CS239785B1

CS239785B1 - Roztok pro leptání napařených chalkogenidových resistů

Info

Publication number: CS239785B1
Application number: CS845654A
Authority: CS
Inventors: Frantisek Kosek; Zdenek Cimpl; Jiri Janos; Vaclav Husa; Frantisek Matejka
Original assignee: Frantisek Kosek; Zdenek Cimpl; Jiri Janos; Vaclav Husa; Frantisek Matejka
Priority date: 1984-07-23
Filing date: 1984-07-23
Publication date: 1986-01-16
Also published as: CS565484A1

Abstract

Roztok pro leptání napařených chalkogenidových resistů obsahuje 10~2 až 5 % hmotnosti hydroxidu sodného nebo 10"2 až 5 % hmotnosti sodné soli slabé kyseliny ve vodně alkoholickém roztoku. Koncentrace alkoholu je 0,5 až 99,9 % hmotnosti. Výhodné je použít metanol.

Description

Vynález se týká roztoku pro leptání chalkogenldovýoh resistů. Citlivost chalkogenidových vrstev vůči dopadajícímu elektromagnetickému záření nebo svazku urychlených elektronů se projevuje nejen ve změně jejich optických parametrů, jako je index lomu a absorpční koeficient odpovídající určité vlnové délce, ale i ve změně odolnosti vůči chemickým činidlům.

Je známo, že ohalkogenidová vrstva napařovaná z materiálu o složení As^S^ obsahuje molekuly As^S^, As^S^ a určité množství síry. Je dále známé, že osvětlení této vrstvy zářením vhodné vlnové délky vede k polymerizaci vrstvy a ke snížení rychlosti rozpouštění ve vodném roztoku NaOH.

Vlivem nevhodného mezipovrchového napětí a z dalších fyzikálně chemických důvodů dochází však k narušování·leptané vrstvy, které se projevuje porušením adheze vrstvy k podložce, na kterou je vrstva nanesena.

Tento jev pak znemožňuje užití uvedeného postupu při vytváření jemných detailů topologie mikroelektronických součástek, resp. masek. Uvedenou nevýhodu odstraňuje tento vynález, jehož podstata spočívá v tom, že roztok pro leptání napařených chalkogenidových resistů _2 k dosažení rovnoměrného leptání bez poškození napařené vrstvy obsahuje 10 až 5 % hmot-2 nosti hydroxidu sodného nebo 10 až 5 % hmotnosti sodné soli slabé kyseliny ve vodně alkoholickém roztoku, přičemž koncentrace alkoholu je 0,5 až 99,9 % hmotnosti. Je výhodné připravit roztok z metanolu.

Užití vynálezu bude vysvětleno na následujících příkladech.

Přikladl . Na skleněnou podložku chemicky očištěnou byla napařena vrstva z materiálu o složení As₂S₃. Vzorek byl rozdělen na dvě části s označením A a B. Obě části byly exponovány bílým světlem přes masku, obsahující detaily o rozměrech 2 až 15

Vzorek s označením A byl leptán v roztoku obsahujícím 0,2 % NaOH a 99,8 t H₂0. Vzorek B byl leptán v roztoku obsahujícím 0,2 % NaOH, 90 % CHgOH a zbytek HjO. U vzorku A došlo k znatelnému narušení kontur detailů o rozměrech pod 5^m. Vzorek B nevykazoval poškození a obraz získaný po ukončení leptacího procesu odpovídal předloze.

Příklad 2

Na vyleštěnou křemíkovou desku pokrytou vrstvou oxidu křemičitého byl napařen materiál o složení As₂S₂ g. Deska byla opět rozdělena na dvě části - část A a část B. Na obě části byla přes masku nakopírována bílým světlem soustava rovnoběžných čar o šířce 2 až 10^um.

Vzorek A byl leptán v roztoku 0,3 % NaOH v 99,7 i H₂0. Vzorek B b^l leptán v roztoku obsahujícím 0,3 % NaOH, 60 % metanolu a zbytek H₂0. U vzorku A došlo k poškození kontur čar o rozměrech 2 až 8jum. Vzorek B obsahoval přesný obraz masky bez poškození čar.

Pří k'l a d 3

Soustava rovnoběžných čar z příkladu 2 byla vytvářena pomocí svazku urychlených elektronů. Vzorek byl opět rozdělen na část A a B. K leptání bylo použito stejných roztoků jako v příkladu 1. Vzorek A vykazoval opět narušení kontur exponovaných detailů. Vzorek B nevykazoval narušení ostrosti detailů.

Příkladě

Vzorek se soustavou čar o šířce 3jum nakopírovanou bílým světlem byl leptán v roztoku obsahujícím 0,1 % NaOH, 60 % metanolu a.39,8 % etanolu. Po provedeném leptání byly čáry, ostré a nevykazovaly poškození nerozpustnými krystalky. ___________.

Příklad 5

Vzorek z př/kladu 4 byl leptán v roztoku obsahujícím 0,02 % NaOH, 30 i metanolu, i etanolu a zbytek vody. Po provedeném leptání byly čáry ostré a nevykazovaly poškození nerozpustnými krystalky.

Příklad 6

Na skleněnou podložku chemicky očištěnou byla napařena vrstva z materiálu o složení ^As2^S3 ^Vzore^ byl rozdělen na dvě části s označením A a B. Obě části byly exponovány bílým světlem přes masku, obsahující detaily o rozměrech 2 až 15yim.

Vzorek s označením A byl leptán v roztoku obsahujícím 0,1 % Na2S.9 1^0 a 99₍9 % l^O. Vzorek B byl leptán v roztoku obsahujícím 0,1 % Na2S.9 * CH^OH a zbytek I^O.

U vzorku A došlo k porušení kontur detailů. Vzorek B nevykazoval poškození a obraz získaný po ukončení leptacího procesu odpovídal předloze.

Výhodou leptacího procesu podle vynálezu je možnost získání ostrých detailů. Další výhoda spočívá v možnosti regulace rychlosti leptání podle koncentrace louhu sodného v alkoholickém roztoku.

Claims

1. ROztok pro leptání napařených chalkogenidových resistů, vyznačující se tím, že

-2 -2 obsahuje 10 až 5 % hmotnosti hydroxidu sodného nebo 10 až 5 % hmotnosti sodné soli slabé kyseliny ve vodné alkoholickém roztoku, přičemž koncentrace alkoholu je 0,5 až 99,9 % hmotnosti.

2. Roztok podle bodu 1, vyznačující se tím, že jako alkohol obsahuje metanol.