CS241340B1 - Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja - Google Patents

Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja Download PDF

Info

Publication number
CS241340B1
CS241340B1 CS848737A CS873784A CS241340B1 CS 241340 B1 CS241340 B1 CS 241340B1 CS 848737 A CS848737 A CS 848737A CS 873784 A CS873784 A CS 873784A CS 241340 B1 CS241340 B1 CS 241340B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
cryostat
closure
apos
charge carriers
solids
Prior art date
Application number
CS848737A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Other versions
CS873784A1 (en
Inventor
Frantisek Dubecky
Jozef Novak
Peter Kordos
Original Assignee
Frantisek Dubecky
Jozef Novak
Peter Kordos
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Frantisek Dubecky, Jozef Novak, Peter Kordos filed Critical Frantisek Dubecky
Priority to CS848737A priority Critical patent/CS241340B1/cs
Publication of CS873784A1 publication Critical patent/CS873784A1/cs
Publication of CS241340B1 publication Critical patent/CS241340B1/cs

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

4 241340
Vynález sa týká krypsta^ir k-miožaos^ouexcitácie nosičov náboja ofSticfeýih Isgůsq,- *bom. Spadá do oblasti charakterizácie pév- *ných látok, predovšetkým polovodičov v od-bore fyzikálně] elektroniky. .Pri charakterizácii pevných látok - je vniektorých prípadoch potřebné skúmať ichvlastnosti pod vplyvom dopadajúceho optic-kého žiarenia v širokom teplotnom interva-le. V oblasti charakterizácie polovodičov savyužívá například metoda ODLTS — Opti-cal-Deep-Level Transient Spectroscopy, priktorej je vyšetřovaná vzorka ozařovaná op-tickým žiarením, čím sa v oblasti skúmané-ho materiálu excitujú volné nosiče náboja.
Pri charakterizácii sa vychádza z analýzyfyzikálnych relaxačných procesov po skon-čení ožarovania v širokom teplotnom inter-vale, obvykle 77 až 450 K. Používajú sa divezákladné modifikácie ODLTS metody, a tos energíou žiarenia hv váčšou áko energe-tická šířka zakázaného pásma Eg polovodi-če, alebo s energiou mensou ako zodpovedáEg. Pre tento účel sa konštruujú kryostatys optickým zdrojom žiarenia. Ako optickýzdroj je možné použit polovodičové diody alasery, plynové lasery, alebo širokospektrál-ny zdroj s filtrom vymedzujúcim požadova-nú vlnovú dlžku. Kryostaty majú vákuovýčerpací systém a sú opatřené okienkom premožnost ožarovania vzoriek umiestnených v kryostate. Ďalej je známe riešenie kryostatu, ktorýnevyžaduje použitie vákuového čerpaciehO'systému, kde vymrazovanie vodných párpri teplotách pod 273 K nastáva na uzáverekryostatu, ktorý je najchladnejším miestomv priestore vzorky.
Doposial nie je známe zariadenie umož-ňujúce optická excitáciu nosičov náboja vtomto type kryostatu. Známe riešenia vy-užívajú kryostat s okienkom a vyžadujú vá-kuový čerpací systém, čo kladie zvýšenénároky na konštrukciu a prevádzku týchtozariadení. V důsledku strát žiarenia je nutné po-užívat optické zdroje s dostatočne vysokýmžiarivým výkonom, predovšetkým polovodi-čové lasery schopné pracovat v kontinuál-nom režime. Často používané plynové lase-ry majú nevýhodu v nutnosti póužitia me-chanickej modulácie světelných impulzov.
Uvedené nevýhody v podstatnej miere od-straňuje zariadenie pre optická excitáciunosičov náboja podl'a vynálezu, ktorého pod-stata spočívá v tom, že uzávěr kryostatu jev mieste uloženia vzorky opatřený otvorom,cez ktorý je vedený svetlovod polovodičové-ho zdroja žiarenia. Zdroj žiarenia je uchy-tený na chladiči. Medzi uzáverom kryostatua chladičom je umiestnené tepelné tieneniez tepelno-izolačného materiálu.
Vynálezem je možné realizovat úsporné a efektívne zariadenie pre optická excitáciunosičov náboja v, kryostate. Umiestnenie po-fbvodičbiýého Ždřftja ^žiárefiiá *ná " chladiči.chladepom. vhpdným médiom nutným prečinnost kryostatu, například kvapalným du-síkom alebo' jeho parami, umožňuje využitvyššiu kvantovú účinnost tejto teplote.
Malá vzdialenosť zdroja žiarenia od vzor-ky a použitie vhodného svetlovodu zabezpe-čuje malé straty žiarenia vedením. To umož-ňuje využit ako zdroj žiarenia okrem po-lovodičových laserov diody LED, napriekich menšiemu žiarivému výkonu. Symetric-kým umiestnením dvoch polovodičovýchzdrojov žiarenia s různými vlnovými dlžka-mi λι, λζ zodpovedajúcim frekvenciám vi,v2 emitovaného žiarenia spíňajúcimi pod-mienky h i»i > Eg, h v2 < Eg na chladičoch svedením žiarenia otvořmi v uzávere kryo-statu v miestach uloženia vzorky a snímačateploty je možné jedným zariadením využitobe modifikácie metody ODLTS jednoduchopootočením uzávěru kryostatu o> 180°.
Na priloženom výkrese je na obr. 1 zná-zorněný nárys, na obr. 2 půdorys a na ob-rázku 3 priečny rez navrhovaného riešenia. ‘ Uzávěr kryostatu 1 je kovový blok, v ikto-rom sú vybratia 2, 2‘ pre vzorku a snímačteploty. Vybratia 2, 2‘ sú opatřené otvormi,cez ktoré sú do priestoru vzorky a snímačateploty vedené svetlovody 3, 3‘. Polovodičo-vé zdroje žiarenia 4, 4‘ sú uchytené v chla-dičoch 5, 5‘. Medzi uzáverom kryostatu 1 achladičmi 5, 5* sú valčeky 7, 7‘ z tepelno--izolačného materiálu, v dutině ktorých súvedené svetlovody 3, 3‘ a tepelné tienenie6 z tepelno-izolačného materiálu.
Uzáverom 1 podlá vynálezu sa skrutkou8 uzavrie kryostat. Chladiče S, 5‘ sa vnoriado chladiaceho média. Prívodmi 9, 9* sa pri-vádzajú elektrické impulzy do zdroja žia-renia, ktorého svetlovod ústi v priestore 2vzorky. Počas impulzov polovodičový zdrojžiarenia 4 emituje žiarenie, ktoré je vedenésvetlovodom 3 prechádzajúcim otvorom vuzávere 1 kryostatu a dopadá na vzorku u-miestnenú v priestore 2 kryostatu.
Pootočením uzávěru 1 DL-kryostatu o 180°a zapojením elektrických prívodov 9‘ vedú-cich k druhému zdrojů žiarenia 4‘ s lnou po-žadovanou vlnovou dížkou emitovaného žia-'renia sa dosiahne využitie oboch verzií me-tody ODLTS.
Vynález je možné využit na skúmanievlastností látok, predovšetkým pevných lá-tok, pod vplyvom dopadajúceho' optickéhožiarenia v spektrálnom rozsahu pokrytompolovodičovými zdrojmi žiarenia v širokomteplotnom intervale. Jedná sa hlavně ο> ob-last výroby prístrojov a zariadení pre cha-rakterizáciu polovodičových materiálov asúčiastok.

Claims (2)

5 6 241 3 4 0 PREDMET
1. Zariadenie pre optickú excitáciu nosi-čov náboja v kryostate vyznačujúce sa tým,že uzávěr (1) kryostatu je v mieste ulože-nia (2) vzorky opatřený otvorom, cez ktorýje vedený svetlovod (3) polovodičovéhozdroja (4) žiarenia uchyteného v chladiči (5), pričom medzi uzáverom (1) kryostatua chladičom (5) je umiestnené tepelné tie-nenie (6). VYNALEZU
2. Zariadenie pódia bodu 1, vyznačujúcesa tým, že uzávěr (1) kryostatu je v symet-rických miestach uloženia (2, 2‘j vzorky asnímača teploty opatřený otvormi, cez kto-ré sú vedené svetlovody (3, 3‘j polovodičo-vých zdrojov (4, 4‘) žiarenia uchytených vchladičoch (5, 5‘j, pričom medzi uzáverom (1) (kryostatu a chladičmi (5, 5‘) je umiest-nené tepelné tienenie (6). 1 list výkresov
CS848737A 1984-11-16 1984-11-16 Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja CS241340B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS848737A CS241340B1 (sk) 1984-11-16 1984-11-16 Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS848737A CS241340B1 (sk) 1984-11-16 1984-11-16 Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS873784A1 CS873784A1 (en) 1985-07-16
CS241340B1 true CS241340B1 (sk) 1986-03-13

Family

ID=5438364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS848737A CS241340B1 (sk) 1984-11-16 1984-11-16 Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS241340B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS873784A1 (en) 1985-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9679753B2 (en) Peltier-cooled cryogenic laser ablation cell
US7129501B2 (en) Radiation detector system having heat pipe based cooling
Davies et al. Remote in situ analytical spectroscopy and its applications in the nuclear industry
FI115872B (fi) Menetelmä ja laitteisto optoelektronisen puolijohdekomponentin lämpötilan säätämiseksi
Van der Eerden et al. Apparatus for in situ X-ray absorption fine structure studies on catalytic systems in the energy range 1000 eV< E< 3500 eV
CS241340B1 (sk) Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja
CN110988009B (zh) 用于epr谱仪的热解反应谐振腔以及epr谱仪
US20090002855A1 (en) Thermally controlled solid immersion lens fixture
Bydder et al. A relaxation method for determining state of equilibrium and tempera-ture ratio Te/Tg in an argon ICPT
US11577208B2 (en) Pressure vessel with high-pressure window
US4958126A (en) Probe for magnetic resonance spectrometric measures at very high temperatures
Mayer et al. Investigation of the excimer dynamics in 9, 10-dichloroanthracene crystals using picosecond spectroscopy
Ameen Laser temperature‐jump spectrophotometer using stimulated Raman effect in H2 gas for the study of nanosecond fast chemical relaxation times
Bludau et al. Optical determination of carrier mobility in GaAs
Picqué et al. CW, single-mode, tunable GaAs laser system with good frequency stability
KR102895135B1 (ko) 분광 분석 장치용 저온 챔버 장치 및 이를 포함하는 분광 분석 장치
Amita et al. A high-temperature high-pressure optical cell for general-purpose spectrometers designed for supercritical water experiments
KR20150137364A (ko) 평행집광에 의한 태양광 펌핑 레이저와 그 방법
Hergenröder et al. Atomic absorption spectroscopy with tunable semiconductor diode lasers
Apel et al. Electronic spectra and single rotational level fluorescence lifetimes of jet-cooled formaldehyde: the~ A1A2. rarw.~ X1A1 201601, 201403, and 201401601 transitions
Jones et al. Temperature dependence of cathodoluminescence in n-type gallium arsenide
Cavanagh et al. Time-resolved probes of surface dynamics
Peretti et al. Spin—lattice relaxation and thermal deactivation of X traps in 4, 4′-dichlorobenzophenone
Szoke et al. Cryostat for optical spectroscopy
SU960503A1 (ru) Устройство дл получени низких температур