CS240771B1 - Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny - Google Patents

Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny Download PDF

Info

Publication number
CS240771B1
CS240771B1 CS838024A CS802483A CS240771B1 CS 240771 B1 CS240771 B1 CS 240771B1 CS 838024 A CS838024 A CS 838024A CS 802483 A CS802483 A CS 802483A CS 240771 B1 CS240771 B1 CS 240771B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
melt
reflecting
level
mirror
inaccessible
Prior art date
Application number
CS838024A
Other languages
English (en)
Other versions
CS802483A1 (en
Inventor
Jiri Stiller
Vilem Smejkal
Original Assignee
Jiri Stiller
Vilem Smejkal
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Stiller, Vilem Smejkal filed Critical Jiri Stiller
Priority to CS838024A priority Critical patent/CS240771B1/cs
Publication of CS802483A1 publication Critical patent/CS802483A1/cs
Publication of CS240771B1 publication Critical patent/CS240771B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Účelem řešení je zpřesnění měření průměru rostoucího krystalu křemíku taženého metodou Czochralského. Podstata spočívá v tom, že nad hladinou zrcadlící taveny uloženo těleso, které sě po zahřátí sáláním stává zdrojem světla a; které se svým virtuálním obrazem, vznikajícím odrazem na hladině zrcadlící taveniny, vytváří v obrazové rovině objektivu měřicí dalekohledové lupy dvojici reálných obrazů, jejichž vzdálenost je úměrná vzdálenosti tělesa od hladiny zrcadlící taveniny.

Description

Vynález se týká zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny.
Tažení polovodičových krystalů, zejména křemíkových krystalů, metodou Czochralského s elektrooptickým měřením průměru rostoucího krystalu/založeným na sledování rozhraní fází pyrometrem vyžaduje, aby v procesu tažení krystalu byla zachovávána výška hladiny taveniny. Této podmínce bývá zhruba vyhověno tím, že úbytek taveniny/způsobený růstem krystalu/je vyrovnáván přísuvem kelímku s taveninou rychlostí, jež je funkcí rychlosti růstu krystalu, průměru rostoucího krystalu a tvar*u kelímku. Případné fluktuace těchto veličin, zejména tvaru neválcové části kelímku, vedou ke změně polohy hladiny taveniny v kelímku, jež má za následek chybné měření průměru rostoucího krystalu. Kontrola.polohy hladiny taveniny, jež musí být z důvodu zachování čistoty taveniny realizována bezkontaktním způsobem, bývá v případě zrcadlící taveniny prováděna pomocí paralelního světelného svazku, jenž dopadá z intenzivního zdroje světla, obvykle laseru, umístěného nad průzorem do komory zařízení šikmo na hladinu a jenž po odraze na hladině zrcadlící taveniny vytváří stopu, jejíž poloha se mění s polohou hladiny zrcadlící taveniny. Nevýhodou tohoto způsobu je vedle ekonomické nákladnosti zařízení pro měření i nutnost seřizo vání zařízení před každou tavbou.
Uvedené nedostatky odstraňuje řešení podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že těleso uložené nad hladinou zrcadlící taveniny a jeho virtuální obraz jsou v zorném poli měřicí dalekohledové lupy. Je účelné, aby těleso mělo tvar válce a bylo zhotoveno z křemene.
Těleso uložené nad hladinou zrcadlící taveniny je zahříváno sáláním tak, že se stává zdrojem světla a společně se svým virtu240 771 álním obrazem,vznikájícím odrazem na hladině zrcadlící taveniny, vytváří v obrazové rovině objektivu měřicí dalekohledové lupy dvojici reálných obrazů, jejichž vzdálenost, měřená stupnicí na záměrné ploténce uložené v obrazové rovině objektivu měřicí dalekohledové lupy, je úměrná vzdálenosti tělesa oď hladiny zrcadlící taveniny.
Na připojeném výkresu je znázorněn příklad zařízení podle vynálezu. Na obr. 1 je znázorněna komora pro tažení monokrystalů metodou Czochralského s měřicím zařízením, které má nad hladinou zrcadlící taveniny těleso ve tvaru válce. Na obr. 2 je znázorněno zorné pole měřicí dalekohledové lupy.
Monokrystaly křemíku tažené metodou Czochralského jsou připra vovány v inertním plynem napuštěné komoře i,opatřené dvěma na sobě nezávisle pohyblivými hřídeli. Na horní hřídeli 2 je uložen monokrystal ický zárodek 2» na kterém narůstá krystal 2, na dolní hřídeli 4 je kelímek 2 obsahující zrcadlící taveninu 6. Průměr rostoucího krystalu 7 je měřen pyrometrem 8,zaměřeným na rozhraní fází 9. Aby toto měření bylo dostatečně přesné, je třeba udržovat hladinu 10 ve stejné poloze po celou dobu tažení. Toho lze dosáhnout řízeným přísuvem dolní hřídele 4 nesoucí kelímek 2 směrem vzhůru. Případné změny polohy hladiny 10 zrcadlící taveniny 6, vyvolané zejména fluktuacemi tvaru kelímku 2» lze měřit pomocí tělesa 11 uloženého nad hladinou 10 zrcadlící taveniny 6, které se po Zahřátí sáláním stává zdrojem světla a společně se svým virtuálním obrazem 12,vznikajícím odrazem na hladině 10 zrcadlící taveniny 6, vytváří v obrazové rovině objektivu 14 měřicí dalekohledové lupy 13 dvojici reálných obrazů 11 * a 12 *, jejichž vzdálenost, měřená stupnicí na záměrné ploténce 15 uložené v obrazové rovině objektivu 14 měřicí dalekohledové lupy 13. je úměrná vzdálenosti tělesa 11 od hladiny 10 zrcadlící taveniny 6.
Využití vynálezu zpřesní měření průměrů křemíkových krystalů tažených metodou Czochralského. Vynálezu lze využít ve spojení s libovolným zařízením pro tažení krystalů křemíku metčrtou Czochralského.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    240 771
    Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny, vyznačené tím, že těleso /11/ uložené nad hla dinou /10/ zrcadlící taveniny /6/ a jeho virtuální obraz /12/ jsou v zorném poli měřicí dalekohledové lupy /13/.
CS838024A 1983-10-31 1983-10-31 Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny CS240771B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS838024A CS240771B1 (cs) 1983-10-31 1983-10-31 Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS838024A CS240771B1 (cs) 1983-10-31 1983-10-31 Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS802483A1 CS802483A1 (en) 1985-07-16
CS240771B1 true CS240771B1 (cs) 1986-02-13

Family

ID=5430281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS838024A CS240771B1 (cs) 1983-10-31 1983-10-31 Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS240771B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS802483A1 (en) 1985-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100908587B1 (ko) 광학 부재의 제조 방법
Sasaki et al. Temperature dependence of the viscosity of molten silicon measured by the oscillating cup method
US3998598A (en) Automatic diameter control for crystal growing facilities
US3493770A (en) Radiation sensitive control system for crystal growing apparatus
CN1172869A (zh) 与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机
US4239583A (en) Method and apparatus for crystal growth control
EP1080256B1 (en) Crystal growth apparatus and method
US4185076A (en) Apparatus for controlled growth of silicon and germanium crystal ribbons
CS240771B1 (cs) Zařízení na bezkontaktní měření polohy hladiny nepřístupné zrcadlící taveniny
RU2000131209A (ru) Устройство для выращивания кристаллов и способ выращивания кристаллов
US4058429A (en) Infrared temperature control of Czochralski crystal growth
Baumann et al. Orthoscopic investigation of the axial optical and compositional homogeneity of Czochralski grown LiNbO3 crystals
Beth et al. Preliminary observations of the effect of solutal convection on crystal morphology
US4290835A (en) Method for crystal growth control
Fowle et al. Float-zone processing in a weightless environment
Sunagawa I Situ Observation of Nucleation, Growth, and Dissolution of Silicate Crystals at High Temperatures
RU2128250C1 (ru) Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления
JP2579761B2 (ja) 単結晶直径の制御方法
KR100415172B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치
JPS6042294A (ja) メルト表面位置測定装置
Bridge A high temperature microfurnace for the study of the devitrification of glass
JPH06263585A (ja) 単結晶引上げ装置
Houk Fabrication and testing of index gradients in fluoride materials
Bodyachevsky et al. Temperature fields during sapphire crystal growth
Biderman et al. Crystal Growth of Optical Materials by the Gradient Solidification Method