CS258769B1 - Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis - Google Patents

Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis Download PDF

Info

Publication number
CS258769B1
CS258769B1 CS862223A CS222386A CS258769B1 CS 258769 B1 CS258769 B1 CS 258769B1 CS 862223 A CS862223 A CS 862223A CS 222386 A CS222386 A CS 222386A CS 258769 B1 CS258769 B1 CS 258769B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
control
circuit
output
sample
read
Prior art date
Application number
CS862223A
Other languages
English (en)
Other versions
CS222386A1 (en
Inventor
Karel Exner
Jiri Kristen
Original Assignee
Karel Exner
Jiri Kristen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Karel Exner, Jiri Kristen filed Critical Karel Exner
Priority to CS862223A priority Critical patent/CS258769B1/cs
Publication of CS222386A1 publication Critical patent/CS222386A1/cs
Publication of CS258769B1 publication Critical patent/CS258769B1/cs

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

Zapojení řeší problém testování pamětí v modifikovaném pracovním režimu na zkoušečích, které jsou vybavené pouze jednoduchými testovacími vzorky typu normální zápis a čtení. Funkce zapojení spočívá v rozšíření počtu testovacích fází a nahrávání v každé fázi vždy doplňkové informace oproti informaci čtené, přičemž ve všech fázích testování režimu modifikované čtení - zápis je nastaven jeho časový diagram průběhu signálů a přitom nahrávání obsahu do testované paměti v první fázi následuje po čtení s potlačenou kontrolou podle datového vzorku. Podstata zapojení spočívá v tom, že blok řízené negace je vložen do signálové cesty obsahového vzorku ze zkoušeče tak, že je možné vzájemně zaměňovat komplementárnost signálů k vyhodnocovacímu obvodu a zvlášť komplementárnost signálů k testované paměti vzhledem k obsahovému vzorku. Zapojení je také rozšířeno o řídicí obvod a blok řízení vyhodnocení. Zapojení může být využito při testování v oborech výpočetní techniky, automatizace a regulace.

Description

Vynález, se týká zapojení pro měření pamětí v pracovním režimu typu modifikované čteni-zápis při testování pamětí na zkoušečich vybavených zkušebními programy, realizující měření normálního pracovního režimu paměti a dále se týká zapojení pro provádění tohoto způsobu měření.
Dosud užívaný způsob měření pracovního režimu typu modifikované čtení-zápis při testování pamětí na zkoušečich vybavených zkušebními programy realizující měření prostého režimu zápisu a čtení paměti vycházel z testovacího programu generovaného zkoušečem. Byl proto zjednodušen tak, že v prvé fázi měření, které odpovídá v normálním pracovním režimu zápisu do paměti byla při měření pracovního režimu typu modifikované čtení-zápis podle příslušného časového diagramu nahrána data bez kontroly čtených dat, protože obsah testované paměti nebyl definován a postupně se překryl nahráním užitého datového vzorku testovacího programu.
V druhé fázi měření, které odpovídá v normálním pracovním režimu čtené z paměti, byl při měření režimu typu modifikované čtení-zápis podle příslušného časového diagramu čten a kontrolován obsah podle datového vzorku testovacího programu a znovu se zapisovala ta samá nezměněná informace, která se po ukončení druhé fáze měřeni paměti již nekontrolovala. To znamenalo, že se při dosud užívaném měření pracovního režimu typu modifikované čtení-zápis nikdy důsledně netestovala schopnost zápisu změněného obsahu do čtené buňky paměti.
K tomuto nedostatku docházelo proto, že nikdy nebyla pamět čtena při současném zápisu změněné informace do kontrolované buňky a tedy měření neověřovalo podstatu modifikovaného režimu čtení-zápis, ale pouze předpokládalo správnou činnost paměti v neověřených částech pracovního režimu na základě celkově bezchybné funkce.
Navíc se tím znesnadňovala detekce vzájemného ovlivňováni pamětových buněk v modifikovaném režimu čtení-zápis.
Tyto nedostatky odstraňuje zapojení pro měření paměti v pracovním režimu modifikované čtení,-zápis podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že první datový výstup až p-ý datový výstup testovacího budiče jsou připojeny k testované paměti, jejíž první datový výstup až p-ý datový výstup jsou připojeny k testovacímu komparátoru, jehož první datový výstup až m-tý datový výstup jsou připojeny k vyhodnocovacímu obvodu, přičemž první vzorková svorka až p-tá vzorková svorka zapojení jsou připojeny k prvnímu vzorkovému vstupu až p-tému vzorkovému vstupu bloku řízené negace, jehož první vzorkový výstup až m-tý vzorkový výstup jsou připojeny k vyhodnocovacímu obvodu, jehož výstup je připojen k výstupní svorce zapojení, přičemž první řídicí svorka, druhá řídicí svorka a třetí řídicí svorka jsou připojeny k řídicímu obvodu, jehož první ovládací výstup až 1-tý ovládací výstup jsou připojeny k bloku řízení vyhodnocení a jehož první řídicí výstup až k-tý řídicí výstup jsou připojeny k bloku řízené negace, jehož první datový výstup až m-tý datový výstup jsou připojeny k testovacímu budiči.
Zapojení pro měření pamětí v pracovním režimu typu modifikované čtení-zápis má tyto výhody:
Dochází k měření testované paměti ve všech částech pracovního režimu typu modifikované čtení-zápis a její. činnost je tímto způsobem explicitně ověřována. Způsob měření usnadňuje detekci chyby vzniklé vzájemným ovlivněním pamětových buněk testované paměti v pracovním režimu typu modifikované čtení-zápis. Nadto zapojení provádějící tento způsob měření umožňuje měřit pracovní režim modifikované Čtení-zápis na všech vestavěných lineárních testovacích vzorcích uvažovaného zkoušeče, které mají vlastnost totožnosti v blocích testovací sekvence vzniklých dělením modulu nejvyšší adresový řád. Konečně uvedený způsob měření qvěří schopnost všech buněk paměti, když v pracovním režimu modifikované čtení-zápis zapíše z datové logické jedničky logickou nulu a zpětně logickou jedničku s následující kontrolou zápisu.
Na připojených výkresech je na obr. 1 znázorněn časový diagram měřicích fází a příkladný průběh řídicích signálů zapojení provádějící měření podle vynálezu, na obr. 2 je zobrazeno příkladné zapojení pro měření pamětí v pracovním režimu typu modifikované čtení-zápis podle předmětu vynálezu a na obr. 3 je nakresleno konkrétní příkladné zapojení pro provádění měření pamětí.
časový diagram průběhu řídicích signálů v zapojení pro provádění způsobu měření podle vynálezu uvedený na obr. 1 znázorňuje rozděleni na jednotlivé fáze a činnost v uvažované fázi. Měření v pracovním režimu typu modifikované čtení-zápis probíhá ve čtyřech fázích a je rozšířeno oproti měření pracovního režimu prostého zápisu a čtení, které je zabudované v uvažovaném zkoušeči. K rozšíření počtu fází dochází jejich rozlišením podle vyššího adresovacího řádu než je adresovací rozsah měření paměti, přičemž v jednotlivých fázích měření je vždy nahráván doplňkový obsah oproti obsahu nahrávaném v předcházející fázi.
V první fázi měření určené řídicími signály na první až třetí řídicí svorce v úrovni logické jedničky, jedničky a nuly probíhá nahrávání obsahu ve tvaru odpovídajícím datovému vzorku ze zkoušeče do celé kapacity paměti. K nahrávání dochází v modifikovaném režimu po čtení obsahu každé buňky paměti, jehož kontrola je v první fázi měřeni potlačena.
Ve druhé fázi měření určené řídicími signály na první až třetí řídicí svorce v úrovni logických jedniček probíhá do celé paměti nahrávání obsahu v komplementárním tvaru datového vzorku zkoušeče. Přitom k nahrávání dochází v modifikovaném režimu vždy po čtení a kontrole obsahu každé buňky paměti podle přímého datového vzorku. Ve třetí fázi měření určené řídicími signály ha první až třetí svorce v úrovni logické jedničky, nuly a nuly je opět testovací paměť čtena při současné kontrole čteného obsahu komplementárním datovým vzorkem zkoušeče a do každé přečtené báňky je v zápětí zapisován obsah odpovídající přímému datovému vzorku zkoušeče.
Konečně ve čtvrté fázi měření určené řídicími signály na první až třetí řídicí svorce v úrovni logické jedničky, nuly a jedničky je testovaná paměť čtena při současné kontrole obsahu přímým datovým vzorkem zkoušeče, zatímco vzápětí je do čtené buňky nahráván obsah odpovídající komplementárnímu datovému vzorku. Z popsaného časového diagramu je patrna polarita nahrávané a čtené inforamce z paměti i způsob kontroly a potlačení kontroly.
Přitom znázorněný signál na první řídicí svorce odpovídá v úrovni logické jedničky nastavení pracovního režimu typu modifikované čtení-zápis.
Signály na následujících řídicích svorkách odpovídají vyššímu adresovacímu řádu užitému k rozšíření počtu fází a signálu určujícího zápis nebo čtení normálního režimu zápisu a čtení. Signál na výstupu obvodu řízení vyhodnocení v úrovni logické nuly blokuje vyhodnocová ní čtené informace z paměti.
Na obr. 2 je nakresleno zapojení pro měření pamětí. První datový výstup 211 až p-tý datový výstup 21P testovacího budiče 200 jsou připojeny k testované paměti 100, jejíž první datový výstup 111 až p-tý datový výstup IIP jsou připojeny k testovacímu komparátorů 300, jehož první datový výstup 311 až m-tý datový výstup 31M jsou připojeny k vyhodnocovacímu oLvodu 600, přičemž první vzorková svorka 01 až p-tá vzorková svorka OP zapojení jsou připojeny k prvnímu vzorkovému vstupu 501 až p-tému vzorkovému vstupu 509 bloku 500 řízené negace, jehož první vzorkový výstup 511 až m-tý vzorkový výstup 51M jsou připojeny k vyhodnoco vacímu obvodu 600, jehož výstup 620 je připojen k výstupní svorce 020 zapojení, přičemž první řídicí svorka 11, druhá řídicí svorka 12 a třetí řídicí svorka 13 jsou připojeny k řídicímu obvodu '400, jehož první ovládací výstup 431 až 1-tý ovládací výstup 43L jsou připojeny k bloku 700 řízeni vyhodnocení, a jehož první řídicí výstup 421 až k-tý řídicí výstup 42K jsou připojeny k bloku 500 řízené negace, jehož první datový výstup 531 až m-tý datový výstup 53M jsou připojeny k testovacímu budiči 200.
Konkrétní příkladné zapojení pro měření pamětí v modifikovaném režimu čtení-zápis podle předmětu vynálezu je uvedeno na obr. 3. Naznačuje možné řešeni zapojení pro jeden bit vstupního datového vzorku.
Funkci zapojení podle-vynálezu je následující:
Na první vstupní řídicí svorku kl je přiváděn signál určující typ pracovního režimu buč pro normální zápis čtení nebo pro modifikované čtení-zápis. Na druhou vstupní řídicí svorku 12 je přiváděn signál zápisu nebo čtení vysílaný souběžně s datovým vzorkem pro normální pracovní režim z uvažovaného zkoušeče.
Na třetí vstupní řídicí svorku 13 je přiváděn signál od rozšířeného řádu ležícího mimo rozsah vlastní adresace testované paměti. Podle přiváděné signální kombinace je v řídicím obvodu 400 určeno odpovídající přiřazení signálů na výstupy řídicího obvodu 400 tak, aby v normálním pracovním režimu přes řídicí výstupy 421, ... 42K, byl ovládán blok 500 řízené negace, který na své svorkové výstupy 511, .... 51M a na své datové výstupy 531, .... 53M připojí signály na vstupních vzorkových svorkách Ol, .... OP. Naproti tomu v pracovním režimu typu modifikovaného čtení-zápisu ovládá řídicí obvod 400 blok 500 řízené negace podle jednotlivých fází řízení tak, aby v prvé a ve třetí fáli byla na datových výstupech 531, ... 53M bloku 500 řízené negace informace shodná s informaci přiváděnou na vlastní vzorkové svorky Ol, ... OP a na vzorkových výstupech 511, .... 51M bloku 500 řízené negace byla komplementární informace k přiváděné informaci na vstupní vzorkové -svorky Ol, .... OP.
Naopak ve druhé a čtvrté fázi je z datových výstupů 531, ... 53M bloku 500 řízené negace vysílána komplementární a ze vzorkových výstupů 511, .... 51M přímá informace přiváděná na vstupní vzorkové svorky. Řídicí obvod 400 pomocí signálů z ovládacích výstupů 431,...
43L přes ovládací vstupy 701, .... 7OL obvodu 700 řízené vyhodnoceni ovládá kontrolu čtení informace. Ovládání v pracovním režimu typu normálního zápisu a čtení povoluje kontrolu informace čtené z testované paměti ve fázi čtení. Naopak v pracovním režimu typu'modifikovaného čtení-zápisu ovládání potlačuje kontrolu v prvé fázi a ve zbývajících třech fázích je kontrola povolena.
Další části obvodu fungují při modifikovaném pracovním režimu i při normálním pracovním režimu shodně a umožňují provádět způsob měření popsaný v souvislosti s časovým diagramem uvedeným na obr. 1. Signál TOFF strobuje měření doby uvolněni a signál TAC strobuje měření doby vybavení obsahu z výstupu testované paměti IOOí
Vynález je možné aplikovat na úplnou adresovací kapacitu uvažovaného zkoušeče jednoduchým rozšířením adresových řádů jednobitovým čítačem, umístěným v adaptéru.
Uvedený vynález je určen pro užití ve zkoušeČích pamětí.

Claims (1)

  1. Zapojení měření pamětí v pracovním režimu typu modifikované čtení-zápis, vyznačené tím, že první datový výstup (211) až p-tý datový výstup (21P) testovacího budiče (200) jsou připojeny k testované’ paměti (100), jejíž první datový výstup (111) až p-tý datový výstup (IIP) jsou připojeny k testovacímu komparátoru (300), jehož první datový výstup (311) až m-tý datový výstup (31M) jsou připojeny k vyhodnocovacímu obvodu (600), přičemž první vzorková svorka (01) až p-tá vzorková (OP) zapojení jsou připojeny k prvnímu vzorkovému vstupu (501) až p-tému vzorkovému vstupu (50P) řízené negace, jehož první vzorkový výstup (511) až m-tý vzorkový výstup (51M) jsou připojeny k vyhodnocovacímu obvodu (600), jehož výstup (620) je připojen k výstupní svorce (020) zapojení, přičemž první řídicí svorka (11), druhá řídicí svorka (12) a třetí řídicí svorka (13) jsou připojeny k řídicímu obvodu (400), jehož první ovládací výstup (431) až 1-tý ovládací výstup (43L) jsou připojeny k bloku (700) řízení vyhodnoceni, a jehož první řídicí výstup (421) až k-tý řídicí výstup (42K) jsou připojeny k bloku (500) řízené negace, jehož první datový výstup (531) až m-tý datový výstup (53M) jsou připojeny k testovacímu budiči (200).
CS862223A 1986-03-28 1986-03-28 Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis CS258769B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862223A CS258769B1 (cs) 1986-03-28 1986-03-28 Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862223A CS258769B1 (cs) 1986-03-28 1986-03-28 Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS222386A1 CS222386A1 (en) 1988-01-15
CS258769B1 true CS258769B1 (cs) 1988-09-16

Family

ID=5358731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS862223A CS258769B1 (cs) 1986-03-28 1986-03-28 Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS258769B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS222386A1 (en) 1988-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5343478A (en) Computer system configuration via test bus
US5325368A (en) JTAG component description via nonvolatile memory
US5423050A (en) Intermodule test across system bus utilizing serial test bus
KR100492205B1 (ko) 집적회로메모리디바이스의내장자가테스트구성
KR100240662B1 (ko) 제이태그에 의한 다이나믹램 테스트장치
US5051944A (en) Computer address analyzer having a counter and memory locations each storing count value indicating occurrence of corresponding memory address
US4878209A (en) Macro performance test
US20060080584A1 (en) Built-in self-test system and method for an integrated circuit
US7610524B2 (en) Memory with test mode output
US5761215A (en) Scan based path delay testing of integrated circuits containing embedded memory elements
US6285962B1 (en) Method and system for testing rambus memory modules
KR20010104363A (ko) 예상 응답을 생성하는 주지의 양호한 디바이스를 이용한집적 회로 디바이스의 효율적인 병렬 테스트
JPH0411960B2 (cs)
EP0359372A3 (en) Memory testing system
US5619463A (en) Integrated circuit device and test method therefor
US4312067A (en) Function test evaluation apparatus for evaluating a function test of a logic circuit
US20080137456A1 (en) Method of testing memory device
KR910005033B1 (ko) 특수모드용 prom셀들을 갖는 반도체장치
CS258769B1 (cs) Zapojeni pro měření pamětív pracovním režimu typu modifikovaně 6ten(—zápis
US7412634B2 (en) On-chip sampling circuit and method
US5903582A (en) Memory circuit
JP2583055B2 (ja) Icテストシステム
KR100996091B1 (ko) 테스트 모드에서 내부 검출 신호들을 출력하는 반도체메모리 장치
KR20100013321A (ko) 시험 장치
KR100786414B1 (ko) Dut 테스터 데이터 채널 반전 특성 관리 장치