CZ20011930A3 - Pressure sensor - Google Patents
Pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20011930A3 CZ20011930A3 CZ20011930A CZ20011930A CZ20011930A3 CZ 20011930 A3 CZ20011930 A3 CZ 20011930A3 CZ 20011930 A CZ20011930 A CZ 20011930A CZ 20011930 A CZ20011930 A CZ 20011930A CZ 20011930 A3 CZ20011930 A3 CZ 20011930A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- substrate
- support wall
- pressure sensor
- pressure
- recess
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
Abstract
Description
Oblast technikyTechnical field
Vynález se týká nezapouzdřeného tlakového snímače k měření tlaku kapalného nebo plynného média a zejména tlakového snímače s odporovým uspořádáním z vodivých drah, které jsou uspořádány na substrátu ve formě polovodičového čipu.The invention relates to an unencapsulated pressure sensor for measuring the pressure of a liquid or gaseous medium, and more particularly to a pressure sensor with a resistive arrangement of conductive tracks which are arranged on a substrate in the form of a semiconductor chip.
Dosavadní stav technikyBACKGROUND OF THE INVENTION
K měření tlaku v kapalinách, například k měření krevního tlaku uvnitř cévy, je známo používat uvnitř katetru tlakový snímač, který obsahuje polovodičový čip, na němž se nachází odporové uspořádání. Polovodičový čip, který představuje substrát, je pod odporovým uspořádáním opatřen vybráním, takže na měřicím místě figuruje velmi tenká tloušťka stěny. V důsledku tlakového působení dochází u tenké stěny k ohybu, čímž vznikají u odporů odporového uspořádání různá prodloužení. Tímto způsobem může být podle změny napětí měřeného na odporovém uspořádání zjištěn tlak působící na substrát. Substrát je nalepen na nosné stěně, která se může nacházet rovněž v katetru, přičemž odporové uspořádání se nalézá na straně substrátu odvrácené od nosné stěny. Jelikož je tato strana vystavena působení média, jehož tlak má být měřen, je opatřena přídavnou pasivační vrstvou, která zabraňuje tomu, aby se médium s odporovým uspořádáním, popřípadě se substrátem, nedostalo do kontaktu.It is known to use a pressure transducer within a catheter that contains a semiconductor chip on which a resistive arrangement is located to measure fluid pressure, for example, to measure blood pressure within a vessel. The semiconductor chip, which represents the substrate, is provided with a recess under the resistive arrangement so that a very thin wall thickness is present at the measuring point. As a result of the pressure action, the thin wall bends, resulting in different elongations in the resistors of the resistive arrangement. In this way, the pressure applied to the substrate can be detected by varying the voltage measured on the resistor arrangement. The substrate is adhered to a support wall, which may also be in the catheter, the resistive arrangement being located on the side of the substrate facing away from the support wall. Since this side is exposed to the medium whose pressure is to be measured, it is provided with an additional passivation layer which prevents the medium with the resistive arrangement or the substrate from coming into contact.
• to · to to to ···· ··· · · · · « to to to · ··· ·· ·>« ·· ···To · to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to
I když jsou všechny elektrické komponenty tlakového snímače pokryty vrstvou, může přece jen dojít k elektrokorozi, a to zejména, když je tlakový snímač provozován v elektricky vodivých kapalinách. Tato koroze pak vede k úbytku na snímači nebo k inherentní změně. Vzhledem k tomu působí eventuální poškození pasivační vrstvy bezprostředně na způsob funkce snímače. Konečně přináší použití takovýchto tlakových snímačů v krevním oběhu jisté problémy, neboť může dojít k fluidně podmíněným chybným měřením a k usazení částic krve.Although all electrical components of the pressure sensor are coated, electro corrosion can still occur, especially when the pressure sensor is operated in electrically conductive liquids. This corrosion then leads to a drop in the sensor or an inherent change. As a result, any damage to the passivation layer directly affects the way the sensor works. Finally, the use of such pressure transducers in the bloodstream poses some problems, since fluid-based erroneous measurements may occur and blood particles settle.
Z DE 39 37 522 Al je znám polovodičový tlakový snímač, který obsahuje nosnou stěnu a polovodičový substrát. Otvor přenášející tlak se nachází v substrátu. Je vytvořen jako prohloubení v substrátu a ohraničen membránou. Odporové uspořádání se nachází na té straně substrátu, která doléhá na nosnou stěnu. Mezi substrátem a nosnou stěnou je pružné těsnění, které se však nevyskytuje v oblasti membrány.DE 39 37 522 A1 discloses a semiconductor pressure sensor which comprises a supporting wall and a semiconductor substrate. The pressure transfer hole is located in the substrate. It is formed as a recess in the substrate and bounded by a membrane. The resistive arrangement is located on the side of the substrate that abuts the support wall. There is a flexible seal between the substrate and the support wall, but this does not occur in the region of the membrane.
Podstata vynálezuSUMMARY OF THE INVENTION
Vynález si klade za úkol navrhnout nezapouzdřený tlakový snímač, který by nebyl citlivý vůči poškozením a vyznačoval by se malými rozměry a velkou přesností.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an unencapsulated pressure sensor which is not susceptible to damage and is characterized by small dimensions and high accuracy.
V souladu s předmětem tohoto vynálezu byl proto vyvinut tlakový snímač obsahující odporové uspořádání sestávající z vodivých drah uspořádaných na substrátu, dále obsahující nosnou stěnu, na níž je upevněn substrát, a tlakový přenosový otvor vytvořený v nosné stěně a protilehlý odporovému uspořádání, kterýžto otvor je rovnou stranou přivrácen k substrátu, přičemž substrát je tou stranou, na níž se nachází odporové uspořádání, přivrácen k nosné stěně a mezi nosnou stěnou a substrátem je uspořádána elastická mezivrstva, a přičemž jsou na straně substrátu nesoucí odporové uspořádání uspořádány kontaktní plochy, jehož podstata spočívá v tom, že na kontaktní plochy jsou naplocho připojeny připojovací kabely, které jsou ponořeny do vybrání nosné stěny.Accordingly, in accordance with the present invention, there is provided a pressure sensor comprising a resistive arrangement consisting of conductive tracks arranged on a substrate, further comprising a support wall on which the substrate is mounted, and a pressure transfer port formed in the support wall and opposed to the resistive arrangement which port is straight. the side facing the substrate, the side facing the resistor arrangement facing the support wall, and an elastic intermediate layer between the supporting wall and the substrate, and contact surfaces having the resistive arrangement on the substrate side. in that the connection surfaces are flatly connected to the contact surfaces, which are immersed in the recesses of the support wall.
Podle výhodného provedení vynálezu je tlakový přenosový otvor v podstatě vyplněn materiálem mezivrstvy.According to a preferred embodiment of the invention, the pressure transfer port is substantially filled with the interlayer material.
Podle dalšího výhodného provedení vynálezu je odporové uspořádání uspořádáno na tenké membráně substrátu, která lícuje s povrchem substrátu přivráceným k nosné stěně, přičemž za membránou se nachází vybrání.According to a further preferred embodiment of the invention, the resistive arrangement is arranged on a thin substrate membrane that is flush with the substrate surface facing the support wall, with a recess downstream of the membrane.
Vybrání substrátu může být odvzdušněno a pokryto hermetickou vrstvou.The recess of the substrate may be vented and covered with a hermetic layer.
Vybrání může být vyplněno izolační a elastickou umělou hmotou.The recess can be filled with insulating and elastic plastic.
U tlakového snímače podle vynálezu je ta strana substrátu, na niž je uspořádáno odporové uspořádání, přivrácena k nosné stěně, přičemž mezi nosnou stěnou a substrátem je uspořádána pružná mezivrstva. U tohoto tlakového snímače jsou elektrické komponenty na substrátu chráněny mezi substrátem a nosnou stěnou. Pokud dojde působením vnějších vlivů na snímači k poškozením, nemá to na funkci vliv, neboť jsou zasaženy pouze povrchové strany substrátu nebo Čipu.In the pressure sensor according to the invention, the side of the substrate on which the resistive arrangement is arranged faces the support wall, with an elastic intermediate layer being arranged between the support wall and the substrate. In this pressure sensor, the electrical components on the substrate are protected between the substrate and the support wall. If damage is caused by external influences on the sensor, this does not affect the function, since only the surface sides of the substrate or chip are affected.
·· · ·*·· · · · »··· · * · » · · · ·· * * · · · · · · · · · · · ·
9 9 ··* ·· ·· * ·9 9 ·· * ·· ·· * ·
Snímač může být provozován na základě chráněného umístění odporového uspořádání v elektricky vodivých kapalinách, aniž by mohla elektrokoroze vést ke ztrátám na snímači nebo k inherentní chybě. Pokud je zapotřebí izolačních vrstev, mohou být tyto nanejvýš tenké.The sensor can be operated by the protected location of the resistive arrangement in the electrically conductive fluids, without the electro-corrosion being able to lead to sensor losses or an inherent error. If insulating layers are required, these may be extremely thin.
Nezapouzdřený tlakový snímač podle vynálezu umožňuje malorozměrové a ploché uspořádání a může být integrován do tenké nosné stěny v desetinách milimetru. Nosná stěna může být rovinná nebo zakřivená. Tlakový snímač nevykazuje dále žádnou světelnou citlivost, neboť elektricky eventuelně fotogalvanicky aktivní plochy jsou uspořádány bez možnosti osvětlení mezi substrátem a nosnou stěnou.The encapsulated pressure transducer according to the invention allows for a small and flat configuration and can be integrated into a thin supporting wall in tenths of a millimeter. The support wall may be planar or curved. Furthermore, the pressure sensor exhibits no light sensitivity, since the electrically or photo-galvanically active surfaces are arranged without the possibility of illumination between the substrate and the supporting wall.
Pomocí vynálezu je realizováno nanejvýš ploché snímací zařízení bez přídavného pouzdra, které je obzvláště vhodné k měření tlaků v elektricky vodivých médiích. Izolační mezivrstva mezi nosnou stěnou a substrátem je pružná. To vysvětluje, že tato mezivrstva připouští určité posuvy snímače vzhledem k nosné stěně, takže substrát je na nosné stěně uložen plovoucím způsobem. Tím je dosaženo mechanického odpojení snímače od nosné stěny a je zajištěno, že mechanické nebo tepelné deformace nosné stěny nevyvolají žádné podstatné elektrické signály. S výhodou je pro mezivrstvu použit silikonový materiál.By means of the invention, an extremely flat sensor device without an additional housing is realized, which is particularly suitable for measuring pressures in electrically conductive media. The insulating interlayer between the support wall and the substrate is flexible. This explains that this intermediate layer permits certain displacements of the sensor relative to the support wall, so that the substrate is deposited on the support wall in a floating manner. This achieves mechanical disconnection of the sensor from the support wall and ensures that mechanical or thermal deformations of the support wall do not produce any substantial electrical signals. Preferably, a silicone material is used for the interlayer.
Podle výhodného dalšího provedení vynálezu je odporové uspořádání na tenké membráně substrátu, která lícuje s povrchem substrátu přivráceným k nosné stěně, přičemž se za membránou nalézá vybrání. Průměr vybrání leží v rozmezí 0,1 až 0,6 mm, takže je vybrání příliš malé na to, aby bylo možno *4 * 4a·· « •444444 φ · · φ > 4 • · «44 444 •44 4 44 444 4· 444 běžným nástrojem jako například pinzetou dosáhnout na ponořeně uloženou tenkou membránu a poškodit ji.According to a preferred embodiment of the invention, there is a resistive arrangement on the thin membrane of the substrate which is flush with the surface of the substrate facing the support wall, with a recess downstream of the membrane. The diameter of the recesses is in the range of 0.1 to 0.6 mm, so that the recess is too small to be able to accommodate 44444 44444 4444 4444 4444 444444 4, 444, with a conventional tool such as tweezers, reach and damage the submerged thin membrane.
Další výhoda spočívá v tom, že kabely mohou být bezprostředně upevněny lepením nebo cementováním, takže na spojovacím místě dojde k odlehčení. Dále je přípojná oblast v důsledku svého umístění mezi substrát a nosnou stěnu mechanicky chráněna.A further advantage is that the cables can be directly fastened by gluing or cementing, so that there is a strain relief at the connection point. Furthermore, the attachment region is mechanically protected due to its location between the substrate and the support wall.
Tlakový snímač podle vynálezu může být vytvořen jako absolutní tlakový snímač. Vybrání substrátu je přitom odvzdušněno a pokryto hermetickou vrstvou. Rovněž je možné vytvořit tlakový snímač jako diferenční tlakový snímač, přičemž obě strany nosné stěny a tím také obě strany tenké membrány jsou vystaveny různým tlakům.The pressure sensor according to the invention can be designed as an absolute pressure sensor. The recess of the substrate is thereby vented and covered with a hermetic layer. It is also possible to design the pressure sensor as a differential pressure sensor, whereby both sides of the support wall and thus both sides of the thin membrane are subjected to different pressures.
Přehled obrázků na výkresechBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Dále jsou blíže vysvětleny příklady provedení vynálezu s odvoláním na přiložené výkresy, na nichž značí:The following are examples of embodiments of the invention with reference to the accompanying drawings, in which:
obr. 1 řez prvním provedením tlakového snímače, který je zde vytvořen jako absolutní tlakový snímač;FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of a pressure sensor, which here is formed as an absolute pressure sensor;
obr. 2 pohled zespodu na substrát ve směru šipky II-II z obr. 1; a obr. 3 řez tlakovým snímačem, který je vytvořen jako diferenční tlakový snímač.FIG. 2 is a bottom view of the substrate in the direction of arrow II-II of FIG. 1; and FIG. 3 is a cross-sectional view of a pressure sensor that is configured as a differential pressure sensor.
Φ φφφφ • φ φφφφΦ φφφφ • φ φφφφ
Příklady provedení vynálezuDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Tlakový snímač podle obr. 1 a 2 obsahuje nosnou stěnu 10, která ohraničuje tlak Pl, který panuje na jedné straně nosné desky 10 oproti okolí. Řekněme/ že v okolí panuje tlak P2. Nosná stěna 10, s výhodou silná pouze několik desetin mm, je vytvořena z pevného nepropustného materiálu,The pressure sensor of FIGS. 1 and 2 comprises a support wall 10 which limits the pressure P1 that prevails on one side of the support plate 10 relative to the environment. Let's say there is P2 pressure around. The supporting wall 10, preferably only a few tenths of a mm thick, is made of a solid impermeable material,
7o-imóťi-= -T t/mrn V Π ř í r>3 Η (= ph <50 rmjnP7 TTlťlŤO ϊ ΑΓίη,Α ť C u . T -J — £ £--------------- ------ -------válcový nebo jiný tvarový díl.7o-imo- = -T t / mn V Π í r>> 3 Η (= ph <50 rmjnP7 TTl l Γ ΑΓίη, Α C C.. ---- ------ ------- cylindrical or other shaped part.
Na nosné stěně 10 se nachází čip 11, který sestává ze substrátu 12, který na své spodní straně 13, která je přivrácena k nosné stěně 10, nese elektrické odporové uspořádání 14, které je znázorněno na obr. 2. Substrát 12 sestává z vysocečistého křemíku a má tloušťku asi 200 pm. V uvedeném případě se jedná o obdélníkovou destičku o velikosti 1 400 pm x 600 pm. Na substrátu 12 jsou vytvořeny vodivé dráhy 15 metodami depozice a leptání obvyklými u polovodičových produktů.On the support wall 10 there is a chip 11 which consists of a substrate 12 which, on its underside 13 which faces the support wall 10, carries an electrical resistive arrangement 14 as shown in FIG. 2. The substrate 12 consists of high-purity silicon and has a thickness of about 200 µm. In this case, it is a rectangular plate of 1,400 pm x 600 pm. Conductive tracks 15 are formed on the substrate 12 by the deposition and etching methods customary in semiconductor products.
Současně s vodivými dráhami 15 jsou vytvořeny kontaktní plochy 16, které mohou být připojeny na venkovní kabely. Vodivé dráhy 15 jsou dále spojeny s odporovými můstky 17 k můstkovému spojení. V uvedeném případě se jedná o čtyři odporové můstky 17, které tvoří obvyklé můstkové spojení. Odporové můstky 17 sestávají z úzkých a proto vysokoohmových úseků vodivých drah 15. Odporové můstky 17 jsou uspořádány v oblasti membrány 18. Tato membrána 18 sestává z tenké stěny substrátu 12, která zůstala v oblasti vybrání 19. Vybrání 19 má pyramidový tvar se šikmými boky 20. Okrajová délka má hodnotu 250 pm. Tloušťka membrány 18 je asi 10 pm. Membrána 18 se nachází na spodní straně substrátu 12, takžeAt the same time as the conductive tracks 15, contact surfaces 16 are provided which can be connected to outdoor cables. The conductive tracks 15 are further connected to resistive bridges 17 for bridging. In this case, there are four resistive bridges 17 which form a conventional bridge connection. The resistance bridges 17 consist of narrow and therefore high ohmic sections of the conductor tracks 15. The resistance bridges 17 are arranged in the region of the membrane 18. This membrane 18 consists of a thin wall of the substrate 12 which remains in the area of the recesses 19. The recess 19 has a pyramidal shape The edge length is 250 µm. The thickness of the membrane 18 is about 10 µm. The diaphragm 18 is located on the underside of the substrate 12, so that
9999 999 99999 999 9
9 9 9 99
999 9 9· 9·9999 9 9 · 9 · 9
9·9 99 9999 tato spodní strana je vcelku rovná, tzn. neobsahuje žádné prohlubně ani vyvýšeniny.9 · 9 99 9999 this bottom side is quite straight, ie. it has no hollows or ridges.
Na kontaktních plochách 16 jsou přípojnými kabely 22 připojeny vodiče 21. Tyto přípojné kabely 22 jsou svými izolacemi fixovány prostřednictvím epoxidového lepidla 23 na nosné desce 10. V nosné desce 10 je vytvořeno vybrání 24, do něhož jsou ponořeny vodiče 21, takže jejich konce se nacházejí pod substrátem 12. Vybrání 24 je vyplněno izolační a elastickou umělou hmotou 25, podobnou elastické mezivrstvě 26.Conductors 21 are connected to the contact surfaces 16 by connecting cables 22. These connecting cables 22 are fixed by means of epoxy adhesive 23 to the carrier plate 10 by means of their insulations. The recess 24 is formed in the carrier plate 10 into which the conductors 21 are immersed. below the substrate 12. The recess 24 is filled with an insulating and elastic plastic 25 similar to the elastic interlayer 26.
Mezí spodní stranou čipu 11 a nosnou deskou 10 se nalézá rovněž elastická mezivrstva 26 ze silikonového materiálu. Tato vrstva 26 se rozprostírá nad celou spodní plochou substrátu 12, včetně membrány 18. Na mezivrstvě 26 je plovoucím způsobem nesen čip 11.An elastic intermediate layer 26 of silicone material is also located between the underside of the chip 11 and the support plate 10. This layer 26 extends over the entire lower surface of the substrate 12, including the membrane 18. A chip 11 is carried in a floating manner on the intermediate layer 26.
V nosné desce 10 je pod membránou 18 uspořádán tlakový přenosový otvor 27, který prochází celou tloušťkou nosné desky. Tlakový přenosový otvor je vyplněn náplni 28, která je tvořena materiálem mezivrstvy 26 nebo tlakovým přenosovým gelem. Spodní strana náplně 28 lícuje se spodní stranou nosné desky 10. To má za následek, že médium, které je ohraničeno nosnou deskou 10, nemůže vniknout do tlakového přenosového otvoru 27 a vytvořit tam usazeniny. Kromě toho nemohou vysoké rychlosti proudění na spodní straně nosné desky v důsledku beznárazového přechodu mezi nosnou deskou a náplní 28 vést k tlakovým artefaktům.In the support plate 10, a pressure transfer opening 27 is provided below the membrane 18, which extends through the entire thickness of the support plate. The pressure transfer orifice is filled with a cartridge 28 that is formed by the interlayer material 26 or a pressure transfer gel. The underside of the cartridge 28 is flush with the underside of the support plate 10. As a result, the medium that is delimited by the support plate 10 cannot penetrate into the pressure transfer port 27 and form deposits there. In addition, high flow velocities on the underside of the carrier plate due to the impactless transition between the carrier plate and the cartridge 28 cannot lead to pressure artifacts.
Horní strana čipu 11, která tvoří zadní stranu, je pokryta hermetickou vrstvou 29, která je například rovněž ·· · · « · · « « · • · · · « I » · • ···· · · a · β * · a • · · · · » » « ··· · ·· ♦·♦ ·* tvořena křemíkem. Tato vrstva 29 uzavírá nahoře vybrání 19. Vybrání 19 je odvzdušněno. Tlak, který působí přes náplň 28 na membránu 18, je tlak PÍ a přetvoření membrány 18 je závislé výhradně na tomto tlaku PÍ. Tlakový snímač je tudíž absolutní tlakový snímač.The upper side of the chip 11, which forms the back side, is covered with a hermetic layer 29, which is also, for example, also sealed. and • composed of silicon. This layer 29 closes the recess 19 at the top. The recess 19 is vented. The pressure exerted by the cartridge 28 on the diaphragm 18 is the pressure P1 and the deformation of the diaphragm 18 is dependent solely on this pressure P1. The pressure sensor is therefore an absolute pressure sensor.
Obr. 3 znázorňuje příklad provedení z obr. 1 v modifikačním provedení jako diferenční tlakový snímač. Od vrstvy 29 je zde upuštěno, takže na jednu stranu membrány 18 působí tlak PÍ a na druhou stranu tlak P2. Diferenční tlakový snímač měří tedy rozdíl PÍ - P2. Vybrání 19 může být přitom vyplněno tlakovým přenosovým gelem 30 nebo silikonem.Giant. 3 shows the embodiment of FIG. 1 in a modification as a differential pressure sensor. The layer 29 is omitted here, so that the pressure P1 is applied on one side of the membrane 18 and the pressure P2 on the other side. The differential pressure sensor therefore measures the difference P1 - P2. The recess 19 can be filled with a pressure transfer gel 30 or silicone.
Claims (5)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE29821563U DE29821563U1 (en) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | Pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20011930A3 true CZ20011930A3 (en) | 2002-04-17 |
Family
ID=8066145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20011930A CZ20011930A3 (en) | 1998-12-02 | 1999-11-17 | Pressure sensor |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6644125B1 (en) |
| EP (1) | EP1141670B1 (en) |
| JP (1) | JP4544749B2 (en) |
| KR (1) | KR20010105257A (en) |
| CN (1) | CN1354830A (en) |
| AT (1) | ATE366917T1 (en) |
| AU (1) | AU758052B2 (en) |
| BR (1) | BR9915860A (en) |
| CA (1) | CA2352241A1 (en) |
| CZ (1) | CZ20011930A3 (en) |
| DE (2) | DE29821563U1 (en) |
| IL (1) | IL143164A0 (en) |
| NO (1) | NO20012496L (en) |
| PL (1) | PL348753A1 (en) |
| WO (1) | WO2000033047A1 (en) |
| ZA (1) | ZA200104259B (en) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6889082B2 (en) | 1997-10-09 | 2005-05-03 | Orqis Medical Corporation | Implantable heart assist system and method of applying same |
| US7022100B1 (en) | 1999-09-03 | 2006-04-04 | A-Med Systems, Inc. | Guidable intravascular blood pump and related methods |
| US7455666B2 (en) | 2001-07-13 | 2008-11-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Methods and apparatuses for navigating the subarachnoid space |
| US6790699B2 (en) | 2002-07-10 | 2004-09-14 | Robert Bosch Gmbh | Method for manufacturing a semiconductor device |
| DE10232721A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Siemens Ag | Pressure sensor with pressure sensor in a micromechanical design |
| WO2004069030A2 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Verimetra, Inc. | Medical and surgical devices with an integrated sensor |
| US7021152B2 (en) * | 2003-07-18 | 2006-04-04 | Radi Medical Systems Ab | Sensor and guide wire assembly |
| US7073375B2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-07-11 | Honeywell International Inc. | Exhaust back pressure sensor using absolute micromachined pressure sense die |
| US7635077B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-12-22 | Honeywell International Inc. | Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby |
| US7645398B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-01-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Pressure sensor for electronic skin and fabrication method of pressure sensor for electronic skin |
| KR100779081B1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-11-27 | 한국전자통신연구원 | Pressure sensor for electronic skin and fabrication method of pressure sensor for electronic skin |
| US20070197922A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Honeywell International Inc. | Disposable pressure sensor systems and packages therefor |
| US9028392B2 (en) * | 2006-12-01 | 2015-05-12 | NuCardia, Inc. | Medical device |
| US7828710B2 (en) * | 2007-06-05 | 2010-11-09 | Medical Value Partners, Llc | Apparatus comprising a drive cable for a medical device |
| FR2919048B1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-10-23 | Cotherm Sa | DETECTION DEVICE FOR MEASURING THE QUANTITY OF HOT WATER IN A STORAGE BALLOON |
| US8079948B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-20 | NuCardia, Inc. | Article comprising an impeller |
| US20110092955A1 (en) | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Purdy Phillip D | Pressure-Sensing Medical Devices, Systems and Methods, and Methods of Forming Medical Devices |
| US8690749B1 (en) | 2009-11-02 | 2014-04-08 | Anthony Nunez | Wireless compressible heart pump |
| US10107662B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-10-23 | Honeywell International Inc. | Sensor assembly |
| US10641672B2 (en) | 2015-09-24 | 2020-05-05 | Silicon Microstructures, Inc. | Manufacturing catheter sensors |
| US10682498B2 (en) | 2015-09-24 | 2020-06-16 | Silicon Microstructures, Inc. | Light shields for catheter sensors |
| EP3634528B1 (en) | 2017-06-07 | 2023-06-07 | Shifamed Holdings, LLC | Intravascular fluid movement devices, systems, and methods of use |
| CN111556763B (en) | 2017-11-13 | 2023-09-01 | 施菲姆德控股有限责任公司 | Intravascular fluid movement device and system |
| EP4085965A1 (en) | 2018-02-01 | 2022-11-09 | Shifamed Holdings, LLC | Intravascular blood pumps and methods of use and manufacture |
| US11964145B2 (en) | 2019-07-12 | 2024-04-23 | Shifamed Holdings, Llc | Intravascular blood pumps and methods of manufacture and use |
| US11654275B2 (en) | 2019-07-22 | 2023-05-23 | Shifamed Holdings, Llc | Intravascular blood pumps with struts and methods of use and manufacture |
| US11724089B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-08-15 | Shifamed Holdings, Llc | Intravascular blood pump systems and methods of use and control thereof |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4023562A (en) * | 1975-09-02 | 1977-05-17 | Case Western Reserve University | Miniature pressure transducer for medical use and assembly method |
| JPS5921495B2 (en) | 1977-12-15 | 1984-05-21 | 株式会社豊田中央研究所 | Capillary pressure gauge |
| JPS61132832A (en) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| US4763098A (en) * | 1985-04-08 | 1988-08-09 | Honeywell Inc. | Flip-chip pressure transducer |
| DD260863A1 (en) * | 1987-06-29 | 1988-10-12 | Messgeraetewerk Zwonitz Veb K | PRESSURE TRANSDUCER |
| US4930353A (en) | 1988-08-07 | 1990-06-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| US4914416A (en) * | 1988-09-01 | 1990-04-03 | Takahiro Kunikane | Pressure sensing electric conductor and its manufacturing method |
| DE3937522A1 (en) * | 1989-11-10 | 1991-05-16 | Texas Instruments Deutschland | SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR CONNECTED TO A CARRIER ELEMENT |
| US5090246A (en) * | 1990-09-19 | 1992-02-25 | Johnson Service Corp. | Elastomer type low pressure sensor |
| EP0567482B1 (en) * | 1991-01-14 | 1994-07-13 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Pressure sensor |
| US5581038A (en) * | 1994-04-04 | 1996-12-03 | Sentir, Inc. | Pressure measurement apparatus having a reverse mounted transducer and overpressure guard |
| DE19614458C2 (en) * | 1996-04-12 | 1998-10-29 | Grundfos As | Pressure or differential pressure sensor and method for its production |
| JP3565982B2 (en) * | 1996-05-08 | 2004-09-15 | 株式会社東海理化電機製作所 | Catheter with sensor function |
| JP3597942B2 (en) * | 1996-05-08 | 2004-12-08 | 株式会社東海理化電機製作所 | Catheter with sensor function, semiconductor type physical quantity sensor chip |
-
1998
- 1998-12-02 DE DE29821563U patent/DE29821563U1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-17 KR KR1020017006218A patent/KR20010105257A/en not_active Application Discontinuation
- 1999-11-17 PL PL99348753A patent/PL348753A1/en unknown
- 1999-11-17 AU AU17760/00A patent/AU758052B2/en not_active Expired
- 1999-11-17 WO PCT/EP1999/008834 patent/WO2000033047A1/en active IP Right Grant
- 1999-11-17 CA CA002352241A patent/CA2352241A1/en not_active Abandoned
- 1999-11-17 DE DE59914409T patent/DE59914409D1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-17 IL IL14316499A patent/IL143164A0/en unknown
- 1999-11-17 US US09/857,122 patent/US6644125B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-17 AT AT99960982T patent/ATE366917T1/en not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 CZ CZ20011930A patent/CZ20011930A3/en unknown
- 1999-11-17 BR BR9915860-4A patent/BR9915860A/en not_active Application Discontinuation
- 1999-11-17 EP EP99960982A patent/EP1141670B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-17 JP JP2000585635A patent/JP4544749B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-17 CN CN99813968A patent/CN1354830A/en active Pending
-
2001
- 2001-05-21 NO NO20012496A patent/NO20012496L/en not_active Application Discontinuation
- 2001-05-24 ZA ZA200104259A patent/ZA200104259B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000033047A1 (en) | 2000-06-08 |
| DE59914409D1 (en) | 2007-08-23 |
| AU1776000A (en) | 2000-06-19 |
| ZA200104259B (en) | 2002-10-22 |
| CA2352241A1 (en) | 2000-06-08 |
| PL348753A1 (en) | 2002-06-03 |
| AU758052B2 (en) | 2003-03-13 |
| JP4544749B2 (en) | 2010-09-15 |
| IL143164A0 (en) | 2002-04-21 |
| JP2002531822A (en) | 2002-09-24 |
| EP1141670A1 (en) | 2001-10-10 |
| NO20012496D0 (en) | 2001-05-21 |
| DE29821563U1 (en) | 2000-07-13 |
| KR20010105257A (en) | 2001-11-28 |
| US6644125B1 (en) | 2003-11-11 |
| NO20012496L (en) | 2001-07-12 |
| EP1141670B1 (en) | 2007-07-11 |
| ATE366917T1 (en) | 2007-08-15 |
| BR9915860A (en) | 2001-08-21 |
| CN1354830A (en) | 2002-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ20011930A3 (en) | Pressure sensor | |
| US7395718B2 (en) | Reliable piezo-resistive pressure sensor | |
| US7024937B2 (en) | Isolated pressure transducer | |
| KR100298813B1 (en) | Pressure sensor assembly and manufacturing method | |
| US9470593B2 (en) | Media isolated pressure sensor | |
| US6030709A (en) | Electronic component | |
| US6369435B1 (en) | Semiconductor component | |
| US5351550A (en) | Pressure sensor adapted for use with a component carrier | |
| US6210989B1 (en) | Ultra thin surface mount wafer sensor structures and methods for fabricating same | |
| EP0373010B1 (en) | Pressure sensor usable in oil wells | |
| US6085596A (en) | Pressure sensor having an insulating layer and fluid tight amorphous metal layer | |
| EP1008837A1 (en) | Rugged fluid flow and property microsensor | |
| EP2279398A2 (en) | Media isolated differential pressure sensor with cap | |
| US4411158A (en) | Apparatus for sensing the condition of a fluid | |
| US6341528B1 (en) | Strain sensing structure with improved reliability | |
| EP3515858B1 (en) | Method of manufacturing a sensor using anodic bonding | |
| US4633212A (en) | Electrical strain gauge | |
| EP1054245A3 (en) | Capacitive pressure transducer having reduced output error | |
| JP3947389B2 (en) | Corrosion-resistant pressure sensor | |
| CA1176484A (en) | Apparatus for sensing the condition of a fluid | |
| KR830000113B1 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| KR100511143B1 (en) | Device for determining the pressure and temperature in the suction pipe of an internal combustion engine | |
| WO2002061383A1 (en) | Triangular chip strain sensing structure and corner,edge on a diaphragm |