CS259709B1 - Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače - Google Patents

Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače Download PDF

Info

Publication number
CS259709B1
CS259709B1 CS854662A CS466285A CS259709B1 CS 259709 B1 CS259709 B1 CS 259709B1 CS 854662 A CS854662 A CS 854662A CS 466285 A CS466285 A CS 466285A CS 259709 B1 CS259709 B1 CS 259709B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
preamplifier
input element
cryogenic
discrete functional
forms
Prior art date
Application number
CS854662A
Other languages
English (en)
Other versions
CS466285A1 (en
Inventor
Ladislav Fojtik
Jiri Merinsky
Alzbeta Polackova
Jiri Bendl
Karel Knapp
Original Assignee
Ladislav Fojtik
Jiri Merinsky
Alzbeta Polackova
Jiri Bendl
Karel Knapp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ladislav Fojtik, Jiri Merinsky, Alzbeta Polackova, Jiri Bendl, Karel Knapp filed Critical Ladislav Fojtik
Priority to CS854662A priority Critical patent/CS259709B1/cs
Publication of CS466285A1 publication Critical patent/CS466285A1/cs
Publication of CS259709B1 publication Critical patent/CS259709B1/cs

Links

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Nízkošumový nábojově citlivý předzesilovač zpracovává signály z polovodičových detektorů určených pro spektrometrická měření záření X. Konstrukční řešení musí respektovat nejen požadavky elektronické, ale i kryogenické. Uspořádání vstupního prvku předzesilovače ovlivňuje výsledné konstrukční řešení kryogenního stupně a rozhoduje o funkčních vlastnostech celého spektrometrického stupně. Vstupní prvek předzesilovače tvoří alespoň jedna podložní izolační destička, na které je vytvořen vodivý obrazec pro připojení vývodů čipu tranzistoru, topného prvku a kapacitní zpětné vazby. Může sloužit také k připojení optoelektronického prvku a čidla pro měření teploty. Soustava podložních izolačních destiček je pevně připojena k přívodu chladu kryotechnických prostředků. Toto uspořádání vstupního prvku umožňuje lepší využití omezeného prostoru kryogenních prostředků k umístění funkčních částí. Navržené řešení znamená snížení šumu předzesilovače a tím l zvýšení energetické rozlišovací schopnosti celé detekční jednotky.

Description

Vynález se týká uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače s regulovaným chlazením.
Typické obvodové řešení vstupního prvku — obvodu předzesilovače s regulovaným chlazením, obsahuje polovodičový detektor, vazební člen, vstupní diskrétní prvek, kryotechnické prostředky zajišťující chlazení polovodičového detektoru a vstupního diskrétního prvku, topný prvek a další nechlazenou část nízkošumového předzesilovače. Je známa celá řada realizací konstrukčních variant vstupního aktivního prvku a souvisejících součástí zajišťujících jeho regulované chlazení.
Typické uspořádání tvoří tranzistor umístěný na izolačním držáku, který je přichycen na tenkostěnné kovové trubce, na které je umístěn topný prvek. Ke druhému konci tenkostěnné kovové trubky je přiveden přívod chladu.
Uvedené řešení má vedle své robustnosti ještě celou řadu nevýhod. Objevují se zde problémy materiálové, protože taková konstrukce vyžaduje použití kvalitních tepelně vodivých izolačních materiálů a vhodných tmelů odolných proti nízkým teplotám pro spojování jednotlivých dílů. Konstrukční uspořádání vykazuje velké rozptylové kapacity, nedostatečnou mechanickou stabilitu a podobně.
Nepříznivě se projevuje také obtížná montáž choulostivého polovodičového prvku, vazebních členů a jejich vývodů. Robustnost tohoto řešení se projeví jako nevýhoda při požadavku na miniaturizaci celkového provedení předzesilovače. Elektrický příkon topného prvku je relativně vysoký a nepříznivě ovlivňuje spotřebu chladicího média. ' Tyto nedostatky odstraňuje vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu, jehož podstatou je, že je tvořen alespoň jednou podložní izolační destičkou zhotovenou z korundové keramiky, na jejímž povrchu je vytvořen vodivý obrazec pro připojení vývodů diskrétních funkčních prvků, přitom podložní izolační destička je pevně připojena k přívodu chladu kryotechnických prostředků. Diskrétní funkční prvky tvoří čip tranzistoru, topný prvek, tvořený buď odporovým, nebo polovodičovým elementem, kondenzátor zpětné vazby, případně optoelektronický prvek nebo i čidlo pro měření teploty.
Uspořádání vstupního prvku podle vynálezu umožňuje lépe využít omezený prostor kryogenních prostředků k umístění všech funkčních částí. Minimalizací konstrukčního uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače lze docílit zvýšení mechanické stability, snížení mikrofónie, rozptylových kapacit a tepelného příkonu nutného k regulaci teploty tranzistoru. Montáž se zjednodušuje a parametry konstrukce jsou lépe definovány. Zlepší se také kryotechnické podmínky tím, že se urychlí stabilizace teploty vstupního prvku i detektoru a sníží se odpor chladivá. Použití vstupního prvku podle vynálezu ve vstupním obvodu vede ke snížení šumu předzesilovače a tím ke zvýšení rozlišovací schopnosti detekční jednotky, která je určujícím parametrem celého detekčního zařízení.
Konkrétní uspořádání vstupního prvku kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu je uvedeno na přiloženém výkrese. Na podložní destičce '1 je vytvořen vodivý obraz 2, který slouží k připojení vývodů diskrétních funkčních prvků 3, 4 a 5, případně také 6 a 7, přitom podložní izolační destička 1 je pevně připojena k přívodu chladu 8 kryotechnických prostředků. Diskrétní funkční prvky 3 avoří čip tranzistoru, 4 topný prvek a 5 kondenzátor zpětné vazby. Funkční prvek 6 tvoří optoelektronický prvek a prvek 7 je čidlo pro měření teploty.
Vstupní prvek podle vynálezu byl využit jako součást vstupního obvodu nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače, který je určen ke zpracování signálu z polovodičového detektoru při spektrometrii záření X na rastrovacím elektronovém mikroskopu.
Konstrukční uspořádání podle vynálezu bylo odzkoušeno na konkrétním provedení, kdy podložní izolační destička 1 byla zhotovena z korundové keramiky a na ni byl známou technikou hybridních obvodů vytvořen vodivý obraz 2. Jako prvku 3 bylo použito čipu tranzistoru JFET, kapacitní zpětná vazba pomocí prvku 5 byla realizována vodičem paralelním s vývodem čipu tranzistoru 3 a topný prvek 4 byl vytvořen odporovou vrstvou. Ve funkci čidla teploty 7 byla použita polovodičová dioda.
Vstupní prvek byl spolu s křemíkovým detektorem umístěn v nástavci kryostatu, který se zasouvá do pracovní komory rastrovacího elektronového mikroskopu. V dalším provedení byla použita ještě svítivá dioda jako optoelektronický prvek 6, opticky vázána na čip tranzistora 3.
Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače podle vynálezu lze využít ve všech aplikacích, kde polovodičový detektor a vstupní obvody předzesilovače jsou udržovány na nízké teplotě.

Claims (2)

1. Vstupní prvek pryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače, vyznačující se tím, že je tvořen alespoň jednou podložní izolační destičkou (1) zhotovenou z korundové keramiky, na jejímž povrchu je vytvořen vodivý obrazec (2) pro připojení vývodů diskrétních funkčních prvků (3, 4, 5), případně (6, 7), přitom podložní izolační destička (1) je pevně připojena k přívodu chladu (8) kryotechnických prostředků.
VYNALEZU
2. Vstupní prvek podle bodu 1, vyznačující se tím, že diskrétní funkční prvek (3) tvoří čip tranzistoru, diskrétní funkční prvek (4) tvoří topný prvek tvořený buď odporovým, nebo polovodičovým elementem a diskrétní funkční prvek (5 j tvoří kondenzátor zpětné vazby, případně diskrétní funkční prvek (6) tvoří optoelektronický prvek a diskrétní funkční prvek (7) tvoří čidlo pro měření teploty.
CS854662A 1985-06-25 1985-06-25 Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače CS259709B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS854662A CS259709B1 (cs) 1985-06-25 1985-06-25 Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS854662A CS259709B1 (cs) 1985-06-25 1985-06-25 Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS466285A1 CS466285A1 (en) 1988-03-15
CS259709B1 true CS259709B1 (cs) 1988-10-14

Family

ID=5389896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS854662A CS259709B1 (cs) 1985-06-25 1985-06-25 Vstupní prvek kryogenního nízkošumového nábojově citlivého předzesilovače

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS259709B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS466285A1 (en) 1988-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7416332B2 (en) Flexible circuit temperature sensor assembly for flanged mounted electronic devices
US8057094B2 (en) Power semiconductor module with temperature measurement
US5999081A (en) Shielding unique for filtering RFI and EFI interference signals from the measuring elements
US20080216883A1 (en) Thermopile Infrared Sensor Array
JP4243540B2 (ja) 加熱エレメントにより取り囲まれたセンサエレメントを備えたセンサ構成素子
JPS6359274B2 (cs)
JP2011524012A (ja) X線検出器用のセンサヘッド、及び同センサヘッドを含むx線検出器
KR101137090B1 (ko) 가열 가능한 적외선 센서와 이 적외선 센서를 구비하는 적외선 온도계
US4215577A (en) Utilization of diodes as wide range responsive thermometers
US5157352A (en) Bias current control for operational amplifier current/voltage converters
US12431343B2 (en) Inductive detector with integrated amplifier
US4812801A (en) Solid state gas pressure sensor
US7345484B2 (en) NMR probe for high-temperature measurements
JP2008286666A (ja) プローブカード
JPS58220438A (ja) 半導体ウエハ測定載置台
CA1267733A (en) High stability mass spectrometer
JP3606829B2 (ja) 検出器コンデンサー及び真空フィードスルーの組合せ
JPH0155551B2 (cs)
US3419438A (en) Heat flux measuring device
KR102928573B1 (ko) 극저온 반도체 소자 계측장치
CN222774113U (zh) 一种数字型热电堆温度传感器
US20050264454A1 (en) Antenna-coupled microbolometer
US20240175757A1 (en) Pyroelectric infrared detector device
RU1805367C (ru) Конденсационный гигрометр
Burgess Pyroelectrics in a harsh environment