CZ2009182A3 - Zarízení k nanášení ultratenkých vrstev - Google Patents
Zarízení k nanášení ultratenkých vrstev Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2009182A3 CZ2009182A3 CZ20090182A CZ2009182A CZ2009182A3 CZ 2009182 A3 CZ2009182 A3 CZ 2009182A3 CZ 20090182 A CZ20090182 A CZ 20090182A CZ 2009182 A CZ2009182 A CZ 2009182A CZ 2009182 A3 CZ2009182 A3 CZ 2009182A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- anode
- electron source
- source
- electron
- ultra
- Prior art date
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Zarízení k nanášení ultratenkých vrstev je umísteno v ultravakuovém prostoru a tvoreno iontove atomárním zdrojem (1) usporádaným v obalu (2), extrakcní elektrodou (6) pro fokusaci iontového svazku na substrát (7), usporádanou u otevreného konce obalu (2), a za ní uloženým substrátem (7) pro nanášenou ultratenké vrstvy. Iontove atomární zdroj (1) sestává z anody (3) a proti anode (3) uloženého zdroje (4) elektronu. Obal (2) je u anody (3) uzavrený a u zdroje (4) elektronu otevrený a opatrený aperturní clonou (5). Mezi anodou (3) a proti ní uloženým zdrojem (4) elektronu je usporádána ionizacní klec (9), jejíž steny jsou tvoreny pro elektrony i ionty propustnou mrížkou a která je pro odstínení potenciálu ionizacní klece (9) od okolních potenciálu oddelena od obalu (2) iontove atomárního zdroje (1) stínicí elektrodou (8). Stínicí elektroda (8) je smerem k anode (3) i smerem ke zdroji (4) elektronu otevrená a obklopuje dráhu elektronu a iontu mezi anodou (3) a zdrojem (4) elektronu. Anoda (3), mrížka ionizacní klece (9) stínicí elektroda (8), zdroj (4) elektronu, extrakcní elektroda (6) a substrát (7) jsou elektricky odizolovány a pripojeny k oddeleným napetovým zdrojum. Obal (2), stínicí elektroda (8) i ionizacní klec (9) jsou s výhodou válcovitého tvaru a jsou usporádány souose. Napetové zdroje napájející zdroje (4) elektronu a mrížky ionizacní klece (9) jsou ve výhodném provedení nastaveny na rozdíl potenciálu mrížky ionizacní klece (9) a zdroje (4) elektronu v typickém rozmezí od +50 do +150 V. Napetové zdroje napájející zdroje (4) elektronu a substrátu (7) mají vuci sobe nastavitelné napetí pro dosažení optimální energie na substrát (7
Description
Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev
Oblast techniky
Vynález se týká zařízení k nanášení ultratenkých vrstev, umístěného v ultravakuovém prostoru. Toto zařízení je tvořeno v obalu uspořádaným iontově atomárním zdrojem, jehož podstatnou Částí je anoda a proti anodě uložený zdroj elektronů. Obal je u anody uzavřený a u zdroje elektronů otevřený a je opatřený apertumí clonou. Dále je toto zařízení tvořeno u otevřeného konce obalu uspořádanou extrakční elektrodou a za ní uloženým substrátem pro nanášenou ultratenké vrstvy, přičemž extrakční elektroda je určena pro fokusaci elektronového a iontového svazku na substrát.
Dosavadní stav techniky
Zejména v oblastech polovodičového a elektrotechnického průmyslu hrají významnou roli ultratenké vrstvy a jejich kvalita. Tato kvalita je zpravidla dána provozními parametry zařízení k nanášení ultratenkých vrstev, jako jsou čistota a homogenita svazku nanášených iontů, jejich obsah ve svazku a energie i rychlost depozice.
Bylo zjištěno, že současným bombardováním substrátu ionty v průběhu depozice vrstvy může dojít ke zlepšení vlastností nanášené vrstvy. Ionty dopadající na substrát tvoří povrchové defekty, jež mohou sloužit jako nukleační místa pro následně dopadající nízkoenergiové atomy, tedy atomy s energií 0,1 až 1,0 elektronvoltu. Tímto vytvářením nukleačních míst na povrchu může docházet ke zvyšování množství zárodečných ostrůvků. Poměr iontů vůči neutrálním částicím, jakož i energie iontů, hrají podstatnou roli při růstu vrstev. Iontově atomární zdroj by měl poskytnout svazek sestávající z neutrálních částic o termální energii a iontů s nízkou energií, cca 10 až 100 elektronvoltů. Při vysoké energii iontů může totiž docházet k výraznému poškození vrstvy.
Jsou známa zařízení k nanášení ultratenkých vrstev, např. z článku „An evaporation source for ion beam assisted deposition in ultrahigh vacuum“
D2502
12.3.2009 «· ·· Φ· φφφφ ·♦ ♦* φ φ · · · · · · · · • · ·· · · · · · · · * * φφφ φ φφφ « φ · φ
- 2 “* ···· *· ·· ·· «* ·· z Review of Scientifíc Instruments, Vol. 73, No. 11 z listopadu 2002. Zde popsané zařízení k nanášení ultratenkých vrstev je tvořené obalem, jehož vnitřní prostor je vyčerpán na hodnotu ultravakua a jsou v něm uspořádány anoda ve formě tyčky nebo kelímku, proti anodě zdroj elektronů, tvořený žhaveným wolframovým vláknem, za ním je uspořádána extrakční elektroda a za ní uložený vzorek. Elektrony emitované žhaveným wolframovým vláknem mají termální energii v rozsahu 0,1 až 1,0 elektronvoltů. Typický rozdíl napětí mezi anodou a zdrojem elektronů je 500 až 1500 voltů. Anoda je vyhřívána koncentrickým tokem elektronů uvolňovaných ze zdroje elektronů, tedy z vyhřívaného wolframového vlákna, dopadajícím na anodu s energií danou jejich urychlením rozdílem elektrických potenciálů anody a zdroje elektronů. Z vyhřívané anody se odpařují atomy materiálu tohoto zdroje a vytvoří se tak okolo nej atomový mrak s odhadovaným ekvivalentním tlakem 10'8 milibarů. Některé z těchto plynných atomů jsou ionizovány elektrony a urychlovány směrem od anody. Poté co projdou apertumí clonou, pohybují se podél přímých drah, až některé z nich dopadnou na sběrnou elektrodu nebo případně na vzorek. Poněvadž pro daný materiál, geometrii, urychlovací napětí a konstantní emisní proud je poměr mezi ionizovanými kovovými atomy dopadajícími na sběrnou elektrodu a neutrálními kovovými atomy dopadajícími na vzorek konstantní, může být zdroj kalibrován užitím krystalového měřiče tlouštěk nebo např. podle oscilací odrazu elektronů při vysokoenergiové elektronové difrakci.
Nevýhodou tohoto řešení je, že svazek obsahuje převážně ionty o poměrně vysoké energii, cca 700 až 900 elektronvoltů s širokým rozptylem až několika stovek elektronvoltů. Toto řešení neumožňuje získat iontové svazky o nízké energii ani optimalizovat ionizační účinnost a tím ani získat vysoký poměr iontů k neutrálním atomům ve svazku.
D2502
12. 3. 2009 «φ
-3 ΦΦΦ φ · « ♦ · ♦ · « φφφ φ · · «φφφ φφ · φ φ · «φφ φ ··· φφφφ φφ φφ φφ «φ Φ·
Podstata vynálezu
Uvedené nedostatky dosavadního stavu techniky do značné míry eliminuje zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle vynálezu, které je umístěno v ultravakuovém prostoru a tvořeno jednak iontově atomárním zdrojem uspořádaným v obalu a jednak extrakční elektrodou pro fokusaci iontového svazku na substrát, uspořádanou u otevřeného konce obalu, a za ní uloženým substrátem pro nanášenou ultratenkou vrstvu. Iontově atomární zdroj sestává z anody a proti anodě uloženého zdroje elektronů. Obal je u anody uzavřený a u zdroje elektronů otevřený a opatřený apertumí clonou. Podstatou vynálezu přitom je, že mezi anodou a proti ní uloženým zdrojem elektronů je uspořádána ionizační klec, jejíž stěny jsou tvořeny pro elektrony i ionty propustnou mřížkou a která je pro odstínění potenciálu ionizační klece od potenciálu obalu iontově atomárního zdroje oddělena od obalu iontově atomárního zdroje stínící elektrodou. Stínící elektroda je směrem k anodě i směrem ke zdroji elektronů otevřená a obklopuje dráhu elektronů a iontů mezi anodou a zdrojem elektronů. Anoda, mřížka ionizační klece, stínící elektroda, zdroj elektronů, extrakční elektroda a substrát jsou elektricky odizolovány a připojeny k odděleným napěťovým zdrojům.
Ve výhodném provedení vynálezu jsou obal, stínící elektroda i ionizační klec válcovitého tvaru a jsou uspořádány souose.
V dalším výhodném provedení vynálezu jsou napěťové zdroje napájející zdroj elektronů a mřížku ionizační klece nastaveny na rozdíl potenciálů mřížky ionizační klece a zdroje elektronů v typickém rozmezí od +50 do +150 V.
V jiném výhodném provedení vynálezu mají napěťové zdroje napájející zdroj mřížky ionizační klece a mřížku ionizační klece mají vůči sobě nastavitelné napětí pro dosažení optimální účinnosti ionizace v ionizační kleci.
Anoda je v dalších výhodných provedeních vynálezu vytvořena jako kovový kalíšek, případně jako kovová tyč.
D25O2
12, 3. 2009
Φ· ·«·« • · « · * « φ φ φ φ • · * · * · · φ · • · « · · V · · ΦΦΦ “ 4 ~ ··»· ·♦ ♦· M *· ··
Konečně v dalším výhodném provedení vynálezu je do prostoru obklopujícího anodu je zaústěn přívod plynu.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude dále podrobněji popsán podle přiloženého výkresu, na němž je znázorněno příkladné provedení zařízení k nanášení ultratenkých vrstev.
Příklady provedení vynálezu
Na obrázku je schematicky znázorněno příkladné zařízení k nanášení ultratenkých vrstev. Toto zařízení je uloženo v prostoru vyčerpaném na hodnotu ultravakua a obsahuje iontově atomární zdroj 1 tvořený obalem 2, který je v příkladném provedení na obrázku válcovitý, v obalu 2 uspořádanými anodou 3 a proti anodě 3 uloženým zdrojem 4 elektronů. Obal 2 je u anody 3 uzavřený a u zdroje 4 elektronů otevřený. Otevřený konec obalu 2 je opatřen apertumí clonou 5, která je vytvořena jako deska se středním otvorem, v příkladném provedení prstencová, přičemž její střední otvor, který je v příkladném provedení kruhový, je menší než vnitřní průměr obalu 2. Za otevřeným koncem obalu 2 je uspořádána extrakční elektroda 6 a za ní je uložený substrát 7. Mezi anodou 3 a proti ní uloženým zdrojem 4 elektronů je uspořádána stínící elektroda 8, která je v příkladném provedení válcovitá, přičemž podélná osa této válcovité stínící elektrody 8 leží na spojnici anody 3 a zdroje 4 elektronů. Ve stínící elektrodě 8 je uložena ionizační klec 9, jejíž stěny jsou tvořeny pro elektrony i ionty propustnou mřížkou . Do prostoru obklopujícího anodu 3 je zaústěn přívod 10 plynu.
Stěny stínící elektrody 8 v příkladném provedení v podstatě kopírují steny válcovitého obalu 2, přičemž válec stínící elektrody 8 je na obou svých základnách otevřený. Ionizační klec 9, jejíž stěny jsou tvořeny mřížkou, je v zobrazeném příkladném provedení rovněž válcovitého tvaru, avšak tento válec je na obou stranách naopak uzavřený mřížkou.
D2502
12. 3. 2009 ·· ·· ·· ·· * · · · ♦ * V * « • · ·· · · · *·> * ♦ · · · · · * « * · · · ·
- 5- ·«»« ·· ·· ««
Anoda 3, zdroj 4 elektronů, stínící elektroda 8, ionizační klec 9, extrakční elektroda 6 a substrát 7 jsou připojeny ke svým napěťovým zdrojům, které nejsou na obrázku znázorněny. Výstupní napětí těchto napěťových zdrojů lze nezávisle na sobě měnit, přičemž pro funkci zařízení podle vynálezu musí napěťový zdroj anody 3 být schopen dát napětí v řádu kilovoltů a ostatní napěťové zdroje nejvýše do řádu stovek voltů.
V příkladném provedení je anoda 3 na potenciálu +2000 voltů, zdroj 4 elektronů je na potenciálu 0 voltů, stínící elektroda 8 je na potenciálu + 200 voltů oproti zdroji 4 elektronů, ionizační klec 9 je na potenciálu +100 voltů oproti zdroji 4 elektronů, extrakční elektroda 6 je na potenciálu — 400 voltů a substrát 7 je přes měřič 11 proudu substrátem 7 uzemněn.
V činnosti zařízení podle vynálezu mají elektrony emitované elektronovým zdrojem 4, v příkladném provedení žhaveným wolframovým vláknem, termální energii v rozsahu 0,1 až 1,0 elektronvoltů. Tyto elektrony jsou urychleny potenciálem ionizační klece 9, tedy 100 volty, a následně vstupují do ionizačního prostoru v ionizační kleci 9. Ionizační prostor je ohraničen ionizační klecí 9, která definuje konstantní potenciál v celém jeho objemu. Potenciál okolo 100 V je optimálním potenciálem pro největší účinnost ionizace v ionizační kleci 9. Všechny elektrony se v prostoru ionizační klece 9 pohybují rovnoměrně přímočaře s energií danou rozdílem potenciálů ionizační klece 9 a elektronového zdroje 4. Po průchodu ionizační klecí 9 jsou tyto elektrony urychlovány směrem k anodě 3, která je vyhřívána koncentrickým tokem elektronů dopadajícím na anodu 3. Z vyhřívané anody 3 se odpařují atomy materiálu a vytváří se tak okolo ní atomární mrak s odhadovaným ekvivalentním tlakem 10’8 milibarů. Vzniklý atomární svazek částic přechází efuzním tokem ionizačním prostorem uvnitř ionizační klece 9 směrem na substrát 7. Při této cestě je určitá část neutrálního atomárního svazku ionizována elektrony. Takto vzniklé kladné ionty jsou vysokým záporným potenciálem — 400 voltů extrakční elektrody 6 extrahovány z prostoru iontově atomárního
D2502
12. 3. 2009
Φ· ·♦··
-6··*· • · ·· • · φ· • φ φφ * • ·φ • Φ φφ zdroje. Následně ionty dopadají na substrát 7 s energií určenou rozdílem potenciálů mezi místem jejich vzniku a substrátem 7. Stejným způsobem jako atomy vypařovaného materiálu mohou být ionizovány i atomy plynu, který je napouštěn přívodem 10 plynu, který je zaústěn do prostoru v blízkosti anody 3.
Takto se získá smíšený svazek neutrálních atomů či molekul a iontů.
Zavedením ionizační klece 9 mezi anodu 3 a zdroj 4 elektronů se získá optimalizovaná ionizační účinnost a iontově atomární svazek s ionty o definovaně nastavitelných nízkých energiích v rozmezí asi 20 až 300 elektronvoltů. Nastavení energie iontů dopadajících na substrát 7 se provádí nastavením rozdílu potenciálů mřížky ionizační klece 9 a substrátu 7, přičemž platí, že je-li rozdíl potenciálů mřížky ionizační klece 9 a substrátu 7 x Voltů, dopadají ionty na substrát 7 s energií x elektronvoltů.
Takto např. pro nastavení energie dopadajících iontů na 20 eV se při uzemněném substrátu 7 nastaví potenciál mřížky ionizační klece 9 na 20 V. Pro zachování optimální ionizační účinnosti je pak třeba nastavit potenciál zdroje 4 elektronů, tedy wolframového vlákna, na - 80 V. Za takového uspořádání bude urychlovací potenciál ionizační klece 9 vůči potenciálu zdroje 4 elektronů právě těch optimálních 100 V.
Pokud je třeba nastavit energii dopadajících iontů na 200 eV, nastaví se při uzemněném substrátu 7 potenciál mřížky ionizační klece 9 na 200 V. Pro zachování optimální ionizační účinnosti je pak třeba nastavit potenciál zdroje 4 elektronů, tedy wolframového vlákna, na 100 V. I za takového uspořádání bude urychlovací potenciál ionizační klece 9 vůči potenciálu zdroje 4 elektronů právě těch optimálních 100 V.
Pokud je třeba nastavit energii dopadajících iontů na 120 eV, nastaví se při uzemněném substrátu 7 potenciál mřížky ionizační klece 9 na 120 V. Pro zachování optimální ionizační účinnosti je pak třeba nastavit potenciál zdroje 4 elektronů, tedy wolframového vlákna, na 20 V. I za takového uspořádání bude
D2502
12.3.2009 *· ***♦
-7urychlovací potenciál ionizační klece 9 vůči potenciálu zdroje 4 elektronů právě těch optimálních 100 V.
Výhodou tohoto uspořádání je společný dopad iontů a neutrálních částic na substrát 7 i vyšší poměr iontů vůči neutrálním částicím, nízká energie iontů a nízký rozptyl jejich energií. Ionty dopadající na substrát 7 tvoří povrchové defekty, jež mohou sloužit jako nukleační místa pro následně dopadající termální atomy, tedy atomy s energií 0,1 až 1,0 elektronvoltu. Tímto vytvářením nukleačních míst na povrchu dochází ke zvyšování množství zárodečných ostrůvků. Poměr iontů vůči neutrálním částicím, jakož i energie iontů, které hrají podstatnou roli při růstu vrstev, je u tohoto zařízení popsaným způsobem optimalizován. Iontově atomární zdroj poskytuje svazek sestávající z neutrálních částic o termální energii a iontů s nízkou energií, cca 10 až 100 elektronvoltů.
Nedochází tak k výraznému poškození vrstvy, které by nastalo, pokud by energie iontů byla vysoká.
Průmyslová využitelnost
Vynález je možno využít k nanášení ultratenkých vrstev, zejména v oblastech polovodičového a elektrotechnického průmyslu
Claims (7)
1. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev, umístěné v ultravakuovém prostoru a tvořené jednak iontově atomárním zdrojem (1) uspořádaným v obalu (2) a dále sestávajícím z anody (3) a proti anodě (3) uloženého zdroje (4) elektronů, kde obal (2) je u anody (3) uzavřený a u zdroje (4) elektronů otevřený a opatřený apertumí clonou (5), a jednak u otevřeného konce obalu (2) uspořádanou extrakční elektrodou (6) pro fokusaci iontového svazku na substrát (7) a za ní uloženým substrátem (7) pro nanášenou ultratenkou vrstvu, vyznačující se tím, že mezi anodou (3) a proti ní uloženým zdrojem (4) elektronů je uspořádána ionizační klec (9), jejíž stěny jsou tvořeny pro elektrony i ionty propustnou mřížkou a která je pro odstínění potenciálu ionizační klece (9) od potenciálu obalu (2) iontově atomárního zdroje (1) oddělena od obalu (2) iontově atomárního zdroje (1) stínící elektrodou (8), která je směrem k anodě (3) i směrem ke zdroji (4) elektronů otevřená a která obklopuje dráhu elektronů a iontů mezi anodou (3) a zdrojem (4) elektronů, a přičemž anoda (3), mřížka ionizační klece (9), stínící elektroda (8), zdroj (4) elektronů, extrakční elektroda (6) a substrát (7) jsou elektricky odizolovány a připojeny k odděleným napěťovým zdrojům.
2. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že obal (2), stínící elektroda (8) i ionizační klec (9) jsou válcovitého tvaru a jsou uspořádány souose.
3. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že napěťové zdroje zdroje (4) elektronů a mřížky ionizační klece (9) jsou nastaveny na rozdíl potenciálů mřížky ionizační klece (9) a zdroje (4) elektronů v typickém rozmezí od +50 do +150 V.
4. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že napěťové zdroje zdroje (4) elektronů a mřížky ionizační klece (9) mají vůči sobě nastavitelné napětí pro dosažení optimální účinnosti ionizace v ionizační kleci (9).
D2302
12. 3. 2009 φφ «Φ··
5. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že anoda (3) je vytvořena jako kovový kalíšek,
6. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že anoda (3) je vytvořena jako kovová tyč,
7. Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev podle nároku 1, vyznačující se tím, že do prostoru obklopujícího anodu (3) je zaústěn přívod (10) plynu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20090182A CZ303867B6 (cs) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Zarízení k nanásení ultratenkých vrstev |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20090182A CZ303867B6 (cs) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Zarízení k nanásení ultratenkých vrstev |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2009182A3 true CZ2009182A3 (cs) | 2010-12-08 |
| CZ303867B6 CZ303867B6 (cs) | 2013-06-05 |
Family
ID=43297104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20090182A CZ303867B6 (cs) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Zarízení k nanásení ultratenkých vrstev |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ303867B6 (cs) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CS252859B1 (sk) * | 1984-03-12 | 1987-10-15 | Milan Ferdinandy | Sposob vytvárania tenkých vrstiev volfrámu na elektricky vodivém substráte |
| CS251011B1 (cs) * | 1984-06-29 | 1987-06-11 | Ladislav Bardos | Způsob vytváření tenkého povlaku na povrchu tělesa plazaaticky aktivovanou chealekou reakci a plynné fáze a zařízeni k prováděni tohoto způsobu |
| CS252707B1 (sk) * | 1984-10-22 | 1987-10-15 | Milan Ferdinandy | Spůsob vytvárania oteruvzdornej vrstvy nitridu titánu na pevnom elektricky vodivom substráte |
| JPH10204635A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-08-04 | Kobe Steel Ltd | イオンビーム発生装置 |
| CN1153283C (zh) * | 2001-07-20 | 2004-06-09 | 中国科学院上海冶金研究所 | 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料的制备方法 |
-
2009
- 2009-03-26 CZ CZ20090182A patent/CZ303867B6/cs not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ303867B6 (cs) | 2013-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ström et al. | Ion beam tools for nondestructive in-situ and in-operando composition analysis and modification of materials at the Tandem Laboratory in Uppsala | |
| CN111868880B (zh) | 电子源 | |
| EP1909095B1 (en) | X-ray photoelectron spectroscopy analysis system for surface analysis and method therefor | |
| Schaffner et al. | An ultrahigh vacuum sputter source for in situ deposition of size-selected clusters: Ag on graphite | |
| Klink et al. | Development and commissioning of ion-optical elements for ion and antiproton beams with energies up to 5 keV | |
| Probyn | A low-energy ion source for the deposition of chromium | |
| US20090020415A1 (en) | "Iontron" ion beam deposition source and a method for sputter deposition of different layers using this source | |
| CZ2009182A3 (cs) | Zarízení k nanášení ultratenkých vrstev | |
| CN110444463B (zh) | 一种微电流铯离子源 | |
| Isenberg et al. | Surface production of H− ions by backscattering of H+ and H+ 2 ions in the 3–50 eV ion energy range | |
| EP2840163B1 (en) | Deposition device and deposition method | |
| US5834768A (en) | Small vacuum compatible hyperthermal atom generator | |
| US10971329B2 (en) | Field ionization source, ion beam apparatus, and beam irradiation method | |
| Tusche et al. | A low energy ion source for electron capture spectroscopy | |
| Biesecker et al. | Ion beam source for soft-landing deposition | |
| Sattonnay et al. | Role of surface chemistry in conditioning of materials in particle accelerators | |
| JPS6176665A (ja) | 蒸着膜形成装置 | |
| Nishida et al. | Potential effect in Balmer light emission near surface irradiated with highly charged ions | |
| Kawano | Negative hydride ion production by low energy electron impact of alkali metal hydride powder | |
| Fujiwara et al. | Ion beam generation from an electrolyte solution containing polyatomic cations and anions for secondary ion mass spectrometry | |
| Zhang et al. | Research On Secondary Electron Emission Characteristics of Diamond-Like Carbon Thin Films | |
| Stutzman | Extreme high vacuum for polarized electron sources | |
| Hassan et al. | Development of a Radio Frequency Coupled Broad Beam Ion Source for Material Processing | |
| JPH04236774A (ja) | プラズマ源 | |
| Badulescu et al. | Retarding field ion energy analysis of an anodic arc carbon plasma |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20140326 |