CS240682B1 - A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation - Google Patents
A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation Download PDFInfo
- Publication number
- CS240682B1 CS240682B1 CS847062A CS706284A CS240682B1 CS 240682 B1 CS240682 B1 CS 240682B1 CS 847062 A CS847062 A CS 847062A CS 706284 A CS706284 A CS 706284A CS 240682 B1 CS240682 B1 CS 240682B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- plates
- thickness
- plane
- production
- grinding
- Prior art date
Links
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
'Způsob přesného tmelení při výrobě planparalelních destiček a přípravek k jeho provádění, umožňující při výrobě destiček z monokrystalů lithiumniobátu, germanátu olova, triglycinsulfátua pod., využívaných jako pyroelektrická čidla, dosáhnout planparalelity s přesností 1 až 5 /tm tím, že mezi dvě planparalelní desky ae vloží vyhřátý brousicí nebo leštící kotouč s ještě plastickým tmelem a na něm uchycenými opracovávanými destičkami a poté se tyto desky stahují k sobě až k dosaženi celkové tloušíky, tvořené tloušíkou planparalelních kovových desek, brousicí nebo leštící desky, tloušíkou opracovávaných destiček a zvolenou tloušíkou tmele, která činí 1 až 5 /tm v přípravku, tvořeném dvěma kovovými jolangaralelními deskami s klínovitostí menší nez 1 /tm, z nichž horní je svisle posuvná po s výhodou třech tyčích, opatřených závitem a utahovacími maticemi.'A method of precise cementing in the production of plane-parallel plates and a device for its implementation, enabling, in the production of plates from single crystals of lithium niobate, lead germanate, triglycine sulfate, etc., used as pyroelectric sensors, to achieve plane-parallelity with an accuracy of 1 to 5 μm by inserting a heated grinding or polishing wheel with still plastic cement and the plates to be processed thereon between two plane-parallel plates and then pulling these plates together until a total thickness is achieved, formed by the thickness of the plane-parallel metal plates, the grinding or polishing plate, the thickness of the plates to be processed and the selected thickness of the cement, which is 1 to 5 μm in a device formed by two metal plane-parallel plates with a wedge-likeness of less than 1 μm, of which the upper one is vertically movable along preferably three rods, provided thread and tightening nuts.
Description
Vynález se týká způsobu přesného tmelení při výrobě destiček s vysokou planparalelitou, jakož i přípravku pro uvedený způsob.The present invention relates to a process for precision bonding in the production of high-planarity plates and to a composition for said process.
Dosavadní způsob tmelení především malých destiček na podložní brousicí nebo leštící kotouč je při těchto operacích základním limitujícím faktorem výroby přesných planparalelníoh destiček. I při velké pečlivosti a zručnosti pracovníka lze natmelit destičky v rozmezí planparalality + 10 až 30 /um a v této toleranci se pohybuje i výsledná planparalelita.The prior art method of cementing especially small wafers onto a grinding or polishing pad is a basic limiting factor in the production of precision planar parallel wafers during these operations. Even with great care and skill of the worker, it is possible to fill plates in the range of planparalality + 10 to 30 µm and the resulting planparality is within this tolerance.
U stále většího počtu především tenkých destiček z monokrystalů lithiumniobátu, germanátu olova, triglycinsulfátu, případmě deuterováného, využívaných jako pyroelektrická čidla, je požadováno opracování s podstatně větší přesností na planparalelituja to nejméně + 5 /um, přičemž u těchto destiček nelze aplikovat metodu přisátí na optický kontakt.In an increasing number of mainly thin platelets of single crystals of lithium niobate, lead germanate, triglycine sulphate, or deuterated, used as pyroelectric sensors, machining with substantially greater accuracy to planparalelite is required to be at least + 5 µm. contact.
Jevilo se proto účelným nalézt takový způsob přesného tmelení, jímž by bylo možno těmto zvýšeným požadavkům na planparalelitu vyhovět a cíle bylo dosaženo způsobem přesného tmelení při výrobě planparalelních destiček podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že mezi dvě planparalelní desky se vloží vyhřátý brousicí nebo leštící kotouč s ještě plastickým tmelem a na něm uchycenými opracovávanými destičkami a poté se tyto desky stahují k sobě až k dosažení celkové tloušťky, tvořené tloušťkou planparalelníohTherefore, it has been found expedient to find a method of precision cementing to meet these increased requirements for planar parallelism and to achieve the aim of a method of precision cementing in the production of planar parallel plates according to the invention by inserting a heated grinding or polishing wheel with still plastic putty and machined inserts attached to it and then these plates are pulled together to achieve a total thickness of planparallel thickness
- 2 240 682 kovových desek, brousící nebo leštící desky, tloušťkou opracovávaných destiček a zvolenou tloušťkou tmele, která činí 1 až 3 /um.2,240,682 metal plates, grinding or polishing plates, the thickness of the plates to be machined and the selected sealant thickness, which is 1 to 3 µm.
Předmětem vynálezu je také přípravek k provádění tohoto způsobu, jehož podstata spočívá v tom, že je tvořen dvěma kovovými planparalelními deskami s klínovitostí menší než 1 /um, z nichž horní je svisle posuvná po s výhodou třech tyčích, opatřených závitem a utahovacírai maticemi.The invention also relates to a preparation for carrying out the method, which consists of two metal planar parallel plates with a wedge of less than 1 µm, the upper one of which is vertically displaceable over preferably three threaded rods and tightening nuts.
V dalším je blíže popsán nejprve přípravek s přihlédnutím k připojeným výkresům a dále pak postup podle vynálezu při přesném tmelení.In the following, the preparation is described first with reference to the accompanying drawings, and then the process according to the invention for precision cementing.
Na obr.1 je přípravek znázorněn v pohledu shora a na obr.2 v pohledu 9 boku. Jsou tam znázor-něny horní svisle pohyblivá deska 2» svislé tyče 2 opatřené závitem, dolbí pevná planparalelní deska 2» utahovací matice 2» brousící nebo leštící deska 2» opracovávané destičky β a vrstvička tmele 2 ·In Fig. 1 the jig is shown in a top view and in Fig. 2 in a side view 9. There are shown upper vertically movable plate 2 »vertical bars 2 threaded, low rigid planar parallel plate 2» tightening nut 2 »grinding or polishing plate 2» machined plates β and layer of sealant 2 ·
Při přesném tmelení se mezi horní planparalelní desku 2 navlečenou na svislých tyčích 2 a dolní planparalelní desku 2 vloží vyhřátý brousící nebo leštící deska 2 a přitraelenými opracovávanými destičkami 6 v ještě pls&ickéra tmelu 2 a pomocí utahovacích matic 2 se obě kovové planparalelní desky 2 a 2 stahují k sobě.For precise bonding, a heated grinding or polishing plate 2 is inserted between the upper planar plate 2 threaded on the vertical bars 2 and the lower planar plate 2 and the machined plates 6 in the still sealed cement 2 and tightened with the tightening nuts 2 both metal planar plates 2 and 2 together.
Při jeainém odporu se stahování přeruší a kontroluje indikátorem planparalelita celého přípravku až k dosažení celkové tloušťky, odpovídající tloušťce planparalelních desek, brousící nebo leštící desky, tloušťce Opracovávaných desitček a zvolené tloušťce vsstvy tmele, pohybující se v rozmezí 1 až 3 /um. Tak lze u takto přitmelených destiček dosáhnout při dalším* opracovávání planparalelity s přesností 1 až 5 /um.At a different resistance, the contraction is interrupted and checked by the indicator of the entire composition's planparality until the overall thickness corresponding to the thickness of the planar parallel plates, the grinding or polishing plate, the thickness of the treated tens and the selected thickness of the putty layer are between 1 and 3 µm. In this way, the plastered plates thus obtained can be further treated with planar parallelism with an accuracy of 1 to 5 µm.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS847062A CS240682B1 (en) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS847062A CS240682B1 (en) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS706284A1 CS706284A1 (en) | 1985-06-13 |
CS240682B1 true CS240682B1 (en) | 1986-02-13 |
Family
ID=5419048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS847062A CS240682B1 (en) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS240682B1 (en) |
-
1984
- 1984-09-20 CS CS847062A patent/CS240682B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS706284A1 (en) | 1985-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0262848A3 (en) | Method of fabricating multilayer structures with nonplanar surfaces | |
IL96522A0 (en) | Testable ribbon bonding method and wedge bonding tool for microcircuit device fabrication | |
CN113787636B (en) | Manual bar adhering method for 12-inch semiconductor wafer | |
IT8452845V0 (en) | SCREW SUITABLE FOR PRECISION TIGHTENING TORQUES | |
CN109500739B (en) | Composite material encapsulation test piece fixing clamp and fixing method thereof | |
FI853743A7 (en) | Epoxy resin composition and method for making laminates therefrom | |
CN109100193A (en) | The composite material that bondline thickness is adjustable overlaps test tooling | |
CS240682B1 (en) | A method of precise sealing in the production of planar plates and a preparation for its implementation | |
FR2484467B1 (en) | PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF A GROUP II-IV SEMICONDUCTOR CRYSTAL | |
IT1176955B (en) | METALLIC SILICON PRODUCTION PROCEDURE SUITABLE FOR USE IN THE PHOTOVOLTAIC INDUSTRY | |
CA2062466A1 (en) | Method of positioning and fixing optical fibres in a row of optical fibres and a coupling device provided with such a row of fibres | |
US4755340A (en) | Method for producing packs of blades used for cutting crystal bars into wafers | |
DE3560222D1 (en) | Fabrication process of silicon crystal bodies with large surfaces for solar cells | |
FR2563843B1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING TITANIUM ALLOY PLATES | |
DE3279532D1 (en) | Process for reducing radioactive contamination in phosphogypsum | |
CN211387000U (en) | Magnetic material drilling device for preventing magnetic material from shifting | |
ITMI962764A1 (en) | PROCESS FOR THE MANUFACTURING OF A BASE FOR THE PNEUMOSTATIC SLIDING OF MOBILE WAGONS PARTICULARLY | |
IT1185358B (en) | APPARATUS FOR MEASURING CONTAMINATION OF A SURFACE BY THE RUBBING METHOD | |
JPH0435079Y2 (en) | ||
CN107894295A (en) | A kind of film torque sensor chip and manufacture method | |
CN217193994U (en) | Clamp for steel structure machining | |
KR970001333Y1 (en) | Sectional see-through fastening device for transmission electron microscope using shape memory alloy | |
JPH0617856B2 (en) | Compression test jig | |
JPH0354823Y2 (en) | ||
CN219726832U (en) | Adjustable stick-sticking fixing tool |