CS243748B1 - Elektrofotografiokó deska - Google Patents

Abstract

Elektofotograíická deska mezi kovovou podložkou a selenovou vrstvou obsahuje napařenou vrstvu o složení Αβ28χ, kde 3,2 x 8. Dále může obsahovat mezivrstvu © složení /AsgS^/ySe^y, kde x má výše uvedený význam ayJeOaž 1, na která Je napařena selenová vrstva, která může být obohacena dalšími prvky, např. arsenem, telurem a sírou

Description

(54)

Elektrofotografiokó deska

Elektofotograíická deska mezi kovovou podložkou a selenovou vrstvou obsahuje napařenou vrstvu o složení Αβ₂8_χ, kde 3,2 x 8. Dále může obsahovat mezivrstvu © složení /AsgS^/ySe^y, kde x má výše uvedený význam ayJeOaž 1, na která Je napařena selenová vrstva, která může být obohacena dalšími prvky, např. arsenem, telurem a sírou.

243 748

243 748

Vynález se týká způsobu přípravy elektrofotografické desky pro radiografii a reprodukční techniku.

V elektrofotografii a záznamu rentgenového záření se používá desek, kde fotocitlivá vrstva skládající se ze selenu obohaceného některými prvky jako arsenem, sírou, telurem npod. je nanesena na vrstvě A32S3, které slouží jako blokující vrstva.

Nevýhodou použití A82S3 mezi vodivou podložkou a fotocitlivou vrstvou je skutečnost, že při napařovéní se jednotky AS2S3 v parách nevyskytují. Jsou zde přítomny molekuly AS4S5, AS2S2, S2 a další. Na kovové podložce se vytváří vrstva obsahující molekuly AS4S4, řetězce síry a bezprostředně po napaření jen malý obsah arsenu je vázán do strukturních jednotek AS2S5. Vrstva sumárního složení A82S5 tak tvoří heterogenní systém citlivý k teplotě a záření. Záření o dostatečné energii nebo temperace vede k vytváření polymerní struktury blízké struktuře materiálu připravovaného tavením. Z toho je patrné, že elektrofotografické deska obsahující vrstvu AS2S3 je po zhotovení v nerovnovážném stavu a že jsou nutné operace, které rovnovážný stav zajistí.

Tuto nevýhodu odstraňuje konstrukce elektrofotografické desky podle vynálezu. Opírá se o zjištění, že vrstva o složení Αβ2δχ, kde 3,2 <i.x<r_8 má podstatně sníženou citlivost k vlivu záření a teploty. Její další výhodou je skutečnost, že má vyšší elektrický odpor než vrstva AsgS? a účinně zabraňuje injekci nositelů náboje z kovové vrstvy do vrstvy selenu. Této vrstvy je tedy možno e výhodou užít jako blokující vrstvy mezi kovovou podložku a vrstvu selenu.

243 748

Vrstvu o složení As₂Sx, kde 3,2^ x <.8 je možno naparovat na kovovou podložku a na tuto vrstvu je možno nanášet vrstvu fotočí tlivého selenu či selenu obohaceného dalšími prvky. Je rovněž možno vytvářet mezivrstvy proměnného složení /AsgSx/ySej.y, kde 3,2<<x<^-8 a zároveň y se mění od 1 do 0. Tím je zajištěn plynulý přechod složení mezi jednotlivými vrstvami a je zabráněno vzniku úzkých oblastí s vysokými hodnotami elektrického pole, které mohou negativně ovlivnit transport elektrického náboje, generovaného ve fotovodivé selenové vrstvě.

Na obr. 1 je znázorněna elektrofotografická deska. Hliníková podložka 1 nese vrstvu 2 o složení As2Sx, kde 3,2<x^L8, na ní je pak napařena selenová vrstva 2· Selen může být obohacen dalšími prvky jako arsenem, telurem, sírou a podobně.

Na obr. 2 je znázorněna elektrofotografická deska, kde na hli níkové podložce 1 je nanesena vrstva 2 As2Sx. v mezivrstvě 4 o složení /As₂Sx/ySei_y se složení spojitě mění od Α82£5χ ve vrstvě 2 k selenové vrstvě 2·

Konstrukce elektrofotografické desky podle tohoto vynálezu bude popsána na následujících příkladech.

Příklad 1

Na hliníkovou podložku 1 je napařena vrstva 2 As2S4_f5 tloušťky 2,5/xm. Na tuto vrstvu je napařena vrstva selenu 2 o tloušťce 150/im. Tato deska může být využita v radiografii. Potenciálový spád za tmy je na ní po 10 minutách o 30 % nižší než u desky obsahující místo vrstvy AS2S4,5 vrstvu A82S3·

Příklad 2

Na hliníkovou podložku 1 je napařena vrstva 2 AS2S5 tlouštky 3/im. proud procházející napařovací lodičkou obsahující AS2S5 je pak postupně snižován za současného zvyšování proudu lodičkou obsahující selen. Tím je vytvořena mezivrstva 4 o složení /As₂S₅/ySe₁.y, kde se y postupně mění v rozmezí 1,5 yum od 1 do 0. Na tuto mezivrstvu 4 je dále napařena selenová vrstva 2 ⁰ tloušťce

- 5 243 748

Získaná elektrofotografické deska byla využita k záznamu rentgenového záření· Vykazovala velmi dobrou citlivost, nízký potenciálový spád za tmy a rovněž se vyznačovala velmi dobrou stabilitou vlastností, kterými je záznam charakterizován.

Výhoda elektrofotografických desek obsahujících vrstvu s vyš ším obsahem síry»než odpovídá etechiometriekému složeni AS2S5, je též v tom, že není nutné desku před použitím vystavovat operacím, které stabilizují vlastnosti desky.

Claims (2)

PŘEDMĚT VYNÁLEZU

1. Elektrofotografické deska obsahující kovovou podložku a selenovou vrstvu, vyznačující se tím, že mezi kovovou podložku /1/ a selenovou vrstvu /$/ je napařena vrstva /2/ o složení As₂Sx» kde 3,2<x^8.

2. Elektrofotografická deska podle bodu 1, vyznačující se tím, že kromě vrstvy /2/ o složení AS2Sx obsahuje mezivrstvu /4/ o složení /As2Sx/ySe^_y, kde y je 0 až 1 a x má výše uvedený význam, na které je napařena selenová vrstva /3/, které je případně obohacena dalšími prvky^jako například arsenem, telurem a sírou.