CS261983B1 - Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev - Google Patents

Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev Download PDF

Info

Publication number
CS261983B1
CS261983B1 CS87329A CS32987A CS261983B1 CS 261983 B1 CS261983 B1 CS 261983B1 CS 87329 A CS87329 A CS 87329A CS 32987 A CS32987 A CS 32987A CS 261983 B1 CS261983 B1 CS 261983B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
tunnel
spectrum
test atmosphere
separation layer
transition
Prior art date
Application number
CS87329A
Other languages
English (en)
Other versions
CS32987A1 (en
Inventor
Pavel Ing Csc Mach
Original Assignee
Mach Pavel
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mach Pavel filed Critical Mach Pavel
Priority to CS87329A priority Critical patent/CS261983B1/cs
Publication of CS32987A1 publication Critical patent/CS32987A1/cs
Publication of CS261983B1 publication Critical patent/CS261983B1/cs

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

Jedná se o velmi citlivou metodu hodnocení kvality separačních vrstev. Nejprve se vytvoří tunelový přechod hliník-kysličník hlinitý-olovo a změří se jeho tunelové spektrum. Potom se tunelový přechod pokryje separační vrstvou a je exponován ve zkušební atmosféře po dobu minimálně desítek hodin. Opět se změří jeho tunelové spektrum. Porovnáním polohy a intenzity případných nově vzniklých spektrálních pásů se známými polohami spektrálních pásů molekulových vazeb užité separační vrstvy a zkušební atmosféry podle atlasu spekter se určí, zda se v tunelovém přechodu objevily nadifundované molekuly ze zkušební atmosféry a/nebo ze separační vrstvy. Na základě tohoto porovnání se usuzuje na vhodnost použití separační vrstvy v dané zkušební atmosféře.

Description

Vynález se týká způsobu hodnocení propustnosti separačních vrstev při zjišťování jejich kvality v příslušné vnější atmosféře.
V řadě aplikací při výrobě elektronických součástek a ochraně jejich povrchů před vlivem vnější -atmosféry je využíváno separačních vrstev. Tyto vrstvy mají -bránit difúzi molekul vody a jiných látek do chráněného povrchu, protože v některých případech mohou tyto molekuly, které se například -chemicky naváží, podstatně změnit vlastnosti součástky. Separaění vrstvy musí být tedy nepropustné pro molekuly látek nacházejících se v atmosféře a přitom nesmí uvolňovat látky, které by mohly případně difundovat do chráněného povrchu nebo s ním chemicky reagovat a tím ovlivňovat jeho vlastnosti.
Hodnocení separačních vrstev se dosud provádí v-e spojení s povrchem, který má být chráněn tak, že součástka, jejíž povrch má být chráněn, je pokryta separační vrstvou a je sledována změna volené vlastnosti této součástky v- závislosti na čase při její expozici v dané atmosféře. Protože však k měřitelné změně ve vlastnosti součástky může dojít až po delší době, je tento způsob hodnocení zdlouhavý a nemusí být vždy přesný.
Uvedenou nevýhodu odstraňuje způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev podle vynálezu. Jeho podstatou je, že se vytvoří tunelový přechod hliník—kysličník hlinitý—olovo. Změří se tunelové spektrum tohoto tunelového přechodu, což je spektrum při neel-astickém tunelování elektronu bariérou. Potom se tunelový přechod převrství separační vrstvou a exponuje se ve zkušební atmosféře, to je v atmosféře, v níž bude separtční vrstva použita, po dobu minimálně desítek hodin. Potom se opět změří tunelové spektrum tunelového přechodu. Obě tunelová spektra se porovnají. Pokud vznikly nové spektrální pásy, porovná se jejich poloha a intenzita se známými polohami spektrálních pásů molekulových vazeb separační vrstvy a zkušební atmosféry a v- tunelovém přechodu se určí výskyt na-difundovainých molekul ze zkušební atmosféry -a/nebo ze separační vrstvy.
Výhotdou tohoto způsobu je, že umožňuje velice citlivé hodnocení kvality separačních vrstev, -neboť citlivost tunelové spektroskopie je velmi vysoká. K tomu, aby se v tunelovém spektru objevil nový spektrální pás stačí, aby se do tunelového přechodu dostalo velmi malé množství nových molekul, a to podstatně méně, než je -například třeba k vytvoření monomolekulární vrštvy.
Na přiloženém výkrese je uveden na obrázku 1 příklad vytvoření tunelového přechodu pro způsob hodnocení propustnosti spektrálních vrstev, na obr. 2 je tunelové spektrum čistého tunelového přechodu a na obr. 3 je spektrum tunelového přechodu pokrytého testovanou separační vrstvou.
Tunelový přechod ve struktuře kov—izolant—-kov má napařenou spodní elektrodu 1 z hliníku, na ní je vytvořena plasmaticky vrstva 2 izolantu, tvořeného kysličníkem hlinitým. Napříč je pak napařena vrchní elektroda 3 z olova. Podložkou 4 je zde sklo. Tento tunelový přechod má tu vlastnost, že umožňuje tzv. externí dopování přechodu. Bude-li skladován takovýto tunelový přechod v normální atmosféře, dojde k difúzi molekul vody -do- přechodu a v- tunelovém spektru se o-bjeví spektrální pás volných OH skupin v izolantu, případně vzroste intenzita pásu volných OH skupin. Stejně mohou do tunelového přechodu difundovat i molekuly řady organických látek ze separaění vrstvy 5, kterou se celý přechod pokryje. Příslušné spektrální pásy se pak opět objeví v- tunelovém spektru.
Způsobem podle vynálezu je kvalit-a separaěních vrstev hodnocena tak, že se nejprve změří tunelové spektrum čistého tunelového přechodu, tedy bez separační vrstvy.
V tunelovém, spektru se objevují pouze spektrální pásy charakterizující spektrum pozadí čistého tunelového přechodu a spektrum OH skupin. Pak se celý přechod pokryje separační vrstvou 5 a je exponován v příslušné atmosféře, tedy v atmosféře, ve kteiré má být separační vrstva 5 použita.
V tomto konkrétním případě byla použita atmosféra s 99 % vody a separační vrstvou 5 byl ochranný alky-lový lak. Doba expozice byla 100 hodi-n. Doba expozice je závislá na použité separační vrstvě a na prostředí, ve kterém je exponováno. V případě, že došlo k difúzi molekul některých látek do tunelového přechodu, ať již z atmosféry nebo ze separační vrstvy 3, objeví se v no-vě naměřeném tunelovém spektru nové .spektrální pásy, příslušné vazbám mezi molekulami a elektrodami nebo izolantem.
Z polohy a intenzity nově vzniklých spektrálních pásů, porovnáním s molekulovými vazbami atmosféry a použité separační vrstvy podle atlasu spekter, lze usuzovat na množství nových vazeb a rozlišit ty, které vznikly v důsledku kontaktu separační vrstvy 5 s tunelovým přechodem a které se objevily jako následek difúze molekul z atmosféry, v, iníž byl tunelový přecho-d exponován.
V tomto konkrétním případě zůstal spektrální pás OH-skupin nezměněn, z čehož plyne, že nodo-šlo k difúzi molekul vody z atmosféry. Avšak v tunelovém spektru tunelového přechodu pokrytého ochranných alskylovým lakem se objevily spektrální pásy odpovídající difúzi molekul ředidla tohoto ochranného alkylového laku.
Protože citlivost tunelové spektroskopie je velmi vysoká, neboť k objevení se nových spektrálních pásů stačí malé množství nových molekul, umožňuje tato metoda citlivé hodnocení kvality separačních vrstev.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT
    Způsob hodnocení propustnosti separaěních vrstev, vyznačující se tím, že se vytvoří tunelový přechod hliník—kysličník hlinitý—olovo, změří se jeho tunelové spektrum, načež se tunelový přechod pokryje separaění vrstvou a je exponován ve zkušební atmosféře po dobu minimálně desítek hodin, potom se opět změří jeho tunelové
    VYNALEZU spektrum a porovnáním polohy a intenzity nově vzniklých spektrálních pásů se známými polohami spektrálních pásů molekulových vazeb separaění vrstvy a zkušební atmosféry se v tunelovém přechodu určí výskyt nadifundovaných molekul ze zkušební atmosféry a/nebo ze separaění vrstvy.
CS87329A 1987-01-19 1987-01-19 Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev CS261983B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS87329A CS261983B1 (cs) 1987-01-19 1987-01-19 Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS87329A CS261983B1 (cs) 1987-01-19 1987-01-19 Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS32987A1 CS32987A1 (en) 1988-07-15
CS261983B1 true CS261983B1 (cs) 1989-02-10

Family

ID=5335213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS87329A CS261983B1 (cs) 1987-01-19 1987-01-19 Způsob hodnocení propustnosti separačních vrstev

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS261983B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS32987A1 (en) 1988-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Béchu et al. Photoemission spectroscopy characterization of halide perovskites
Harwell et al. Probing the energy levels of perovskite solar cells via Kelvin probe and UV ambient pressure photoemission spectroscopy
Reichert et al. Ionic-defect distribution revealed by improved evaluation of deep-level transient spectroscopy on perovskite solar cells
Burlingame et al. Photochemical origins of burn-in degradation in small molecular weight organic photovoltaic cells
Karki et al. Unifying energetic disorder from charge transport and band bending in organic semiconductors
CA2211135C (en) Volatile organic compound sensors
Kot et al. Room‐Temperature Atomic‐Layer‐Deposited Al2O3 Improves the Efficiency of Perovskite Solar Cells over Time
Precht et al. Investigation of sodium insertion into tetracyanoquinodimethane (TCNQ): results for a TCNQ thin film obtained by a surface science approach
CN101932928B (zh) 集成的相对湿度传感器的电容平衡的改进结构
Mark Photo-induced chemisorption on insulating CdS crystals
Stewart et al. Molecular understanding of a π-conjugated polymer/solid-state ionic liquid complex as a highly sensitive and selective gas sensor
Rikken et al. Schottky effect at a metal-polymer interface
DE1805624A1 (de) Elektronischer Geruchsanzeiger
Gorenflot et al. From recombination dynamics to device performance: quantifying the efficiency of exciton dissociation, charge separation, and extraction in bulk heterojunction solar cells with fluorine‐substituted polymer donors
Schroeder et al. Orbital alignment at p-sexiphenyl and coronene/layered materials interfaces measured with photoemission spectroscopy
JP2015537353A (ja) 電気デバイス、特に有機発光デバイス
Pickett et al. Accelerated weathering parameters for some aromatic engineering thermoplastics
Baghernejad et al. Quantum Interference Enhanced Chemical Responsivity in Single‐Molecule Dithienoborepin Junctions
Lantz et al. Ion transport in encapsulants used in microcircuit packaging
Gautam et al. Increased exciton delocalization of polymer upon blending with fullerene
CN104777085B (zh) 一种封装材料的气体透过率多方法测量校正系统
Solterbeck et al. Energetic and spatial bonding properties from angular distributions of ultraviolet photoelectrons: application to the GaAs (110) surface
Andreasen et al. TOF-SIMS investigation of degradation pathways occurring in a variety of organic photovoltaic devices–the ISOS-3 inter-laboratory collaboration
Benson et al. Metal electromigration induced by solder flux residue in hybrid microcircuits
Treglia et al. Understanding the Surface Chemistry of Tin Halide Perovskites