CS243358B1 - Crucible for growing single crystals of bismuth germanate - Google Patents
Crucible for growing single crystals of bismuth germanate Download PDFInfo
- Publication number
- CS243358B1 CS243358B1 CS851479A CS147985A CS243358B1 CS 243358 B1 CS243358 B1 CS 243358B1 CS 851479 A CS851479 A CS 851479A CS 147985 A CS147985 A CS 147985A CS 243358 B1 CS243358 B1 CS 243358B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- crucible
- single crystals
- bismuth germanate
- growing single
- radius
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Kelímek pro pěstovaní monokrystalů germanátu bizmutu, umožňující pěstovat dlouhá a v celám objemu dokonalá monokrystaly, kde cíle je dosaženo tím, že válcový nebo mírná konický kelímek má dno ve tvaru Části kulová plochy o poloměru zakřivení χ, který odpovídá výšce svislá Části kelímku zvětšená o 5 až 35 S.A crucible for growing single crystals of bismuth germanate, allowing the growth of long and perfectly uniform single crystals, where the goal is achieved by the cylindrical or slightly conical crucible having a bottom in the shape of a spherical surface with a radius of curvature χ, which corresponds to the vertical height of the crucible increased by 5 to 35 S.
Description
Vynález ae týká kelímku pro pěstování monokrystalů geraanátu bizmutu Bl12Ge020.This invention relates to a crucible for growing single crystals of bismuth geraanátu Bl 12 Ge0 20th
Při pěstováni monokrystalů geraanátu bizmutu metodou Czocbralskiho tažením z vlastní taveniny v odporová peci ee používá pro tavení platinového kelímku válcového nebo mírně konického tvaru s plochým dnem.When bismuth geraanate monocrystals are grown by the Czocbralski method by drawing from its own melt in a resistance furnace, ee uses a flat-bottomed cylindrical or slightly conical shape to melt the platinum crucible.
Při urfiité výěce sloupce taveniny v kelímku dochází ke vzniku nestabilní růstové meslplochy, které má vlastnosti buněéné struktury a způsobuje defektní růst monokrystalu.At a certain height of the melt column in the crucible, an unstable growth surface develops, which has cellular structure properties and causes defective single crystal growth.
Ye vznikajících dutinách jsou uzavírány Inkluze, nečistoty a podobně, což vede v praxi k tomu, že značné čést monokrystalu, obvykle 1/3 až 1/2 jeho objemu je nepoužitelné pro dalží zpracování.Inclusions, impurities and the like are closed off from the resulting cavities, which in practice leads to the fact that a considerable single crystal reading, usually 1/3 to 1/2 of its volume, is unusable for further processing.
Tyto potíže lze odstranit použitím kelímku válcového nebo mírné konického tvaru podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že jeho dno aá tvar části kulové plochy o poloměru £, který odpovídá výěce svislé čésti kelímku, zvětéené o 5 až 35 ·.These problems can be eliminated by using a cup of cylindrical or mild conical shape according to the invention, characterized in that its bottom is in the form of a part of a spherical surface with a radius, which corresponds to the height of the vertical part of the cup increased by 5 to 35 °.
Pro názornost je na připojeném výkrese kelímek podle vynálezu schematicky znázorněn a je zde vyznačen polomér zakřivení části kulové plochy £ a výéka χ svislé části kelímku.For illustrative purposes, the crucible according to the invention is shown schematically in the accompanying drawing and the radius of curvature of a portion of the spherical surface 8 and the height χ of the vertical portion of the crucible are indicated.
PřikladlHe did
V kelímku podle vynálezu o průměru 80 mm, výěce 80 mm se zakřivením dna o poloměru r * 90 mm pěstován metodou Czocbralskiho tažením z vlastní taveniny monokrystal germanátu bizmutu.In a crucible according to the invention with a diameter of 80 mm, height 80 mm with a bottom curvature of radius r * 90 mm grown by the Czocbralski method by drawing from its own melt monocrystalline bismuth germanate.
Byl vypěstován monokrystal o průměru 45 mm a délce 80 mm bez vad v celém jeho objemu. Bylo-li pěstováno za jinak stejných podmínek, ale z kelímku s rovným dnem, byla 1/2 monokrystalu defektní, popraskaná a nebyla použitelná pro dalěí zpracování na funkční elementy .A single crystal with a diameter of 45 mm and a length of 80 mm was grown without defects in its entire volume. If grown under otherwise identical conditions but from a flat bottom crucible, 1/2 of the single crystal was defective, cracked and was not usable for further processing into functional elements.
Příklad 2Example 2
Podobně jako v příkladu 1 byl pěstován monokrystal germanátu bizmutu, tentokráte z kelímku o průměru 100 mm, výěce 100 a· a poloměru zakřivení dna r 3 135 mm. I v tomto případě byl vypěstován jakostní monokrystal o průměru 50 mu a délce 100 mm.Similarly as in Example 1 was grown monocrystal germanátu bismuth, this time from the crucible diameter of 100 mm and 100 · výěce radius of curvature r of the bottom 3135 mm. In this case too, a quality single crystal with a diameter of 50 mu and a length of 100 mm was grown.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS851479A CS243358B1 (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Crucible for growing single crystals of bismuth germanate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS851479A CS243358B1 (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Crucible for growing single crystals of bismuth germanate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS147985A1 CS147985A1 (en) | 1985-08-15 |
CS243358B1 true CS243358B1 (en) | 1986-06-12 |
Family
ID=5349303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS851479A CS243358B1 (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Crucible for growing single crystals of bismuth germanate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS243358B1 (en) |
-
1985
- 1985-03-04 CS CS851479A patent/CS243358B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS147985A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Salemme | A free interface diffusion technique for the crystallization of proteins for X-ray crystallography | |
Burgess et al. | Factor stimulating transcription by RNA polymerase | |
EP0261498A2 (en) | Crystal pulling apparatus | |
EP0057350A3 (en) | Recombinant dna means and method | |
Scalenghe et al. | Large scale isolation of nuclei and nucleoli from vitellogenic oocytes of Xenopus laevis | |
KR900004972A (en) | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal | |
US5330729A (en) | Single crystal pulling apparatus | |
CS243358B1 (en) | Crucible for growing single crystals of bismuth germanate | |
KR19990083017A (en) | Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal | |
Rosenberg et al. | T cells from autoimmune" IL 2-defective" MRL-lpr/lpr mice continue to grow in vitro and produce IL 2 constitutively. | |
KR20050044794A (en) | Protein crystallization method | |
JPS63222091A (en) | Crucible for pulling up silicon single crystal | |
JPS62167284A (en) | Method and device for producing single crystal by bridgman technique | |
Lin et al. | Dopant segregation control in Czochralski crystal growth with a wetted float | |
SU890146A1 (en) | Viscosity determination method | |
RU2067626C1 (en) | Method of growing of monocrystals | |
KR950001794B1 (en) | Production of rutile single crystal | |
JPS623406Y2 (en) | ||
JP2538598B2 (en) | Single crystal pulling device | |
Frischat et al. | Homogenitaet von Glaesern Experiment Wl-Ihf-05 in der D 1-Mission(Homogeneity of Glasses: Experiment Wl-Ihf-05 in D 1 Mission) | |
Ricard et al. | Crucible for Crystallization | |
JPS5852292Y2 (en) | crucible support | |
RU2072003C1 (en) | A crucible for growing oxide monocrystals | |
Fischer et al. | Possibilities for physical experiments in materials science using near zero-g-conditions | |
KR910010169B1 (en) | Titanium oxide single crystal growth method |