CS270018B1 - Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého - Google Patents
Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého Download PDFInfo
- Publication number
- CS270018B1 CS270018B1 CS88619A CS61988A CS270018B1 CS 270018 B1 CS270018 B1 CS 270018B1 CS 88619 A CS88619 A CS 88619A CS 61988 A CS61988 A CS 61988A CS 270018 B1 CS270018 B1 CS 270018B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- etching
- minutes
- gallium
- isenide
- preparation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob leptáni povrchu součásti pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého za použiti laseru se provádí v prostřed! vodných roztoků sloučenin obecného vzorce XY,* kde X je sodik nebo draslík a Y Jsou fluoridy, bromidy, chloridy; uhličitany, alranyj dusičnany; hydroxidy. Vynález může být využíván v mikroelektronic
Description
Vynález ee týká způsobu leptáni povrchu eoučáeti pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických struktur n-areonidu galitáho za použití laseru.
Sednou z velmi perspektivních technologii; která umožňuje modifikaci povrchu polovodiče a elektronických struktur,4 je laserová technologie. Tento způsob opracováváni povrchu umožňuje přípravu mikroetruktur na polovodiči definovaných vlaetnosti. Kojvětěi přednosti aplikace laseru je možnost fokuzace jeho stopy až na eubmikronová rozměry. S tím souvisí vysoká hustota energie svitla ve evazku a krátká expoziční doby při opracováváni povrchu.
Základním předpokladem pro laeerom iniciovaná leptáni polovodičů je schopnost svitla aktivovat částice elektrolytu nebo povrchu polovodiče; která iniciuji nebo urychluji jeho leptáni. To znamená,* že při laserovém leptáni oxietujo významný rozdíl mezi rychlosti leptání osvětlené a neosvětlené částí povrchu. Pro aplikace je nutné zvolit taková elektrolyty, které v neosvětlené části povrch noleptají nebo leptají se zanedbatelnou rychlostí ve > srovnáni s rychlosti osvětlené čáeti povrchu.
Laserem iniciované leptáni polovodičů je v eoučaenooti etudováno v laboratorních pod- „ minkách. Sako leptající proetředi jsou používány jednak plyny, páry,' elektrolyty a jejich emisi. Expozice v proetředi plynů a par; např* chloridu uhličitého a vodíku,' bromovodiku, chloridu křemičitého; chloru atd.,’ je experimentálně poměrně náročná. Leptaci tys tány na bázi elektrolytů představuji v některých případech velmi agresivní prostředí, např. vroucí kyselina dusičná; nebo vyžaduji vysokou koncentraci leptadla;* popřípadě eais par a elektrolytu,’ např. bromu v bromidu nebo mothanolu. Z výěe uvedeného vyplývá opět značná experimentální náročnoet při experimentu. ,
Uvedené nevýhody odetraňuje způeob leptáni povrchu· eoučáetí pro přípravu oikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenldu galitáho za použití laaaru, podle vynálezu. Zlého podstata epočivé v tom; že ee leptáni provádí ve vodném prostředí roztoků vzorce XY, kde X je sodík nebo draelik a Y jsou fluoridy; bromidy, chloridy; uhličitany, sírany, dusičnany a hydroxidy nebo jejich eměsl.
Výhody vynálezu epočívají v tom,4 že při laeerem iniciovaném leptání n-areenidu galitého ve vodném proetředi roztoků sodných a draselných' soli- o koncentraci 0,01 až 1,0 mol.l“! jsou tvořeny otvory definovaného tvaru, hladkých stěn i dna o miniaálnía bočnín leptáním. Rychlost leptáni polovodiče v syetému podle vynálezu je přitom dcetačujici pro přípravu mikroetruktur na jeho povrchu. Ve erovnání ee doeavadniml způsoby je způeob podle vynálezu experimentálně nenáročný/ enadno doetupný; provádí se v prostředí nízkých koncentraci vodných roztoků a je zdravotně nezávadný.
Vynález je blíže objaaněn v dalěich příkladech konkrétního provedení.
Přiklad 1
Bylo provedeno leptáni n-arsenldu galitáho v proetředi vodného roztoku NaF o koncentraci 0,1 mol.l*^. Po 1 minutě leptání bylo zjlětěna hloubko vyleptané díry 0,3 ^um; po 2 minutách 0,45 ^um a po 3 minutách O,'65 /Um.
Přiklad 2
Bylo provedeno leptáni n-areenldu gelitého v prostředí vodného roztoku NaBr o koncentraci 1,0 mol.r*^. Po 1 minutě leptáni byla zjlětěna hloubka vyleptané diry C,35 ^ue; po 2 minutách 0,45 yum a po 3 minutách O,'6 ^um.
Příklad 3
Bylo provedeno leptání n-areonidu gelitého v prostředí vodného roztoku NaCl o koncentraci 1,0 ml.l1·. Po 1 minutě leptáni byla zjlětěna hloubka vyleptané díry 0,3 yun, po 2 ainutách 0/6 ^um a po 3 minutách 0,’8 /Um.
CS 270 018 Bl
Přiklad 4
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitáho v prostředí vodného roztoku NaOH o koncentraci 0,01 mol.l“\ Po jedné minutá leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 0.2 yum, po 2 minutách O,'4 yum,! po 3 minutách 0.'5 yum.
Přiklad 5
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku NaOH o koncentraci l;0 mol.l Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané diry 1.6 yum, po 2 minutách 2.0 yum a po 3 minutách 2,4 yum.
Přiklad 6
Bylo provedeno leptání n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku Na2C03 o koncentraci o/5 mol.l“^. Po 1 minutě leptání byla zjiětěna hloubka vyleptané díry 1,2 yum, po 2 minutách 1,‘9 yum a po 3 minutách 2;4 yum.
Přiklad 7
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku HaHO- o kon• ami ** centraci 0;l mol.l · Po 1 minutě leptání byla zjiětěna hloubka vyleptaná díry 0.2 yum, po 2 minutách 0;4 /um a po 3 minutách 0j6 yum.
' Příklad 8
Bylo provedeno leptání n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku Na2S04 o kon' centraci 0^5 mol.l“^. Po 1 minutě leptání byla zjiětěna hloubka vyleptané diry 0,3 yum, po 2 minutách leptání 0;45 ^urn a po 3 minutách leptání Ι,Ό yum.
Přiklad 9
Bylo provedeno leptání n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku KF o koncentraci 0,1 mol.l“^·. Po 1 minutě leptáni byla zjiětěna hloubka vyleptané diry Oj25 yum. po 2 minutách 0;35 yum a po 3 minutách 0,45 yum.
Přiklad 10
Bylo provedeno leptání n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku KBr o koncentraci l;0 mol.l“^. Po 1 minutě leptání byla zjištěna hloubka vyleptané diry 0,2 ^um, po 2 minutách 0;’3 a po 3 minutách O,'4 yum.
Příklad 11 '
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitáho v proetředi vodného roztoku KC1 o koncentraci 1,0 mol.l~^· Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 0,3 yum, po 2 minutách 0,4 yum a po 3 minutách 0,55 yum.
Přiklad 12
Bylo provedeno leptání n-arsenidu galitáho v proetředi vodného roztoku KOH o koncentraci 0,01 mol.l~l. Po 3 minutách leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané diry 0,2 ^um.
Příklad 13
Bylo provedeno leptáni n-arsenidu galitáho v proetředi vodného roztoku KOH o koncentraci l;0 mol.l“l. Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 1,0 yu·, po 2 minutách 1;3 ,um a po 3 minutách 1,5 /Um.
CS 270 018 Bl 3
Přiklad 14
Bylo provedeno leptání n-arsenldu galitého v prostředí vodného roztoku K2C03 o koncentraci 0,5 mol.l”^. Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 0,8 yua, po 3 minutách 1;6 /um·
Příklad 15
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitého v prostředí vodného roztoku KN03 o koncentraci 0,1 mol.l^. Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 0,2 ^um, po 2 minutách 0;35 /um a po 3 minutách O,*4 /U·.
Příklad 16
Bylo provedeno leptáni n-areenidu galitého v prostředí vodných roztoků NaOH e KOH, oba o koncentraci 0;l mol.l^, Po 1 minutě leptáni byla zjištěna hloubka vyleptané díry 0,8 /um, po 2 minutách 1J4 ^um a po 3 minutách 2,O /um.
Přiklad 17
Bylo provedeno leptáni n-areonidu galitého v prostředí vodných roztoků KOH a ka2CO3, oba o koncentraci OJI mol.l^· Po 1 minutě leptání byla zjištěna hloubka vyleptané díry O,'7 /Um,’ po 2 minutách 1;2 /um a po 3 minutách 1,‘6 yum*
Hodnoceni kvality vyleptaných ploch bylo prováděno podle fotografií při leOnésobném zvětšeni.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Způsob leptání povrchu eouěáetí pro připrevu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areonldu galitého za použití laseru; vyznačující se tím, že se leptáni provádí v proetředí vodných roztpků sloučenin vzorce XY, kde X je sodík nebo draslík a Y jsou fluoridy; bromidy;' chloridy; uhličitany; sírany, dusičnany, hydroxidy nebo jejich smšai.
- 2« Způsob podle bodu 1; vyznačujíc! se tím, že vodné roztoky sloučenin vzorce XY mají koncentraci 0;01 až l,*0 mol.l^. «
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88619A CS270018B1 (cs) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88619A CS270018B1 (cs) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS61988A1 CS61988A1 (en) | 1989-10-13 |
| CS270018B1 true CS270018B1 (cs) | 1990-06-13 |
Family
ID=5338619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS88619A CS270018B1 (cs) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS270018B1 (cs) |
-
1988
- 1988-02-01 CS CS88619A patent/CS270018B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS61988A1 (en) | 1989-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cho et al. | Time-and space-resolved studies of the physics and chemistry of liquid water near a biologically relevant interface | |
| Fitch et al. | Particle formation in polymer colloids, III: Prediction of the number of particles by a homogeneous nucleation theory | |
| Heβ et al. | Scanning electrochemical microscopy: Study of silver deposition on non-conducting substrates | |
| US5173393A (en) | Etch-resistant deep ultraviolet resist process having an aromatic treating step after development | |
| SE425372B (sv) | Sett att heparinisera en elektriskt laddad yta pa en medecinsk artikel avsedd att komma i kontakt med blod och medel for utforande av settet | |
| María‐Hormigos et al. | Oscillatory Light‐Emitting Biopolymer Based Janus Microswimmers | |
| CS270018B1 (cs) | Způsob leptáni povrchu eoučáetl pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických etruktur z n-areenidu galitého | |
| Djenizian et al. | Electrochemical fabrication of tin nanowires: a short review | |
| Yasukawa et al. | Site-selective metal patterning/metal-assisted chemical etching on GaAs substrate through colloidal crystal templating | |
| Kendall | Wet Chemical Etching of Silicon and SiO2, and Ten Challenges for | |
| Lapczyna et al. | Rapid prototype fabrication of smooth microreactor channel systems in PMMA by VUV laser ablation at 157 nm for applications in genome analysis and biotechnology | |
| Kikuchi et al. | Fabrication of micropores and grooves on aluminum by laser irradiation and electrochemical technique | |
| Handel et al. | Positronium formation in aqueous micellar solutions of sodium dodecylsulfate | |
| Adhikari et al. | Hydrated electrons in a quaternary microemulsion system: A pulse radiolysis study | |
| Sonders et al. | Wettability, a Function of the Polarizability of the Surface Ions | |
| George et al. | Liesegang patterns: Estimation of diffusion coefficient and a plausible justification for colloid explanation | |
| Rodriguez et al. | Measurement of convection velocities in mosaic patterns | |
| KR930020593A (ko) | 고체 표면 가공방법 | |
| JP4111638B2 (ja) | 金コロイド粒子とその調製方法並びに金イオンの選択的捕捉方法 | |
| CN1274582C (zh) | 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置 | |
| US4378273A (en) | Process for producing chemical pump absorbents for chemical lasers | |
| CN110152580A (zh) | 一种在离子液体中用激光控制液态金属运动的方法 | |
| Kurniawan et al. | New Concept for the Study of the Fluid Dynamics of Lithium Extraction Using Calix [4] arene Derivatives in T-Type Microreactor Systems. Separations 2021, 8, 70 | |
| Li | Bubble nucleation and dynamics: surface micro/nanobubbles and plasmonic microbubbles | |
| Kaledin | Laser-Induced Fluorescence in a Quest to Detect Quantum Size Flumps in Counterion-Mediated Long-Range Attraction of Colloids by Surfaces with Surface Potential Ψ0 Greater than 70 mV |