CS234507B1 - Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components - Google Patents
Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components Download PDFInfo
- Publication number
- CS234507B1 CS234507B1 CS437483A CS437483A CS234507B1 CS 234507 B1 CS234507 B1 CS 234507B1 CS 437483 A CS437483 A CS 437483A CS 437483 A CS437483 A CS 437483A CS 234507 B1 CS234507 B1 CS 234507B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor components
- wiring
- overvoltage protection
- power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
Účelom vynálezu je obmedzit prepa* tia na výkonových polovodičových súčiastkach pri súčasnom zniženl výkonových strát v ochranných obvodoch a samotných • "v ··■ ·. ' výkonoyýc^''polovodičových súčiastkach. Uvede®O?účelu sa dosiahne tým, že na- ' f í#?* · S ’’ bijaci odpor a v sérii s ním paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora a vybíjacieho odporu sú připojené k výstupným svorkám diodového mostíka. Diodový mostík je svojimi vstupnými svorkami připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam.The purpose of the invention is to limit overvoltages on power semiconductor components while simultaneously reducing power losses in the protection circuits and the power semiconductor components themselves. The above purpose is achieved in that a charging resistor and a series-parallel combination of a storage capacitor and a discharge resistor are connected to the output terminals of a diode bridge. The diode bridge is connected to the protected power semiconductor components with its input terminals.
Description
- 1 - 234 507- 1 - 234 507
Vynález sa týká zapojenia.elektrického obvodu prepaťovejochrany vzájomne 1’ubovolne spojených výkonových polovodičovýchsúčiastok.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring circuit for overvoltage protection of each power semiconductor component.
Doteraz známe zapojenia elektrických obvodov přepěťovýchochrán výkonových polovodičových súčiastok riešia problém sério-vým zapojením odporu a kondenzátora, ktoré sú dvorná volnými vý-vodmi připojené k výkonovým vývodom výkonovej polovodičovéj sú-čiastky alebo zapojením paťfázovej přepěťovéj ochrany pre výko-nové trojfázové usměrňovače alebo zapojením prepaťovej ochranyvýkonových polovodičových súčiastok, ktoré majú jeden výkonový’vývod připojený, na společný potenciál. Přepěťové ochrany zloženéz odporu a'kondeW'á'tora sposobujú přidané prúdové namáhaníe chrá-nenej výkonovej polovodičovej súčiastky tým, že pri jej zapínanísa kondenzátor vybíja cez odpor ochrany a spínaná výkonová polo-vodičová súčiastky, V dosledku toho vznikajú tiež přídavné výko-nové straty na odpore' Ochrany. Paťfázová ochrana výkonových po-lovod/řčoyýc,h ‘súčiastok v trojfázo?om usměrňovači, ako aj prepě-ťováWchrana výkonových polovodičových súčiastok, ktoré majújeden,·výkonový vývod připojený na spoločný potenciál, nemóžubyť pre definované zapojenie chráněných výkonových polovodičovýchsúčiastok použité pre ochranu polovodičových' súčiastok v.inomzapojení. .Podstata zapojenia elektrického obvodu prepaťovej ochranyvýkonovýchkpolovodičových súčiastok spočívá v tom, že nabíjacíodpor a paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora a vybí-jačíěho odporu sú připojené k výstupným svorkám diodového mostí-ka, ktorý je svojími vstupnými svorkami připojený k chráněnýmvýkonovým polovodičovým súčiastkam. Výhoda zapojenia elektrického obvodu prepaťovej ochrany podlá tohto vynálezu spočívá v znížení komutačného prepatia na 2 ? 234 507 chráněných výkonových polovodičových súčiastkach pri súčasnomznížení výkonových strát v ochraně, čo zároveň umožňuje použi-tie ochrany podlá tohto vynálezu pre prácu pri vyšších frekven-ciách v porovnaní s ochranou zloženou z odporu a kpndenzátora.So far known circuit connections of overvoltage protection of power semiconductor components solve the problem by serial connection of resistor and capacitor, which are yard free outputs connected to power outlets of power semiconductor part or by wiring five-phase overvoltage protection for three-phase rectifiers or wiring of overvoltage protection of power semiconductor devices that have one power outlet connected to a common potential. The overvoltage protections comprised of the resistor and the capacitor provide added current stress to the protected power semiconductor component by discharging the capacitor through its resistor and the switched power semi-conductor components when it is switched on, resulting in additional power losses. on Resistance. Five-phase protection of power circuits / components, in three-phase rectifiers, as well as surge arrestersWe have one power circuit protection for power semiconductor components, a power outlet connected to a common potential, not for the defined wiring of protected power semiconductor components used for semiconductor protection parts. The principle of wiring an electrical circuit for overvoltage protection of power semiconductor devices is that the charger and the parallel combination of the storage capacitor and the discharge resistor are connected to the output terminals of the diode bridge, which is connected to the protected power semiconductors by its input terminals. The advantage of plugging the circuit of the overvoltage protection according to the present invention consists in reducing the commutation switching to 2? 234 507 protected power semiconductor components while reducing power loss in protection, which also allows the use of the protection of the present invention to work at higher frequencies compared to the resistor and capacitor protection.
Na připojenom výkrese je na obr.1 nakreslené zapojenieelektrického obvodu prepSťovej ochrany vzájomne l’ubovolne spo-jených výkonových polovodičových súčiastok. Na připojenom výkre-se obr.2 je nakreslený příklad použitia prepSťovej ochrany pod-lá tohto vynálezu v impulzovom měniči. Na připojenom výkreseobr.3 je nakreslený příklad použitia prepSťovej ochrany podlátohto vynálezu v jednej fáze napaťového striedača.In the accompanying drawing, Fig. 1 illustrates the connection of the electrical circuit of the over-voltage protection of the arbitrarily connected power semiconductor components. FIG. 2 shows an example of the use of a surge protector according to the present invention in a pulse converter. 3 shows an example of using a surge protector according to the invention in one phase of a voltage inverter.
Funkcia zapojenia elektrického obvodu prepSťovej ochranyvýkonových polovodičových súčiastok spočívá v tom, že napStiemedzi ktorýmikolvek svorkami elektrického obvodu X móže bytvSčšie iba o úbytok napStia na dvoch diodách mostíka 2 a nanabíjacom odpore X £k° je napStie na akumulačnom kondenzátore 6_.Týmto spósobom sť^hbmedzené prepStia na všetkých výkonových po-lovodičových súčiastkach elektrického obvodu χ. U diod sú obmedze-né prepStia v záverriom smere, u tyristorov aj v priepustnom smere. 4 'í:The function of connecting the electrical circuit of the overcurrent protection of the power semiconductor components is that by replacing any of the terminals of the electric circuit X, the voltage can only be reduced by the two diodes of the bridge 2 and the charging resistance X k ° is on the storage capacitor 6. on all power circuit components χ. The diodes are limited in the closing direction, in the thyristors also in the forward direction. 4'í:
Zapojenie elektrického obvodu prepSťovej ochrany podláobr.1 je tvořené nabíjacím odporom % a paralelnou kombináci|aiakumulačného kondenzátora 6 a vybíjacieho odporu χ připojenék výstupným svorkám 3,4 diodového mostíka 2. Diodový mostík 2je svojimi vstupnými svorkami 21 až 2n připojený k chráněnýmvýkonovým polovodičovým súčiastkam XX až 1m. Podlá obr.2 jezapojenie elektrického obvodu prepSťovej ochrany výkonových po-lovodičových súčiastok v impulzovom měniči charakteristické tým,že nabíjací odpor χ a paralelná kombináciá akumulačného konden-zátora 6 a vybíjacieho odporu χ sú připojené k výstupným svor-kám JXX, diodového,mostíka 2. Diodový mostík 2 je svojimi vstup-nými svorkami 21 až 25 připojený k chráněným výkonovým polovo-dičovým súčiastkam 11 až'15. - 3 ~ 234 507The connection of the electrical circuit of the overvoltage protection of the slab 1 is formed by the charging resistance% and the parallel combination of the accumulator capacitor 6 and the discharge resistance χ connected to the output terminals 3.4 of the diode bridge 2. The diode bridge 2 is connected to the protected power semiconductor components XX to the input terminals 21 to 2n. 1m. 2, the connection of the electrical circuit of the surge protection of the power conductor components in the pulse converter is characterized by the fact that the charging resistance χ and the parallel combination of the accumulator condenser 6 and the discharge resistor χ are connected to the output terminals JXX, diode, bridge 2. The diode bridge 2 is connected by its input terminals 21 to 25 to protected power semiconductor components 11 to 15. - 3 ~ 234 507
Podl’a obr.3 je zapojenie elektrického obvodu prepatovejochrany výkonových polovodičových súčiastok v jednej fáze na-pěťového striedača charakteristické tým, že nabíjací odpor %a paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora 6 a vybíjaciehoodporu 2 sú připojené k výstupným svorkám £ diodového mostí-ka 2· Diodový mostík 2 je svojí mi výstupnými svorkami 21 až 25připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam ££až 18.3, the wiring of the circuit breaker of the power semiconductor components in one phase of the inverter is characterized in that the charging resistor% and the parallel combination of the storage capacitor 6 and the discharging housing 2 are connected to the output terminals 6 of the diode bridge 2. the bridge 2 is connected to the protected power semiconductor components 6 through 18 by its output terminals 21 to 25.
Pre případ kontroly správnéj činnosti elektrického obvodu prepá-ťovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok je možné zapo-jit paralelné k vybíjaciemu odporu 2 snímací obvod napětia 8.In order to check the correct operation of the electrical circuit of the surge protection of the power semiconductor components, a voltage sensing circuit 8 can be connected in parallel to the discharge resistor 2.
Zapojenie je možné použit k ochraně výkonových polovodičo-vých súčiastok proti prepětiam. Konkrétné je možné zapojeniepoužit vo všetkých druhoch statických meničov s výkonovými diodami, tyristormi a tranzistormi.The wiring can be used to protect surge voltage semiconductor devices. In particular, the connection can be used in all kinds of static converters with power diodes, thyristors and transistors.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS234507B1 true CS234507B1 (en) | 1985-04-16 |
Family
ID=5386328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS234507B1 (en) |
-
1983
- 1983-06-16 CS CS437483A patent/CS234507B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102405480B1 (en) | METHOD and device FOR Electrical overStress and Electrostatic discharge protection | |
| JP3745561B2 (en) | Multi-level neutral point potential fixed power converter | |
| CN105379098B (en) | Three-level inverter | |
| US11451135B2 (en) | Multilevel port under-voltage protection circuit with flying capacitor | |
| KR930007977Y1 (en) | Snubber circuit of power converter | |
| US8213146B2 (en) | Semiconductor power conversion apparatus | |
| US11652399B2 (en) | Miller clamp protection circuit, driving circuit, driving chip and intelligent IGBT module | |
| US9543751B2 (en) | Self-powered DC solid state circuit breakers | |
| CN107580737A (en) | Converter apparatus and its short-circuit protection method | |
| EP4164111A1 (en) | Inverter and inverter apparatus | |
| CN101512862B (en) | Current limiter of short circuit current | |
| Choudhury | Present status of SiC based power converters and gate drivers–a review | |
| CN104993716A (en) | Modular multilevel converter and hybrid double-unit sub-module | |
| CN104779825B (en) | Cross type sub-module structure of modular multilevel converter (MMC) | |
| CN102857078A (en) | Convertor unit based on welding type insulated gate bipolar transistor (IGBT) and pressure welding type diode antiparallel structure | |
| CN209299131U (en) | A kind of power circuit with module protection function | |
| CN103151938A (en) | Converter unit provided with inversely parallel cascade structure and based on welding type insulated gate bipolar translators (IGBT)s and pressure welding type diodes | |
| CS234507B1 (en) | Wiring of an overvoltage protection circuit of arbitrarily connected power semiconductor components | |
| US11784494B2 (en) | Direct current power supply system, photovoltaic system, energy storage system, and optical storage system | |
| CN105896477A (en) | A grounding protection method for a modular multilevel converter and the modular multilevel converter | |
| US3450894A (en) | Surge suppressing means for static circuit breakers | |
| CN110999054B (en) | Power module for converter and multilevel converter | |
| US12316091B2 (en) | Modular solid-state circuit breaker | |
| CN215496714U (en) | Parallel arrangement of semiconductor devices | |
| EP4333288A1 (en) | Solid-state motor starter |