DD152921A1 - METHOD AND ARRANGEMENT FOR DISCONTINUING ON A SURFACE OF ATTACHING PARTICLES - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Anordnung zur Beseitigung auf einer Oberflaeche haftender Partikel in extrem staubarmer Umgebung, beispielsweise zur Beseitigung auf Halbleiter- oder Oxidschichten befindlicher Partikel bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen. Ziel der Erfindung ist es, diese Partikel-Verunreinigungen unter Vermeidung von Beschaedigungen der Oberflaeche und gegebenenfalls der elektrischen Schaltungsstrukturen zu beseitigen, wozu ein Verfahren zur Verfuegung gestellt werden soll, das es gestattet, die zwischen den Partikel-Verunreinigungen und der zu reinigenden Oberflaeche befindlichen Bindungskraefte zu verringern bzw. aufzuheben und die Partikel-Verunreinigungen von der Oberflaeche zu entfernen. Die Aufgabe wird dadurch geloest, dass die zu reinigende Oberflaeche vor oder waehrend der Bespruehung mit hochreinem Wasser, insbesondere Deionatwasser ultravioletter Strahlung ausgesetzt wird und die Wasserbespruehung mit vorzugsweise niedrigem Druck vorgenommen wird.The invention relates to a method and an arrangement for removing particles adhering to a surface in an extremely low-dust environment, for example for removing particles located on semiconductor or oxide layers in the production of semiconductor devices. The aim of the invention is to eliminate these particle impurities while avoiding damage to the surface and, where appropriate, the electrical circuit structures, to which a method is to be provided, which allows the binding forces between the particle impurities and the surface to be cleaned reduce or remove and remove the particulate contaminants from the surface. The object is achieved in that the surface to be cleaned is exposed to ultraviolet radiation before or during the spraying with ultrapure water, in particular deionized water, and the water is subjected to preferably low pressure.
Description
-A - -A -
Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Beseitigung auf einer Oberfläche haftender Partikel in extrem staubarmer Umgebung, beispielsweise zur Beseitigung auf Halbleiter- oder Oxidschichten befindlicher Partikel bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen.The invention relates to a method and an arrangement for removing particles adhering to a surface in an extremely low-dust environment, for example for removing particles located on semiconductor or oxide layers in the production of semiconductor devices.
Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions
Die bekannten technischen Lösungen sind durch eine Vielzahl von Methoden gekennzeichnet, die alle dem Zweck dienen, die Oberfläche der Halbleiterscheiben, die meist eine durchgehende oder auch strukturierte Oxidschicht tragen, während des Prozeßablaufs bis zu dessen Beendigung frei von Verunreinigungen zu halten. Im wesentlichen handelt es sich hierbei um zwei Arten von Verunreinigungen: chemische Verunreinigungen und Partikel, d. h. feste Teilchen. Feste (Teilchen können in Form von Staub im herkömmlichen Sinne vorliegen, aber z· B. auch in Form von - teilweise abgestorbenen - Bakterien, die sich mitunter mehr oder minder stark im Deionatwasser finden, das für Eeinigungszwecke der Halbleiterscheiben eingesetzt wird. Partikel können auch gleichzeitig als chemische Verunreinigung wirken, insbesondere dann, wenn es sich um leicht in den Halbleiter bei hohen Temperaturen diffundierende Stoffe handelt, die elektrisch wirksam werden.-. Partikel stören darüberhinaus aber auf Grund ihrer Natur als feste Teilchen bei vielfältigen Prozessen, vde fc* 3, fotolithografischen,The known technical solutions are characterized by a variety of methods, all of which serve the purpose of keeping the surface of the semiconductor wafers, which usually carry a continuous or even structured oxide layer, during the course of the process until its completion free of impurities. Essentially, these are two types of contaminants: chemical contaminants and particles, d. H. solid particles. Fibers (particles may be present in the form of dust in the conventional sense, but also in the form of - partially dead - bacteria, sometimes found more or less in the deionized water, which is used for Eeinigungszwecke the semiconductor wafers at the same time act as a chemical contaminant, especially when it is matter that diffuses easily into the semiconductor at high temperatures and becomes electrically effective. Moreover, by their very nature, particles disturb solid particles in a variety of processes, vc * 3 , photolithographic,
der Epitaxie, der Oxydation, der Schichtabscheidung von Metallen oder poly-Si-Schichten usw. Die Auswirkungen liegen insbesondere in einer Senkung der Ausbeute, die sich ökonomisch recht negativ bemerkbar macht. Es wurden und werden daher zahlreiche Methoden und Verfahren angewendet, die alle zum Ziele haben, auf der Oberfläche vorhandene Partikel zu entfernen und gleichzeitig zu verhindern, daß neue Partikel auf die Oberfläche der Halbleiterscheiben gelangen und auf ihr haften bleiben.epitaxy, oxidation, layer deposition of metals or poly-Si layers, etc. The effects are in particular in a reduction in the yield, which makes economically quite negative noticeable. Numerous methods and methods have been and are therefore used, all of which have the goal of removing particles present on the surface while at the same time preventing new particles from getting onto and adhering to the surface of the semiconductor wafers.
Bekannt ist die Anwendung deionisierten Wassers zu Reinigungszwecken an vielerlei Stellen im Produktionsprozeß. An die Reinheit, insbesondere auch an die Partikelverunreinigungen dieses deionisierten Wassers werden hohe Anforderungen gestellt. Um die Beseitigung löslicher Verunreinigungen zu erhöhen, wurde auch der Einsata heißen Wassers versucht. Sa zeigte sich aber, daß damit die störenden Einflüsse von Partikeln auf der Oberfläche der Scheiben nicht wirkungsvoll herabgesetzt werden können. Die Partikel werden im allgemeinen mit hohen Kräften auf der Oberfläche festgehalten. Um diese Kräfte, die aus verschiedenen physikalischen und/oder chemischen Wirkungsmechanismen resultieren, zu überwinden, wird eine Reinigung im Ultraschallbad vorgenommen. Eine ausreichende Partikelfreiheit kann jedoch nicht erreicht werden.The use of deionized water for cleaning purposes at many points in the production process is known. High demands are placed on the purity, in particular also on the particle contamination of this deionized water. In order to increase the removal of soluble impurities, the Einsata hot water was also tried. However, it turned out that the disturbing effects of particles on the surface of the disks can not be effectively reduced. The particles are generally held with high forces on the surface. To overcome these forces resulting from various physical and / or chemical mechanisms of action, a cleaning is carried out in an ultrasonic bath. However, sufficient particle freedom can not be achieved.
Bekannt ist auch der Versuch, die fest haftenden Partikel mit sog. Wafer-scrubbern zu beseitigen, auch unter gleichzeitiger Einwirkung von Deionatwasser. Durch den mechanischen Reibvorgang der mit Kunststoffasern besetzten Bürsten sollen die Teilchen losgerissen werden. Nachteilig dabei ist jedoch, daß Beschädigungen der zu reinigenden Oberfläche auftreten, die Bürsten den Staub sammeln und ihn immer wieder, schließlich Kratsspuren hinterlassend, über die zu reinigende Oberfläche führen. Außerdem werden - insbesondere, wenn die gleichzeitige Anwendung von Deionat-Also known is the attempt to eliminate the firmly adhering particles with so-called. Wafer scrubbers, even under the simultaneous action of deionized water. Due to the mechanical rubbing action of brushes covered with plastic fibers, the particles should be torn loose. The disadvantage here, however, that damage to the surface to be cleaned occur, the brushes collect the dust and again and again, eventually leaving traces of scratch on the surface to be cleaned. In addition, especially when the simultaneous use of deionized
wasser unterbleibt - durch die Reibung der Kunststoffbürsten auf der Oberfläche elektrostatische Ladungen immer wieder neu erzeugt oder sogar noch verstärkt, so daß der erwünschte Reinigungseffekt ausbleibt·Water does not occur - due to the friction of the plastic brushes on the surface, electrostatic charges are repeatedly generated or even intensified, so that the desired cleaning effect does not occur.
Bekannt ist desweiteren, das Deionatwasser mit sehr hohem Druck aus Düsen austreten und als Bündel sehr vieler feinster Wasserstrahlen auf die zu reinigende Oberfläche auftreffen su lassen. Nachteilig ist dabei die Gefahr, daß die dünnen und spröden Halbleiter zerbrechen. Wird der Prozeß so geführt, daß eine teilweise oder völlige Zerstäubung des Wassers auftritt, so verbleiben zwei schwerwiegende Nachteile:It is also known that deionized water can escape from nozzles at very high pressure and impinge on the surface to be cleaned as a bundle of very many very fine water jets. The disadvantage here is the risk that the thin and brittle semiconductors break. If the process is conducted in such a way that partial or complete atomization of the water occurs, two serious disadvantages remain:
Das Deionatwasser weist trotz sorgfältiger Reinigungsverfahren doch immer noch eine gewisse Partikeldichte auf, so daß bei den sehr großen Wassermengen, die zum Einsatz gelangen, eine erhebliche Anzahl von Partikeln pro Zeiteinheit imner wieder neu auf die Oberflächen geschossen werden und haften bleiben, so daß diese zusätzlich zu den ohnehin auf der Oberfläche befindlichen Partikeln beseitigt werden müssen. Andernfalls tritt eher eine Akkumulation von Partikeln ein statt deren Verminderung oder gar Beseitigung.Despite thorough cleaning procedures, the deionized water still has a certain particle density, so that with the very large quantities of water used, a considerable number of particles per unit of time are shot again onto the surfaces and adhere, so that they additionally must be eliminated to the particles already on the surface anyway. Otherwise an accumulation of particles rather than their reduction or even elimination occurs.
Ein weiterer Nachteil dieses Deionatwasser-Hochdruck-Zerstäubungssvstems besteht darin, daß besondere Einrichtungen zur Erzeugung und Aufrechterhaltung des hohen Druckes erforderlich sind und außerdem die Herstellung der Bohrungen bzw· Sprühdüsen einen nicht unbeträchtlichen Aufwand darstellt .Another disadvantage of this deionized water high-pressure Zerstäubungssvstems is that special means for generating and maintaining the high pressure are required and also represents the production of bores or · spray nozzles a not inconsiderable expense.
Auch die bekanntgewordene Kombination der mit Bürsten versehenen wafer-scrubber mit dem Prinzip der Hochdruckzerstäubung von Deionafrtfasser hat die geschilderten Mängel nicht beheben können.The well-known combination of the brushed wafer scrubber with the principle of high-pressure atomization of Deionafrtfasser has not been able to remedy the shortcomings described.
Es sind weiterhin Versuche bekannt geworden, die unter hohen Druck zerstäubten Wasserteilchen der auf die Scheibenoberfläche gorichte-cen Wasserstrahlen elektrisch auf zu-Attempts have also been made to electrically electrically suspend the water particles, which have been atomized under high pressure, of the water jets which are directed onto the surface of the pane.
laden, damit diese die elektrostatischen Ladungen auf der Scheibenoberfläche herabsetzen und möglichst vollständig neutralisieren, so daß die Staubpartikel nach Wegfall der elektrostatischen Bindungskräfte leicht durch die unter hohem Druck zersprühten Wasserstrahlen beseitigt werden können. Beachtenswerte Erfolge sind mit dieser Methode bisher nicht erreicht worden.charge, so that they reduce the electrostatic charges on the disk surface and neutralize as completely as possible, so that the dust particles can be easily eliminated by eliminating the electrostatic binding forces by the sprayed under high pressure water jets. Remarkable successes have not yet been achieved with this method.
Es ist weiterhin durch John R. V i g u.a. in TJS-Patent 4 028 135 sowie durch E· H a f η e r und John. R. V i g in US-Patent 3 914 836 bekannt, UV-Licht zur Beseitigung von menschlichen Hautölen auf den Oberflächen von Präzisions-Quarz-Kristall-Resonatoren einzusetzen. Der Abstand der zu reinigenden Oberfläche von der UV-Quelle muß möglichst klein sein, um die gewünschte Wirkung zu erzielen, und beträgt nur wenige Millimeter. Die gleichzeitige Beseitigung von elektrostatischen Aufladungen und Bindungskräften wird weder angestrebt noch erreicht. Im Gegenteil, es treten mit dieser Methode eher so hohe elektrostatische Aufladungen auf, daß diese - würde sie auf Oberflächen von integrierten Schaltkreisen angewendet - zu schwerwiegenden Beschädigungen der elektrischen Schaltungsstrukturen führen.It is further by John R. V i g u.a. in TJS Patent 4,028,135 and by E · H a f η e r and John. For example, U.S. Patent 3,914,836 discloses using UV light to remove human skin oils on the surfaces of precision quartz crystal resonators. The distance of the surface to be cleaned from the UV source must be as small as possible in order to achieve the desired effect, and is only a few millimeters. The simultaneous elimination of electrostatic charges and binding forces is neither desired nor achieved. On the contrary, this method tends to produce so much electrostatic charge that if used on integrated circuit surfaces, would cause serious damage to the electrical circuit structure.
Ziel der ErfindungObject of the invention
Ziel der Erfindung ist die Beseitigung von Partikel-Verunreinigungen, die sich auf einer Oberfläche, insbesondere einer Halbleiteroberfläche befinden, unter Vermeidung von Beschädigungen der Oberfläche und gegebenenfalls der elektrischen Schaltungsstrukturen·The aim of the invention is the elimination of particle contaminants, which are located on a surface, in particular a semiconductor surface, while avoiding damage to the surface and optionally the electrical circuit structures.
Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, das es gestattet, die zwischen den Partikel-Verunreinigungen und der Oberfläche befind-The object of the invention is to provide a method which makes it possible to detect the particles between the particles and the surface.
liehen Bindungskräfte zu verringern bzw· aufzuheben und die Partikel-Verunreinigungen von der Oberfläche durch ein geeignetes Mittel zu entfernen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zu reinigende Oberfläche ultravioletter Strahlung ausgesetzt und mit Strahlen hochreinen V/assers, insbesondere Deionatwasser-Feinststrahlen geringen Wasserdrucks besprüht v/ird. Die UV-Bestrahlung erfolgt vor und/oder während der Besprühung mit hochreinem Wasser. Die UV-Strahlung bewirkt eine Ionisierung der extrem staubarmen Luft bzw. Gase oder Gasgemische unmittelbar über der Oberfläche und führt damit zur Beseitigung eines Teils der elektrostatischen Ladungen auf der Oberfläche. Die Deionatwasser-Feinststrahlen spülen die nun mit verminderten Bindungskräften haftenden Partikel von der Oberfläche. Der diesem Prozeß entgegenwirkenden Aufladung der Wasserpartikel wird dadurch begegnet, daß die UV-Bestrahlung der Oberfläche während der Wasserbesprühung beibehalten wird· Die UV-Bestrahlung erfolgt direkt oder indirekt. Das erfindungsgemäße Verfahren wird mit einer Anordnung durchgeführt, die aus einer das Objekt nit der au reinigenden Oberfläche aufnehmenden Objekthalterung, mindestens einer in einem angemessenen Abstand von dieser Objekthalterung angebrachten und einen Wasserstrahl erzeugenden und diesen in einem Winkel von^- 10 Grad, vorzugsweise >. 30 Grad zur Normalen der Scheibenoberfläche auf die zu reinigende Oberfläche richtenden Sprühdüse und mindestens einer UV-Strahlen auf die zu reinigende Oberfläche sendenden UV-Strahlungsquelle besteht. Die Anordnung mehrerer UV-Strahlungsquellen erweist sich als vorteilhaft. Ebenso ist von Vorteil, jede UV-Strahlungsquelle mit einem Spritzwasserschutz zu versehen. Sine indirekte UV-Bestrahlung der zu reinigenden Oberfläche wird gewährleistet, indem zusätzlich sur UV-Strahlimgsquelle bzw. den UV-Strahlungequellen Heflektoren angeordnet werden, die die ausgesendeten UV-Strahlen auf die zu reinigende Oberfläche richten.lessen binding forces and remove the particulate impurities from the surface by a suitable means. The object is achieved in that the surface to be cleaned exposed to ultraviolet radiation and sprayed with high purity V / assers, in particular deionatwasser-Feinststrahlen low water pressure v / ird. The UV irradiation takes place before and / or during the spraying with ultrapure water. The UV radiation causes an ionization of the extremely low-dust air or gases or gas mixtures immediately above the surface and thus leads to the elimination of a portion of the electrostatic charges on the surface. The fine deionised water rinses the particles, which are now adhering with reduced binding forces, from the surface. The charging of the water particles counteracting this process is counteracted by maintaining the UV irradiation of the surface during the water spraying. The UV irradiation takes place directly or indirectly. The method according to the invention is carried out with an arrangement consisting of an object holder receiving the object with the surface cleaning, at least one mounted at an appropriate distance from this object holder and generating a jet of water and this at an angle of ^ - 10 degrees, preferably>. There is 30 degrees to the normal of the disc surface on the surface to be cleaned directing spray nozzle and at least one UV rays on the surface to be cleaned emitting UV radiation source. The arrangement of several UV radiation sources proves to be advantageous. It is also advantageous to provide each UV radiation source with a splash protection. Sine indirect UV irradiation of the surface to be cleaned is ensured by additionally arranged on the UV Strahlimgsquelle or the UV Strahlungequellen Heflektoren that direct the emitted UV rays on the surface to be cleaned.
Vorteilhaft ist, das die zu reinigende Oberfläche nicht beschädigt wird, ebenso nicht die gegebenenfalls vorhandenen Schaltungsstrukturen, Die auf der Oberfläche vorhandenen Partikel werden entfernt und es wird gleichzeitig verhindert, daß während der erfindungsgemäßen Oberflächenbehandlung neue Partikel auf der Oberfläche haften bleiben. Infolgedessen können Partikel nicht mehr in so hohem Maße wie bisher auf Grund ihrer chemischen Wechselwirkung mit dem Halbleiter bei nachfolgenden Hochtemperatürprozessen durch einer Änderung der angestrebten Dotierung des Halbleiters in Mikrobereichen eine Veränderung, d. h. eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften bewirken. Außerdem werden die durch Frempartikel auf der Halbleiteroberfläche bei Fotolithografieprozessen entstehenden sog. PseudoStrukturen unterdrückt, die zu Kurzschlüssen oder Unterbrechungen in der Schaltung führen können. Durch die Herabsetzung bzw. Verminderung der chemischen Wechselwirkungen mit der Halbleiteroberfläche und des Entstehen der PseudoStrukturen wird der Fertigungsausschuß herabgesetzt und die Ausbeute an Schaltungen erhöht. Der Fertigungsprozeß wird wirtschaftlicher gestaltet.It is advantageous that the surface to be cleaned is not damaged, nor the possibly existing circuit structures, The particles present on the surface are removed and it is prevented at the same time that adhere to the surface of the invention, new particles on the surface. As a result, particles can no longer change as much as hitherto due to their chemical interaction with the semiconductor in subsequent high-temperature processes by changing the target doping of the semiconductor in micro-regions, i. E. H. cause a deterioration of the electrical properties. In addition, the so-called pseudo-structures caused by fretting on the semiconductor surface during photolithography processes are suppressed, which can lead to short circuits or interruptions in the circuit. By reducing the chemical interactions with the semiconductor surface and the appearance of the pseudo-structures, the production margin is reduced and the yield of circuits is increased. The manufacturing process is made more economical.
Ausführungsbeispielembodiment
Die Erfindung soll nachstehend an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert werdenThe invention will be explained in more detail below with reference to several embodiments
Die zugehörigen Zeichnungen zeigen: The accompanying drawings show:
Figur 1: eine erfindungsgemäße Anordnung, bestehend aus einer Objekthalterung, bestückt mit Halbleiterscheiben, vor den Scheibenoberflächen ringförmig angeordneten UV-Lampen und einer Sprühdüse.Figure 1: an inventive arrangement consisting of an object holder, equipped with semiconductor wafers, in front of the disc surfaces annularly arranged UV lamps and a spray nozzle.
Figur 2? eine erfindungsgemäße Anordnung, bestehend aus einer Objekthalterung, bestückt mit Halbleiterscheiben hinter den Scheibenoberflächen ringförmig angeord-Figure 2? an arrangement according to the invention, consisting of an object holder, equipped with semiconductor wafers arranged annularly behind the wafer surfaces.
neten UV-Lampen, einem Fokussierspiegel für die UV-Bestrahlung der Scheibenoberflächen und einer Sprühdüse.Neten UV lamps, a focusing mirror for the UV irradiation of the disc surfaces and a spray nozzle.
Ausführungsbeispiel 1:Embodiment 1
In Figur 1 ist eine erfindungsgemäße Anordnung mit einer Objekthalterung 1 dargestellt, auf der sich, durch - in Figur 1 nicht gezeichnete - Winkel gehalten, Halbleiterscheiben 2 befinden. Die Oberfläche der in Bearbeitungsstellung befindlichen Halbleiterscheiben 2 wird von mehreren UV-Strahlungsquellen 3 bestrahlt. Hierdurch wird das sich vor der Scheibenoberfläche befindliche extrem staubarme Gas, das auch Luft sein kann, ionisiert· Die auf die Scheibenoberfläche auftreffenden Ionen neutralisieren teilweise oder vollständig die auf ihr befindlichen elektrostatischen Ladungen, die die Staubpartikel auf der Oberfläche haften lassen. Gleichzeitig tritt eine teilweise Zerlegung bzw. Aufspaltung der auf der Oberfläche befindlichen organischen dünnen Schichten ein, so daß die durch sie bewirkten Adhäsionskräfte herabgesetzt werden. Der - beispielsweise 10 Sekunden - später zugeschaltete, aus der Sprühdüse 4 austretende, unter Druck von einigen 0,1 MPa (atm.) stehende feine Wasserstrahl 5 führt die nun schon nicht mehr so fest haftenden Staubteilchen nach unten weg. Vor den UV-Strahlungsquellen 3 befindet sich jeweils ein Spritzwasserschutz 6. Dieses Ausführungsbeispiel kann auch so abgewandelt werden, daß die in Bearbeitungsposition befindliche Scheibe 2 bei feststehender Objekthalterung 1 durch einen in Figur 1 nicht gezeichneten, jedoch herkömmlichen Mechanismus in Drehung versetzt wird.FIG. 1 shows an arrangement according to the invention with an object holder 1 on which semiconductor wafers 2 are located by means of angles (not shown in FIG. 1). The surface of the semiconductor wafer 2 in the machining position is irradiated by a plurality of UV radiation sources 3. This ionizes the extremely low-dust gas, which may also be air, located in front of the window surface. The ions incident on the surface of the window partially or completely neutralize the electrostatic charges on it which cause the dust particles to adhere to the surface. At the same time, a partial decomposition or splitting of the organic thin layers on the surface occurs, so that the adhesive forces caused by them are reduced. The - for example, 10 seconds - later switched, exiting from the spray nozzle 4, under pressure of some 0.1 MPa (atm.) Standing fine water jet 5 leads the now no longer so firmly adhering dust particles down. In front of the UV radiation sources 3 is a respective splash guard 6. This embodiment can also be modified so that the disc in the processing position 2 is set at fixed object holder 1 by a not shown in Figure 1, but conventional mechanism in rotation.
Eine weitere Variante besteht darin, daß die Objekthalterung 1, die ringförmig mit Scheiben besetzt ist, in Drehung versetzt wird, so daß in kurzen zeitlichen Abständen jede Scheibe 2 in Bearbeitungsp osition gebracht wird. Das Ausführungsbeispiel läßt sieb auch so abwandeln, daß jeder Scheibe 2 auf der Objekthalterung eine oder mehrere UV-Another variant is that the object holder 1, which is annularly occupied with discs, is rotated, so that at short intervals each disc 2 is brought into Bearbeitungsp osition. The embodiment also allows sieve to be modified such that each slice 2 on the object holder has one or more UV rays.
Strahlungsquellen 3 und mindestens je 1 Sprühkopf 4 für Deionatwasser zugeordnet wird.Radiation sources 3 and at least one spray head 4 is assigned to deionized water.
Eine weitere Variante mit höherem Automatisierungsgrad besteht darin, daß statt der Objekthalterung 1 ein endloses Band, auf dem die Scheiben 2 gehalten werden, in der Bearbeitungsposition durchgezogen wird, entweder kontinuierlich mit einer Geschwindigkeit, die eine ausreichend lange Verweildauer in der Bearbeitungsposition ergibt, oder diskontinuierlich, d. tu schrittweise, wobei mit jedem Schritt eine Scheibe in Bearbeitungsposition gebracht wird. Letztere Ausführungsform ist auch dahingehend abwandelbar, daß auf dem endlosen Band mehrere Scheiben über - bzw. untereinander, ggf. auch nebeneinander angeordnet sind und gleichzeitig bearbeitet werden.Another variant with a higher degree of automation is that instead of the object holder 1, an endless belt on which the disks 2 are held, is pulled through in the processing position, either continuously at a speed that gives a sufficiently long residence time in the processing position, or intermittently , d. Step by step, with each step, a disc is brought into processing position. The latter embodiment can also be modified so that a plurality of disks are arranged above or below each other, if necessary also next to one another, on the endless belt and are processed simultaneously.
Ausführungsbeispiel 2:Embodiment 2:
In Figur 2 ist eine andere erfindungsgemäße Anordnung mit einer Objekthalterung 1 dargestellt, auf der sich ebenfalls wieder die ringförmig angeordneten Halbleiterscheiben 2 befinden, von denen nur zwei gezeichnet sind. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel 1 befinden sich die UV-Strahlungsquellen 3 (in Figur 2 sind nur zwei gezeichnet) entweder ohne oder auch mit Spritzwasserschutz 6 wie in Fig. 1. Die UV-Strahlenbündel 7 werden an den - in Figur 2 einzeln dargestellten und angeordneten - Reflektoren 8 reflektiert und auf die Oberfläche der Halbleiterscheiben 2 gebündelt. Eine Variante dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß statt einzelner Reflektoren 8 nur eine einzige gekrümmte Spiegelfläche verwendet wird. Auch hier kann die Objekthalterung 1 feststehen oder rotieren; es kann statt der kreisförmigen Cbjekthalterung 1 auch ein endloses Band in der im Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Weise eingesetzt werden.FIG. 2 shows another arrangement according to the invention with an object holder 1 on which again the annularly arranged semiconductor wafers 2 are located, of which only two are drawn. In contrast to the exemplary embodiment 1, the UV radiation sources 3 (only two are drawn in FIG. 2) are either without or also with splash-water protection 6 as in FIG. 1. The UV-radiation bundles 7 are attached to and arranged individually in FIG Reflectors 8 reflected and focused on the surface of the semiconductor wafers 2. A variant of this embodiment is that instead of individual reflectors 8 only a single curved mirror surface is used. Again, the object holder 1 can be fixed or rotate; It can be used instead of the circular Cbjekthalterung 1 and an endless belt in the manner described in Example 1.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD22383580A DD152921A1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | METHOD AND ARRANGEMENT FOR DISCONTINUING ON A SURFACE OF ATTACHING PARTICLES |
Applications Claiming Priority (1)
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| DD22383580A DD152921A1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | METHOD AND ARRANGEMENT FOR DISCONTINUING ON A SURFACE OF ATTACHING PARTICLES |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD152921A1 true DD152921A1 (en) | 1981-12-16 |
Family
ID=5526238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DD22383580A DD152921A1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | METHOD AND ARRANGEMENT FOR DISCONTINUING ON A SURFACE OF ATTACHING PARTICLES |
Country Status (1)
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| DD (1) | DD152921A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0420141A2 (en) * | 1989-09-26 | 1991-04-03 | Daikin Industries, Limited | Process for removing fine particles from articles of fluorine-containing resin |
-
1980
- 1980-09-11 DD DD22383580A patent/DD152921A1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0420141A2 (en) * | 1989-09-26 | 1991-04-03 | Daikin Industries, Limited | Process for removing fine particles from articles of fluorine-containing resin |
| EP0420141A3 (en) * | 1989-09-26 | 1991-10-23 | Daikin Industries, Limited | Process for removing fine particles from articles of fluorine-containing resin |
| EP0632089A1 (en) * | 1989-09-26 | 1995-01-04 | Daikin Industries, Limited | Process for removing fine particles from articles of fluorine-containing resin |
| EP0632088A1 (en) * | 1989-09-26 | 1995-01-04 | Daikin Industries, Limited | Process for removing fine particles from articles of fluorine-containing resin |
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Legal Events
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