CZ303201B6 - Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury - Google Patents
Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury Download PDFInfo
- Publication number
- CZ303201B6 CZ303201B6 CZ20110106A CZ2011106A CZ303201B6 CZ 303201 B6 CZ303201 B6 CZ 303201B6 CZ 20110106 A CZ20110106 A CZ 20110106A CZ 2011106 A CZ2011106 A CZ 2011106A CZ 303201 B6 CZ303201 B6 CZ 303201B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- detection unit
- layers
- thickness
- quantum
- quantum well
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 24
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Scintilacní detektor pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury strídajících se vrstev materiálu kvantové jámy (3) a vrstev materiálu bariéry (2) kvantové jámy (3) podle rešení obsahuje nejméne jednu vrstvu materiálu kvantové jámy (3) a nejméne dve vrstvy materiálu bariéry (2) kvantové jámy (3), kde materiál kvantové jámy (3) je fosfid-arsenid gallitý GaAs.sub.1-x .n.P.sub.x.n. o tlouštce 2 až 10 nm, pricemž 0.<=.x.<=.0,6, a kde materiál bariéry (2) kvantové jámy (3) je fosfid-arsenid hlinito-gallitý Al.sub.y.n.Ga.sub.1-y .n.As.sub.1-z .n.P.sub.z.n. o tlouštce 4 až 20 nm; pricemž 0.<=.y.<=.1 a 0.<=.z.<=.1. Pocet vrstev materiálu kvantové jámy (3) i pocet vrstev materiálu kvantové bariéry (2) je s výhodou alespon 20 a celková tlouštka sendvicové struktury je alespon 500 nm.
Description
Předkládaný vynález se týká scintilační detekční jednotky pro detekci nízkoenergetických elektronů, iontů a nízkoenergetického Roentgenova záření. Detekční jednotka se uplatní zejména v elektronových mikroskopech, hmotnostních spektrometrech a jiných zařízeních využívajících fokusované elektronové a iontové svazky. Dále se uplatní jako projekční scintilační stínítko pro io svazky nízkoenergetického synchronového a Roentgenova záření.
Dosavadní stav techniky
Dnešní generace elektronových mikroskopů a jiných zařízení využívajících svazky elektronů a iontů používá k detekci signálu detektory scintilační nebo polovodičové anebo detektory využívající kanálkové násobiče. Scintilační detekční jednotky jsou nejčastěji založeny na použiti materiálů Y2SiO5:Ce, Y3Al5O|2:Ce nebo YAlO3:Ce. Rychlost detektoru je dána dosvitem zářivého centra - atomu ceru, který se pro tyto materiály pohybuje v rozmezí 25 až 75 ns. Polovodičové detekční jednotky mají jiné omezení dané zejména kapacitancí p-n přechodu, která prakticky vylučuje jejich použití v detekci záření s časovou konstantou lepší než 100 ns. Třetí typ detektoru, kanálkové násobiče, jsou schopny operovat s minimální časovou konstantou asi 20 ns.
Scintilační detektory mohou operovat ještě s kratší dobou odezvy, pokud lze připravit materiál s dostatečně rychlými optickými přechody. Těmi mohou být zejména excitonové stavy v polovodičích s přímým zakázaným pásem. Jako příklad lze uvést materiály GaAs, CdTe, ZnO, GaN, diamant a zářivé excitonové přechody vztažené k mělkým příměsím. Jedná se tedy o využití optických vlastností polovodiče a nikoli elektrických vlastností, což je mnohem běžnější. Bohužel, i nejkvalitnější reálné monokrystal ické objemové polovodiče obsahují celou řadu defektů, které vytvářejí další stavy pro optické přechody, které nejsou excitonové a které jsou pomalé. Proto nelze reálný objemový polovodič použít jako scintilátor s časovou odezvou kratší než cca 500 ns.
Vrstevnaté polovodičové struktury označované jako jednoduché či vícenásobné tzv. kvantové jámy jsou známé od 80. let. Tyto struktury vznikají postupnou depozicí jednotlivých monomolekulárních krystalových vrstev na dokonalém monokrystal ickém povrchu substrátu. Označení kvantová jáma („Quantum Well“) se používá pro vrstevnatou strukturu z různých krystalických polovodičů, kde se střídají vrstvy s odlišnými hodnotami energií zakázaného pásu. Nejjednodušší struktura se skládá z vrstvy materiálu kvantové jámy, která je obklopena vrstvami materiálu kvantové bariéry. Fyzikální podstatou je vytvoření umělého průběhu energetického potenciálu, který omezuje pohyb volných částic v jednom směru. Tento průběh potenciálu stanovuje volným částicím excitonů diskrétní hodnoty energie dle základních pravidel kvantové mechaniky, podobně jako diskrétní energie elektronů v atomu. Takto vzniklé diskrétní excitonové stavy mají vlastnosti dané tloušťkou jednotlivých vrstev ajejich chemickým složením. Při volbě tloušťky vrstev kvantových jam v řádu nanometrů a tloušťce bariér v rádu jednotek až desítek nanometrů lze dosáhnout toho, že doba života volných excitonů v takové struktuře bude v řádu nanosekund či stovek pikosekund. Výhodou takovéto vrstevnaté polovodičové struktury oproti objemovému polovodiči je to, že doba doznívání luminiscence ze struktury může být méně než 1 ns. Další výhodou je, že scintilační účinnost vrstevnaté struktury je vyšší ve srovnání s objemovým mono50 krystalem. Důvodem je to, že zářivé přechody vytvořené strukturou kvantových jam jsou rychlejší než v objemovém materiálu a tím se snižuje pravděpodobnost nezářivé rekombinace volných nosičů náboje.
-1 CZ 303201 B6
Vzhledem k technologickým možnostem růstu polovodičových sendvičových struktur lze připravit pouze omezeně tlusté vrstvy. Při současných technologických možnostech je maximální tloušťka nejvýše několik mikrometrů. Pro některé materiálové systémy je to maximálně několik stovek nanometrů či pouze desítky nanometrů. Proto lze takovou strukturu prakticky využít pouze pro detekci ionizujícího záření, které se dostatečně absorbuje ve velmi tenké vrstvě pevné látky. Takovým zářením jsou elektrony s energií 10 eV - 30 ke V, protony a ionty s energií 10 eV 1 MeV a fotony s energií I keV-15 keV.
Arsenid gallitý GaAs, arsenid gallito-hHnitý Gai.xAxIAs jsou polovodičové materiály používané pro výrobu červených svítivých diod. Fosfid-arsenid gallitý GaAsi_yPy a fosfid gallitý GaP jsou materiály, které jsou využívány k výrobě žlutých a oranžových svítivých diod. Všechny tyto materiály patří do kategorie polovodičů typu 1II-V ajejich technologie růstu i chemické vlastnosti jsou velmi podobné. Technologie přípravy těchto vrstev je dnes dobře zvládnutá.
Patent GB 1 121 986 si nárokuje využití obyčejného objemového polovodiče GaAs jako scintilátor. Takový scintilátor ovšem v praxi nemá dostatečně rychlou odezvu. Patentová přihláška US 2006/0 219 928 Al se týká úpravy objemového polovodiče tak, aby byl použitelný jako rychlý scintilátor. Autoři navrhují speciální dopanty pro zvýšení účinnosti a zrychlení doby odezvy. Patent US 7 030 388 B2 popisuje využití vrstevnatých struktur jako rychlého scintílačního detektoru v případě struktury složené z materiálů GaN a Gai.xInxN. Bohužel polovodičovou heterostrukturu GaN/GarxInxN nelze připravit v dostatečné tloušťce pro efektivní absorpci ionizujícího záření. Proto ji lze použít jen pro velmi nízké energie elektronů.
Podstata vynálezu
Uvedené nevýhody odstraňuje rychlá scintilační detekční jednotka pro detekci elektronů, iontů a fotonů sendvičové struktury se střídajícími vrstvami materiálu kvantové jámy a materiálu bariéry kvantové jámy, která podle vynálezu obsahuje nejméně jednu vrstvu materiálu kvantové jámy a nejméně dvě vrstvy materiálu bariéry kvantové jámy, kde materiál kvantové jámy je fosfidarsenid gallitý GaAst.xPx o tloušťce 2 až 10 nm, přičemž 0<x^0,6, a kde materiál bariéry kvantové jámy je fosfid-arsenid hlinito-gallitý AIyGa|.yAS].zPz o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0<y<l a 0<z<1.
S výhodou je materiál kvantové jámy arsenid gallitý GaAs o tloušťce 2 až 10 nm a materiál bariéry kvantové jámy je arsenid hlinito-gallitý AltGai-tAs o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0,2<t<0,4 nebo materiál kvantové jámy je fosfid-arsenid gallitý GaAsi_uPu o tloušťce 2 až 10 nm a materiál bariéry kvantové jámy je fosfid gallitý GaP o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0,l<u<0,5.
S výhodou je počet vrstev materiálu kvantové jámy i počet vrstev materiálu kvantové bariéry alespoň 20 a celková tloušťka sendvičové struktury je alespoň 500 nm.
Vynález spočívá v použití polovodičových vrstevnatých struktur na bázi arsenidů a směsných arsenidů-fosfidů jako rychlé scintilační detekční jednotky pro detekci elektronů, iontů a fotonů.
Pomocí pokročilých epitaxních růstových technologií jako např. epitaxe z molekulárních svazků („Molecular Beam Epitaxy) či metal-organické epitaxe z plynné fáze („Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy“) lze připravit tytu sendvičové struktury podle vynálezu, běžně označované jako jednoduché či vícenásobné kvantové jámy. Tyto struktury vznikají postupnou depozicí jednotlivých monomolekulámích krystalových vrstev na dokonalém monokrystalickém povrchu substrátu,
-2CZ 303201 B6
Rychlá scintilační detekční jednotka sendvičové struktury je vhodná pro nízkoenergetické elektrony, ionty a další ionizující záření jako např. roentgenové fotony. Výhodou vynálezu oproti US 7 030 388 B2 je to, žc v případě polovodičových vrstevnatých struktur na bázi arsenidů a směsných arsen idů-fosfidů lze připravit tuto sendvičovou strukturu ve velké tloušťce a tím zajistit lepší absorpci ionizujícího záření. Proto bude mít tato sendvičová struktura podle vynálezu lepší účinnost.
Scintilační polovodičová detekční jednotka se skládá ze střídajících se vrstev materiálu kvantové jámy a materiálu kvantové bariéry. Každá vrstva materiálu kvantové jámy je obklopena mateío riálem kvantové bariéry. Tloušťky všech vrstev kvantových jam jsou obvykle stejné, ale není to podmínkou. Tloušťky všech vrstev bariér kvantových jam jsou obvykle stejné, ale není to podmínkou. Sendvičová struktura je připravená epitaxním růstem na vhodném substrátu. Substrát je nutný pro samotnou přípravu sendvičové struktury, ne však pro její funkčnost. Obvykle je substrát součástí sendvičové struktury kvůli lepší mechanické manipulovateInosti.
Přehled obrázku na výkrese
Obr. 1 je schematický boční pohled na průřez vrstevnatou sendvičovou strukturou a substrátem
i. Vyobrazená sendvičová struktura se skládá ze dvou vrstev materiálu kvantové jámy 3 a ze tří vrstev materiálu kvantové bariéry 2.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Příkladem rychlé scintilační detekční jednotky je sendvičová struktura dle Obr. 1 obsahující 2 vrstvy materiálu kvantové jámy 3. Substrátem 1 je v tomto případě deska tvořená monokrystalem polovodiče GaAs. Materiálem kvantové bariéry 2 je Alo.3Gao.7As. Materiálem kvantové jámy 3 je GaAs. Tloušťka vrstvy kvantové bariéry 2 je v tomto příkladě stejná a činí 10 nm. Tloušťka vrstvy kvantové jámy 3 je v tomto příkladě stejná a činí 4 nm. Pri dopadu svazku elektronů o energii 10 keV sendvičová struktura emituje světlo s maximem spektrálního pásu 800 nm. V pásu
8 00 nm je emitováno více než 95 % intenzity světla z celého optického spektra. Pri pulzním buzení křivka dosvitu v čase exponenciálně klesá. Intenzita světla klesne na hodnotu l/e, kde e je základem přirozeného logaritmu, za dobu kratší než 1 ns.
Příklad 2
Jiným příkladem rychlé scintilační detekční jednotky je sendvičová struktura odvozená od Obr. 1 tak, že je přidán počet dvojic vrstev materiálu kvantové jámy 3 a kvantové bariéry 2. Substrátem i je v tomto případě monokrystal GaP. Následuje 80 dvojic vrstev kvantové jámy 3 a kvantové bariéry 2. Tloušťky vrstev kvantové bariéry 2 jsou 3 nm a jsou stejné a jsou tvořeny materiálem GaP. Vrstvy kvantové jámy 3 jsou z materiálu GaAso.55P0.45 a mají tloušťku 12 nm. Celková tloušťka sendvičové struktury je 1200 nm. Při dopadu svazku elektronů o energii 20 keV jsou všechny elektrony absorbovány a energie je vyzářena jako světlo s maximem spektrálního pásu 620 nm, V pásu 620 nm je emitováno více než 98 % intenzity světla z celého optického spektra.
Pri pulzním buzení křivka dosvitu v čase exponenciálně klesá. Intenzita světla klesne na hodnotu 1 (e, kde e je základem přirozeného logaritmu, za dobu kratší než 800 ps.
-3 CZ 303201 B6
Průmyslová využitelnost
Extrémně rychlá seintilační detekční jednotka může být použita pro detekci zpětně odražených nebo sekundárních elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Dále lze ji použít pro rychlou detekci jiných fokusovaných i nefokusovaných svazků elektronů a iontů, např. v hmotnostních spektrometrech. Vrstevnatou strukturu lze použít i jako zobrazovací seintilační stínítko s velmi krátkou dobou dosvitu.
Claims (5)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Seintilační detekční jednotka pro detekci elektronů, iontů a fotonů sendvičové struktury střídajících se vrstev materiálu kvantové jámy (3) a vrstev materiálu bariéry (2) kvantové jámy (3), vyznačující se tím, že obsahuje nejméně jednu monokrystal ickou vrstvu materiálu kvantové jámy (3) a nejméně dvě monokrystalické vrstvy materiálu bariéry (2) kvantové jámy (3), kde materiál kvantové jámy (3) je fosfid-arsenid gallitý GaAsr,Px o tloušťce 2 až 10 nm, přičemž 0<x<0,6, a kde materiál bariéry (2) kvantové jámy (3) je fosfid-arsenid hlinito-gallitý AlyGai_yAsi_zPz o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0<y< 1 a 0<z<L
- 2. Seintilační detekční jednotka podle nároku 1, kde materiál kvantové jámy (3) je arsenid gallitý GaAs o tloušťce 2 až 10 nm a kde materiál bariéry (2) kvantové jámy (3) je arsenid hlinito-gallitý Al,Ga(.,As o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0,2<t<0,4.
- 3. Seintilační detekční jednotka podle nároku 1, kde materiál kvantové jámy (3) je fosfidarsenid gallitý GaAs(.uPu o tloušťce 2 až 10 nm a kde materiál bariéry (2) kvantové jámy (3) je fosfid gallitý GaP o tloušťce 4 až 20 nm; přičemž 0,l<u<0,5.
- 4. Seintilační detekční jednotka podle nároků laž3, vyznačující se tím, že počet vrstev materiálu kvantové jámy (3) i počet vrstev materiálu kvantové bariéry (2) je alespoň 20.
- 5. Seintilační detekční jednotka podle nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že celková tloušťka seintilační detekční jednotky je alespoň 500 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20110106A CZ303201B6 (cs) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20110106A CZ303201B6 (cs) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2011106A3 CZ2011106A3 (cs) | 2012-05-23 |
| CZ303201B6 true CZ303201B6 (cs) | 2012-05-23 |
Family
ID=46082629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20110106A CZ303201B6 (cs) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ303201B6 (cs) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9329126B2 (en) | 2014-08-25 | 2016-05-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Mass spectrometer detector using optically active membrane |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106621A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体受光素子 |
| US20040061054A1 (en) * | 2001-01-31 | 2004-04-01 | Minoru Kondo | Electron beam detector, scanning type electron microscope, mass spectrometer, and ion detector |
| US20040108492A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-06-10 | Derenzo Stephen E. | Codoped direct-gap semiconductor scintillators |
| US20040129891A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Illuminant, and, electron beam detector, scanning electron microscope and mass spectroscope each including the same |
-
2011
- 2011-03-01 CZ CZ20110106A patent/CZ303201B6/cs unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106621A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体受光素子 |
| US20040061054A1 (en) * | 2001-01-31 | 2004-04-01 | Minoru Kondo | Electron beam detector, scanning type electron microscope, mass spectrometer, and ion detector |
| US20040108492A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-06-10 | Derenzo Stephen E. | Codoped direct-gap semiconductor scintillators |
| US20040129891A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Illuminant, and, electron beam detector, scanning electron microscope and mass spectroscope each including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ2011106A3 (cs) | 2012-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ivanov et al. | E‐beam pumped mid‐UV sources based on MBE‐grown AlGaN MQW | |
| CN115020183B (zh) | 闪烁器以及电子检测器 | |
| US10067246B2 (en) | Scintillation detector for detection of ionising radiation | |
| JP6996703B2 (ja) | スピン偏極高輝度電子発生フォトカソード及びその製造方法 | |
| Tak et al. | Injection mechanisms in a III-nitride light-emitting diode as seen by self-emissive electron microscopy | |
| Rumyantsev et al. | Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells | |
| CZ303201B6 (cs) | Scintilacní detekcní jednotka pro detekci elektronu, iontu a fotonu sendvicové struktury | |
| CZ2011834A3 (cs) | Scintilacní detekcní jednotka se zvýsenou radiacní odolností | |
| JP6948675B2 (ja) | シンチレータの形成方法 | |
| Schweidenback et al. | Optical Aharonov-Bohm oscillations in InGaAs quantum wells | |
| Yan et al. | Single-dislocation ultraviolet light emission | |
| Schenk et al. | Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications | |
| Moliner et al. | Towards TOF improvements: Metascintillator simulation using BaF 2 as fast scintillator | |
| Ali et al. | Reduced photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum well structures following 40 Mev iodine ion irradiation | |
| Oleshko et al. | Luminescence of thin-film light-emitting diode structures upon excitation by a high-current electron beam | |
| Bano | Fabrication and characterization of ZnO nanorods based intrinsic white light emitting diodes (LEDs) | |
| Tringe et al. | Radiation effects on InGaN quantum wells and GaN simultaneously probed by ion beam-induced luminescence | |
| Gu et al. | ZnSeTe rediscovered: from isoelectronic centers to quantum dots | |
| Rakhlin et al. | Micro-photoluminescence studies of CdSe/ZnSe quantum dot structures grown under different conditions | |
| Wallace | Optoelectronic study of InGaN/GaN LEDs | |
| Johne et al. | Cathodoluminescence of large-area PLD grown ZnO thin films measured in transmission and reflection | |
| 焦岗成 et al. | Comparison of blue–green response between transmission-mode GaAsP-and GaAs-based photocathodes grown by molecular beam epitaxy | |
| Holt et al. | Cathodoluminescence characterization of semiconductors | |
| Rabinovich et al. | Creating AlGaAs Photodetectors | |
| Pipeleers et al. | Defect accumulation in erbium implanted gallium nitride. |