CS241340B1 - Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja - Google Patents
Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja Download PDFInfo
- Publication number
- CS241340B1 CS241340B1 CS848737A CS873784A CS241340B1 CS 241340 B1 CS241340 B1 CS 241340B1 CS 848737 A CS848737 A CS 848737A CS 873784 A CS873784 A CS 873784A CS 241340 B1 CS241340 B1 CS 241340B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cryostat
- closure
- apos
- charge carriers
- solids
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
4 241340
Vynález sa týká krypsta^ir k-miožaos^ouexcitácie nosičov náboja ofSticfeýih Isgůsq,- *bom. Spadá do oblasti charakterizácie pév- *ných látok, predovšetkým polovodičov v od-bore fyzikálně] elektroniky. .Pri charakterizácii pevných látok - je vniektorých prípadoch potřebné skúmať ichvlastnosti pod vplyvom dopadajúceho optic-kého žiarenia v širokom teplotnom interva-le. V oblasti charakterizácie polovodičov savyužívá například metoda ODLTS — Opti-cal-Deep-Level Transient Spectroscopy, priktorej je vyšetřovaná vzorka ozařovaná op-tickým žiarením, čím sa v oblasti skúmané-ho materiálu excitujú volné nosiče náboja.
Pri charakterizácii sa vychádza z analýzyfyzikálnych relaxačných procesov po skon-čení ožarovania v širokom teplotnom inter-vale, obvykle 77 až 450 K. Používajú sa divezákladné modifikácie ODLTS metody, a tos energíou žiarenia hv váčšou áko energe-tická šířka zakázaného pásma Eg polovodi-če, alebo s energiou mensou ako zodpovedáEg. Pre tento účel sa konštruujú kryostatys optickým zdrojom žiarenia. Ako optickýzdroj je možné použit polovodičové diody alasery, plynové lasery, alebo širokospektrál-ny zdroj s filtrom vymedzujúcim požadova-nú vlnovú dlžku. Kryostaty majú vákuovýčerpací systém a sú opatřené okienkom premožnost ožarovania vzoriek umiestnených v kryostate. Ďalej je známe riešenie kryostatu, ktorýnevyžaduje použitie vákuového čerpaciehO'systému, kde vymrazovanie vodných párpri teplotách pod 273 K nastáva na uzáverekryostatu, ktorý je najchladnejším miestomv priestore vzorky.
Doposial nie je známe zariadenie umož-ňujúce optická excitáciu nosičov náboja vtomto type kryostatu. Známe riešenia vy-užívajú kryostat s okienkom a vyžadujú vá-kuový čerpací systém, čo kladie zvýšenénároky na konštrukciu a prevádzku týchtozariadení. V důsledku strát žiarenia je nutné po-užívat optické zdroje s dostatočne vysokýmžiarivým výkonom, predovšetkým polovodi-čové lasery schopné pracovat v kontinuál-nom režime. Často používané plynové lase-ry majú nevýhodu v nutnosti póužitia me-chanickej modulácie světelných impulzov.
Uvedené nevýhody v podstatnej miere od-straňuje zariadenie pre optická excitáciunosičov náboja podl'a vynálezu, ktorého pod-stata spočívá v tom, že uzávěr kryostatu jev mieste uloženia vzorky opatřený otvorom,cez ktorý je vedený svetlovod polovodičové-ho zdroja žiarenia. Zdroj žiarenia je uchy-tený na chladiči. Medzi uzáverom kryostatua chladičom je umiestnené tepelné tieneniez tepelno-izolačného materiálu.
Vynálezem je možné realizovat úsporné a efektívne zariadenie pre optická excitáciunosičov náboja v, kryostate. Umiestnenie po-fbvodičbiýého Ždřftja ^žiárefiiá *ná " chladiči.chladepom. vhpdným médiom nutným prečinnost kryostatu, například kvapalným du-síkom alebo' jeho parami, umožňuje využitvyššiu kvantovú účinnost tejto teplote.
Malá vzdialenosť zdroja žiarenia od vzor-ky a použitie vhodného svetlovodu zabezpe-čuje malé straty žiarenia vedením. To umož-ňuje využit ako zdroj žiarenia okrem po-lovodičových laserov diody LED, napriekich menšiemu žiarivému výkonu. Symetric-kým umiestnením dvoch polovodičovýchzdrojov žiarenia s různými vlnovými dlžka-mi λι, λζ zodpovedajúcim frekvenciám vi,v2 emitovaného žiarenia spíňajúcimi pod-mienky h i»i > Eg, h v2 < Eg na chladičoch svedením žiarenia otvořmi v uzávere kryo-statu v miestach uloženia vzorky a snímačateploty je možné jedným zariadením využitobe modifikácie metody ODLTS jednoduchopootočením uzávěru kryostatu o> 180°.
Na priloženom výkrese je na obr. 1 zná-zorněný nárys, na obr. 2 půdorys a na ob-rázku 3 priečny rez navrhovaného riešenia. ‘ Uzávěr kryostatu 1 je kovový blok, v ikto-rom sú vybratia 2, 2‘ pre vzorku a snímačteploty. Vybratia 2, 2‘ sú opatřené otvormi,cez ktoré sú do priestoru vzorky a snímačateploty vedené svetlovody 3, 3‘. Polovodičo-vé zdroje žiarenia 4, 4‘ sú uchytené v chla-dičoch 5, 5‘. Medzi uzáverom kryostatu 1 achladičmi 5, 5* sú valčeky 7, 7‘ z tepelno--izolačného materiálu, v dutině ktorých súvedené svetlovody 3, 3‘ a tepelné tienenie6 z tepelno-izolačného materiálu.
Uzáverom 1 podlá vynálezu sa skrutkou8 uzavrie kryostat. Chladiče S, 5‘ sa vnoriado chladiaceho média. Prívodmi 9, 9* sa pri-vádzajú elektrické impulzy do zdroja žia-renia, ktorého svetlovod ústi v priestore 2vzorky. Počas impulzov polovodičový zdrojžiarenia 4 emituje žiarenie, ktoré je vedenésvetlovodom 3 prechádzajúcim otvorom vuzávere 1 kryostatu a dopadá na vzorku u-miestnenú v priestore 2 kryostatu.
Pootočením uzávěru 1 DL-kryostatu o 180°a zapojením elektrických prívodov 9‘ vedú-cich k druhému zdrojů žiarenia 4‘ s lnou po-žadovanou vlnovou dížkou emitovaného žia-'renia sa dosiahne využitie oboch verzií me-tody ODLTS.
Vynález je možné využit na skúmanievlastností látok, predovšetkým pevných lá-tok, pod vplyvom dopadajúceho' optickéhožiarenia v spektrálnom rozsahu pokrytompolovodičovými zdrojmi žiarenia v širokomteplotnom intervale. Jedná sa hlavně ο> ob-last výroby prístrojov a zariadení pre cha-rakterizáciu polovodičových materiálov asúčiastok.
Claims (2)
1. Zariadenie pre optickú excitáciu nosi-čov náboja v kryostate vyznačujúce sa tým,že uzávěr (1) kryostatu je v mieste ulože-nia (2) vzorky opatřený otvorom, cez ktorýje vedený svetlovod (3) polovodičovéhozdroja (4) žiarenia uchyteného v chladiči (5), pričom medzi uzáverom (1) kryostatua chladičom (5) je umiestnené tepelné tie-nenie (6). VYNALEZU
2. Zariadenie pódia bodu 1, vyznačujúcesa tým, že uzávěr (1) kryostatu je v symet-rických miestach uloženia (2, 2‘j vzorky asnímača teploty opatřený otvormi, cez kto-ré sú vedené svetlovody (3, 3‘j polovodičo-vých zdrojov (4, 4‘) žiarenia uchytených vchladičoch (5, 5‘j, pričom medzi uzáverom (1) (kryostatu a chladičmi (5, 5‘) je umiest-nené tepelné tienenie (6). 1 list výkresov
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848737A CS241340B1 (sk) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848737A CS241340B1 (sk) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS873784A1 CS873784A1 (en) | 1985-07-16 |
| CS241340B1 true CS241340B1 (sk) | 1986-03-13 |
Family
ID=5438364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848737A CS241340B1 (sk) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS241340B1 (cs) |
-
1984
- 1984-11-16 CS CS848737A patent/CS241340B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS873784A1 (en) | 1985-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9679753B2 (en) | Peltier-cooled cryogenic laser ablation cell | |
| US7129501B2 (en) | Radiation detector system having heat pipe based cooling | |
| Davies et al. | Remote in situ analytical spectroscopy and its applications in the nuclear industry | |
| FI115872B (fi) | Menetelmä ja laitteisto optoelektronisen puolijohdekomponentin lämpötilan säätämiseksi | |
| Van der Eerden et al. | Apparatus for in situ X-ray absorption fine structure studies on catalytic systems in the energy range 1000 eV< E< 3500 eV | |
| CS241340B1 (sk) | Zariadenie pre optická excitáciu nosičov náboja | |
| CN110988009B (zh) | 用于epr谱仪的热解反应谐振腔以及epr谱仪 | |
| US20090002855A1 (en) | Thermally controlled solid immersion lens fixture | |
| Bydder et al. | A relaxation method for determining state of equilibrium and tempera-ture ratio Te/Tg in an argon ICPT | |
| US11577208B2 (en) | Pressure vessel with high-pressure window | |
| US4958126A (en) | Probe for magnetic resonance spectrometric measures at very high temperatures | |
| Mayer et al. | Investigation of the excimer dynamics in 9, 10-dichloroanthracene crystals using picosecond spectroscopy | |
| Ameen | Laser temperature‐jump spectrophotometer using stimulated Raman effect in H2 gas for the study of nanosecond fast chemical relaxation times | |
| Bludau et al. | Optical determination of carrier mobility in GaAs | |
| Picqué et al. | CW, single-mode, tunable GaAs laser system with good frequency stability | |
| KR102895135B1 (ko) | 분광 분석 장치용 저온 챔버 장치 및 이를 포함하는 분광 분석 장치 | |
| Amita et al. | A high-temperature high-pressure optical cell for general-purpose spectrometers designed for supercritical water experiments | |
| KR20150137364A (ko) | 평행집광에 의한 태양광 펌핑 레이저와 그 방법 | |
| Hergenröder et al. | Atomic absorption spectroscopy with tunable semiconductor diode lasers | |
| Apel et al. | Electronic spectra and single rotational level fluorescence lifetimes of jet-cooled formaldehyde: the~ A1A2. rarw.~ X1A1 201601, 201403, and 201401601 transitions | |
| Jones et al. | Temperature dependence of cathodoluminescence in n-type gallium arsenide | |
| Cavanagh et al. | Time-resolved probes of surface dynamics | |
| Peretti et al. | Spin—lattice relaxation and thermal deactivation of X traps in 4, 4′-dichlorobenzophenone | |
| Szoke et al. | Cryostat for optical spectroscopy | |
| SU960503A1 (ru) | Устройство дл получени низких температур |