CS234507B1 - Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements - Google Patents
Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements Download PDFInfo
- Publication number
- CS234507B1 CS234507B1 CS437483A CS437483A CS234507B1 CS 234507 B1 CS234507 B1 CS 234507B1 CS 437483 A CS437483 A CS 437483A CS 437483 A CS437483 A CS 437483A CS 234507 B1 CS234507 B1 CS 234507B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- power
- overvoltage protection
- circuit
- diode bridge
- Prior art date
Links
- 230000004224 protection Effects 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
Účelom vynálezu je obmedzit prepa* tia na výkonových polovodičových súčiastkach pri súčasnom zniženl výkonových strát v ochranných obvodoch a samotných • "v ··■ ·. ' výkonoyýc^''polovodičových súčiastkach. Uvede®O?účelu sa dosiahne tým, že na- ' f í#?* · S ’’ bijaci odpor a v sérii s ním paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora a vybíjacieho odporu sú připojené k výstupným svorkám diodového mostíka. Diodový mostík je svojimi vstupnými svorkami připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam.The purpose of the invention is to limit power semiconductor devices while reducing power losses in protective circuits and themselves • "v ··." the power of the semiconductor components. The purpose is achieved by 'f? accumulator capacitor combination a discharge resistors are connected to the output resistors terminals of the diode bridge. The diode bridge is its input terminals connected to the protected power terminals semiconductor devices.
Description
Vynález sa týká zapojenia.elektrického obvodu prepaťovej ochrany vzájomne Tubovolne spojených výkonových polovodičových súčiastok.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the wiring of an overvoltage protection electrical circuit to a tubularly connected power semiconductor device.
Doteraz známe zapojenia elektrických obvodov prepaťových ochrán výkonových polovodičových súčiastok riešia problém sériovým zapojením odporu a kondenzátora, ktoré sú dvoma volnými vývodmi připojené k výkonovým vývodom výkonovej polovodičovéj súčiastky alebo zapojením paťfázovej prepaťovej ochrany pre výkonové trojfázové usměrňovače alebo zapojením prepaťovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok, ktoré majú jeden výkonový’ vývod připojený, na společný potenciál. Prepaťové ochrany zložené z odporu akonde%+ž'á'tora sposobu jú přidané prúdové namáhaní e chránenej výkonovej polovodičovej súčiastky tým, že pri jej zapínaní sa kondenzátor vybíja cez odpor ochrany a spínánu výkonová polovodičové súčiastky, V ddsledku toho vznikajú tiež přídavné výkonové straty na odpore' Ochrany. Páťfázová ochrana výkonových polovod/pčóýýc.h ‘súčiastok v trojfázo?om usměrňovači, ako aj prepSťováWchrana výkonových polovodičových súčiastok, ktoré majú jeden,·výkonový vývod připojený na spoločny potenciál, nemdžu byť’pre definované zapojenie chráněných výkonových polovodičových súčiastok použité pre ochranu polovodičových' súčiastok v.inom zapojení.The known circuitry of surge protectors of power semiconductor devices solves the problem by series connection of resistor and capacitor, which are connected by two free terminals to the power terminals of power semiconductor component or by connection of five-phase surge protector for power three-phase rectifiers or surge protector wiring power terminal connected to common potential. Overvoltage protections composed of the resistance of the probe + + cause the added current load e of the protected power semiconductor component, when it is switched on, the capacitor discharges through the protection resistor and the power semiconductor components are switched. Consequently, additional power losses to the resistance. Five-phase protection of power semiconductors / power components in a three-phase rectifier, as well as surge protection for power semiconductor components that have a single power outlet connected to the common potential cannot be used for the protection of protected power semiconductors other components.
.Podstata zapojenia elektrického obvodu prepaťovej ochrany výkonových':·,polovodičových súčiastok spočívá v tom, že nabíjací odpor a paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora a vybíjacíěho odporu sú připojené k výstupným svorkám diodového mostíka, ktorý je svojími vstupnými svorkami připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam.The principle of the electrical circuit of the power surge protector of power semiconductor devices is that the charging resistor and the parallel combination of the accumulator capacitor and the discharge resistor are connected to the output terminals of the diode bridge which is connected to the protected power semiconductor components by its input terminals.
Výhoda zapojenia elektrického obvodu prepaťovej ochrany podlá tohto vynálezu spočívá v znížení komutačného prepatia na ? 234 507 chráněných výkonových polovodičových súčiastkach pri súčasnom znížení výkonových strát v ochraně, čo zároveň umožňuje použitie ochrany podl’a tohto vynálezu pre prácu pri vyšších frekvenciách v porovnaní s ochranou zloženou z odporu a kpndenzátora.The advantage of connecting the surge protection circuit according to the present invention is to reduce the commutation surge to ? 234,507 protected power semiconductor components while reducing power losses in the protection, which also allows the use of the protection of the present invention to operate at higher frequencies as compared to the protection consisting of a resistor and a capacitor.
Na připojenom výkrese je na obr.1 nakreslené zapojenie elektrického obvodu prepStovej ochrany vzájomne 1’ubovolne spojených výkonových polovodičových súčiastok. Na připojenom výkrese obr.2 je nakreslený příklad použitia prepStovej ochrany podTa tohto vynálezu v impulzovom měniči. Na připojenom výkrese obr.3 je nakreslený příklad použitia prepStovej ochrany podTa tohto vynálezu v jednej fáze napatového striedača.In the accompanying drawing, FIG. 1 is a drawing of an electrical circuit of a surge protector of mutually connected power semiconductor components. In the accompanying drawing, FIG. 2 is an example of the use of a prepst protection according to the present invention in a pulse changer. FIG. 3 shows an example of the use of a surge protector according to the present invention in one phase of a voltage inverter.
Funkcia zapojenia elektrického obvodu prepStovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok spočívá v tom, že napStie medzi ktorýmikoTvek svorkami elektrického obvodu X móže byt váčšie iba o úbytok napStia na dvoch diodách mostíka 2 a na nabíjacom odpore Xako 3e naPětie na akumulačnom kondenzátore 6_. Týmto spósobom s^obmedzené prepStia na všetkých výkonových polovodičových súčiastkach elektrického obvodu χ. U diod sú obmedzené prepStia v záverriom smere, u tyristorov aj v priepustnom smere.The functionality of the circuit prepStovej protection of power semiconductor devices is that the napStie ktorýmikoTvek the terminals of the circuit X can be greater by only decrease napStia the two diodes of the web 2 and the charging resistor Xako 3 and the fifth of the capacitors 6_. In this way, the overvoltage is limited on all power semiconductor components of the electric circuit. In the diodes there are limited overvoltages in the reverse direction, in thyristors also in the forward direction.
'í:'S:
Zapojenie elektrického obvodu prepStovej ochrany podTa obr.1 je tvořené nabíjacím odporom £ a paralelnou kombináci|»,u akumulačného kondenzátora 6 a vybíjacieho odporu χ připojené k výstupným svorkám 3,4 diodového mostíka 2. Diodový mostík 2 je svojimi vstupnými svorkami 21 až 2n připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam XX až 1m. PodTa obr.2 je zapojenie elektrického obvodu prepStovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok v impulzovom měniči charakteristické tým, že nabíjací odpor χ a paralelná kombináciá akumulačného kondenzátora 6 a vybíjacieho odporu χ sú připojené k výstupným svorkám JXX, diodpvéhct mostíka 2. Diodový mostík 2 je svojimi vstupnými svorkami 21 až 25 připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam 11 až Ί 5.The electrical circuit of the surge protector according to Fig. 1 is formed by a charging resistor 6 and a parallel combination of the capacitor 6 and the discharge resistor χ connected to the output terminals 3,4 of the diode bridge 2. The diode bridge 2 is connected with its input terminals 21 to 2n. to protected power semiconductor devices XX to 1m. According to FIG. 2, the electrical circuit of the surge protector of the power semiconductor components in the pulse converter is characterized in that the charging resistor χ and the parallel combination of the storage capacitor 6 and the discharge resistor χ are connected to the output terminals JXX. terminals 21 to 25 connected to protected power semiconductor components 11 to Ί 5.
- 3 ~- 3 ~
234 507234 507
Podl’a obr.3 je zapojenie elektrického obvodu prepaťovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok v jednej fáze napěťového striedača charakteristické tým, že nabíjací odpor 2 a paralelná kombinácia akumulačného kondenzátora 6 a vybíjacieho odporu 2 sú připojené k výstupným svorkám £ diodového mostíka 2_. Diodový mostík 2 je svojí mi výstupnými svorkami 21 až 25 připojený k chráněným výkonovým polovodičovým súčiastkam ££ až 18.Referring to FIG. 3, the surge protection circuit of a power semiconductor component in one phase of a voltage inverter is characterized in that the charging resistor 2 and the parallel combination of the storage capacitor 6 and the discharge resistor 2 are connected to the output terminals 6 of the diode bridge 2. The diode bridge 2 is connected to the protected power semiconductor components 80 to 18 with its output terminals 21 to 25.
Pre případ kontroly správnéj činnosti elektrického obvodu prepáťovej ochrany výkonových polovodičových súčiastok je možné zapojit paralelné k vybíjaciemu odporu 2 snímací obvod napětia 8.In order to check the correct operation of the electrical circuit of the overvoltage protection of power semiconductor components, it is possible to connect a voltage sensing circuit 8 parallel to the discharge resistor 2.
Zapojenie je možné použit k ochraně výkonových polovodičových súčiastok proti prepětiam. Konkrétné je možné zapojenie použiť vo všetkých druhoch statických meničov s výkonovými dioda mi, tyristormi a tranzistormi.The wiring can be used to protect power semiconductor devices against overvoltage. In particular, the wiring can be used in all kinds of static converters with power diodes, thyristors and transistors.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS234507B1 true CS234507B1 (en) | 1985-04-16 |
Family
ID=5386328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS437483A CS234507B1 (en) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS234507B1 (en) |
-
1983
- 1983-06-16 CS CS437483A patent/CS234507B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4563720A (en) | Hybrid AC line transient suppressor | |
| EP0680147B1 (en) | Semiconductor power module and power conversion device | |
| KR102405480B1 (en) | METHOD and device FOR Electrical overStress and Electrostatic discharge protection | |
| US4905119A (en) | Solid state overvoltage protection circuit | |
| KR930007977Y1 (en) | Snubber circuit of power converter | |
| DE59405699D1 (en) | Protection circuit for a circuit with a capacitor circuit | |
| WO2019038957A1 (en) | Control circuit and power conversion device | |
| US6104149A (en) | Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs | |
| US20210135662A1 (en) | A protection arrangement for an mmc-hvdc sub-module | |
| IL92514A (en) | Protective circuit for diode switching device | |
| CN209299131U (en) | A kind of power circuit with module protection function | |
| CS234507B1 (en) | Overvoltage protection current connection of optionally interconnected high-power solid-state elements | |
| JP2007312467A (en) | Snubber circuit | |
| CN219041622U (en) | Surge protection circuit is prevented to power | |
| EP0046408A1 (en) | Transient energy control and suppression circuit | |
| JPH028533B2 (en) | ||
| JP5899947B2 (en) | Power semiconductor module and power conversion device | |
| SU1259402A1 (en) | Device for voltage overload protection | |
| CN211405869U (en) | Practical capacitive load switch power supply | |
| CN208271884U (en) | A kind of high-power multi-path semiconductor protection chip | |
| SU602932A1 (en) | Dc voltage limiter | |
| JP2003023769A (en) | Semiconductor module for power | |
| SU1647748A1 (en) | Overvoltage protective device for transducers | |
| SU1636838A1 (en) | Parametric dc voltage regulator | |
| SU1103322A1 (en) | Device for protecting converter thyristors against switching overloads |