CZ20011923A3

CZ20011923A3 - Blocking converter

Info

Publication number: CZ20011923A3
Application number: CZ20011923A
Authority: CZ
Inventors: Thomas Rothmayer
Original assignee: Siemens Ag Osterreich
Priority date: 1998-12-02
Filing date: 1999-12-02
Publication date: 2002-07-17
Also published as: EP1135849A1; ATA203798A; HUP0105222A2; NO20012618L; AT409689B; NO20012618D0; WO2000033450A1; HUP0105222A3

Abstract

The invention relates to an isolating transformer comprising a transformer (Tr), a primary winding (Wp) and at least one secondary winding (Ws), the primary winding being connected in series with a controlled switch (Sp) to an input voltage (Up) and a rectifier element (FET) and charge capacitor (Cs) being positioned downstream of the secondary winding. The rectifier element is configured as a field effect transistor (FET) which can be controlled via a control transistor (Ts). The gate is connected to a load resistance (Rgs) of the transistor and the load resistance is connected in series with the collector-emitter circuit of the transistor to a secondary voltage of the transformer.

Description

BLOKOVACÍ MĚNIČLOCKING CHANGER

Oblast technikyTechnical field

Vynález se vztahuje na blokovací měnič s přenašečem, s primárním vinutím a alespoň s jedním sekundárním vinutím, přičemž primární vinutí leží v sérii s řízeným spínačem u vstupního napětí a za sekundárním vinutím je umístěný tranzistor řízený polem jako usměrňovači prvek a nabíjecí kondenzátor.The invention relates to a transducer converter having a primary winding and at least one secondary winding, wherein the primary winding is in series with a controlled switch at the input voltage and downstream of the secondary winding is a field controlled transistor as a rectifier element and a charging capacitor.

Dosavadní stav technikyBACKGROUND OF THE INVENTION

Blokovací měniče jako přístroje napájení proudem se staly známými ve velkém množství provedení, přičemž stejnosměrné napětí, které se popřípadě získá usměrněním ze sítě střídavého napětí, se přemění pomocí blokovacího měniče ve všeobecně galvanicky oddělené výstupní stejnosměrné napětí. Frekvence spínání leží všeobecně nad rozsahem slyšení. Blokovací měniče jsou známé např. z Hirschmann/Hauenstein, Části kombinačního obvodu”, nakladatelství Siemens 1990, Thiel, Profesionální aplikace částí kombinačního obvodu”, nakladatelství Franzis Verlag, Kilgenstein, ”Části kombinačního obvodu v praxi”, Vogel-Fachbuch 1988, WO 94/22 207 a DE 196 13 136 Al.Interlocking converters as power supply devices have become known in a number of embodiments, whereby the DC voltage which is possibly obtained by rectification from the AC grid is converted by means of the interlocking converter into a generally galvanically isolated DC output voltage. The switching frequency is generally above the hearing range. Blocking converters are known, for example, from Hirschmann / Hauenstein, Combination Circuit Parts ”, Siemens 1990, Thiel, Professional Application of Combination Circuit Parts”, Franzis Verlag, Kilgenstein, “Combination Circuit Parts in Practice”, Vogel-Fachbuch 1988, WO 94 / 22 207 and DE 196 13 136 A1.

Předpokládá se, že funkce blokovacího měniče je známá stejně jako aktivační spínání použitelná pro aktivaci řízeného spínače, která jsou rovněž blíže popsaná ve výše uvedené literatuře.It is believed that the function of the interlocking converter is known as well as the actuating switches useful for activating the controlled switch, which are also described in more detail in the above-mentioned literature.

Z DE 36 05 417 Cl dále vyplývá měnič stejnosměrného napětí, u něhož je pro snížení ztrát závěrného proudu diody usměrňovače na sekundární straně s touto diodou v sérii zapojený tranzistor řízený polem. Nehledě ktomu, že se tím nucené zvýší ztráty v propustném směru, je také aktivace tranzistoru řízeného polem nákladná, protože je např. pro to třeba vlastni vinuti přenášeče.DE 36 05 417 C1 further discloses a DC voltage converter in which a field-controlled transistor is connected in series to reduce the reverse current losses of the rectifier diode on the secondary side of the diode. In addition to the forced forward losses, it is also expensive to activate a transistor controlled by the transistor because, for example, the transmitter winding itself is required.

US 4 942 510 A odhaluje systém k přenášení signálů mezi kolem vozidla a stacionárním přístrojem, přičemž přicházející impulsy se mohou usměrnit pomocí spínacího tranzistoru a mohou se použít k nabíjení kondenzátoru. Na druhé straně se tranzistor může provozovat tak, že může při využití energie uložené v kondenzátoru vysílat impulsy zpět k systému kol.US 4,942,510 A discloses a system for transmitting signals between a vehicle wheel and a stationary device, wherein incoming pulses can be rectified by a switching transistor and can be used to charge a capacitor. On the other hand, the transistor can be operated so that it can send pulses back to the wheel system using the energy stored in the capacitor.

Ke snížení ztrátového výkonu u spínacích měničů se podle DE 37 27 170 Al stalo známým použití tranzistorů řízených polem Power-MOS jako usměrňovacího prvku. Za nevýhodné je třeba zde považovat to, že pro aktivační spínání, které se zde navrhuje, jsou třeba zvláštní sekundární vinutí, která zvyšují náklady na spínací měnič.According to DE 37 27 170 A1, the use of Power-MOS field-effect transistors as a rectifying element has become known in order to reduce the power dissipation of switching converters. A disadvantage here is that for the activation switching proposed here, special secondary windings are required which increase the cost of the switching converter.

Také podle US 5,396,412 A se u blokovacího měniče na sekundární straně používá tranzistor řízený polem s integrovanou paralelní diodou. Aby se umožnila přesnější regulace nižších výstupních napětí, přibere se v závislosti na výši výstupního napětí s ohledem na referenční napětí buď paralelní dioda k usměrnění, nebo se zapojí tranzistor řízený polem, Při příliš vysokém výstupním napětí se přitom přibere pokles napětí na paralelní diodě ke snížení napětí, což přirozeně vede ke značným ztrátám výkonů.Also, according to US 5,396,412 A, a field-effect transistor with an integrated parallel diode is used in the secondary side blocking converter. Depending on the output voltage with respect to the reference voltage, either a parallel diode is applied to the rectifier or a field-controlled transistor is connected to allow more precise regulation of the lower output voltages. voltage, which naturally leads to significant power losses.

Podstata vynálezuSUMMARY OF THE INVENTION

Úkol vynálezu spočívá ve vytvoření blokovacího měniče, u něhož se ztráty udržují co ’ nejmenší, aby se ušetřila energie a aby se vlastní zahřívání omezilo na minimální míru, přičemž na základě jednoduchého aktivačního spínání pro usměrňovači tranzistor řízený polem má být možná cenově výhodná realizace.SUMMARY OF THE INVENTION The object of the invention is to provide a blocking converter in which losses are kept as low as possible in order to save energy and to minimize self-heating, and a cost-effective implementation is possible by simple activation switching for a field-controlled rectifier transistor.

Tento úkol se podle vynálezu řeší tak, že tranzistor řízený polem je přepínatelný pomocí aktivačního tranzistoru, přičemž hradlo leží u pracovního odporu tranzistoru a pracovní odpor leží v sérii se svým úsekem kolektor-emitor u usměrněného výstupního napětí.According to the invention, this object is achieved in that the field-controlled transistor is switchable by an activating transistor, the gate being at the transistor operating resistor and the operating resistor in series with its collector-emitter section at the rectified output voltage.

Vynález využívá nejen známou zvláštnost tranzistoru řízeného polem, že v propustném směru vykazuje v podstatě konstantní a nízký odpor, kdežto diody používané obvykle k usměrnění mají v podstatě konstantní napětí v propustném směru (prahové napětí) řádově půl voltu, ale vykazuje především velmi jednoduchou a cenově výhodnou aktivaci tranzistoru řízeného polem.The invention utilizes not only the known peculiarity of a field effect transistor that it has a substantially constant and low resistance in the forward direction, whereas the diodes usually used for rectification have a substantially constant forward voltage (threshold voltage) of the order of half volts, advantageously activating a field-controlled transistor.

Je účelné, když lze vztažný proud báze aktivačního tranzistoru přivést přes paralelní článek RC. Tím dojde na jedné straně k velmi rychlému zapnutí tranzistoru řízeného polem a na druhé straně se tím udrží po potřebnou dobu proud báze spínacího tranzistoru.It is expedient if the base current reference of the activation transistor can be applied via a parallel RC cell. On the one hand, the field-controlled transistor is switched on very quickly and, on the other hand, the switching transistor base current is maintained for the required time.

Protože průrazné napětí úseku mezi emitorem a bází spínacího tranzistoru není většinou příliš vysoké, doporučuje se v mnoha případech, aby v sérii s úsekem mezi emitorem a kolektorem aktivačního tranzistoru ležela ochranná dioda, jejíž propustný směr odpovídá směru úseku mezi emitorem a bází.Since the breakdown voltage of the section between the emitter and the base of the switching transistor is usually not too high, it is recommended in many cases that a protective diode is provided in series with the section between the emitter and the collector of the transistor.

Rovněž k ochraně spínacího tranzistoru je vhodné, aby v základním přívodu aktivačního tranzistoru v sérii s paralelním článkem RC ležel ochranný odpor.Also, in order to protect the switching transistor, it is advisable to have a protective resistor in series with the parallel RC cell in the base of the activation transistor.

Varianta provedení vynálezu osvědčená v praxi se vyznačuje tím, že tranzistor řízený polem je tranzistorem řízeným polem s kanálem n, který je zařazený mezi konec sekundárního vinutí a negativní připojení nabíjecího kondenzátoru, kdežto druhý konec sekundárního vinutí leží na kladném připojení nabíjecího kondenzátoru, aktivační tranzistor je tranzistorem p-n-p, jehož kolektor leží na jedné straně přes pracovní odpor na negativním přípoji nabíjecího kondenzátoru a na druhé straně je spojený s hradlem tranzistoru řízeného polem a paralelní článek RC leží mezi kolektorem tranzistoru řízeného polem a bází aktivačního tranzistoru.A variant of the proven practice of the invention is characterized in that the field-driven transistor is a field-controlled transistor with channel n which is inserted between the end of the secondary winding and the negative connection of the charging capacitor while the other end of the secondary winding lies on the positive connection of the charging capacitor. a pnp transistor whose collector lies on the one hand through a working resistor on the negative charge capacitor connection and on the other hand is connected to the gate of the field-controlled transistor and the parallel RC element lies between the collector of the field-controlled transistor and the activation transistor base.

Přitom může ochranná dioda ležet mezi emitorem aktivačního tranzistoru a kladným připojením nabíjecího kondenzátoru.In this case, the protective diode may lie between the emitter of the activation transistor and the positive connection of the charging capacitor.

• Φ Φ · ι· ♦ *· • φ φ φφ φ φ φ ·φφ φφφ φ ♦ φ φ φ♦ * φφφ* * Φ·*···· φ φ φ φ φ φ φ φ φφφφ φ φφφ φφ *· φφφ• Φ Φ · ι · • · φ · · φ φ φ φ φ φ φ φ φ φ φ φ φ * * * * * * * * * * * * * * φ φ φ φ φφφ

Obzvláště u provedení s nízkým výstupním napětím je výhodné, když jsou opatřená dvě sekundární vinutí ležící v sérii, přičemž tranzistor řízený polem a nabíjecí kondenzátor jsou přiřazeny k jednomu vinutí, aktivace hradel přes aktivační tranzistor je ovšem proveditelná přes součtové napětí obou sekundárních vinutí.Especially in the low output voltage embodiment, it is advantageous if two secondary windings are provided in series, the field-controlled transistor and the charging capacitor being associated with one winding, however, the activation of the gates via the activation transistor is feasible via the sum voltage of both secondary windings.

Přehled obrázků na výkresechBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Vynález včetně dalších výhod je dále blíže vysvětlen na základě příkladů provedení, znázorněných na výkresu. Na něm znázorňuje obr. 1 zásadní zapojení první formy provedení vynálezu, obr. 2 zapojení druhé formy provedení vynálezu a obr. 3 průběh nejdůležitějších proudů a napětí blokovacího měniče podle vynálezu v diagramu.The invention, including further advantages, is explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the drawing. 1 shows the principal connection of the first embodiment of the invention, FIG. 2 shows the connection of the second embodiment of the invention and FIG. 3 shows the diagram of the most important currents and voltages of the blocking converter according to the invention.

Příklady provedení vynálezuDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

Podle obr. 1 vlastní blokovací měnič podle vynálezu přenašeč Tr s primárním vinutím W_p a sekundárním vinutím W_s. V sérii s primárním vinutím leží spínač Sp řízený ze strany aktivačního zapojení AST u vstupního stejnosměrného napětí Ue, které většinou představuje meziobvodové napětí, které se získá usměrněním a vyhlazením ze střídavé sítě. Odpovídající usměrňovač a nabíjecí kondenzátor nejsou znázorněny, protože nemají s vynálezem bezprostředně nic do činění.According to FIG. 1, the blocking converter according to the invention has a transmitter Tr with a primary winding W _p and a secondary winding W _s . In series with the primary winding, the switch Sp controlled by the AST wiring side lies at the DC input voltage Ue, which mostly represents the DC link voltage, which is obtained by rectifying and smoothing from the AC grid. The corresponding rectifier and charging capacitor are not shown since they have nothing to do with the invention.

Na sekundární straně leží v sérií se sekundárním vinutím Ws tranzistor řízený polem FET, v daném případě FET s kanálem n na sekundárním nabíjecím kondenzátoru C_s, na němž je snímatelné také výstupní stejnosměrné napětí.On the secondary side, the FET field-controlled transistor, in this case FET with channel n, lies in series with the secondary winding Ws on the secondary charging capacitor C _s , on which the DC output voltage is also removable.

Tranzistor řízený polem FET ležící se svým emitorem na negativním pólu výstupního napětí vlastní integrovanou diodu D, a má se řídit tak, aby spínal v synchronizovaném vztahu s řízeným spínačem Sp a aby sekundární napětí na vinutí W_s bylo usměrněné. Pro tuto aktivaci je opatřený spínací tranzistor E. zde tranzistor p-n-p, ležící se svým kolektorem na jedné straně na hradle tranzistoru řízeného polem a na druhé straně nad pracovním odporem R_GS na negativním pólu výstupního napětí. Emitor je přes diodu Ds zapojenou v propustném směru spojený s koncem sekundárního vinutí W_s, popř. s kladným pólem výstupního napětí U_A, kdežto druhý konec sekundárního vinutí W_s leží na kolektoru tranzistoru řízeného polem. Báze spínacího tranzistoru Ts je přes ochranný odpor R_s a paralelní článek RC R,C spojená s koncem sekundárního vinutí, na němž leží také kolektor tranzistoru řízeného polem.The FET-controlled transistor, with its emitter at the negative pole of the output voltage, owns an integrated diode D, and is to be controlled to switch in synchronized relationship with the controlled switch Sp, and the secondary voltage on the winding W _s is rectified. For this activation, a switching transistor E is provided, here a transistor pnp, with its collector on one side on the gate of the field-controlled transistor and on the other side above the operating resistor R _GS at the negative pole of the output voltage. The emitter is connected to the end of the secondary winding W _s via a diode Ds connected in the forward direction. with the positive pole of the output voltage U _A , while the other end of the secondary winding W _s lies on the collector of the field-controlled transistor. The base of the switching transistor Ts is connected via a protective resistor R _s and a parallel link RC R, C to the end of the secondary winding, on which also the collector of the field-controlled transistor lies.

V zapojení je dále naznačeno, že se aktivačnímu zapojení AST může přivést regulační signál S_R. Regulaci blokovacích měničů lze přičíst stavu techniky a odborníkovi je zcela známá, může se provést například srovnáním výstupního napětí U_A s referenčním napětím a z toho odvozenýmIn the wiring, it is further indicated that the activation signal AST can be supplied with a control signal S _R. The regulation of the blocking converters can be attributed to the state of the art and is well known to the person skilled in the art, for example by comparing the output voltage U _A with a reference voltage and derived therefrom.

• · • · « · · « ·· • ·♦·· « ···· ··· regulačním signálem, přičemž se mezi sekundární a primární stranou často používá optoelektronický vazební člen tak, že regulační signál S_R přivedený do aktivačního zapojení AST je galvanicky rozpojený ze sekundární strany, popř. výstupního napětí U_A Podobně se může ale regulační signál SR také odvodit z dodatečného vinutí přenašeče Tr, zejména když se na přesnost regulace nekladou vysoké požadavky. Stejným způsobem lze provést také regulaci proudu a kombinovanou regulaci proudu/napěti.The control signal is often used between the secondary and the primary side, so that the control signal S _R applied to the AST activation wiring is used. it is galvanically disconnected from the secondary side, resp. output voltage U _A Similarly, however, the control signal SR can also be derived from the additional winding of the transmitter Tr, especially when the accuracy of the control is not high. In the same way, current regulation and combined current / voltage regulation can also be performed.

Funkce zapojení, pokud je podstatná pro porozumění vynálezu, se níže vysvětluje s přihlédnutím také k obr. 3.The function of the wiring, if essential to the understanding of the invention, is explained below with reference to Fig. 3.

Primární proud I_P stoupá periodicky primárním vinutím W_p, pokaždé po zapnutí spínače S_paktivačním zapojením AST v podstatě trojúhelníkově tak dlouho, dokud se primární spínač opět neotevře. Vyplývá tak trojúhelníkový proud po první dobu Tj. Během této doby je primární napětí na vinutí Wp, napětí U_P konstantní. Po otevření spínače je primární proud I_P během doby T₂ rovný nule a sekundární proud I_s by po vypnutí poklesl trojúhelníkově, komplementárně s primárním proudem [_Pběhem této doby T₂. Sekundární napětí U$ je protifázově k primárnímu napětí U_P trojúhelníkové napětí.The primary current _IP rises periodically by the primary winding W _p , each time the switch S _{p is} actuated by the AST activation circuit, essentially triangular until the primary switch opens again. This results in a triangular current for the first period Tj. During this time the primary winding voltage Wp, the voltage U _{P is} constant. When the switch is opened, the primary current I _P during time T _{2 is} zero and the secondary current I _s would drop triangularly when switched off, complementary to the primary current [ _P during this time T ₂ . The secondary voltage U $ is a triangular voltage opposite to the primary voltage U _P.

Podle vynálezu nyní po otevření spínače S_P a podle sekundárního napětí U_s poteče proud přes blokovací, popř. ochrannou diodu D_s a úsek emitor-báze tranzistoru Tr, přes ochranný odpor R_s a článek RC R,C, přičemž proud je na začátku kvůli kondenzátoru C vysoký a způsobí propojení spínacího tranzistoru T_s, což následně vede také k propojení tranzistoru řízeného polem FET, protože odpovídající kladné napětí na pracovním odporu R_es spínacího tranzistoru T_s poklesne a leží na hradle tranzistoru řízeného polem FET. Zapnutí se provede podle obr. 3, např. po době T_A, která může ležet pouze v oblasti nanosekund, když se vychází ze spínací frekvence řádově například 50 až 100 kHz, Jestliže tranzistorem již neteče proud do paralelního RC článku, vypne se spínací tranzistor T_s a tranzistor řízený polem FET se zablokuje, přesto může kvůli technologicky podmíněné, integrované diodě D, ještě dále téci proud v sekundárním obvodu, dokud se tok proudu neskončí poklesem sekundárního napětí. Na obr. 3 je vyobrazeno, že během doby T_E proud ještě teče diodou D, tranzistoru řízeného polem, ačkoliv je tranzistor řízený polem samotný zablokovaný. Doba, během které teče proud tranzistorem řízeným polem, je šrafovaně zakreslená na obr. 3 a během této doby jsou ztráty na základě malého odporu dráhy tranzistoru řízeného polem FET příslušně nižší, což bylo ukázáno již úvodem. Jestliže srovnáme např. ztráty diody se ztrátami tranzistoru řízeného polem u blokovacího měniče, jehož výstupní proud činí 1 A, vyplyne u usměrňovači diody ztrátový výkon přibližně 0,5 W, u tranzistoru řízeného polem s odporem dráhy cca 40 mQ ztrátový výkon pouze cca 0,1 W.According to the invention, after opening the switch S _P and according to the secondary voltage U _, the current is now flowing through the blocking or switching-off current. the protective diode D _s and the emitter-base section of the transistor Tr, through the protective resistor R _s and the cell RC R, C, the current initially high due to the capacitor C and causing the switching transistor T _s to be connected. FET because the corresponding positive voltage on the working resistor R _{es of the} switching transistor T _s drops and lies on the gate of the FET-controlled transistor. The switching-on is carried out according to FIG. 3, e.g. after a time T _A which can only lie in the nanosecond range when starting from a switching frequency of the order of 50 to 100 kHz for example. T _s and the FET-controlled transistor are blocked, but due to the technologically conditioned, integrated diode D, the current in the secondary circuit can continue to flow until the current flow has ended with the secondary voltage drop. In Fig. 3 it is shown that during the time T _{E the} current still flows through diode D, the field-controlled transistor, although the field-driven transistor is itself blocked. The time during which the current flows through the field-controlled transistor is shaded in FIG. For example, if we compare the diode losses with the losses of the field-controlled transistor of a blocking converter whose output current is 1 A, the rectifier diode produces a power dissipation of approximately 0.5 W, and a power transistor with a path resistance 1 W.

Dále je třeba si povšimnout toho, že při zatížení na sekundární straně, zde se zakreslil zátěžový odpor R_t, zůstává primární spínač S_p déle zapnutý, čímž se v přenašeči uloží víc energie a také na sekundární straně se déle odmagnetizuje. Protože ale také v článku RC R,C déle teče proud, • ···· a • · ···· · a • a a aa a a a a a * a a aa aa aIt should also be noted that under the load on the secondary side, here the load resistance R _t is drawn, the primary switch S _p remains switched on for a longer time, thus storing more energy in the transmitter and also demagnetizing on the secondary side. However, because also in RC R, C, the current flows longer, • ···· and • · ···· · a • aa aa aaaaa * aa aa aa a

a zůstává tranzistor řízený polem FET déle zapojený, takže se zapíná v závislosti na zátěži různě dlouho.and the FET-controlled transistor remains connected for a longer period of time, so it will switch on for different periods depending on the load.

Článek RC R,C se přirozeně dimenzuje tak, aby se tranzistor řízený polem propojil co nejdříve (krátká doba T_A) a aby se tranzistor řízený polem v každém případě odpojil dříve, než se ukončí odmagnetizování. Příliš včasné zavření tranzistoru řízeného polem by vedlo stejně jako příliš pozdní otevření ke zkratovému stavu a tím ke ztrátám výkonu. Dále je třeba si povšimnout, že také při výpadku aktivace tranzistoru řízeného polem FET spínání, ačkoliv také s vyššími ztrátami, zásadně funguje, protože dioda Dj poté působí jako běžná usměrňovači dioda.The RC cell R, C is naturally sized so that the field-controlled transistor is connected as soon as possible (short time T _A ) and that the field-controlled transistor is in any case disconnected before the degaussing ends. Closing the field-controlled transistor too early would cause a short-circuit condition, as well as too late opening, resulting in power losses. Furthermore, it should be noted that also in the event of failure to activate the transistor controlled by the FET switching field, although also with higher losses, it fundamentally works because the diode Dj then acts as a conventional rectifier diode.

Varianta podle obr. 2 se vyznačuje tím, že se zamýšlí druhé sekundární vinutí W_s , aby se dosáhlo vyššího napětí pro provedení spínacích postupů, jestliže je výstupní napětí U_A jen nízké a činí např. řádově 3 V. V tomto případě by totiž napětí diody D_s a tranzistoru T_s vedla v propustném směru k poklesům napětí, která již možná nezaručují bezpečné propojení.The variant according to FIG. 2 is characterized in that a second secondary winding W _s is intended _in order to achieve a higher voltage for carrying out the switching procedures if the output voltage U _{A is} only low and is, for example, of the order of 3 V. the diodes D _s and the transistor T _{s have} led to voltage drops in the forward direction, which may no longer guarantee a secure connection.

Ochranná dioda D_s má zabránit průrazu napětí úseku báze-emitor spínacího tranzistoru T_s. Průrazné napětí tohoto úseku báze-emitor leží jen při několika málo voltech, takže při vyšších napětích na sekundární straně by byl tento úsek ohrožen. Proto se používá ochranná dioda D_s, která může mít např. průrazné napětí řádově 40 V, aby se úsek báze-emitor tranzistoru T_s ochránil. Také ochranný odpor R_s chrání spínací tranzistor T_s, v tomto případě před příliš vysokým proudem báze.The protective diode D _s is intended to prevent a voltage breakdown of the base-emitter section of the switching transistor T _s . The breakdown voltage of this base-emitter section lies at only a few volts, so that at higher voltages on the secondary side this section would be at risk. Therefore, a protective diode D _s is used, which can have, for example, a breakdown voltage of the order of 40 V, in order to protect the base-emitter region of the transistor T _s . Also, the protective resistor R _s protects the switching transistor T _s , in this case from too high a base current.

Na výkresu je zakreslena doba T_E delší než doba T_A na začátku sekundárního proudu, čímž se má poukázat na to, že doba T_E není zvlášť kritická, protože je zde proud již nízký a případné ztráty v integrované diodě Di se již nemohou vyskytovat tak silně jako na začátku toku sekundárního proudu.The drawing shows the time T _E longer than the time T _A at the start of the secondary current, to show that the time T _E is not particularly critical because the current is already low and potential losses in the integrated diode Di can no longer occur so strongly as at the beginning of the secondary current flow.

Claims

PATENT CLAIMS

Locking converter with carrier (Tr), primary winding (W _p ) and at least one secondary winding (W _s ), the primary winding in series with a controlled switch (S _p ) at the input voltage (U _p ) and beyond the secondary winding is a field-controlled transistor (FET) as a rectifying element (FET) and a charging capacitor (Cs), characterized in that the gate of the field-driven transistor (FET) lies at the working resistor (R _gs ) of the activation transistor (Ts). the field-controlled transistor is connected substantially throughout the open time of the controlled switch (S _p ).

Locking converter according to claim 1, characterized in that the base current of the activation transistor (T _s ) can be supplied via a parallel RC cell (RC).

Blocking converter according to claim 1 or 2, characterized in that a protective diode (D _s ) has been in series with the emitter-collector section of the activation transistor (T2), whose forward direction corresponds to the direction of the emitter-base section.

Locking converter according to one of Claims 1 to 3, characterized in that a protective resistor (R _s ) lies in series with the parallel link RC (RC) of the activation transistor (Ts).

Locking transducer according to one of Claims 1 to 4, characterized in that the field-controlled transistor (FET) is a field-controlled transistor with channel n which is inserted between the end of the secondary winding (W _s ) and the negative connection of the charging capacitor (C _s). ), while the other end of the secondary winding lies on the positive charge capacitor connection, the activation transistor (T _s ) is a pnp transistor whose collector lies on one side via a working resistor (R _ps ) on the negative charge capacitor connection and on the other side connected to the gate the field-controlled transistor (RC) is located between the collector of the field-controlled transistor (FET) and the base of the transistor (T _s ).

Locking converter according to claim 3 and claim 5, characterized in that the switching diode (D _s ) lies between the emitter of the activation transistor (T _s ) and the positive connection of the charging capacitor (C _s ).

7. The blocking converter according to one of claims 1 to 6, characterized in that there are provided two secondary windings (W _s], W _S2) lying in series with the field effect transistor (FET) and a charging capacitor (C _s) are assigned one winding (W _a) activation through the activation gate transistor (T _s) is feasible, however, through sum of voltages of both secondary windings (W _SL, W _S2).