CS272932B1 - Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase - Google Patents
Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase Download PDFInfo
- Publication number
- CS272932B1 CS272932B1 CS63689A CS63689A CS272932B1 CS 272932 B1 CS272932 B1 CS 272932B1 CS 63689 A CS63689 A CS 63689A CS 63689 A CS63689 A CS 63689A CS 272932 B1 CS272932 B1 CS 272932B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- melt
- liquid phase
- growth
- epitaxial growth
- chambers
- Prior art date
Links
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 241001417490 Sillaginidae Species 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Vynález se týká zařízení pro výrobu vrstevnatých struktur metodou epitaxního růstu z kapalné fáze s rozvodem tavenin do kanálků, z nichž probíhá růst vrstev na zárodečné destičce.
Metoda epitaxního růstu z kapalné fáze je proces, při němž se vylučují v závislosti na režimu teplota-čas monokrystalické vrstvy z.kapalné fáze na zárodečné destičce (podložka). Je známo, že lze pomocí vhodných růstových kazet připravit periodicky uspořádané mnohovrstvé struktury, v nichž tlouštka jednotlivých vrstev nepřesahuje několik stovek angstromů. S tím spojená periodická variace dotování nebo chemického složení vede k řadě různých způsobů transportního chování a optických vlastností složených polovodičů, které se uplatňují v optoelektronice a mikrovlnné technice.
Tak se např. při známém řešení zárodečná podložka přivede periodicky do kontaktu se dvěma výchozími taveninami s rozdílným chemickým složením. Výchozí taveniny v termické rovnováze jsou přitom uloženy v zásobnících, pod kterými rotuje válec, přičemž mohou otvory v zásobnících výchozí taveniny dospět na povrch rotujícího válce. Rotačním pohybem válce se dosáhne styku zárodečné destičky s výchozími taveninami.
U jiného známého řešení je dosaženo růstu velmi tenkých vrstev s periodickou změnou složení rychlým přesouváním zárodečné destičky pod zásobníky s taveninami umístěnými v řadě za sebou v horizontální růstové kazetě.
Nedostatkem prvého řešení je značná složitost růstového zařízení.
Nedostatkem obou známých řešení je, že z jedné výchozí taveniny, která obsahuje zpravidla několik složek, jejichž vzájemný.poměr musí být velmi přesně dodržen, vzniká pouze jedna tavenina “růstová. Vícenásobné použití této taveniny je možné pouze v tom případě, je-li technologické zařízení vybaveno přesným pohybovým mechanismem zajištujícím přemistování unašeče s položkou.
Uvedené nedostatky odstraňuje zařízení pro výrobu vrstevnatých struktur metodou epitaxního růstu z kapalné fáze podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že růstová kazeta má vytvořeny komory pro přípravu tavenin a jiné komory pro taveniny připravené k depozici vrstev spočívající v tom, že depoziční komory pro taveninu jsou vytvořeny ve formě soustavy zářezů s počtem větví větším než jedna. Mohou být použity dvě soustavy zářezů uspořádaných tak, že ve směru pohybu růstové podložky se střídají zářezy z jedné a druhé soustavy. Zařízení může být vyrobeno z grafitu, křemene, safíru nebo keramiky z nitridu boritého.
Výhodou zařízení podle vynálezu je, že z jediné výchozí taveniny je vytvořeno několik tavenin růstových s identickým složením. Vytvořené taveniny z různých zásobníků tvoří meandry s požadovanou šířkou jednotlivých tavenin, která je určena rozměry zářezů do tělesa při přípravu a rozvod tavenin. Tím je dosaženo, že příprava vícevrstvých struktur s tlouštkou jednotlivých vrstev 5 až 50 mm epitaxním růstem z kapalné fáze není ani pracnější, ani nákladnější než růst vrstev s běžně požadovanými tloušíkami 0,1 až 150, /Um.
Příklad provedení zařízení podle vynálezu je znázorněn na výkresu. Růstová kažeta se skládá z vnějšího pláště 5 s víkem 6, do něhož je umístěn unašeč růstové podložky 2 s vybráním pro podložku 3, tělesa pro přípravu a rozvod taveniny 2 s otvory pro syticí podložky 7 a vybráním 8 pro táhla obsluhující písty 4. Těleso pro přípravu a rozvod taveniny obsahuje komory pro přípravu taveniny 11 po obou svých stranách, čemuž odpovídá i použití dvou pístů 4 a komory 9 a 10 pro taveniny připravené k růstu vrstev. Funkce zařízení je zřejmá z obr. 1b, c, d. Taveniny vhodného složení jsou připraveny v komorách Ji tvořených tělesem pro přípravu a rozvod tavenin J> písty 4 a vnějším pláštěm 5. Následuje přetlačení hotových tavenin do růstových komor 9 a JO· Pro přípravu vrstev v klasickém režimu difůzně limitovaného růstu jsou používány komory široké 22> zatímco pro přípravu vrstev ultratenkých je využito soustavy komor 9·
CS 272 932 Bl
Složení taveniny ve všech větvích jedné soustavy zářezů je identické, protože byla vytvořena z jediné výchozí taveniny. Vzájemným sesazením dvou soustav zářezů, viz obr. 1d, jsou vytvořeny podmínky pro růst periodických struktur s kvantovými jámami a supermřížkami. Přitom jsou značně sníženy nároky na automatizaci posuvu unašeče růstové podložky, protože tenkovrstvá struktura může být vytvořena rychlým projetím unašeče růstové podložky pod zářezy s úzkými proužky taveniny, jejichž šířka je volena v závislosti na požadované tlouštce jednotlivých vrstev.
Experimentálně zjištěné tlouštky jednotlivých vrstev tuhého roztoku GaxIn1_xAsyP;_y se složením odpovídajícím emisí v pásmu 1,3 /um na podložce z InP vytvořené na zařízení podle vynálezu dosahují hodnot 7,5 nm.
Claims (2)
1. Zařízení pro výrobu vrstevnatých struktur metodou epitaxního růstu z kapalné fáze s komorami pro přípravu tavenin a jinými komorami pro taveniny připravené k depozici vrstev, vyznačené tím, že depoziční komory (9) pro taveninu jsou vytvořeny ve formě soustavy zářezů s počtem větví větším než jedna.
2. Zařízení podle bodu 1, vyznačené tím, že dvě soustavy zářezů tvořící depoziční komory (9) jsou vzájemně uspořádány tak, že ve směru pohybu růstové podložky (3) se střídají zářezy z jedné a druhé soustavy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS63689A CS272932B1 (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS63689A CS272932B1 (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS63689A1 CS63689A1 (en) | 1990-06-13 |
| CS272932B1 true CS272932B1 (en) | 1991-02-12 |
Family
ID=5338818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS63689A CS272932B1 (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS272932B1 (cs) |
-
1989
- 1989-01-31 CS CS63689A patent/CS272932B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS63689A1 (en) | 1990-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900002687B1 (ko) | Mbe법에 의한 기판에 격자 정합시키는 4원 또는 5원 흔정 반도체의 성장방법 | |
| US3690965A (en) | Semiconductor epitaxial growth from solution | |
| CA1260626A (en) | Delta-doped metal to semiconductor ohmic contacts | |
| Cheng et al. | Molecular‐beam epitaxial growth of uniform Ga0. 47In0. 53As with a rotating sample holder | |
| CS272932B1 (en) | Device for ultrathin layer structures production by means of epitaxial growth from liquid phase | |
| US3825449A (en) | Method of depositing epitaxial layers on a substrate from the liquid phase | |
| EP0749154A3 (en) | Method of fabricating a III-V compound semiconductor layer | |
| US4149914A (en) | Method for depositing epitaxial monocrystalline semiconductive layers via sliding liquid phase epitaxy | |
| Yasunaga | Hetero-electromigration on semiconductor surfaces | |
| USRE28140E (en) | Bergh ctal | |
| US3858553A (en) | Apparatus for the epitaxial growth of semiconducting material by liquid phase epitaxy from at least two source solutions | |
| AU7029091A (en) | Method for forming crystalline deposited film | |
| US4427464A (en) | Liquid phase epitaxy | |
| US4390379A (en) | Elimination of edge growth in liquid phase epitaxy | |
| KR870003552A (ko) | 화합물 반도체장치의 제조방법 | |
| GB2045639A (en) | Process for the production of epitaxial layers of semiconductor material on monocrystalline substrates | |
| GB2036590A (en) | Process and apparatus for the production of ga a1 as:si epitaxial coatings | |
| Schumann et al. | Growth and structural properties of AgGaSe2 epitaxial films | |
| JPH01235324A (ja) | 化合物半導体薄膜結晶の成長方法 | |
| US4412502A (en) | Apparatus for the elimination of edge growth in liquid phase epitaxy | |
| JPS63138724A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| Yano et al. | Interface and thickness control of polytype heterostructures grown by molecular beam epitaxy | |
| Wang et al. | Y‐Stabilized ZrO2 as a Promising Wafer Material for the Epitaxial Growth of Transition Metal Dichalcogenides | |
| SU1059031A1 (ru) | Устройство дл электрожидкостной эпитаксии | |
| KR950006312B1 (ko) | 액상 에피택시 장치 |