CZ2008103A3 - Zpusob výroby elektrostaticky nabitých obrazcu - Google Patents
Zpusob výroby elektrostaticky nabitých obrazcu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2008103A3 CZ2008103A3 CZ20080103A CZ2008103A CZ2008103A3 CZ 2008103 A3 CZ2008103 A3 CZ 2008103A3 CZ 20080103 A CZ20080103 A CZ 20080103A CZ 2008103 A CZ2008103 A CZ 2008103A CZ 2008103 A3 CZ2008103 A3 CZ 2008103A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- diamond
- electrode
- electrostatically charged
- layer
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/20—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein using electric current
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Zpusob výroby elektrostaticky nabitých obrazcu v diamantu pomocí elektrického napetí je charakteristický tím, že se na vrstvu diamantu umístí alespon jedna elektroda z elektricky vodivého materiálu (kovu, polovodice, nebo také diamantu), nacež se na elektrodu priloží elektrické napetí. Elektrody mohou být umísteny trvale nebo docasne a lze s nimi v prubehu procesu pohybovat. Jako elektrody lze použít libovolný kov nebo polovodic, vcetne diamantu. Použitím zahrocené elektrody se vytvárí mikroskopické obrazce. Diamant lze použít prírodní nebo syntetický na libovolné podložce. Koncentrace prímesí v diamantu není omezena.
Description
Oblast techniky
Vynález se týká elektrostatického nabíjení povrchů.
Dosavadní stav techniky
Elektrostatické nabíjení povrchů se využívá v mnoha oblastech techniky. Přispívá k lepší smáčivosti plastů pro pokrývání barevnými nátěry, používá se v tiskárnách a kopírovacích strojích pro lokalizovaný přenos toneru na papír či jiné nosné médium, používá se v elektronice pro ovlivnění elektronově transportních vlastností materiálů např. v polních tranzistorech, kvantových tečkách, nebo CCD senzorech.
Elektrostatické nabíjení se využívá i pro řízené samo-uspořádávání různých mikro- a nanostruktur z částeček, podobně jako v případě xerografie. Částečky mohou být rozptýleny v plynech i kapalných roztocích, které jsou běžným prostředím při práci s organickými a biologickými materiály. Řízení uspořádávacích procesů pomocí elektrostatických sil se již osvědčilo jako vhodné pro rychlé paralelní zpracování. Samo-uspořádávací procesy mohou být využity pro výrobu funkčních struktur bez typických kroků známých zběžných litografických technik. To je princip velmi zajímavý pro nanotechnologíe, které se v posledních letech stávají stále významnější ve všech oborech lidské činnosti od elektroniky po medicínu. Nanotechnologíe často vyžadují řízené strukturování a změny materiálových a chemických vlastností materiálů na rozměrech mikro- a nanometrů. Toho je využíváno pro výrobu funkčních zařízení, pro selektivní růst a organizaci struktur i pro vytváření heterogenních rozhraní mezi anorganickými a organickými materiály. Při současných požadavcích na miniaturizaci, vyšší výkonnost i nové funkce takováto hybridní zařízení vytvářejí most mezi organickým a anorganickým světem a umožňují spojit výhody obou světů. Připravují se například mikroskopické šablony pro uchycení uhlíkových nanotrubiček, DNA molekul, buněk a buněčných membrán v předem určených místech na elektronických čipech.
Pro vytváření lokálních elektrostaticky nabitých obrazců na pevných površích se využívá například osvícení světelným (laserovým), iontovým nebo elektronovým svazkem,
* *·· • · · a · ·* • · · · » a a ·* ···« ·« ,t přiložení elektrického napětí pomocí pokovených mikrorazítek, kovových jehel, nebo vodivých hrotů v mikroskopech atomárních sil. Vystavení nabitých vrstev kapalným nebo plynným disperzím se stavebními prvky (částečkami) pak vede k elektrostaticky řízenému poskládání navržených struktur.
Pro nabíjení a uchování elektrického náboje lze použít různé materiály. Z hlediska jejich elektronických vlastností se typicky jedná hlavně o dielektrika (izolanty), což mohou být např. anorganické oxidy (SiO2) nebo různé polymery (PTFE, PMMA). Jako mnohem zajímavější se však jeví použití polovodičů, u nichž lze dobře kontrolovat jejich vodivé vlastnosti, atak např. vytvářet integrované obvody na bázi jednoho materiálu. V tomto ohledu je v průmyslu nejrozšířenější křemík a jeho oxidy. Křemík má široké aplikace v mikroelektronice, optoelektronice, fotovoltaice, xerografii, senzorice, atd. Mezi nové polovodičové materiály patří polovodiče se širokým pásem zakázaných energií jako např. diamant nebo karbid křemíku (SiC). Zejména v případě diamantu se jedná o unikátní spojem výborných polovodičových, mechanických, chemických a biologických vlastností. Diamant je polovodič se širokým pásem zakázaných energií (5.5 eV), takže v čistém stavuje velmi dobře elektricky izolující. Lze ho však i dotovat příměsemi (borem, fosforem, atd.) pro dosažení ptypové nebo n-typové vodivosti. Na vodíkem zakončených površích diamantu lze navíc vygenerovat dvourozměrnou vysoce vodivou vrstvu. Díky šířce zakázaného pásu je opticky transparentní, což je významné pro optické aplikace. Dále je velmi tvrdý, a mechanicky, chemicky i fyzikálně velmi stabilní. Má neobvykle široké elektrochemické okno (>3V), kdy jeho povrch sám chemicky nereaguje, nicméně chemické reakce umožňuje. To je velkou výhodou pro elektrochemická měření i aplikace. Diamant je také považován za velmi biologicky kompatibilní, neboť se jedná o uhlík, Intenzivně se proto studují možnosti aplikace diamantu v protetice a bio-senzorech. Diamant je možné připravit synteticky jak objemově tak ve vrstvách na různých substrátech pomocí rozkladu methanu v plazmovém výboji.
Využití elektrostaticky řízených samo-uspořádávacích procesů na polovodičích a v polovodičových technologiích je tedy velmi slibné pro řízené spojování polovodičů s organickými molekulami na mikroskopické úrovni. Avšak při ukládání náboje v polovodičích musí být vzaty do úvahu jejich elektronická struktura a elektronové transportní vlastnosti, Například v případě křemíku je pozorován daleko menší potenciálový rozdíl po nabíjení než v případě dielektrik. To je dáno velmi malou šířkou zakázaného pásu (1,1 -1,6 eV). Křemík také není příliš odolný mechanicky, chemicky ani biologicky. Také vazby » » • ··* organických molekul jsou na křemíku či oxidu křemíku výrazně slabší než na diamantu, což vede k postupné degradaci těchto rozhraní v čase.
Podstata vynálezu
Výše uvedené nedostatky a požadavky řeší tento vynález, a to tím že jako materiál pro uchování elektrostatického náboje se použije diamant. Výhodou a unikátní vlastností diamantu je, že z hlediska aplikací vykazuje současně výborné polovodičové, mechanické, chemické i biologických vlastnosti. Jako polovodič má o několik řádů vyšší pohyblivost volných nosičů náboje než křemík. Velká šířka zakázaného pásu energií dovoluje vytvořit rozdíly elektrostatického potenciálu větší, než na běžných polovodičích. Jedná se o uhlík, který představuje přirozené rozhraní pro organické materiály. Navíc je chemicky odolný a dobře odolává i tvrdému záření a vysokým teplotám. To jsou velmi výhodné vlastnosti pro uchovávání elektrostatického náboje a s tím související aplikace.
Elektrostatický náboj se do diamantu uloží tak, že se diamant vloží mezi alespoň dvě vodivé elektrody, na které se připojí elektrické napětí nebo elektrický proud. Výše napětí nebo proudu se určí podle toho, jak velký náboj je třeba uložit. Napětí nebo proud se přikládá jako stejnosměrné v konstantním nebo pulzním režimu vkladné nebo záporné polaritě. Potenciálový kontrast lze ještě zvýšit tím, že nejprve se povrch homogenně nabije v jedné polaritě, a pak se vytvoří obrazec v opačné polaritě.
Jinou možností je použití pouze jediné elektrody vůči diamantu (nebo podložce, na níž je diamantová vrstva), jehož potenciál je tak plovoucí. Úroveň nabití diamantu je však potom hůře regulovatelná.
Množství paralelně uspořádaných elektrod není omezeno. Minimální velikost elektrostaticky nabitých obrazců je ovlivněna rozměrem elektrod. Zahrocené elektrody mohou vytvořit obrazce menším než 1 mikrometr.
Elektrody mohou být aplikovány trvale nebo dočasně. Elektrodami lze v průběhu procesu také posouvat po ploše vzorku a vytvářet tak spojité obrazce nebo souvislé plochy.
Elektrody pro vytváření elektrostatického obrazce na diamantu mohou být vytvořeny z materiálů s kovovými nebo polovodičovými vlastnostmi. Tyto materiály mohou být na bázi organických i anorganických látek, a to včetně diamantu.
* • ···
Oblast dotyku elektrod s vrstvou diamantu lze také prostorově ohraničit a nechat ji ofukovat suchým plynem nebo plynem, který je zvlhčen probubláváním vodou. Takovým plynem, který je prostředkem k regulaci vlhkosti, může být například dusík nebo argon.
Diamant může být přírodní nebo připraven synteticky za vysokého tlaku a teploty nebo depozicí z chemických par podpořené plazmovým výbojem nebo detonací výbušnin.
Diamant může být nominálně nedotovaný (intrinsický) i dotovaný příměsemi, např. borem nebo fosforem. Koncentrace příměsí není omezena. Současně povrch diamantu může být zakončen uhlíkem nebo kyslíkem nebo vodíkem nebo dusíkem nebo halogenovými atomy (např. fluorem, chlorem) nebo jejich sloučeninami nebo jejich kombinacemi. Koncentrace atomů zakončujících povrch není omezena.
Příklad provedení
Křemíková podložka o tloušťce 520 pm a dotovaná borem na vodivost 0.1 (Ωαη)'1 se očistí ultrazvukem v isopropanolu po dobu 5 minut, poté se krátce ponoří do deionizované vody a osuší se proudem suchého dusíku. Na očištěnou podložku se v ultrazvukové lázni nanese ve vodě rozptýlený nanodiamantový prášek o nominální velikosti částic 5 nm. Nanášení trvá 40 min, což vede k vytvoření 5-25 nm tenké a z až 80% spojité vrstvy nanodiamantového prášku.
Na této počáteční vrstvě je nanesena vrstva nanokrystalického diamantu (NCD) pomocí depozice z chemických par v mikrovlnné plazmě. Jako plyn se použije směs 1% metanu ve vodíku. Depoziční podmínky jsou následující: tlak 3000 Pa, průtok 5xl0'6 m3/s, výkon plazmového generátoru 1200 W, teplota podložky 800°C. Výsledná tloušťka NCD vrstvy je přibližně 150 nm.
Po nanesení je vrstva vařena ve směsi kyselin (fESCE+KNC^ směs 3:1) při teplotě 200°C po dobu 30 min, pak opláchnuta deionizovanou vodou a osušena proudem suchého dusíku. Finálně je vrstva ošetřena kyslíkovou r.f. plazmou s výkonem 300 W po dobu 3 min.
Lokální elektrostatické nabíjení diamantové vrstvy se provádí přiložením ostrého vodivého hrotu připevněného na pružném raménku mikroskopu atomárních sil (AFM). Hrot je například vyroben s bórem dotovaného křemíku, který je pokryt vrstvou Ptlr. Poloměr křivosti AFM hrotuje 10 nm. Mikroskop AFM umožňuje polohovat hrot s atomární přesností. Současně je AFM použit pro měření a řízení přítlaku hrotu odrazem laseru od zadní strany měřícího raménka na foto-detektor. AFM raménko a křemíková podložka (v tomto * «·· příkladném provedení funguje jako druhá elektroda) mají vyvedené elektrické přívody, na které se napojí zdroj elektrického napětí. Při kontaktu hrotu s povrchem (přítlačná síla cca 50 nN) se přiloží konstantní napětí. Polarita napětí může být buď kladná nebo záporná. Při kladné polaritě se vytvoří kladně nabitý obrazec, při záporné polaritě záporně nabitý obrazec. Potenciálový kontrast lze ještě zvýšit tím, že nejprve se povrch homogenně nabije v jedné polaritě, a pak se vytvoří obrazec v opačné polaritě.
Tímto způsobem byl například pří napětí 30 V na hrotu vytvořen elektrostaticky nabitý obrazec na diamantu s potenciálovým rozdílem 0.3 V vůči okolnímu povrchu.
Průmyslová využitelnost
Výše uvedený způsob výroby elektrostaticky nabitých obrazců na diamantu je určen pro výrobu a ovládání elektronických prvků, pro záznam a uchovávání dat, pro řízené formování nanostruktur z plynů a roztoků, pro přípravu lokálně chemicky aktivních míst, pro výrobu šablon pro lokalizovaný růst uhlíkových nanotrubiček a jiných nízko-dimenzionálních organických i anorganických struktur, apod.
I v
Claims (12)
- PATENTOVÉ NÁROKY * ···1 Způsob výroby elektrostaticky nabitých obrazců alespoň jednou elektrodou, vyznačující se tím, že na alespoň jednu elektrodu se zapojí elektrické napětí nebo elektrický proud, elektroda se přiloží k povrchu diamantu, a v místech dotyků alespoň jedné elektrody s diamantem se na diamantu vytvoří elektrostaticky nabitý obrazec.
- 2 Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že alespoň jednou elektrodou se po jejím přiložení k diamantu pohybuje po povrchu diamantu.
- 3 Způsob podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že diamant se připraví nanesením ve vodě rozptýleného diamantového prášku na očištěnou podložku v ultrazvukové lázni.
- 4 Způsob podle nároku 3, vyznačující se tím, že na první diamantovou vrstvu se nanese další diamantová vrstva pomocí depozice z chemických par v mikrovlnném plazmatu.
- 5 Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 3, vyznačující se tím, že diamant je přírodního původu.
- 6 Způsob podle nároku 4, vyznačující se tím, že diamant je dotovaný příměsemi.
- 7 Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 3 nebo 4 nebo 5 nebo 6, vyznačující se tím, že povrch diamantu je zakončen uhlíkem nebo kyslíkem nebo vodíkem nebo dusíkem nebo halogenovými atomy (např. fluorem, chlorem) nebo jejich sloučeninami nebo jejich kombinacemi.
- 8 Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 3 nebo 4 nebo 5 nebo 6 nebo 7, vyznačující se tím, že elektrický proud je stejnosměrný v konstantním režimu.
- 9 Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 3 nebo 4 nebo 5 nebo 6 nebo 7, vyznačující se tím, že elektrický proud je stejnosměrný v pulzním režimu.
- 10 Způsob podle nároku 8 nebo 9, vyznačující se tím, že po vytvoření obrazce ve vrstvě se obrátí polarita napětí/proudu a nejméně jednou elektrodou se vytvoří obrazec v opačné polaritě.
- 11 Způsob podle nároku 8 nebo 9 nebo 10, vyznačující se tím, že oblast přiložení elektrody je ofukována suchým plynem.
- 12 Způsob podle nároku 8 nebo 9 nebo 10, vyznačující se tím, že oblast přiložení elektrody je ofukována plynem, který je zvlhčen probubláváním vodou.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ2008-103A CZ307606B6 (cs) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | Způsob výroby elektrostaticky nabitých obrazců |
PCT/CZ2009/000017 WO2009106022A2 (en) | 2008-02-25 | 2009-02-18 | Method of making electrostatically charged patterns |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ2008-103A CZ307606B6 (cs) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | Způsob výroby elektrostaticky nabitých obrazců |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ2008103A3 true CZ2008103A3 (cs) | 2009-09-02 |
CZ307606B6 CZ307606B6 (cs) | 2019-01-09 |
Family
ID=41010739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ2008-103A CZ307606B6 (cs) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | Způsob výroby elektrostaticky nabitých obrazců |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CZ (1) | CZ307606B6 (cs) |
WO (1) | WO2009106022A2 (cs) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4316385A (en) * | 1980-06-18 | 1982-02-23 | General Electric Company | Fingerprinting crystals |
IL103705A (en) * | 1991-11-15 | 1995-12-08 | Kuehnle Manfred R | Electro-thermal printing ink and method and printing device with its help |
JP2755078B2 (ja) * | 1992-11-11 | 1998-05-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 静電荷像担持用誘電体部材 |
US5474808A (en) * | 1994-01-07 | 1995-12-12 | Michigan State University | Method of seeding diamond |
-
2008
- 2008-02-25 CZ CZ2008-103A patent/CZ307606B6/cs not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-02-18 WO PCT/CZ2009/000017 patent/WO2009106022A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009106022A3 (en) | 2010-01-28 |
WO2009106022A2 (en) | 2009-09-03 |
CZ307606B6 (cs) | 2019-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hanson et al. | Fabrication of metallic nanowires on a ferroelectric template via photochemical reaction | |
TWI463713B (zh) | 用於奈米導線對準及沈積的方法 | |
KR101268272B1 (ko) | 나노 크리스탈 다이아몬드막, 그 제조 방법, 및 나노크리스탈 다이아몬드막을 이용한 장치 | |
Hsu et al. | Electrochemical nanoimprinting with solid-state superionic stamps | |
Loiacono et al. | Investigation of charge transport in thin, doped sexithiophene crystals by conducting probe atomic force microscopy | |
US7592269B2 (en) | Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles | |
US20050123687A1 (en) | Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles | |
CA2468685A1 (en) | Deposition method for nanostructure materials | |
Lee et al. | Ordered arrays of ZnO nanorods grown on periodically polarity-inverted surfaces | |
US7132298B2 (en) | Fabrication of nano-object array | |
Gao et al. | Microstructure-controlled deposition of SrTiO3 thin film on self-assembled monolayers in an aqueous solution of (NH4) 2TiF6− Sr (NO3) 2− H3BO3 | |
WO2003076332A1 (fr) | Dispositif et procede pour la realisation d'un nanofil conducteur | |
Berven et al. | Defect‐Tolerant Single‐Electron Charging at Room Temperature in Metal Nanoparticle Decorated Biopolymers | |
Sabah et al. | A novel CuS thin film deposition method by laser-assisted spray photolysis deposition and its application to EGFET | |
TW200538574A (en) | Nanocrystalline diamond film, method for manufacturing the same, and apparatus using the nanocrystalline diamond film | |
CZ2008103A3 (cs) | Zpusob výroby elektrostaticky nabitých obrazcu | |
Gunasekera et al. | A Mass Transfer-Based Method for Controlled Electrosynthesis and Organization of Tetrathiafulvalene Bromide Micro/Nanowires | |
CN111533085B (zh) | 一种二维材料超精密加工方法 | |
KR100876398B1 (ko) | 원자 힘 현미경 나노 리소그래피를 이용한 패턴 제작 방법 | |
Jiang et al. | In situ CdS nanocluster formation on scanning tunneling microscopy tips for reliable single-electron tunneling at room temperature | |
Lee et al. | Highly reproducible single polyaniline nanowire using electrophoresis method | |
Francesca et al. | Charge transport through redox active [H7P8W48O184] 33-polyoxometalates self-assembled onto gold surfaces and gold nanodots | |
Lin et al. | Characterization of the electrical properties of silicon nanowire using the dielectrophoretic assembling platform | |
Dallacasa et al. | Nanogenerators based on ZnO or TiO2 oxides | |
Tomaev et al. | Use of Charges Accumulation Effects for Manufacturing and Modification of Conducting Coatings |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20080225 |