CS269171B1 - Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa - Google Patents

Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa Download PDF

Info

Publication number
CS269171B1
CS269171B1 CS882676A CS267688A CS269171B1 CS 269171 B1 CS269171 B1 CS 269171B1 CS 882676 A CS882676 A CS 882676A CS 267688 A CS267688 A CS 267688A CS 269171 B1 CS269171 B1 CS 269171B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crystal
single crystal
diameter
reaching
single crystals
Prior art date
Application number
CS882676A
Other languages
English (en)
Other versions
CS267688A1 (en
Inventor
Bohumil Ing Csc Perner
Jiri Ing Drsc Kvapil
Josef Ing Csc Kvapil
Jiri Horak
Original Assignee
Perner Bohumil
Kvapil Jiri
Kvapil Josef
Jiri Horak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Perner Bohumil, Kvapil Jiri, Kvapil Josef, Jiri Horak filed Critical Perner Bohumil
Priority to CS882676A priority Critical patent/CS269171B1/cs
Publication of CS267688A1 publication Critical patent/CS267688A1/cs
Publication of CS269171B1 publication Critical patent/CS269171B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálů se sníženým obsahem optických a strukturních defektů tažením 2 tavenlny, zejména monokrystalů granátu a perovskitu, vhodných pro laserové výbrusy za pomoci automatického programovatelného zařízení pro kontrolu přírůstku hmotnosti krystalu tak, že objemové přírůstky monokrystalu dV, za čas ďT, během rozšiřování monokrystalů od zárodku do 70 až Ι00Χ největšího průměru se udržují podle vztahu: dV 1= 2 ll t 2| _3__ 2 sin ri (1) a po dosažení konečného průměru D jsou udržovány podle lineárního vztahu: dV2= ?ÍD2-vt df^ A sin kde dVj a dV^ jsou je čas v intervalu dosažení konečného úhel je vrcholový rozhraní krystal/ta až 180°; A je vrch ho rozšiřování mono až 90°, v Je nasta T- je čas v lnterv néno průměru krysta V. (2) objemové přírůstky;Vj od počátku tažení po průměru krystalu D; úhel kužele fázovéhg venlna v rozmezí 50° olový úhel kuželovitékrystalu v rozmezí 5 vená rychlost tažení; alu od dosažení konečlu 0 po ukončení růstu.

Description

Vynález se týká způsobu řízeného pěstování monokrystalů oxidových materiálů se sníženým obsahem strukturních a optických defektů tažením z taveniny, zejména monokrystalů granátu a perovskltu.
Pěstování monokrystalů uvedených typů oxidových materiálů tažením z jejich taveniny je průmyslově nejvíce užívanou metodou. Růst probíhá tak, že zárodek monokrystalu daného materiálu ve formě orientované tyčinky, rotující okolo své vertikální osy se nasadí při rovnovážné teplotě do taveniny a potom se vhodnou rychlostí táhne vzhůru. Přitom se snižuje teplota taveniny, takže dochází k postupnému rozšiřování monokrystalu až na konečný průměr, který je požadován a který se potom zachovává, - aby monokrystal měl tvar co nejvíce válcovitý. Spojení zárodku s monokrystalem a rychlost rozšiřování monokrystalu na konečný průměr, která může být definována vrcholovým úhlem kužele beta, mají velmi významný, vliv na jakost vypěstovaného monokrystalu. V místě spojení zárodku s monokrystalem vzniknou většinou strukturní defekty, které je třeba ve fázi rozšiřování monokrystalu eliminovat, aby nezasáhly do jeho válcové části. To se uskuteční postupným vykliňováním defektů kolmo na kuželovité fázové rozhraní, které se u většiny monokrystalů, zejména těch , které jsou propustné pro záření, vytvoří při, respektive po nasazení zárodku, v důsledku odvodu tepla zárodkem a později vytaženým monokrystalem. Tvar kuželovitého fázového rozhraní charakterizuje vrcholový úhel kužele alfa-, který závisí v zásadě na optických vlastnostech taveniny a monokrystalu, teplotě tavení, teplotních gradientech v tavenině a monokrystalu a rotační rychlosti monokrystalu. Za vhodných podmínek, zejména při vyšších rotačních rychlostech, dochází zpravidla po rozšíření monokrystalu na požadovaný průměr, respektive již při rozšíření na průměr požadovanému průměru válcové části blízký, k zvratu kuželovitého fázového rozhraní ha ploché, což je často spojeno s nekontrolovatelným vertikálním zrychlením růstu a vznikem strukturnich a optických defektů, které zhoršují jakost monokrystalu. Za jiných podmínek, zejména při nízkých rotačních rychlostech k zvratu nedochází a monokrystal zachovává po celou dobu, 1 ve válcové části, kuželovitě vypuklé fázové rozhraní. Úhel < se během růstu mění vlivem změn: odvodu tepla, teplotních gradientů a .proudění taveniny v důsledku růstu monokrystalu. » ' · · .
Z uvedeného vyplývá, že při růstu krystalů uvažovaných typů je objemová rychlost růstu zejména v nejchoulostivější počáteční fázi nestabilní, což vede ke vzniku a zachování strukturních defektů. Při manuální kontrole procesu lze jen při velké zkušenosti pracovníků zajistit růst kvalitních krystalů, protože změny fázového rozhraní pod hladinou taveniny nelze detekovat okem.
Eliminace strukturních defektů, vzniklých v oblasti spojení zárodku s krystale· a zamezení generace dalších defektů v případě změny tvaru fázového rozhraní z kuželovitého na ploché se zajistí Způsobem řízeného pěstování tažením z taveniny, jehož podstata spočívá v tom, že objemové přírůstky monokrystalu dV^ za čas dť^ během rozšiřování monokrystalu od zárodku do 70 až 100% největšího průměru 0 jsou udržovány podle vztahu áíi n . . t,2 ;
dt.ž ' £ • ^2 (2) a po dosažení konečného průměru 0 jsou přírůstky udržovány podle lineárního vztahu —2 = 7 . D2 . vt d^2 4 . sin í
- 2 - CS 269 171 Bl kde dV1 a dV'2 jsou objemové přírůstky, je čas v Intervalu od počátku tažení po dosažení 0 = D, úhel4je vrcholový úhel kužele fázového rozhraní krystal/tavenina a je v rozmezí 50° až 180°. 6 je vrcholový úhel kuželovitého rozšiřování monokrystalu a je v rozmezí 5° až 90°.
vt je rychlost tažení,^ je čas v intervalu od dosažení é = D po ukončení růstu a D je konečný průměr monokrystalu.
Protože růst krystalu probíhá z části pod hladinou taveniny a nelze jej tedy dokonale kontrolovat opticky at už manuálně nebo zobrazením rostoucího krystalu, například promítáním pomocí objektivu nebo televizní kamerou, provádí se automatické řízení růstu krystalu podle, uvedených vztahů tak, že se krystal pěstuje na zařízení, umožňujícím kontrolu přírůstku hmotnosti krystalu během růstu, jaké je ku příkladu popsáno v čs. autorském osvědčení č. 248 696, do jehož programu se zadají parametry, zvolené podle druhu pěstovaného materiálu, a to: rychlost růstu (v^), doba rozšiřování od zárodku na průměr váloové části (^) a úhel Λ , který se obvykle zahrne do celkové konstanty ve vztazích:
(1): ---sin 4 . (2): .....-V............
. 4 . sin —
Úhelβ ve vztahu (1) je určen zadáním Vt aT*. Dále je zadána měrná hmotnost daného materiálu $, která převádí hodnotu změny hmotnosti, zjišťovanou výše uvedeným zařízením na kontrolovanou změnu objemovou.
.. ·.. ....Uvedené zařízení udržuje sledovaný parametr objemové změny v toleranci 4 5%, což postačuje' pro růst krystalů s nízkým obsahem strukturních poruch.
Příklad 1 z molybdenového kelímku, umístěného, v peci s wolframovým odporovým topným systémem byl v ochranné atmosféře, sestávající z argonu a vodíku pěstován z taveniny Y3A1^0j2 obsahující 4 hmot.% NdgO^ a 0,01 hmot.* Ce^Oj na zárodku 6 x 6 x 50 mm, orientovaném ve směru £111] monokrystal yttritohlinitého granátu, aktivovaného neody- mém, určený pro přípravu laserových tyčí. Zárodek rotoval rychlostí 30 ot/min a byl tažen rychlostí 1,5 mm/h pomocí tažičky, vybavené automatickou regulací rychlosti růstu monokrystalu na principu kontroly změn hmotnosti taženého monokrystalu (přírůstky hmotnosti odpovídají přírůstkům: objemovým, násobeným měrnou hmotností daného monokrystalu). Vlivem vlastnosti taveniny a monokrystalu a teplotních gradientů v pěstovací oblasti monokrystalu, formulovalo se fázové rozhraní krystal/tavenina jako kuželovité vypouklé směrem do taveniny s vrcholovým úhlem kužele £ = 85°. Na regulátoru růstu byla zvolena lineární rychlost tažení vfc = 1,5 mm/h, měrná hmotnost= 4,16 g/cm\ doba rozšíření^ = 20 na žádaný průměr válcové části D = 35 mm, což odpovídá maximálnímu úhlu rozšíření/):: 60°. V důsledku zvyšujícího se odvodu tepla rostoucím monokrystalem a zárodkem, které se vysunovaly do chladnější zóny, docházelo postupně k narůstání monokrystalu směrem do taveniny, takže skutečná rychlost růst v^ překračovala zejména v prvních 10 hodinách rychlost tažení, ale regulátor objemové rychlosti udržoval tuto hodnotu odpovídající vztahu (1). Tím současně upravoval okamžitou hodnotu úhlu/J na 20° až 30°. V oblasti dosaženého průměru D = 18 až 30 mm poklesla rychlost růstu na rychlost odpovídající v. nastavené, takže regulátor upravil hod_ v notu úhlu/)na 50 až 40 . Po dosažení průměru 30 mm, v tomto případě kritického, došlo postupně ke zvratu kuželovitého na ploché fázové rozhraní, tj úhel£se změnil z 85° na 180°, především dorůstáním vnější oblasti monokrystalu směrem do taveniny, okamžitá rychlost růstu opět stoupla, což se projevilo téměř zastavením růstu průměru na dobu 4 hod., tj že úhel/^se v této fázi snížil na hodnotu 5 až 10°. Po vytvoření plochého fázového rozhraní dorostl monokrystal na konečný průměr D = 35 mm pod úhledm β = 50 až 55°.
CS 269 171 81
Celková skutečná doba rozšíření byla 36 hod. Protože objemová rychlost růstu nikdy nepřekročila hodnoty, určené ve vztahu (1), byla rozšiřující se část monokrystalu prakticky bez šedosti a jiných optických defektů a ani v oblasti změny kuželovitého fázového rozhraní na ploché nedošlo ke vzniku strukturních poruch, takže i další válcová část monokrystalu byla bez optických a strukturních defektů a byla použitelná pro přípravy laserových výbrusů. Růst krystalu ve válcové části probíhal podle vztahu (Z).
Příklad 2
Z wolframového kelímku, umístěného v peci s wolframovým odporovým topným systémem byl v ochranné atmosféře, tvořené argonem a vodíkem pěstován z taveniny YALO^, obsahující 1,25 hmot.* Md^Oj a 0,07 hmot.* Cr^O^ monokrystal yttrltého perovskltu aktivovaného neodymem a chromém pro laserové tyče. Rychlost tažení byla 4 mm/h., rotace 10 ot/min. Fázové rozhraní krystal/tavenlna dané růstovými podmínkami se formovalo jako kuželovité vypuklé směrem do taveniny s vrcholovým úhlem kuželeZ = 62°. Na regulátoru rychlosti růstu byla zvolena rychlost tažení v^ = 4,0 mm/h, doba rozšíření 8 h na žádaný průměr válcové části 0 a 36 mm. To odpovídalo úhlu rozšíření 0 = 62°. V důsledku vysoké optické propustnosti, tohoto materiálu, rostl během tažení značně odvod tepla monokrystalem a zárodkem a úměrně k tomu 1 zarůstání monokrystalu pod hladinu taveniny, takže skutečná růstová rychlost překračovala zejména v prvých 6 hodinách nastavenou hodnotu, ale regulátor objemové růstové rychlosti ji urdržoval na hodnotách, odpovídajících vztahu (1). Tím současně upravoval okamžitý úhelna hodnoty 10 až 25°. Růstová rychlost dosáhla maxima při průměru monokrystalu 21 mm, potom plynule klesala až db průměru monokrystalu 36 mm, kdy se ustálila na nastavené hodnotě 4 mm/h, což se projevilo postupným růstem úhlu β až do hodnoty 50°. Po dosažení konečné hodnoty průměru D 36 mm byl tažen monokrystal válcového tvaru o délce 120 mm a jeho růst řízen podle vztahu (1). V dolní části se monokrystal mírně zplošťoval vlivem růstové anizotrople, ale plocha jeho průřezu zůstávala konstantní. Tvar fázového rozhraní zůstal vlivem nízkých otáček zachován po celou dobu pěstování. .
Získaný monokrystal měl opticky čistou jak rozšřiřující se, tak i válcovou část a nevyskytly se v něm ani pro tento druh materiálu typické časté defekty dvojčatění. Pouze v ose monokrystalu byla patrná zóna 3x6 mm, sledující středové fasety. Ostatní části monokrystalu byly využity pro zhotovení laserových výbrusů.

Claims (3)

  1. PŘEDMĚT VYNALEZU
    Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálů se sníženým obsahem strukturních a optických defektů, taženým z taveniny, vyznačující se tím,' že objemové přírůstky monokrystalu dV^ za čas během rozšiřování monokrystalu od zárodku do 70 až 100 X největšího průměru se udržují podle vztahu
  2. 2? . v 3 . t 2 A 1 9 2 £ sin ·=— (1) a po dosažení konečného průměru D jsou udržovány podle lineárního vztahu:
    dV2 = ť, D2 . v
  3. 4 sin (2) kde dVj a dV2 jsou objemové přírůstky: je čas v intervalu od počátku tažení po dosažení konečného průměru krystalu D; úhel Λ je vrcholový úhel kužele fázového rozhraní krystal/tavenlna, v rozmezí 50° až 100°
CS882676A 1988-04-20 1988-04-20 Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa CS269171B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS882676A CS269171B1 (cs) 1988-04-20 1988-04-20 Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS882676A CS269171B1 (cs) 1988-04-20 1988-04-20 Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS267688A1 CS267688A1 (en) 1989-09-12
CS269171B1 true CS269171B1 (cs) 1990-04-11

Family

ID=5364544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS882676A CS269171B1 (cs) 1988-04-20 1988-04-20 Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS269171B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS267688A1 (en) 1989-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0286133B1 (en) Monocrystal rod and method of pulling same from a melt and apparatus therefor
US3650703A (en) Method and apparatus for growing inorganic filaments, ribbon from the melt
EP0141495B1 (en) A method for pulling a single crystal
US5951758A (en) Method and apparatus for the growth of a single crystal
US2634554A (en) Synthetic gem production
US5114528A (en) Edge-defined contact heater apparatus and method for floating zone crystal growth
US4944925A (en) Apparatus for producing single crystals
US5173270A (en) Monocrystal rod pulled from a melt
US4551196A (en) Method of growing crystalline cadmium mercury telluride and crystalline cadmium mercury telluride grown by the method
CS269171B1 (cs) Způsob pěstování monokrystalů oxidových materiálu se sníženým obsa
US2962838A (en) Method for making synthetic unicrystalline bodies
US4110080A (en) Reactive atmospheric processing crystal growth apparatus
JPH0543379A (ja) シリコン単結晶の製造方法
US5196086A (en) Monocrystal rod pulled from a melt
US20030154906A1 (en) Process for producing a highly doped silicon single crystal
Otani et al. Preparation of LaB6 single crystals by the floating zone method
Khattak et al. Recent developments in sapphire growth by heat exchanger method (HEM)
US4613495A (en) Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride
US5458083A (en) Growth method for a rod form of single oxide crystal
Lan et al. Floating-zone crystal growth with a heated and immersed shaper-experiments
US3892540A (en) Producing monocrystalline bodies by the verneuil method
KR950001794B1 (ko) 루틸(Rutile) 단결정의 제조방법
WO1986000653A1 (en) Shaped crustal fiber growth apparatus and method
Finch et al. Edge-defined, film-fed growth of Mn2SiO4-MnO eutectic composites: effect of die-top geometry on solidification interface shape
CS264935B1 (cs) Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou