are to be fastened to the carrier body 1, then it is expedient to use a tool 9 with a plurality of raised regions for attaching the adhesive film 3. The adhesive film is guided here according to FIGS. 1 to 5 between the tool 9 and the carrier body 1 heated to a temperature above the melting temperature of the adhesive film 3 (FIG. 12) and fixed thereto by fusion. The pressing of the adhesive film 3 is carried out as shown in FIG. 4 until the areas of the adhesive film 3 * are adjacent to the raised areas of the tool 9, are melted to full thickness and the rest of the adhesive film can be pulled upwards.

Claims (8)

9 016 3 Erfindungsanspruch ' .9 016 3 Invention claim '. 1. Verfahren zum Kleben von Halbleiterchips auf Trägerkörpern, bei dem wenigstens ein Halbleiterchip unter Wärmeeinwirkung mit einem Klebstoff auf dem Trägerkörper befestigt wird, gekennzeichnet dadurch, daß über dem Trägerkörper eine Klebefolie angeordnet wird und der Trägerkörper auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur, der Klebefolie erwärmt wird, daß die Klebefolie mit einem Stempel·, dessen Temperatur unter der Schmelztemperatur der Klebefolie liegt, auf den Trägerkörper gedrückt wird und daß das Halbleiterchip nach Entfernen des Stempels und der restlichen, nicht haftenden Klebefolie mit einem über die Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmten Bondwerkzeug auf den gleichfalls erwärmten, auf dem Trägerkörper befestigten Folienteil gepreßt wird, oder daß die Klebefolie und das Halbleiterchip nach dem Erwärmen des Trägerkörpers mit einem das Halbleiterchip haltenden und auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmten·Bondwerkzeug gleichzeitig auf dem Trägerkörper befestigt werden·1. A method for bonding semiconductor chips on carrier bodies, wherein at least one semiconductor chip is fixed with heat on the carrier body with an adhesive, characterized in that above the carrier body, an adhesive film is arranged and the carrier body is heated to a temperature above the melting temperature, the adhesive film is that the adhesive film with a stamp · whose temperature is below the melting temperature of the adhesive film, is pressed onto the carrier body and that the semiconductor chip after removal of the stamp and the remaining, non-adhesive adhesive film with a heated above the melting temperature of the adhesive film bonding tool on the also heated, fixed on the support body film part is pressed, or that the adhesive film and the semiconductor chip after the heating of the carrier body with a semiconductor chip holding and heated to a temperature above the melting temperature of the adhesive film Bonding tool can be fastened simultaneously on the support body. 2« Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Klebefolie Bandform aufweist, deren Breite größer ist, als die Breite des Stempels bzw. des Halbleiterchips. 2 «method according to item 1, characterized in that the adhesive film has a band shape whose width is greater than the width of the punch or of the semiconductor chip. 3· Verfahren nach Punkt 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß neben dem Stempel hervorstehende Bereiche der Klebefolie während des Befestigens der Folie in Richtung des Stempels vom Trägerkörper weggezogen werden.Method according to items 1 and 2, characterized in that regions of the adhesive film protruding beyond the stamp are pulled away from the carrier body during the fastening of the film in the direction of the stamp. 4· Verfahren nach Punkt 1 bis 3., gekennzeichnet dadurch, daß mehrere Positionen auf dem Trägerkörper mit einem mit mehreren erhabenen Gebieten versehenen Stempel gleichzeitig mit Klebefolie beschichtet werden«·4 · Method according to items 1 to 3, characterized in that several positions on the carrier body are simultaneously coated with adhesive film with a stamp provided with a plurality of raised areas. -9- 229016 3-9- 229016 3 5· Verfahren nach Punkt 1 bis 4> gekennzeichnet dadurch, daß eine Klebefolie aus einem Polyesterschmelzklebstoff verwendet wird·Method according to items 1 to 4, characterized in that an adhesive film of a polyester hot-melt adhesive is used 6· Verfahren nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß eine Klebefolie mit einem Mehrschichtaufbau verwendet wird.6 · Method according to items 1 to 4, characterized in that an adhesive film is used with a multi-layer structure. 7· Verfahren nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß die Klebefolie aus einem noch nicht voll ausgehärtetem silbergefülltem Epoxidharz besteht.7 · Method according to item 1 to 4, characterized in that the adhesive film consists of a not yet fully cured silver-filled epoxy resin. 8· Verfahren nach Punkt 7» gekennzeichnet dadurch, daß das Befestigen der Klebefolie und das Einsetzen des8. Method according to item 7 », characterized in that the fixing of the adhesive foil and the insertion of the • Halbleiterchips gleichzeitig erfolgen und sowohl dej? Trägerkörper,als auch 'das Bondwerkzeug mit dem daran gehalterten Halbleiterchip auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur der Klebefolie erwärmt werden.• Semiconductor chips take place simultaneously and both dej? Carrier body, and 'the bonding tool are heated with the semiconductor chip held thereon to a temperature above the melting temperature of the adhesive film. fitmL*L.$eiien ZeichnungenfitmL * l. drawings
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