CS273356B1 - Method of optical radiation magnitude measuring - Google Patents
Method of optical radiation magnitude measuring Download PDFInfo
- Publication number
- CS273356B1 CS273356B1 CS429888A CS429888A CS273356B1 CS 273356 B1 CS273356 B1 CS 273356B1 CS 429888 A CS429888 A CS 429888A CS 429888 A CS429888 A CS 429888A CS 273356 B1 CS273356 B1 CS 273356B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- optical radiation
- pyroelectric
- ccd structure
- size
- pyroelectric detector
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
(57) Velikost optického záření je měřena pomocí pyroelektřického detektoru se strukturou CCD. Na pyroelektrický detektor spojený společnou elektrodou se strukturou CCD se působí optickým zářením. Toto dopadající záření formuje přes vrstvu dielektrika uvnitř substrátu struktury CCD potenciálovou jámu, která se postupně zaplňuje tepelně generovaným nábojem, jehož velikost se na yýatupu struktury CCD měří. Velikost akumulovaného tepelně generovaného náboje je úměrná velikosti elektrického pole vytvářejícího potenciálovou jámu, a tím i velikosti optického záření, které dopadá na pyroelektrický detektor.
CS 273356 Bl <n> 27 3 356 (13) Bl (51) Int. Cl* 5 G 01 J 5/00
CS 273356 Bl
Vynález se týká způsobu měření velikosti optického záření pyroelektrickým detektorem fotonů se strukturou CCD s napětovým odečítáním.
U dosud používaných pyroelektrických detektorů fotonů s napěťovým odečítáním je využíván základní fyzikální jev, že na elektrodách pyroelektrického detektoru se po ozáření elektromagnetickým zářením a následné změně teploty detektoru objeví elektrický náboj, jehož velikost je úměrná velikosti ozáření. Tyto detektory jsou tvořeny pyroelektrickým substrátem, na jehož jedné straně je vytvořena jedna elektroda, která je transparentní a na protilehlé straně je substrát opatřen druhou elektrodou. Takto vytvořený detektor pracuje z elektrického hlediska naprázdno. Jeho výstupní napětí je úměrné ozáření a jeho hodnotu lze elektrometricky měřit. Relativně malá hodnota kapacity detektoru a proměnlivost svodových odporů však použitelnost těchto pyroelektrických detektorů silně omezují.
Druhou principiální možností způsobu využití pyroelektrického jev,u je tzv. proudové odečítání. V tomto případě pyroelektrický detektor pracuje do relativně velmi nízké hodnoty elektrické impedance, tedy do zkratu. Přerušováním vstupujícího zářivého toku se vytváří sled bipolámích proudových impulsů, jejichž plocha respektive náboj jsou úměrné velikosti zářivého toku. Hlavní nevýhodou tohoto způsobu je nutnost použití mechanického přerušovače vstupujícího záření. Tento způsob se však netýká typu pyroelektrického detektoru s napěíovým odečítáním.
Při aplikaci těchto způsobů na kombinace pyroelektrického detektoru a struktury CCD lze bua využít přímé injekce náboje, tedy proudové odečítání, nebo spojením elektrody pyroelektrického detektoru s hradlem polem řízeného tranzistoru ovládat v závislosti na ozáření proud z vnějšího zdroje, který tímto tranzistorem protéká, tedy napětové odečítání.. Nevýhodou tohoto druhého způsobu je nutnost použití vnějšího zdroje.
Výše uvedené nedostatky zejména s ohledem na možnost vytváření pyroelektrických detektorových polí, popřípadě obrazových senzorů, odstraňuje způsob měření velikostí optického záření pomocí pyroelektrického detektoru se strukturou CCD podle vynálezu. Jeho podstatou je, že na pyroelektrický detektor spojený společnou elektrodou se strukturou CCD se působí optickým zářením, přičemž ve vzniklé potenciálové jámé struktury CCD se akumuluje tepelně generovaný náboj. Velikost tepelně generovaného náboje je úměrná velikost dopadajícího optického záření.
Výhodou způsobu měření velikosti optického záření podle vynálezu je, že nevyžaduje mechanický přerušovač ani vnější napájecí zdroj. Na rozdíl od stávajících způsobů není náboj z elektrod pyroelektrického detektoru odváděn. Ty nosiče, které se v substrátu standardním teplem generují a omezují u těchto způsobů detektívitu, jsou při použití způsobu podle vynálezu využity pro přenos informace.
Způsob měření velikosti optického záření podle vynálezu je demonstrován na příkladu uspořádání pyroelektrického detektoru fotonů, který je schematicky uveden v řezu na připojeném výkrese.
Pyroelektrický substrát 2 je opatřen z jedné strany první elektrodou Jy která je transparentní a z protilehlé strany druhou elektrodou 3. Ze strany této druhé elektrody 3 je přes vrstvu dielektrika 4 připojena například lepením a podobně struktura CCD. Tato struktura CCD je tvořena známým způsobem, tedy polovodičovým substrátem _6_. většinou křemíkovým, který je opatřen na jedné straně kontaktní elektrodou 7 a na straně druhé je izolovaně pomocí dielektrika 4 umístěna struktura elektrod 3, 5 pro transport náboje, z nichž je na obrázku uvedena pouze elektroda 5 první fáze struktury CCD. Druhá elektroda 3 se vždy musí částečně překrývat s elektrodou 5 první fáze struktury CCD. Překrytí je v rozmezí 10 % až 90 %. První elektroda _1 pyroelektrického substrátu 2 a kontaktní elektroda 7 struktury CCD jsou na nulovém potenciálu.
CS 273356 Bl
Při ozáření pyroelektrického substrátu _2 přes první elektrodu se na druhé' elektrodě 3 generuje náboj a tato druhá elektroda 3 se nabije na nenulové napětí. Potenciál druhé elektrody 3 vytváří uvnitř polovodičového substrátu 6 potenciálovou jámu, jejíž velikost je úměrná potenciálu druhé elektrody 3 a proto i velikosti ozáření pyroelektrického substrátu 2. Vzhledem k nenulové teplotě polovodičového substrátu _6 se tato jáma postupně zcela zaplní tepelně generovanými nosiči a vytvoří se zde nábojový balík, jehož velikost je také úměrná velikosti ozáření pyroelektrického substrátu 2. Po zaplnění potenciálové jámy je připojen dostatečně vysoký potenciál na elektrodu _5_ první fáze struktury CCD a dojde k přesunu nábojového balíku pod tuto elektrodu _5. Dále je pak tento nábjový balík způsobem běžným ve strukturách CCD transportován k výstupnímu obvodu a zde je zpracován na výstupní signál. Zatímto tedy ve známých řešeních je buS při proudovém odečítání odveden náboj vytvořený na pyroelektriku, nebo je řízen proud z vnějšího zdroje u napětového odečítání, navrhovaný způsob využívá tepelně generované náboje, tedy proud za tmy, v objemu substrátu struktury CCD, který se akumuluje v potenciálové jámě uvnitř tohoto substrátu, která je vytvářena nábojem, vzniklým na pyroelektrickém detektoru.
Matematicky lze celý způsob potom popsat takto.
Změna střední teploty pyroelektrického detektoru je dána vztahem eK f
A T(t) = - / w dt
V kde T je teplota e je emisivita povrchu okna pyroelektrického detektoru X je absorbční koeficient Cp je měřená tepelná kapacita
V je objem pyroelektrického detektoru w je dopadající zářivý výkon.
Potom pro napětí na pyroelektrickém detektoru platí, že Δ u = ~ x0 AT(t) kde Λ je pyroelektrický koeficient U je napětí £ je permitivita pyroelektrika je tloušíka pyroelektrického detektoru.
Na výstupu struktury CCD se objeví signálový proud
I. A.0OI . Z\v.fo kde A je aktivní plocha θοχ kapacita na jednotku plochy elektrody f je taktovací kmitočet, c
Konkrétní provedení pyroelektrického detektoru se strukturou CCD pro daný způsob měření velikosti optického záření může být například ve formě hybridního integrovaného obvodu, kdy pyroelektrikem je monokrystalický výbrus LiTaO^ - tzv. lithiumtantalát a struktura CCD je tvořena monokrystalickým výbrusem křemíku. Jinou možností je vytvořit monolitický integrovaný obvod, kde pyroelektrikem tvoří opět lithiumtantalát a (2),
CS 273356 Bl strukturu CCD tvoři amorfní křemík a:Si-H nebo jako pyroelektrikum je použita polykrystalická tenká vrstva lithiumtantalátu a strukturou CCD je křemíkový monókrystalický výbrus.
Způsob měření velikosti optického záření podle vynálezu lze využít v mimořádně širokém oboru spektra elektromagnetického záření. Technologie obrazových senzorů na bázi přenosu náboje je v současné době špičkově schopna vytvořit senzory s rozlišením až 10^ obrazových bodů. Mimořádně vhodné se jeví navržené řešení pro infračervené záření, kde je konstrukce senzorů s velkým rozlišením velmi obtížná.
Claims (1)
- pSedmět VYNÁLEZUZpůsob měřeni velikosti optického záření pomocí pyroelektrického detektoru se strukturou CCD, vyznačující se tím, že měřeným optickým zářením se působí na pyroelektrický detektor spojený společnou elektrodou se strukturou CCD, přičemž ve vzniklé potenciálové jámě struktury ^CD se akumuluje tepelně generovaný náboj, kde velikost tepelně generovaného náboje je úměrná velikosti měřeného optického záření. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS429888A CS273356B1 (en) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Method of optical radiation magnitude measuring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS429888A CS273356B1 (en) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Method of optical radiation magnitude measuring |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS429888A1 CS429888A1 (en) | 1990-07-12 |
| CS273356B1 true CS273356B1 (en) | 1991-03-12 |
Family
ID=5385386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS429888A CS273356B1 (en) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Method of optical radiation magnitude measuring |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS273356B1 (cs) |
-
1988
- 1988-06-20 CS CS429888A patent/CS273356B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS429888A1 (en) | 1990-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Burke et al. | CCD soft x-ray imaging spectrometer for the ASCA satellite | |
| Stetson et al. | Design and performance of blocked-impurity-band detector focal plane arrays | |
| JPH05206526A (ja) | ボロメータとその製法 | |
| GB1431209A (en) | Method and apparatus for sensing radiation and providing electri cal readout | |
| Tuzzolino et al. | Photoeffects in Silicon Surface‐Barrier Diodes | |
| CS273356B1 (en) | Method of optical radiation magnitude measuring | |
| Zhang et al. | Figure of Merit for Detectors Based on Laser-Induced hermoelectric Voltages in La 1-x Ca x MnO 3 and Ba 2 Cu 3 O 7-σ Thin Films | |
| Allinson | Solid-state imaging arrays for X-ray detection | |
| Ruppel | Pyroelectric sensor arrays on silicon | |
| JP4631102B2 (ja) | 超伝導体放射線センサーシステム | |
| Bulgheroni et al. | Monolithic active pixel detector realized in silicon on insulator technology | |
| RU2150130C1 (ru) | Способ регистрации излучения | |
| US3493752A (en) | Infrared radiation measuring system using a doped semiconductor detector element | |
| US4326126A (en) | High speed photodetector | |
| RU187927U1 (ru) | Устройство для измерения параметров импульса лазерного излучения | |
| Agnese et al. | The ISOCAM camera long wavelength channel detector | |
| Iborra et al. | A new design of a semiconductor bolometer on rigid substrate for fusion plasma diagnostics | |
| Goel et al. | Anomalous rise of photocurrent in amorphous thin films of Ge22Se78 | |
| Malik et al. | Conception of the optical sensors based on transient processes in MIS structures | |
| Harik et al. | Transient charge pumping as an efficient technique to measure low light intensity with PD SOI MOSFET | |
| US11656127B2 (en) | High-bandwidth thermoelectric thin-film UV, visible light and infrared radiation sensor and a method for manufacturing thereof | |
| Ciurea et al. | Traps in polycrystalline CdTe thin films | |
| Mikla et al. | Trap level spectroscopy in amorphous semiconductors | |
| Gopal | Noise equivalent temperature difference performance of an IR detector in a hybrid focal plane array | |
| Evrard et al. | A novel photodiode array structure for gamma camera applications |