CS259709B1 - Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier - Google Patents
Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier Download PDFInfo
- Publication number
- CS259709B1 CS259709B1 CS854662A CS466285A CS259709B1 CS 259709 B1 CS259709 B1 CS 259709B1 CS 854662 A CS854662 A CS 854662A CS 466285 A CS466285 A CS 466285A CS 259709 B1 CS259709 B1 CS 259709B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cryogenic
- input
- input element
- preamplifier
- discrete functional
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Nízkošumový nábojově citlivý předzesilovač zpracovává signály z polovodičových detektorů určených pro spektrometrická měření záření X. Konstrukční řešení musí respektovat nejen požadavky elektronické, ale i kryogenické. Uspořádání vstupního prvku předzesilovače ovlivňuje výsledné konstrukční řešení kryogenního stupně a rozhoduje o funkčních vlastnostech celého spektrometrického stupně. Vstupní prvek předzesilovače tvoří alespoň jedna podložní izolační destička, na které je vytvořen vodivý obrazec pro připojení vývodů čipu tranzistoru, topného prvku a kapacitní zpětné vazby. Může sloužit také k připojení optoelektronického prvku a čidla pro měření teploty. Soustava podložních izolačních destiček je pevně připojena k přívodu chladu kryotechnických prostředků. Toto uspořádání vstupního prvku umožňuje lepší využití omezeného prostoru kryogenních prostředků k umístění funkčních částí. Navržené řešení znamená snížení šumu předzesilovače a tím l zvýšení energetické rozlišovací schopnosti celé detekční jednotky.Low-noise charge sensitive preamplifier processes signals from semiconductor detectors designed for spectrometric X Radiation Measurement not only respect electronic requirements, but also cryogenic. Input layout element preamplifier affects the resulting cryogenic design a decides on the functional properties of the whole spectrometric grade. Input element preamplifiers form at least one backing an insulating plate on which conductive is formed pattern for connecting chip terminals transistor, heating element and capacitive reverse ties. It can also be used for optoelectronic connection element and sensor for measurement temperature. Underlying Insulation Plates it is firmly attached to the cold inlet cryotechnical means. This arrangement input element allows better use limited space of cryogenic means to place functional parts. Proposed solution means reducing preamp noise and thus l increase energy distinctiveness the capabilities of the entire detection unit.
Description
Vynález se týká uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače s regulovaným chlazením.The invention relates to an arrangement of an input element of a cryogenic low noise charge sensitive preamplifier with controlled cooling.
Typické obvodové řešení vstupního prvku — obvodu předzesilovače s regulovaným chlazením, obsahuje polovodičový detektor, vazební člen, vstupní diskrétní prvek, kryotechnické prostředky zajišťující chlazení polovodičového detektoru a vstupního diskrétního prvku, topný prvek a další nechlazenou část nízkošumového předzesilovače. Je známa celá řada realizací konstrukčních variant vstupního aktivního prvku a souvisejících součástí zajišťujících jeho regulované chlazení.A typical circuit design of an input element - a controlled cooling preamplifier circuit, comprises a semiconductor detector, coupler, input discrete element, cryotechnical means for cooling the semiconductor detector and input discrete element, a heating element and other uncooled part of a low noise preamplifier. A number of realizations of design variants of the input active element and related components providing its controlled cooling are known.
Typické uspořádání tvoří tranzistor umístěný na izolačním držáku, který je přichycen na tenkostěnné kovové trubce, na které je umístěn topný prvek. Ke druhému konci tenkostěnné kovové trubky je přiveden přívod chladu.A typical arrangement is a transistor placed on an insulating bracket that is attached to a thin-walled metal tube on which the heating element is placed. A cold supply is provided to the other end of the thin-walled metal tube.
Uvedené řešení má vedle své robustnosti ještě celou řadu nevýhod. Objevují se zde problémy materiálové, protože taková konstrukce vyžaduje použití kvalitních tepelně vodivých izolačních materiálů a vhodných tmelů odolných proti nízkým teplotám pro spojování jednotlivých dílů. Konstrukční uspořádání vykazuje velké rozptylové kapacity, nedostatečnou mechanickou stabilitu a podobně.In addition to its robustness, this solution has a number of disadvantages. Material problems arise because such construction requires the use of high-quality thermally conductive insulating materials and suitable low-temperature sealants for joining individual parts. The design has large scattering capacities, insufficient mechanical stability and the like.
Nepříznivě se projevuje také obtížná montáž choulostivého polovodičového prvku, vazebních členů a jejich vývodů. Robustnost tohoto řešení se projeví jako nevýhoda při požadavku na miniaturizaci celkového provedení předzesilovače. Elektrický příkon topného prvku je relativně vysoký a nepříznivě ovlivňuje spotřebu chladicího média. ' Tyto nedostatky odstraňuje vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu, jehož podstatou je, že je tvořen alespoň jednou podložní izolační destičkou zhotovenou z korundové keramiky, na jejímž povrchu je vytvořen vodivý obrazec pro připojení vývodů diskrétních funkčních prvků, přitom podložní izolační destička je pevně připojena k přívodu chladu kryotechnických prostředků. Diskrétní funkční prvky tvoří čip tranzistoru, topný prvek, tvořený buď odporovým, nebo polovodičovým elementem, kondenzátor zpětné vazby, případně optoelektronický prvek nebo i čidlo pro měření teploty.Difficult assembly of the delicate semiconductor element, couplers and their terminals is also unfavorable. The robustness of this solution proves to be a disadvantage in the requirement for miniaturization of the overall preamplifier design. The electrical input of the heating element is relatively high and adversely affects the consumption of the coolant. These drawbacks are eliminated by the input element of the cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier according to the invention, which consists of at least one corundum ceramic backing plate on which a conductive pattern is formed on the surface for connecting discrete functional element outlets. firmly connected to the cold inlet of cryotechnics. Discrete functional elements consist of a transistor chip, a heating element consisting of either a resistive or semiconductor element, a feedback capacitor, or an optoelectronic element or even a temperature sensor.
Uspořádání vstupního prvku podle vynálezu umožňuje lépe využít omezený prostor kryogenních prostředků k umístění všech funkčních částí. Minimalizací konstrukčního uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače lze docílit zvýšení mechanické stability, snížení mikrofónie, rozptylových kapacit a tepelného příkonu nutného k regulaci teploty tranzistoru. Montáž se zjednodušuje a parametry konstrukce jsou lépe definovány. Zlepší se také kryotechnické podmínky tím, že se urychlí stabilizace teploty vstupního prvku i detektoru a sníží se odpor chladivá. Použití vstupního prvku podle vynálezu ve vstupním obvodu vede ke snížení šumu předzesilovače a tím ke zvýšení rozlišovací schopnosti detekční jednotky, která je určujícím parametrem celého detekčního zařízení.The configuration of the input element according to the invention makes it possible to better use the limited space of cryogenic means to accommodate all functional parts. By minimizing the design of the input element of the cryogenic low noise charge sensitive preamplifier, mechanical stability can be increased, the microphones, scattering capacities and thermal input required to control the transistor temperature can be reduced. Assembly is simplified and construction parameters are better defined. Cryotechnical conditions will also be improved by accelerating the stabilization of the temperature of the input element and the detector and reducing the refrigerant resistance. The use of an input element according to the invention in an input circuit results in a reduction of the preamplifier noise and thus an increase in the resolution of the detection unit, which is a determining parameter of the entire detection device.
Konkrétní uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu je uvedeno na přiloženém výkrese. Na podložní destičce '1 je vytvořen vodivý obraz 2, který slouží k připojení vývodů diskrétních funkčních prvků 3, 4 a 5, případně také 6 a 7, přitom podložní izolační destička 1 je pevně připojena k přívodu chladu 8 kryotechnických prostředků. Diskrétní funkční prvky 3 avoří čip tranzistoru, 4 topný prvek a 5 kondenzátor zpětné vazby. Funkční prvek 6 tvoří optoelektronický prvek a prvek 7 je čidlo pro měření teploty.A particular arrangement of the input element of the cryogenic low noise charge sensitive preamplifier according to the invention is shown in the attached drawing. A conductive image 2 is formed on the substrate plate 1, which serves to connect the terminals of the discrete functional elements 3, 4 and 5, possibly also 6 and 7, the substrate insulation plate 1 being firmly connected to the cold supply 8 of the cryotechnical means. Discrete functional elements 3 form a transistor chip, 4 a heating element and 5 a feedback capacitor. The functional element 6 is an optoelectronic element and the element 7 is a temperature measuring sensor.
Vstupní prvek podle vynálezu byl využit jako součást vstupního obvodu nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače, který je určen ke zpracování signálu z polovodičového detektoru při spektrometrii záření X na rastrovacím elektronovém mikroskopu.The input element according to the invention has been used as part of the input circuit of a low noise charge sensitive preamplifier, which is designed to process a signal from a semiconductor detector in X-ray spectrometry on a scanning electron microscope.
Konstrukční uspořádání podle vynálezu bylo odzkoušeno na konkrétním provedení, kdy podložní izolační destička 1 byla zhotovena z korundové keramiky a na ni byl známou technikou hybridních obvodů vytvořen vodivý obraz 2. Jako prvku 3 bylo použito čipu tranzistoru JFET, kapacitní zpětná vazba pomocí prvku 5 byla realizována vodičem paralelním s vývodem čipu tranzistoru 3 a topný prvek 4 byl vytvořen odporovou vrstvou. Ve funkci čidla teploty 7 byla použita polovodičová dioda.The construction according to the invention has been tested in a particular embodiment in which the backing plate 1 was made of corundum ceramic and a conductive image 2 was produced by a known hybrid circuit technique 2. The element 3 was a JFET chip, capacitive feedback using element 5 was realized. a conductor parallel to the terminal of the transistor 3 chip and the heating element 4 has been formed by a resistive layer. A semiconductor diode was used as temperature sensor 7.
Vstupní prvek byl spolu s křemíkovým detektorem umístěn v nástavci kryostatu, který se zasouvá do pracovní komory rastrovacího elektronového mikroskopu. V dalším provedení byla použita ještě svítivá dioda jako optoelektronický prvek 6, opticky vázána na čip tranzistora 3.The input element, together with the silicon detector, was placed in a cryostat extension that is inserted into the scanning chamber of the scanning electron microscope. In another embodiment, a light-emitting diode was used as an optoelectronic element 6, optically coupled to the chip of transistor 3.
Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu lze využít ve všech aplikacích, kde polovodičový detektor a vstupní obvody předzesilovače jsou udržovány na nízké teplotě.The input element of the cryogenic low noise charge sensitive preamplifier according to the invention can be used in all applications where the semiconductor detector and preamplifier input circuits are kept at a low temperature.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS854662A CS259709B1 (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS854662A CS259709B1 (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS466285A1 CS466285A1 (en) | 1988-03-15 |
CS259709B1 true CS259709B1 (en) | 1988-10-14 |
Family
ID=5389896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS854662A CS259709B1 (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS259709B1 (en) |
-
1985
- 1985-06-25 CS CS854662A patent/CS259709B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS466285A1 (en) | 1988-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9166083B2 (en) | Reducing thermal gradients to improve thermopile performance | |
US4654622A (en) | Monolithic integrated dual mode IR/mm-wave focal plane sensor | |
USRE36615E (en) | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors | |
JP5684487B2 (en) | Bolometer detector for detecting electromagnetic radiation in the infrared to terahertz frequency band, and array detection apparatus having such a detector | |
US5999081A (en) | Shielding unique for filtering RFI and EFI interference signals from the measuring elements | |
JP2001507120A (en) | Temperature sensor and detection device | |
JP4243540B2 (en) | Sensor component with sensor element surrounded by a heating element | |
US5468962A (en) | Infrared gas analyzer | |
JP2011524012A (en) | Sensor head for X-ray detector and X-ray detector including the sensor head | |
CN103323486A (en) | Test chip for Seebeck coefficient of high resistance material | |
EP0645001B1 (en) | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors | |
US4215577A (en) | Utilization of diodes as wide range responsive thermometers | |
US6639395B2 (en) | Current sensor with input/output isolation | |
US5157352A (en) | Bias current control for operational amplifier current/voltage converters | |
KR101137090B1 (en) | Heatable infrared sensor and infrared thermometer comprising such an infrared sensor | |
Joly et al. | Versatile variable temperature insert at the DEIMOS beamline for in situ electrical transport measurements | |
CS259709B1 (en) | Input element for cryogenic low-noise charge-sensitive preamplifier | |
JP4925920B2 (en) | Probe card | |
JP2000292480A (en) | Thermostatic bath | |
JPH01502148A (en) | Infrared detector with improved heat dissipation | |
US7345484B2 (en) | NMR probe for high-temperature measurements | |
FI117876B (en) | Connection and method for transition edge metabolometers | |
JPS58220438A (en) | Measuring placing stand for semiconductor wafer | |
US7199358B2 (en) | Antenna-coupled microbolometer | |
US3419438A (en) | Heat flux measuring device |