Vynález sa týká sposobu výroby velmi rýphlej výkonovéj diody, ktorá má velmi nízký úbytok napátia v prednom smere a móže pracovat s vysoko pracovnou rýchlosťou.
Podl'a doteraz známého sposobu sa pre výrobu velmi rýchlych výkonových diód s nízkým úbytkom napatia v prednom smere využívá mesa technológia kombinovaná so sklennou pasiváciou PN přechodu, pri ktorej sa do- epitaxnej vrstvy N typu narastenej na nízkoodporovom substráte N+ vytvoří PN přechod difúziou akceptoru, ďalej sa křemíková doska naoxiduje, zavedu sa do nej rekombinačné centra, napr. difúziou zlata k získaniu vysokofrekvenčných vlastností, spodná strana kremíkovej došky- sa vybrúsi a v- epitaxnej vrstvě sa vyleptajú kanáliky až pod PN přechod za použitia fotolitografickej techniky, dalej sa do vyleptaných kanálov nanesie pasjvačné nízkoalkalické sklo, staví sa, nanesie sa metalizácia napr. Ni chemickou cestou alebo naparováním vo vakuu a nakoniec sa křemíková doska rozčlení mechanicky pomocou diamantových pil na jednotlivé systémy. Takto získané systémy sa zapuzdria pomocou fólii mákkej spájky do kovového alebo puzdra z umelej hmo•ty.·-Nevýhodou tohto-spůsobu je značná zložitosť technologického postupu s vysokými nárokmi na vybavenost drahými zariadeniami.
Dalším známým sposohom výroby velmi rýchlych výkonových diód s nízkým úbytkom napatia v prednom smere je Schottkyho technológia, ktorá spočívá vo vytvoření bariérového- kontaktu medzi kovovou vrstvou a polovodičom, čo zaisťuje získanie vysokej pracovnej rýchlosti a nízkého úbytku napátia v prednom smere. Nevýhodou tohto spůsobu je obtiažnosť vyrábať velkoplošné výkonové diody s požadovanou reprodukovatelnosťou a dalej, že nemožno za súčasného stavu techniky dosahovat vyšších závěrných napatí ako 70 V, -čo postačuje pre výstupné napatia napájacích zdrojov len do maximálně 10 V.
Uvedené nevýhody stávajúceho stavu techniky je možné v značnej miere znížiť použitím spůsobu výroby velmi rýchlej vý-konovej diódy s nízkým úbytkom napatia v- pred244978 nom smere podlá vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že křemíková epitaxná doska o štruktúre N+NP+ sa zo spodnej strany zbrúsi k zaisteniu vysokého getračného účinku pre vysokoteplotně operácie. Po následnom nadifundovaní a opátovnom zabrúsení spodnej strany kremíkovej došky sa táto opatří obojstranne symetrickými kovovými kontaktmi a jednostranné sa chemicky rozčlení na jednotlivé systémy.
Na pripojenom výkrese obr. 1 znázorňuje epitaxnú křemíková došku, obr. 2 zbrúsenú epitaxnú došku, obr. 3 představuje obojstranne nadifundovanú epitaxnú došku, obr. 4 -opátovne zbrúsenú došku a na obr. 5 je jednostranné rozčleněný systém.
Konkrétným príkladom využitia spůsobu výroby podlá vynálezu je postup výroby 25 A velmi rýchlej usmerňovacej diódy, pri ktorom sa křemíková doska s epitaxnou vrstvou N typu vodivosti 2 hrúbkou 35 mm o špecifickom odpore 3 až 6 cm, narastenou na substrátovej kremíkovej doske 1 o špecifickom odpore pod 0,005 cm zbrúsi zo spodnej strany o 50 ,um brusivom o velkosti zrna 10 až 30 μη, prevedie sa do nej difúzia bóru 3 do híbky 17 μΐη o maximálnej povrchovej koncentrácii, nadifunduje sa do nej zlato, doska sa zbrúsi na 250 jum. Potom sa naparia vo vákuu symetrické Ni kontakty o priemere 5 mm a tieto sa opatria spájkou PbSnl 4 pomocou ponorenia do taveniny, na P+ stranu sa nanesie asfaltový lak a doska sa rozčlení v zmesi kyselin HNO3 : HF = 5:1. Po rozpuštění asfaltového laku v organickom rozpúšťadle sa získané systémy zapuzdria do kovového puzdra včetne zapasivovania PN přechodu silikonovým kaučukom. Takto vyrobené usmerňovacie diódy majú zotavovaciu dobu v závernom smere 30 až 60 με, úbytok napátia v prednom smere pri 25 A pod 0,8 V a závěrné napatie pri 100 μΑ je vyššie ako 170 V. Potřeba týchto diód v poslednom čase prudko stúpa, pretože pri vysokej pracovnej rýchlosti sa vyznačujú nepatrnou energetickou stratou a můžu byť preto výhodné používané v impulzne riadených napájacích zdrojoch pre elektronické počítače, ich výstupné jednotky a iné elektronické zariadenia.