CS273488B1 - Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application - Google Patents
Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application Download PDFInfo
- Publication number
- CS273488B1 CS273488B1 CS698988A CS698988A CS273488B1 CS 273488 B1 CS273488 B1 CS 273488B1 CS 698988 A CS698988 A CS 698988A CS 698988 A CS698988 A CS 698988A CS 273488 B1 CS273488 B1 CS 273488B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- gaas
- ingaas
- laser
- indium
- heterogeneous
- Prior art date
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Způsob výroby heterogenního ohmického přechodu InGaAs - GaAs za použití laseru (57) Způsob výroby heterogenního ohmického přechodu InGaAs - GaAs za použiti laseru, spočívá v tom, že ss na desku z arzenidu galitého-GaAs nanese vrstva india In a potom se rozhráni arzehid cjalitý - indium GaA3 - In, ozáří ze strany GaAs po dobu 0,1 až 10 sec, laserem o výkonu 1 až 50 W a vlnové délce větši než je absorpční hrana GaAs.
CS 273488 Bl
273 488 (11) (13) Bl (51) Int. Cl.5
H Ol L 21/28 H Ol L 21/268
CS 273488 Bl
Vynález se týká způsobu výroby heterogenního ohmického přechodu InGaAs - GaAs za použití laseru.
V současné době se gradované heteropřechody na GaAs připravují metodou molekulové svazkové epitaxe a iontové implantace s dosaženým specifickým kontaktním odporem řádu “8
JL/cm2. Oba používané výše popsané způsoby přípravy gradovaného heteropřechodu jsou ekonomicky a časově velmi náročné a jsou stěží použitelné pro průmyslové aplikace. Při zhotovení gradovaného přechodu metodou implantace je nutné používat vysokých dávek přímeši, tj. dávky vetší než 10 cm , což přináší řadu nevýhod, zejména silné radiační poškození exponovaného materiálu.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby heterogenního ohmického přechodu InGaAs GaAs podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se na desku z. arzenidu galitého GaAs nanese vrstva india In a potom se rozhraní arzenid galitý - indium ozáří ze strany GaAs po dobu 0,1 až 10 sec. laserem, jehož vlnová délka je větší než absorpční hrana GaAs a výkon 1 až 50 W.
Hlavní výhody způsobu přípravy ohmických kontaktů, podle vynálezu spočívají v tom, že fokusovaná stopa laseru umožňuje ohřev malé plochy kontaktu se zanedbatelným ohřevem blízkého okolí. Tím se zabrání tepelnému namáhání již existujících struktur na polovodičích. Dále volbou vhodné vlnové délky laserového světla ležící za absorpční hranou polovodiče lze ozářit plochu kontaktu ze zadní strany desky. Protože je zářeni absorbováno na rozhraní kovu s polovodičem, eliminuje se problém smáčivosti při přípravě ohmického kontaktu a není nutno vytvářet další mezivrstvy. Zlepší se i morfologie struktury kontaktu, což má za následek zmenšení hodnot specifických kontaktních odporů.
Vynález je blíže objasněn na příkladu konkrétního provedení.
Na desku z arzenidu galitého GaAs s donorovou vodivostí byla nanesena vrstva india In o výšce 600 nm. Po absorpci světla ittrium-aluminium-granátového laseru o vlnové délce 1,06 nm a výkonu max. 40 W po dobu 1 sec. byla na rozhraní india In a arzenidu galitého GaAs naměřena teplota 350 c. Tímto způsobem připravený ohmický kontakt má maximálně specifický kontaktní odpor 10 ohm.cm2. Pro porovnání, standardním způsobem, při ohřevu celého polovodiče a stejném uspořádání byl naměřen kontaktní odpor řádově 10-5 ohm.cm2, s použitím platinové mezivrstvy řádově 10-® ohm.cm2.
Způsob podle vynálezu lze využít v polovodičové technice.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob výroby heterogenního ohmického přechodu InGaAs - GaAs za použití laseru, vyznačující se tím, že se na desku z arzenidu galitého GaAs nanese vrstva india In a potom se rozhraní arzenid galitý - indium ozáří ze strany GaAs po dobu 0,1 až 10 sec. laserem o výkonu 1 až 50 W a vlnové délce větší než je absorpční hrana GaAs.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS698988A CS273488B1 (en) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS698988A CS273488B1 (en) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS698988A1 CS698988A1 (en) | 1990-07-12 |
| CS273488B1 true CS273488B1 (en) | 1991-03-12 |
Family
ID=5418178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS698988A CS273488B1 (en) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS273488B1 (cs) |
-
1988
- 1988-10-24 CS CS698988A patent/CS273488B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS698988A1 (en) | 1990-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960004097B1 (ko) | 이종접합 p-i-n 광전지 | |
| EP0905797B1 (de) | Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0535522B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von pn CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellen | |
| US4773945A (en) | Solar cell with low infra-red absorption and method of manufacture | |
| US4731338A (en) | Method for selective intermixing of layered structures composed of thin solid films | |
| Chamberlin et al. | Chemically sprayed thin film photovoltaic converters | |
| DE112016004374T5 (de) | Dünnschicht-Verbindungshalbleiter-Photovoltaikzelle, Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Verbindungshalbleiter-Photovoltaikzelle, Dünnschicht-Verbindungshalbleiter-Photovoltaikzellenanordnung und Herstellungsverfahren hierfür | |
| US4977097A (en) | Method of making heterojunction P-I-N photovoltaic cell | |
| CS273488B1 (en) | Method of ingaas-gaas heterogeneous ohmic transition production with laser application | |
| CN104167656B (zh) | 一种太赫兹光导天线及其制作方法 | |
| US4873198A (en) | Method of making photovoltaic cell with chloride dip | |
| Vitali et al. | Surface structure changes by laser pulses in silicon | |
| CN105336796B (zh) | 倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池及其制备方法 | |
| Law et al. | High efficiency InGaAsP photovoltaic power converter | |
| Staebler | Hole diffusion length measurements in discharge-produced a Si: H | |
| Friedman et al. | GaInP/GaAs monolithic tandem concentrator cells | |
| ATE29345T1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von kohaerenter strahlung. | |
| RU2687851C1 (ru) | Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя | |
| CN111244195A (zh) | 一种微米间隙异面叉指式光电导开关 | |
| EP0077893A3 (en) | Low-resistance ohmic contacts to n-type group iii-v semiconductors | |
| Thornton et al. | High performance all‐sputter deposited Cu2S/CdS junctions | |
| DE69001016T2 (de) | Verfahren zur herstellung von wolfram-antimon ohmischen kontakten mit niedrigem widerstand auf iii-iv halbleitermaterialien. | |
| JPS57159074A (en) | Tunnel type josephson element | |
| Platte | Microwave switching performance of high-speed optoelectronic switches: An efficiency comparison of the basic types | |
| CN106374001A (zh) | 具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法 |