CS237588B1 - Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek - Google Patents
Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek Download PDFInfo
- Publication number
- CS237588B1 CS237588B1 CS16683A CS16683A CS237588B1 CS 237588 B1 CS237588 B1 CS 237588B1 CS 16683 A CS16683 A CS 16683A CS 16683 A CS16683 A CS 16683A CS 237588 B1 CS237588 B1 CS 237588B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- soft metal
- power semiconductor
- area contacts
- metal interlayer
- particular power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Řešení se týká mezivrstvy z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových prvků. Mezivrstva je alespoň, z jedné strany opatřena vylisovanými drážkami, jejichž šířka dna a šířka stykové plochy je v rozmezí 0,3 až 1 mm. Hloubka drážky je větší než trojnásobek součtu nerovinnostf stykových ploch. Alternativně jsou drážky vylisovány ve dvou směrech, svírajícícl\ úhel 60 až 90°.
Description
(54) Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek
Řešení se týká mezivrstvy z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových prvků. Mezivrstva je alespoň, z jedné strany opatřena vylisovanými drážkami, jejichž šířka dna a šířka stykové plochy je v rozmezí 0,3 až 1 mm. Hloubka drážky je větší než trojnásobek součtu nerovinnostf stykových ploch. Alternativně jsou drážky vylisovány ve dvou směrech, svírajícícl\ úhel 60 až 90°.
OBR. -/
OBR. 2
Vynález se týká mezivrstvy z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek.
Negativní vliv nerovinností stykových ploch velkoplošných kontaktů na přenos tepla a přenos elektrických proudů vysokých hodnot se řeší zvyšováním přítlačné síly nebo vložením fólie z měkkého kovu mezi stykové plochy.
Zvyšování přítlačné síly vede ke vzniku plastických a elastických deformací, které částečně vyrovnávají existující nerovinnosti soustavy. Zvyšování přítlačné síly však zároveň způsobuje lokální mechanické přetížení a je-li soustava složena z křehkých materiálů, může při lokálním přetížení dojít k destrukci jednotlivých částí soustavy.
Vložení měkké fólie např. z hliníku nebo stříbra může zlepšit vlastnosti velkoplošných kontaktů jen při poměrně malých nerovinnostech stykových ploch, protože stlaěitelnost měkkých fólií na velkých plochách, daných nerovinnostmi kontaktů, je nepatrná.
Vznik lokálních mechanických přetížení nelze vložením fólií z měkkého kovu odstranit. Uvedené nedostatky odstraňuje mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že mezivrstva z měkkého kovu je alespoň z jedné strany opatřena vylisovanými drážkami, jejichž šířka dna a šířka stykové plochy je v rozmezí 0,3 až l mm a hloubka drážky je větší než trojnásobek součtu nerovinností stykových ploch.
Alternativně jsou drážky vylisovány ve dvou směrech, svírajících úhel 60 až 90°. Mezivrstva z měkkého kovu podle vynálezu zajištuje u reálných kontaktů s nerovinnými stykovými plochami dobrý přenos tepla, elektrického proudu a podstatně rovnoměrnější rozložení mechanického namáhání, než u dosud známých řešení.
Příklad provedení mezivrstvy z měkkého kovu podle vynálezu je znázorněn na přiloženém výkresu, kde na obr. 1 je fólie s drážkami pravoúhlého profilu. Šířka stykové plochy je značena A a je v rozmezí 0,3 až i mm, šířka drážky B je rovněž v součtu nerovinností stykových ploch.
Na obr. 2 je znázorněna obdobná fólie s drážkami lichoběžníkového profilu.
Poměr rozměrů A, B, c. lze nastavit tak, 'aby při požadované přítlačné sile došlo k plastické deformaci profilované fólie a aby požadovaná stlaěitelnost odpovídala nerovinnostem soustavy.
Příkladem využití vynálezu je řešení stykových ploch výkonových polovodičových součástek např. výkonových diod nebo tyristorů, kde mezivrstva z měkkého kovu.např. z Al nebo Ag, profilovaná podle vynálezu odstraní lokální mechanická přetížení daná nerovinnostmi jednotlivých částí soustavy,např. nerovinnostmi polovodičové desky, zlepší tepelný odpor styku a zlepší podmínky pro přenos elektrického proudu.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových prvků, vyznačující se tím, že je alespoň z jedné strany opatřena vylisovanými drážkami, jejichž šířka dna a šířka stykové plochy je v rozmezí 0,3 až 1 mm a hloubka drážky je větší než trojnásobek součtu nerovinností stykových ploch.
- 2. Mezivrstva z měkkého kovu podle bodu 1, vyznačená tím, že drážky jsou vylisovány ve dvou směrech, svírajících úhel 60 až 90°.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS16683A CS237588B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS16683A CS237588B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS237588B1 true CS237588B1 (cs) | 1985-09-17 |
Family
ID=5333338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS16683A CS237588B1 (cs) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS237588B1 (cs) |
-
1983
- 1983-01-10 CS CS16683A patent/CS237588B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7078109B2 (en) | Heat spreading thermal interface structure | |
| US20020015288A1 (en) | High performance thermal/mechanical interface for fixed-gap references for high heat flux and power semiconductor applications | |
| US8643171B1 (en) | Power semiconductor device | |
| EP1261036A3 (en) | Power MOSFET semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| WO1998057226A3 (en) | Substrate having a unidirectional conductivity perpendicular to its surface, devices comprising such a substrate and methods for manufacturing such a substrate | |
| JP2003168769A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| ATE196690T1 (de) | Detektor für ionisierende strahlung | |
| ES8305157A1 (es) | "metodo para producir un dispositivo semiconductor pin de silicio amorfo". | |
| CN112652541A (zh) | 一种改善amb基板翘曲的方法 | |
| CS237588B1 (cs) | Mezivrstva z měkkého kovu pro velkoplošné kontakty, zejména výkonových polovodičových součástek | |
| ES2128450T3 (es) | Subconjunto electrico. | |
| CN103959449B (zh) | 用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件 | |
| JPS6337660A (ja) | 加圧接続型ｇｔｏサイリスタ | |
| WO2001048542A3 (en) | Active device assembly | |
| GB2168529A (en) | Electrical contacts for semiconductor devices | |
| CN209981202U (zh) | 一种散热结构 | |
| FR2373879A1 (fr) | Structure semiconductrice a dielectrique epais, procede de fabrication et dispositifs a tres haute frequence comportant une telle structure | |
| US3781750A (en) | Galvano-magnetro effect device | |
| JPS6156843A (ja) | 静電吸着板 | |
| JPH05152361A (ja) | ヒートシンク及びそのヒートシンクを用いた混成集積回路 | |
| JP4091159B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| EP1075955A3 (en) | Thick film thermal head and method of making the same | |
| JP2835121B2 (ja) | 圧力接触半導体素子 | |
| FR2691604A1 (fr) | Carte électronique à refroidissement par conduction thermique et son procédé de réalisation. | |
| JP2024059580A5 (cs) |